JPWO2012036087A1 - 研磨剤および研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 253
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 93
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- -1 polyoxyethylene laurylamine Polymers 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 claims description 3
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011008 sodium phosphates Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 27
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 21
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 20
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 12
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 9
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000005342 perphosphate group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002744 anti-aggregatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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Abstract
本発明は、研磨対象物(1)の被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤(5)であって、平均粒径(D50)が20〜150nmであり、かつ90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)が1.6〜10.0である酸化ケイ素粒子と、酸化剤と、水を含有し、pHが8.5〜12.0である研磨剤に関する。
Description
本発明は、研磨対象物の被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤および研磨方法に関する。より詳しくは、炭化ケイ素基板等の仕上げ研磨に適した化学的機械的研磨用研磨剤、およびそれを用いた研磨方法に関する。
電気エネルギーの低損失化および高性能化がなされた電子デバイス(パワーデバイス)は、消費電力の大幅節減に直接寄与するため、近年多くの分野で利用されつつある。そして、パワーデバイス用の基材として、シリコンに代わり、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)等の化合物半導体材料の使用が検討されている。
SiCの基板上には、GaN等の結晶薄膜がエピタキシャル成長により形成されてデバイス化されるため、結晶学的に低欠陥で高品質な基板表面を得ることが重要とされている。そして、低欠陥・高平滑な表面を得るために、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:以下、CMPということもある。)技術が注目されている。
SiC基板(SiCウェハ)は、以下に示すように製造される。すなわち、育成されたSiC単結晶のインゴッドをウェハ状に切断し、グラインダーで厚みを調整した後、ダイヤモンド砥粒を含む研磨剤で表面を研磨(予備研磨)して、表面の平坦度を調整し、さらに表面を仕上げ研磨して、表面平坦度の高い基板(ウェハ)が製造される。
仕上げ研磨では、予備研磨で基板表面に生じた加工変質層を化学的機械的研磨により除去するとともに、加工変質層の除去後に現れる基板表面を高度に平坦化・平滑化することが求められている。このようにSiC基板の品質を決める仕上げ研磨には、従来から酸化ケイ素微粒子が用いられてきた。しかしながら、SiCやGaNはいずれも硬度が非常に高く、かつ化学的な安定性も高いため、平坦性・平滑性を確保しながら高い研磨効率(研磨速度)で研磨することが難しく、研磨に要する時間が非常に長くなるという問題があった。
SiC基板の仕上げ研磨用の研磨剤として、例えば特許文献1には、コロイダルシリカを含有するpH4〜9の研磨剤が示されているが、粒度分布の広さについては記載がなく、特許文献1に示された研磨剤では、SiC基板の研磨速度が低いため研磨時間が長くなるという問題があった。
また特許文献2には、酸化クロムからなる砥粒と酸化剤を含有する研磨剤が示されているが、この研磨剤は、環境有害性の高い酸化クロムを含有していることに加えて、研磨後のSiC基板の表面が酸化クロムによって汚染されるおそれがあるなど、環境汚染の観点からの問題があった。
さらに特許文献3には、コロイダルシリカとバナジン酸塩と酸化剤を含有する研磨剤が示されているが、この研磨剤を使用した場合もSiC基板の研磨速度が十分ではなく、所定の研磨量を得るためには研磨に要する時間が長くなるという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、SiC基板のような硬度が非常に高くかつ化学的安定性が高い研磨対象物の被研磨面を、より高速度で研磨するとともに、研磨後の表面平坦性および平滑性にも優れた研磨剤および研磨方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の構成を有する研磨剤を提供する。
[1]研磨対象物の被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、平均粒径(D50)が20〜150nmであり、かつ90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)が1.6〜10.0である酸化ケイ素粒子と、酸化剤と、水を含有し、pHが8.5〜12.0である研磨剤。[2]無機塩と潤滑剤をさらに含有する、前記[1]に記載の研磨剤。[3]前記無機塩が、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、リン酸カリウムおよびリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、前記[2]に記載の研磨剤。[4]前記潤滑剤が、炭素数6〜20の、アルキル基、アリール基およびアリール置換アルキル基から選ばれる少なくとも1種の炭化水素基を有するアミンの少なくとも1種である、前記[2]に記載の研磨剤。[5]前記潤滑剤が、オクチルアミン、ドデシルアミンおよびポリオキシエチレンラウリルアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種である、前記[4]に記載の研磨剤。[6]前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸アンモニウムおよび過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、前記[1]〜[5]のいずれかに記載の研磨剤。[7]前記研磨対象物が、修正モース硬度が10以上の単結晶基板である、前記[1]〜[6]のいずれかに記載の研磨剤。[8]前記研磨対象物が炭化ケイ素単結晶基板である、前記[7]に記載の研磨剤。
また、本発明は、以下の構成を有する研磨方法を提供する。
[9]前記[1]〜[8]のいずれかに記載の研磨剤を研磨パッドに供給し、研磨対象物の被研磨面と前記研磨パッドとを接触させて、両者間の相対運動により研磨する研磨方法。
[9]前記[1]〜[8]のいずれかに記載の研磨剤を研磨パッドに供給し、研磨対象物の被研磨面と前記研磨パッドとを接触させて、両者間の相対運動により研磨する研磨方法。
なお、本発明において、「被研磨面」とは研磨対象物の研磨される面であり、例えば表面を意味する。
本発明の研磨剤およびこれを用いた研磨方法によれば、炭化ケイ素(SiC)基板のような硬度が高い研磨対象物の被研磨面を、高い研磨速度で研磨することができ、平坦かつ平滑で傷のない研磨後の表面を得ることができる。
以下に、本発明の実施の形態について説明する。
[研磨剤]
本発明に係る研磨剤は、研磨対象物の被研磨面を研磨するための研磨剤であって、平均粒径(D50)が20〜150nmであり、90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)が1.6〜10.0である酸化ケイ素粒子と、酸化剤と、水をそれぞれ含有する。そして、研磨剤のpHは8.5〜12.0の範囲となっている。本発明に係る研磨剤はスラリーの形状を有する。
本発明に係る研磨剤は、研磨対象物の被研磨面を研磨するための研磨剤であって、平均粒径(D50)が20〜150nmであり、90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)が1.6〜10.0である酸化ケイ素粒子と、酸化剤と、水をそれぞれ含有する。そして、研磨剤のpHは8.5〜12.0の範囲となっている。本発明に係る研磨剤はスラリーの形状を有する。
本発明において、平均粒径(D50)は、体積基準累積50%粒径である。この体積基準累積50%粒径(D50)は、体積基準で粒度分布を求め、全体積を100%とした累積曲線において、累積値が50%となる点の粒径である。なお、本明細書では、平均粒径(D50)を、単に平均粒径またはD50ということがある。
同様に、10%粒径(D10)および90%粒径(D90)は、体積基準累積10%粒径および体積基準累積90%粒径であり、求められた粒度分布の全体積を100%とした累積曲線において、累積値が10%および90%となる点の粒径を示す。したがって、90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)は、粒度分布の広さを示す指標ということができる。D90/D10の値が大きいほど、広い粒度分布を有する。また、D90/D10が1に近いほど、単分散に近い粒度分布を有する。なお、本発明において、粒度分布は、レーザー散乱粒度分布測定装置で測定した頻度分布および累積体積分布曲線で求められる。そして、粒径の測定は、酸化ケイ素粒子を水媒体中に分散させ、例えば日機装社製マイクロトラックUPAなどを用いて粒度分布を測定することにより行なわれる。
本発明の研磨剤においては、D50が20〜150nmで、D90/D10が1.6〜10.0と広い粒度分布を有する酸化ケイ素粒子である砥粒と、酸化剤をそれぞれ含有し、かつ8.5〜12.0のpHを有しているので、炭化ケイ素(SiC)基板のような硬度が高く化学的安定性が高い研磨対象物を、高い研磨速度で研磨することができ、平坦かつ平滑で傷のない研磨後の表面を得ることができる。
特に、砥粒である酸化ケイ素粒子のD90/D10が、従来から使用されている砥粒に比べて大きく、広い粒度分布を有していることによって、高い研磨速度が得られる。すなわち、D90/D10が1に近く単分散に近い粒度分布を有する粒子では、研磨の際に研磨対象物との間に生じる研磨応力が比較的小さくなるのに対して、粒径分布が広い粒子では、粒径の大きな粒子の間に小粒径の粒子が入りこむことにより、研磨対象物との間に生じる研磨応力が大きくなる。したがって、広い粒度分布を持つ酸化ケイ素粒子を含む本発明の研磨剤では、研磨に際して大きな研磨応力が研磨対象物に作用することになるので、前記硬質材料や難研磨材料を効果的に研磨することができる。
また、本発明に係る研磨剤は8.5〜12.0のpHを有しているので酸化剤が効果的に作用し、研磨特性が良好であり、かつ砥粒である酸化ケイ素粒子の分散安定性にも優れている。
以下、本発明の研磨剤の各成分およびpHについて詳述する。
(1)酸化ケイ素粒子
本発明の研磨剤中の酸化ケイ素(シリカ)粒子は、研磨砥粒として作用するものである。シリカとしては、公知の方法で製造されるものを使用することができる。例えば、エチルシリケート、メチルシリケート等のシリコンアルコキシドをゾルゲル法により加水分解することにより得られるコロイダルシリカを使用することができる。また、ケイ酸ナトリウムをイオン交換したコロイダルシリカや、四塩化ケイ素を酸素と水素の火炎中で気相合成したヒュームドシリカを使用することができる。
本発明の研磨剤中の酸化ケイ素(シリカ)粒子は、研磨砥粒として作用するものである。シリカとしては、公知の方法で製造されるものを使用することができる。例えば、エチルシリケート、メチルシリケート等のシリコンアルコキシドをゾルゲル法により加水分解することにより得られるコロイダルシリカを使用することができる。また、ケイ酸ナトリウムをイオン交換したコロイダルシリカや、四塩化ケイ素を酸素と水素の火炎中で気相合成したヒュームドシリカを使用することができる。
これらの中でも、粒径が制御しやすく高純度品を得ることができる点から、コロイダルシリカの使用が好ましく、特にケイ酸ナトリウムを出発原料とするコロイダルシリカが好ましい。
本発明の研磨剤が含有する酸化ケイ素粒子は、平均粒径(D50)が20〜150nmでD90/D10が1.6〜10.0となるように、粒径および粒度分布が調整されたものである。酸化ケイ素粒子のD50が20nm未満の場合には、十分な研磨速度(研磨効率)が得られない。また、酸化ケイ素粒子のD50が150nmを超えると、分散安定性が悪くなり、均一な研磨剤スラリーを得ることが難しくなる。研磨特性と分散安定性の観点から、酸化ケイ素粒子のD50は30〜120nmであることがより好ましい。
また、酸化ケイ素粒子の粒度分布の広さの指標ともいえるD90/D10は、1.7〜9.0の範囲がより好ましく、1.8〜8.0の範囲が特に好ましい。D50が20〜150nmであっても、D90/D10が1.6未満の酸化ケイ素粒子を使用した場合には、高い研磨速度が得られない。また、酸化ケイ素粒子のD90/D10が10.0を超える場合にも、粒度分布が過大に広がることによる被研磨面の傷発生や、研磨剤の分散性低下などの問題が発生し、十分に高い研磨速度を得ることが難しい。
本発明の研磨剤中の酸化ケイ素粒子の含有割合(濃度)は、研磨剤の全質量に対して1〜40質量%の範囲であり、研磨速度、基板面内の研磨速度の均一性、分散安定性等を考慮して適宜設定することが好ましい。研磨剤全質量の10〜30質量%の範囲がより好ましい。酸化ケイ素粒子の含有割合(濃度)が研磨剤全質量に対して1質量%未満では、十分な研磨速度が得られないことがあり、40質量%を超えると、酸化ケイ素粒子の濃度の増加に見合った研磨速度の向上が認められず、また研磨剤の粘性の上昇やゲル化を促進する場合がある。
(2)酸化剤
本発明の研磨剤中の酸化剤は、後述する研磨対象物(例えば、SiCやGaNなどの単結晶基板)の被研磨面に酸化層(皮膜)を形成するものである。この酸化層を機械的な力で被研磨面から除去することにより、研磨対象物の研磨が促進される。すなわち、SiCやGaNなどの化合物半導体は非酸化物であり、難研磨材料であるが、研磨剤中の酸化剤により表面に酸化層を形成することができる。形成された酸化層は、難研磨材料である研磨対象物に比べて硬度が低く研磨されやすいので、砥粒である酸化ケイ素粒子により効果的に除去することができる。その結果、高い研磨速度が発現する。
本発明の研磨剤中の酸化剤は、後述する研磨対象物(例えば、SiCやGaNなどの単結晶基板)の被研磨面に酸化層(皮膜)を形成するものである。この酸化層を機械的な力で被研磨面から除去することにより、研磨対象物の研磨が促進される。すなわち、SiCやGaNなどの化合物半導体は非酸化物であり、難研磨材料であるが、研磨剤中の酸化剤により表面に酸化層を形成することができる。形成された酸化層は、難研磨材料である研磨対象物に比べて硬度が低く研磨されやすいので、砥粒である酸化ケイ素粒子により効果的に除去することができる。その結果、高い研磨速度が発現する。
酸化剤としては、過酸化水素、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、過炭酸塩、過ホウ酸塩および過リン酸塩から選ばれる1種以上の使用が好ましい。ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、過炭酸塩、過ホウ酸塩および過リン酸塩としては、アンモニウム塩や、カリウム塩等を使用することができる。例えば、過硫酸アンモニウムおよび過硫酸カリウムが好ましい。また、アルカリ金属成分を含有せず、有害な副生成物を生じない点から、過酸化水素が好ましい。
研磨速度向上の効果を得るために、本発明の研磨剤中の酸化剤の含有割合(濃度)は、研磨剤の全質量に対して0.1〜20質量%の範囲であり、研磨速度等を考慮して適宜設定することが好ましい。研磨剤全質量の0.5〜15質量%の範囲がより好ましく、1.0〜12質量%の範囲が特に好ましい。
(3)pHおよび無機塩
本発明に係る研磨剤のpHは、研磨特性および分散安定性の点から、8.5〜12.0の範囲とする。pHが8.5未満の場合には十分な研磨速度が得られない。pHが12.0を超えると、砥粒である酸化ケイ素粒子が溶解するため、十分な研磨速度が得られない。より好ましいpHの範囲は9.0〜11.0である。本発明の研磨剤のpHは、後述する酸および塩基性化合物の添加・配合により調整される。
本発明に係る研磨剤のpHは、研磨特性および分散安定性の点から、8.5〜12.0の範囲とする。pHが8.5未満の場合には十分な研磨速度が得られない。pHが12.0を超えると、砥粒である酸化ケイ素粒子が溶解するため、十分な研磨速度が得られない。より好ましいpHの範囲は9.0〜11.0である。本発明の研磨剤のpHは、後述する酸および塩基性化合物の添加・配合により調整される。
本発明の研磨剤には、配合された酸と塩基性化合物との反応により生成した無機塩が含有されることが好ましい。すなわち、本発明の研磨剤は、前記した酸化ケイ素粒子と酸化剤の他に酸を含有することが好ましく、かつ研磨剤のpHを前記した所定の範囲(8.5〜12.0)に調整するために、塩基性化合物を添加することが好ましい。したがって、研磨剤中には、配合された酸と塩基性化合物との反応により生成した無機塩が含有されることになる。なお、前記した酸化剤が酸としても機能する場合には、酸化剤ではなく酸として扱うものとする。
酸としては、硝酸、硫酸、リン酸および塩酸から選ばれる1種以上の無機酸を用いることが好ましい。硝酸、硫酸およびリン酸の使用が好ましく、中でも酸化力のあるオキソ酸でありハロゲンを含まない硝酸の使用が特に好ましい。本発明の研磨剤における酸の含有割合(濃度)は、研磨剤の全質量に対して0.01〜5.0質量%の範囲が好ましく、0.1〜1.0質量%の範囲がより好ましい。酸の添加により、SiC基板のような研磨対象物の研磨速度をより高めることができる。また、研磨剤の分散安定性を向上させることも可能である。なお、この酸の濃度は、後述する塩基性化合物との反応により無機塩となった場合、その塩がそれぞれ酸と塩基性化合物として独立に存在していると仮定した場合の濃度を意味するものとする。
本発明に係る研磨剤を前記した所定のpHに調整するために、前記酸とともに塩基性化合物が添加される。塩基性化合物としては、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウム等の4級アンモニウムを使用することができ、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムの使用が好ましい。研磨剤中の塩基性化合物の含有割合(濃度)は、研磨剤のpHを所定の範囲(pH8.5〜12.0)に調整する量とする。
本発明に係る研磨剤において、前記酸と塩基性化合物とがそれぞれ配合された場合、酸と塩基性化合物との反応により生成した無機塩が研磨剤中に含有されることになる。酸としては硝酸、硫酸、リン酸の使用が好ましく、塩基性化合物としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウムの使用が好ましいので、研磨剤中に含有される無機塩は、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウムから選ばれる1種または2種以上の塩であることが好ましい。本発明に係る研磨剤における無機塩の効果としては、電気二重層の圧縮効果による砥粒の被研磨物への効率的な接触により、研磨速度が向上することが考えられる。
なお、酸や塩基性化合物は、本発明の研磨剤調製のどの段階に添加してもよい。例えば、酸または塩基性化合物で処理したものを研磨剤の成分として使用する場合も、上記に説明する酸や塩基性化合物の添加に該当する。また、使用する酸と塩基性化合物の一部を反応させて無機塩とした後添加することもできるが、研磨速度を大きくできる点、研磨剤のpHを所望の範囲に調節しやすい点、および取扱い性の点などから、本発明では、酸と塩基性化合物とを別々に添加することが好ましい。
(4)潤滑剤
本発明の研磨剤は潤滑剤を含有することが好ましく、研磨対象物との間に生じる研磨応力を適度に調整し、安定した研磨を可能とする。すなわち、研磨対象物との間で生じる研磨応力が比較的大きい場合は、研磨対象物が研磨ヘッド等による保持から外れて研磨装置から飛び出したり、あるいは研磨対象物に傷が発生することがある。研磨対象物の被研磨面に潤滑剤を作用させることにより、研磨対象物を損傷することなく、安定した効果的な研磨が可能となる。
本発明の研磨剤は潤滑剤を含有することが好ましく、研磨対象物との間に生じる研磨応力を適度に調整し、安定した研磨を可能とする。すなわち、研磨対象物との間で生じる研磨応力が比較的大きい場合は、研磨対象物が研磨ヘッド等による保持から外れて研磨装置から飛び出したり、あるいは研磨対象物に傷が発生することがある。研磨対象物の被研磨面に潤滑剤を作用させることにより、研磨対象物を損傷することなく、安定した効果的な研磨が可能となる。
このような潤滑剤としては、炭素数6〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキル基のH原子がアリール基で置換された炭素数6〜20のアリール置換アルキル基から選ばれる炭化水素基を有するアミンが使用されることが好ましい。具体的には、オクチルアミン、ドデシルアミン、ポリオキシエチレンラウリルアミンが例示され、これらのアミンから選ばれる1種以上を使用することが好ましい。このようなアミンは、研磨剤スラリーの分散性を悪化させることがない。なお、本明細書においてアミンは、1級アミノ基を有する第1アミンだけでなく、2級アミノ基を有する第2アミンおよび3級アミノ基を有する第3アミンをも含むものとする。
前記潤滑剤の研磨剤中における含有割合(濃度)は、研磨剤の全質量に対して0・001〜5質量%の範囲とすることが好ましい。研磨剤全質量の0.002〜0.5質量%の範囲がより好ましく、0.003〜0.1質量%の範囲が特に好ましい。
(5)水
本発明の研磨剤が含有する水は、研磨砥粒である酸化ケイ素粒子を安定に分散させるとともに、酸化剤および必要に応じて添加される任意成分を分散・溶解するための媒体である。水については、特に制限はないが、他の配合成分に対する影響、不純物の混入、pH等への影響から、純水または脱イオン水が好ましい。水は研磨剤の流動性を制御する機能を有するので、その含有量は、研磨速度のような目標とする研磨特性に合わせて適宜設定することができる。例えば、水の含有割合は、研磨剤全質量に対して40〜90質量%の範囲とすることが好ましい。水の含有量が、研磨剤全質量に対して40質量%未満では、研磨剤の粘性が高くなり流動性が損なわれる場合があり、90質量%を超えると、砥粒である酸化ケイ素粒子の濃度が低くなり十分な研磨速度が得られないことがある。
本発明の研磨剤が含有する水は、研磨砥粒である酸化ケイ素粒子を安定に分散させるとともに、酸化剤および必要に応じて添加される任意成分を分散・溶解するための媒体である。水については、特に制限はないが、他の配合成分に対する影響、不純物の混入、pH等への影響から、純水または脱イオン水が好ましい。水は研磨剤の流動性を制御する機能を有するので、その含有量は、研磨速度のような目標とする研磨特性に合わせて適宜設定することができる。例えば、水の含有割合は、研磨剤全質量に対して40〜90質量%の範囲とすることが好ましい。水の含有量が、研磨剤全質量に対して40質量%未満では、研磨剤の粘性が高くなり流動性が損なわれる場合があり、90質量%を超えると、砥粒である酸化ケイ素粒子の濃度が低くなり十分な研磨速度が得られないことがある。
(6)研磨剤の調製および任意成分
本発明に係る研磨剤には、本発明の趣旨に反しない限り、界面活性剤、キレート化剤、還元剤、粘性付与剤または粘度調節剤、凝集防止剤または分散剤、防錆剤等を必要に応じて適宜含有させることができる。ただし、これらの添加剤が、酸化剤、潤滑剤、酸または塩基性化合物の機能を有する場合は、酸化剤、潤滑剤、酸または塩基性化合物として扱うものとする。
本発明に係る研磨剤には、本発明の趣旨に反しない限り、界面活性剤、キレート化剤、還元剤、粘性付与剤または粘度調節剤、凝集防止剤または分散剤、防錆剤等を必要に応じて適宜含有させることができる。ただし、これらの添加剤が、酸化剤、潤滑剤、酸または塩基性化合物の機能を有する場合は、酸化剤、潤滑剤、酸または塩基性化合物として扱うものとする。
本発明に係る研磨剤は、前記した成分が前記所定の含有割合(濃度)で含有され、酸化ケイ素粒子については均一に分散し、それ以外の成分については均一に溶解した混合状態になるように調製され使用される。混合には、研磨剤の製造に通常用いられる撹拌混合方法、例えば、超音波分散機、ホモジナイザー等による撹拌混合方法を採ることができる。本発明に係る研磨剤は、必ずしも予め構成する研磨材料をすべて混合したものとして研磨の場に供給する必要はない。研磨の場に供給する際に、研磨材料が混合されて研磨剤の組成になってもよい。
(7)研磨対象物
本発明の研磨剤が研磨する研磨対象物としては、特に制限されない。具体的には、ガラス基板、シリコンウェハ、半導体デバイス配線基板、化合物半導体の単結晶基板等が挙げられる。これらのうちでも、化合物半導体単結晶基板を研磨する際により大きな効果を上げることが可能であり、特に、修正モース硬度が10以上の単結晶基板の研磨に用いることで、よりいっそう高速研磨の効果を得ることができる。
本発明の研磨剤が研磨する研磨対象物としては、特に制限されない。具体的には、ガラス基板、シリコンウェハ、半導体デバイス配線基板、化合物半導体の単結晶基板等が挙げられる。これらのうちでも、化合物半導体単結晶基板を研磨する際により大きな効果を上げることが可能であり、特に、修正モース硬度が10以上の単結晶基板の研磨に用いることで、よりいっそう高速研磨の効果を得ることができる。
上記した修正モース硬度が10以上の単結晶基板としては、具体的には、サファイア(α−Al2O3)基板(硬度:12)、炭化ケイ素(SiC)基板(硬度:13)、窒化ガリウム(GaN)基板(硬度:13)等が挙げられる。本発明の研磨剤は、これらのなかでも、特に炭化ケイ素(SiC)基板の研磨に好ましく用いられる。
[研磨方法]
本発明の研磨剤を用いて、研磨対象物の被研磨面を研磨する方法としては、研磨剤を研磨パッドに供給しながら、研磨対象物の被研磨面と研磨パッドとを接触させ、両者間の相対運動により研磨を行う研磨方法が好ましい。
本発明の研磨剤を用いて、研磨対象物の被研磨面を研磨する方法としては、研磨剤を研磨パッドに供給しながら、研磨対象物の被研磨面と研磨パッドとを接触させ、両者間の相対運動により研磨を行う研磨方法が好ましい。
上記研磨方法において、研磨装置としては従来公知の研磨装置を使用することができる。図1に、本発明の実施形態に使用可能な研磨装置の一例を示し、以下に説明するが、本発明の実施形態に使用される研磨装置はこのような構造のものに限定されるものではない。
この研磨装置10は、研磨対象物1を保持する研磨ヘッド2と、研磨定盤3と、研磨定盤3の表面に貼り付けられた研磨パッド4と、研磨剤5を貯留するタンク8と、タンク8から研磨剤供給ポンプ7を用いて、研磨パッド4に研磨剤5を供給する研磨剤供給配管6とを備えている。研磨装置10は、研磨剤供給配管6から研磨剤5を供給しながら、研磨ヘッド2に保持された研磨対象物1の被研磨面を研磨パッド4に接触させ、研磨ヘッド2と研磨定盤3とを相対的に回転運動させて研磨を行なうように構成されている。
このような研磨装置10を用いて、研磨対象物1の被研磨面の研磨を行なうことができる。ここで、図1に示す研磨装置10は、研磨対象物1の片面を被研磨面として研磨する片面研磨装置であるが、例えば、研磨対象物の上下両面に図1の研磨装置10と同様の研磨パッドを配した両面同時研磨装置を使用し、研磨対象物の被研磨面(両面)を同時に研磨することも可能である。
研磨ヘッド2は、回転運動だけでなく直線運動をしてもよい。また、研磨定盤3および研磨パッド4は、研磨対象物1と同程度またはそれ以下の大きさであってもよい。その場合は、研磨ヘッド2と研磨定盤3とを相対的に移動させることにより、研磨対象物1の被研磨面の全面を研磨できるようにすることが好ましい。さらに、研磨定盤3および研磨パッド4は回転運動を行なうものでなくてもよく、例えばベルト式で一方向に移動するものであってもよい。
このような研磨装置10の研磨条件には特に制限はないが、研磨ヘッド2に荷重をかけて研磨パッド4に押しつけることで、より研磨圧力を高め、研磨速度を向上させることも可能である。研磨圧力は10〜50kPa程度が好ましく、研磨速度の被研磨面内均一性、平坦性、スクラッチなどの研磨欠陥防止の観点から、10〜40kPa程度がより好ましい。研磨定盤3および研磨ヘッド2の回転数は、50〜500rpm程度が好ましいがこれに限定されない。また、研磨剤5の供給量については、被研磨面の構成材料や研磨剤の組成、上記各研磨条件等により適宜調整、選択される。
研磨パッド4としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質樹脂、非多孔質樹脂などからなるものを使用することができる。また、研磨パッド4への研磨剤5の供給を促進し、あるいは研磨パッド4に研磨剤5が一定量溜まるようにするために、研磨パッド4の表面に格子状、同心円状、らせん状などの溝加工が施されていてもよい。
また、必要により、パッドコンディショナーを研磨パッド4の表面に接触させて、研磨パッド4表面のコンディショニングを行いながら研磨してもよい。
本発明の研磨剤は、研磨パッドに供給されて使用される。一般に、研磨に使用された研磨剤はそのまま廃棄されるが、循環再利用することもできる。すなわち、研磨パッドに供給されて研磨に使用された研磨剤を回収し、再び研磨パッドに供給して使用することもできる。
このような研磨装置を使用する本発明に係る研磨方法は、ダイヤモンド砥粒を含む研磨剤で予備研磨を行なった後のSiC基板等の仕上げ研磨に好適に用いることができる。
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(1)研磨剤の調製
(1−1)実施例1〜16の各研磨剤を、以下に示すようにして調製した。まず、表1に示す酸と潤滑剤とを水に加え、10分間撹拌した。なお、表1中、潤滑剤F1はポリオキシエチレンラウリルアミンを、F2はドデシルアミンを、F3はオクチルアミンをそれぞれ示している。次いで、この液に、表1に示すD10、D50、D90の各粒径、およびD90/D10を有するコロイダルシリカ粒子を水に分散させた液を徐々に添加し、さらに表1に示す塩基性化合物であるKOHまたはNaOHを徐々に添加して、pHを調整した。その後、使用する直前に、酸化剤である過酸化水素の水溶液を添加し、30分間撹拌して研磨剤を得た。各実施例において使用した各成分の研磨剤全体に対する含有割合(濃度;質量%)を、表1に示す。水としては純水を使用した。
(1−1)実施例1〜16の各研磨剤を、以下に示すようにして調製した。まず、表1に示す酸と潤滑剤とを水に加え、10分間撹拌した。なお、表1中、潤滑剤F1はポリオキシエチレンラウリルアミンを、F2はドデシルアミンを、F3はオクチルアミンをそれぞれ示している。次いで、この液に、表1に示すD10、D50、D90の各粒径、およびD90/D10を有するコロイダルシリカ粒子を水に分散させた液を徐々に添加し、さらに表1に示す塩基性化合物であるKOHまたはNaOHを徐々に添加して、pHを調整した。その後、使用する直前に、酸化剤である過酸化水素の水溶液を添加し、30分間撹拌して研磨剤を得た。各実施例において使用した各成分の研磨剤全体に対する含有割合(濃度;質量%)を、表1に示す。水としては純水を使用した。
(1−2)比較例1〜8の各研磨剤を、以下に示すようにして調製した。比較例1、比較例4および比較例6においては、表1に示す各粒径(D10、D50、D90)および粒度分布(D90/D10)を有するコロイダルシリカ粒子を水に分散させた液のみを配合し、シリカ粒子の含有割合(濃度)が研磨剤全体に対して20質量%の研磨剤を得た。比較例2,3,5,7,8においては、砥粒として、表1に示す各粒径(D10、D50、D90)および粒度分布(D90/D10)を有するコロイダルシリカ粒子、酸化剤である過酸化水素、酸、塩基性化合物、および潤滑剤を、実施例1〜16と同様にして水に加え、撹拌・混合して研磨剤を得た。各比較例において使用した各成分の研磨剤全体に対する含有割合(濃度;質量%)を、表1に示す。
なお、実施例1〜16および比較例1〜8で配合されるシリカ粒子の各粒径(D10、D50、D90)は、マイクロトラックUPA(日機装社製)により測定した。そして、D10とD90の値からD90/D10を求め、粒度分布の広さの指標とした。
(2)pHの測定
実施例1〜16および比較例1〜8で得られた研磨剤(スラリー)のpHを、横河電機社製のpH81−11を使用し25℃で測定した。測定結果を表1に示す。
実施例1〜16および比較例1〜8で得られた研磨剤(スラリー)のpHを、横河電機社製のpH81−11を使用し25℃で測定した。測定結果を表1に示す。
(3)研磨剤の研磨特性の評価
実施例1〜16および比較例1〜8で得られた研磨剤について、以下の方法で研磨特性の評価を行った。
実施例1〜16および比較例1〜8で得られた研磨剤について、以下の方法で研磨特性の評価を行った。
(3−1)研磨条件
研磨機としては、Nanofactor社製卓上研磨装置を使用した。研磨パッドとしては、SUBA800−XY−groove(ニッタハース社製)を使用し、研磨前にMEC100−PH3.5L(三菱マテリアル社製)およびブラシを用いて、コンディショニングを行った。
研磨機としては、Nanofactor社製卓上研磨装置を使用した。研磨パッドとしては、SUBA800−XY−groove(ニッタハース社製)を使用し、研磨前にMEC100−PH3.5L(三菱マテリアル社製)およびブラシを用いて、コンディショニングを行った。
研磨剤の供給速度を25cm3/分、研磨定盤の回転数を90rpm、基板保持部の回転数を80rpm、研磨圧を5psi(34.5kPa)として、60分間研磨を行った。
(3−2)被研磨物
被研磨物として、2インチ径のSiCウェハを使用した。オフ角は8度でSi面側を研磨評価した。ダイヤモンド砥粒を用いて予備研磨を行った後の厚さ380μmのウェハを使用した。
被研磨物として、2インチ径のSiCウェハを使用した。オフ角は8度でSi面側を研磨評価した。ダイヤモンド砥粒を用いて予備研磨を行った後の厚さ380μmのウェハを使用した。
(3−3)研磨速度の評価
研磨速度は、単位時間当たりの基板(ウェハ)の厚さの変化量(nm/hr)で評価した。具体的には、厚さが既知の未研磨基板の質量と各時間研磨した後の基板質量とを測定し、その差から質量変化を求めた。そして、この質量変化から求めた基板の厚さの時間当たりの変化を、下記の式を用いて算出した。研磨速度の算出結果を表1に示す。(研磨速度(V)の計算式)Δm=m0−m1、V=Δm/m0 × T0 × 60/t(式中、Δm(g)は研磨前後の質量変化、m0(g)は未研磨基板の初期質量、m1(g)は研磨後基板の質量、Vは研磨速度(nm/hr)、T0は未研磨基板の厚さ(nm)、tは研磨時間(min)を表す。)
研磨速度は、単位時間当たりの基板(ウェハ)の厚さの変化量(nm/hr)で評価した。具体的には、厚さが既知の未研磨基板の質量と各時間研磨した後の基板質量とを測定し、その差から質量変化を求めた。そして、この質量変化から求めた基板の厚さの時間当たりの変化を、下記の式を用いて算出した。研磨速度の算出結果を表1に示す。(研磨速度(V)の計算式)Δm=m0−m1、V=Δm/m0 × T0 × 60/t(式中、Δm(g)は研磨前後の質量変化、m0(g)は未研磨基板の初期質量、m1(g)は研磨後基板の質量、Vは研磨速度(nm/hr)、T0は未研磨基板の厚さ(nm)、tは研磨時間(min)を表す。)
(3−4)研磨後の表面観察
実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤により研磨後の基板(SiCウェハ)の表面を目視観察して、著しい傷がないかを調べたところ、研磨に起因する傷は発見されなかった。また、原子間力顕微鏡(AFM)により研磨後の基板(SiCウェハ)表面を観察し、表面粗さを測定することにより平滑性を評価した。実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤により研磨後の基板表面は、いずれも表面粗さRaが0.1nmとなっており、研磨前のRa0.4nmに比べて平滑性が向上していた。
実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤により研磨後の基板(SiCウェハ)の表面を目視観察して、著しい傷がないかを調べたところ、研磨に起因する傷は発見されなかった。また、原子間力顕微鏡(AFM)により研磨後の基板(SiCウェハ)表面を観察し、表面粗さを測定することにより平滑性を評価した。実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤により研磨後の基板表面は、いずれも表面粗さRaが0.1nmとなっており、研磨前のRa0.4nmに比べて平滑性が向上していた。
(4)研磨剤の分散安定性
研磨剤を室温で1ヶ月保管した後、砥粒であるシリカ粒子の分散性を調べたところ、実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤のいずれにおいても、ゲル化や沈殿などの顕著な変化は認められなかった。
研磨剤を室温で1ヶ月保管した後、砥粒であるシリカ粒子の分散性を調べたところ、実施例1〜16および比較例1〜8の研磨剤のいずれにおいても、ゲル化や沈殿などの顕著な変化は認められなかった。
表1からわかるように、D50が20〜150nmでD90/D10が1.6〜10.0の範囲にあるシリカ粒子と、酸化剤を含有し、pHが8.5〜12.0の範囲にある実施例1〜16の研磨剤を使用した場合は、比較例1〜8の研磨剤を使用した場合に比べて、炭化ケイ素(SiC)基板の研磨速度が高くなっており、高速研磨が可能である。また、研磨対象物の被研磨面に研磨に起因する傷が発生することがなく、平坦性および平滑性に優れた研磨後の表面が得られる。
それに対して、比較例1〜8の研磨剤を使用した場合は、いずれも炭化ケイ素(SiC)基板の研磨速度が低く、十分な研磨速度が得られていない。すなわち、比較例1の研磨剤は、砥粒であるシリカ粒子のみを含有し、酸化剤を含有しない研磨剤であり、コンポール80(商品名、フジミインコーポレーテッド製)である。比較例1の研磨剤は、D90/D10が1.6未満で粒度分布が狭いシリカ粒子を含有し酸化剤を含まないので、高い研磨速度が得られない。
また、比較例2、比較例3および比較例8の研磨剤は、いずれも酸化剤を含有し、かつpHが所定の範囲(pH8.5〜12.0)にあるが、砥粒としてD90/D10が1.6未満で粒度分布が狭いシリカ粒子を含有しているので、研磨速度が低くなっている。
比較例4の研磨剤は、D90/D10が1.6以上と粒度分布が広いシリカ粒子を砥粒として含有し、かつpHが8.5〜12.0の範囲にあるが、酸化剤を含有していないので、研磨速度が低くなっている。
比較例5の研磨剤は、D90/D10が1.6以上と粒度分布が広いシリカ粒子を含有し、かつ酸化剤を含有するが、pHが3.0と所定の範囲から外れているので、研磨速度が低くなっている。
比較例6の研磨剤は、酸化剤を含有していないので、研磨速度が低くなっている。
比較例7の研磨剤は、D90/D10が1.6以上と粒度分布が広いシリカ粒子を砥粒として含有しているが、pHが8.5〜12.0の範囲外にあるので、研磨速度が低くなっている。
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の範囲と精神を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、2010年9月15日出願の日本特許出願2010−206500に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本出願は、2010年9月15日出願の日本特許出願2010−206500に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本発明によれば、研磨対象物、特に炭化ケイ素(SiC)基板、窒化ガリウム(GaN)基板等の硬度の高い化合物半導体の単結晶基板の高速研磨が可能となり、かつ傷がなく平坦性および平滑性に優れた研磨後の表面を得ることが可能となる。したがって、それらの基板の生産性の向上に寄与することができる。
1…研磨対象物、2…研磨ヘッド、3…研磨定盤、4…研磨パッド、5…研磨剤、6…研磨剤供給配管、7…研磨剤供給ポンプ、8…タンク、10…研磨装置。
Claims (9)
- 研磨対象物の被研磨面を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、
平均粒径(D50)が20〜150nmであり、かつ90%粒径(D90)と10%粒径(D10)との比(D90/D10)が1.6〜10.0である酸化ケイ素粒子と、酸化剤と、水を含有し、
pHが8.5〜12.0である研磨剤。 - 無機塩と潤滑剤をさらに含有する、請求項1に記載の研磨剤。
- 前記無機塩が、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、リン酸カリウムおよびリン酸ナトリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項2に記載の研磨剤。
- 前記潤滑剤が、炭素数6〜20の、アルキル基、アリール基およびアリール置換アルキル基から選ばれる少なくとも1種の炭化水素基を有するアミンの少なくとも1種である、請求項2に記載の研磨剤。
- 前記潤滑剤が、オクチルアミン、ドデシルアミンおよびポリオキシエチレンラウリルアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項4に記載の研磨剤。
- 前記酸化剤が、過酸化水素、過硫酸アンモニウムおよび過硫酸カリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨剤。
- 前記研磨対象物が、修正モース硬度が10以上の単結晶基板である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨剤。
- 前記研磨対象物が炭化ケイ素単結晶基板である、請求項7記載の研磨剤。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の研磨剤を研磨パッドに供給し、研磨対象物の被研磨面と前記研磨パッドとを接触させて、両者間の相対運動により研磨する研磨方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206500 | 2010-09-15 | ||
JP2010206500 | 2010-09-15 | ||
PCT/JP2011/070619 WO2012036087A1 (ja) | 2010-09-15 | 2011-09-09 | 研磨剤および研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012036087A1 true JPWO2012036087A1 (ja) | 2014-02-03 |
Family
ID=45831550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012533979A Withdrawn JPWO2012036087A1 (ja) | 2010-09-15 | 2011-09-09 | 研磨剤および研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2012036087A1 (ja) |
TW (1) | TW201213522A (ja) |
WO (1) | WO2012036087A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6298448B2 (ja) * | 2013-03-30 | 2018-03-20 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板、及び磁気ディスクの製造方法 |
JP6694674B2 (ja) * | 2014-11-07 | 2020-05-20 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物 |
WO2016132676A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法 |
JP6905836B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-07-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法 |
WO2020245904A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨液、分散体、研磨液の製造方法及び研磨方法 |
KR102358134B1 (ko) * | 2021-07-08 | 2022-02-08 | 영창케미칼 주식회사 | 표면 결함수 및 헤이즈 저감용 실리콘 웨이퍼 최종 연마용 슬러리 조성물 및 그를 이용한 최종 연마 방법 |
CN113524025B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-04-28 | 河南科技学院 | 一种SiC单晶片抛光方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4284771B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2009-06-24 | 住友化学株式会社 | 金属研磨用αアルミナ研磨材およびその製法 |
JP2001187877A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
JP3450247B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2003-09-22 | Necエレクトロニクス株式会社 | 金属配線形成方法 |
CA2532114A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Abrasive particles for chemical mechanical polishing |
JP2005260218A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | SiC単結晶基材及びその製造方法、半導体膜形成基材 |
JP5168890B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2013-03-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2010056127A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | シリコン膜用cmpスラリー |
JP4399611B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-01-20 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 研磨方法および研磨装置 |
JP2010135472A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Fujifilm Corp | 研磨用組成物および研磨方法 |
-
2011
- 2011-09-09 WO PCT/JP2011/070619 patent/WO2012036087A1/ja active Application Filing
- 2011-09-09 JP JP2012533979A patent/JPWO2012036087A1/ja not_active Withdrawn
- 2011-09-15 TW TW100133260A patent/TW201213522A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012036087A1 (ja) | 2012-03-22 |
TW201213522A (en) | 2012-04-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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