RU2607214C2 - Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств - Google Patents
Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2607214C2 RU2607214C2 RU2013115239A RU2013115239A RU2607214C2 RU 2607214 C2 RU2607214 C2 RU 2607214C2 RU 2013115239 A RU2013115239 A RU 2013115239A RU 2013115239 A RU2013115239 A RU 2013115239A RU 2607214 C2 RU2607214 C2 RU 2607214C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group
- water
- composition
- aqueous
- polishing composition
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 13
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 6
- 239000011734 sodium Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 claims abstract description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 5
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052700 potassium Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 239000011591 potassium Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N scyllo-inosotol Natural products OC1C(O)C(O)C(O)C(O)C1O CDAISMWEOUEBRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 19
- CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O CDAISMWEOUEBRE-GPIVLXJGSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 16
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 14
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 14
- -1 N-substituted diazenium Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229960000367 inositol Drugs 0.000 claims description 12
- SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N Hexa-Ac-myo-Inositol Natural products CC(=O)OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC(C)=O SQUHHTBVTRBESD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical compound BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 6
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 claims description 5
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N alpha-D-galactose Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-PHYPRBDBSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims description 5
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000539 dimer Substances 0.000 claims description 5
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 claims description 5
- 229930182830 galactose Natural products 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 claims description 4
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims description 3
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- YAXKTBLXMTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-butanetriol Chemical compound CC(O)C(O)CO YAXKTBLXMTYWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrrolidine-2,5-dione Chemical compound C=CN1C(=O)CCC1=O VOCDJQSAMZARGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N D-allopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-IVMDWMLBSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N L-altropyranose Chemical compound OC[C@@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VSOAQEOCSA-N 0.000 claims description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000008266 deoxy sugars Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002016 disaccharides Chemical class 0.000 claims description 2
- GXZJKZMEXXSLLD-UHFFFAOYSA-N ethene;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound C=C.CC(O)COC(C)CO GXZJKZMEXXSLLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XOSVFWZSSCUXGG-UHFFFAOYSA-N ethene;propane-1,2-diol Chemical compound C=C.C=C.CC(O)CO XOSVFWZSSCUXGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 2
- 150000002337 glycosamines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000002951 idosyl group Chemical class C1([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001542 oligosaccharide Polymers 0.000 claims description 2
- 150000002482 oligosaccharides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MWIPBPIJVVSXNR-UHFFFAOYSA-N ON=[NH]=O Chemical class ON=[NH]=O MWIPBPIJVVSXNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N ethene;propane-1,2-diol Chemical compound C=C.CC(O)CO RESSOZOGQXKCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims 1
- LMXGXHLURAYTMP-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide;1-ethenylpyrrolidin-2-one Chemical compound CC(=O)NC=C.C=CN1CCCC1=O LMXGXHLURAYTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 abstract description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 42
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 22
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 8
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 6
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 6
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 6
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 6
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 6
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 5
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 5
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 4
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001460678 Napo <wasp> Species 0.000 description 3
- RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N Poloxamer Chemical compound C1CO1.CC1CO1 RVGRUAULSDPKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 3
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229920001983 poloxamer Polymers 0.000 description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)CO XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMKKMGYBLFUGTO-UHFFFAOYSA-N 2-methyloxirane;oxirane Chemical compound C1CO1.C1CO1.CC1CO1 DMKKMGYBLFUGTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical class [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000979578 Homo sapiens NK-tumor recognition protein Proteins 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 2
- WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N N-Octyl-2-pyrrolidone Chemical compound CCCCCCCCN1CCCC1=O WPPOGHDFAVQKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100023384 NK-tumor recognition protein Human genes 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002359 Tetronic® Polymers 0.000 description 2
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000004701 malic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 2
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229960002429 proline Drugs 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000003890 succinate salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 2
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 2
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOIAEEBEROMPKL-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxepane-4,7-dione Chemical class O=C1CCC(=O)OCO1 KOIAEEBEROMPKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFCUXTGIVGMUKC-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(dimethylamino)propyl-(2-hydroxypropyl)amino]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCCN(C)C FFCUXTGIVGMUKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 1-butylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCN1CCCC1=O BNXZHVUCNYMNOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRECPFOSZXDFDT-UHFFFAOYSA-N 1-decylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCCCCCN1CCCC1=O ZRECPFOSZXDFDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRNAVSFPKQSYQC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN1CCCC1=O WRNAVSFPKQSYQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 1-hexylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCN1CCCC1=O BAWUFGWWCWMUNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNOKAIMHDJWRDG-UHFFFAOYSA-N 1-octadecylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN1CCCC1=O LNOKAIMHDJWRDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPZMPEPLWKRVLD-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,7-hexahydroxyheptanal Chemical compound OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)C=O YPZMPEPLWKRVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVUVYDVQNALCM-UHFFFAOYSA-N 2-(butan-2-ylamino)ethanol Chemical compound CCC(C)NCCO YTVUVYDVQNALCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RILLZYSZSDGYGV-UHFFFAOYSA-N 2-(propan-2-ylamino)ethanol Chemical compound CC(C)NCCO RILLZYSZSDGYGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethanol Chemical compound CC(C)(C)NCCO IUXYVKZUDNLISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSAANLSYLSUVHB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]ethanol Chemical compound CN(C)CCOCCO YSAANLSYLSUVHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHKGDMNPQAZMKD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)(N)CO QHKGDMNPQAZMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 3-morpholinopropylamine Chemical compound NCCCN1CCOCC1 UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAMCDLUESQLMOZ-UHFFFAOYSA-N 6-ethyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound CCC1=NC(N)=NC(N)=N1 NAMCDLUESQLMOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N CMP group Chemical group P(=O)(O)(O)OC[C@@H]1[C@H]([C@H]([C@@H](O1)N1C(=O)N=C(N)C=C1)O)O IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002558 Curdlan Polymers 0.000 description 1
- 239000001879 Curdlan Substances 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-ZXXMMSQZSA-N D-iditol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-ZXXMMSQZSA-N 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- 241000132519 Galactites Species 0.000 description 1
- 241000206672 Gelidium Species 0.000 description 1
- SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N Glutaraldehyde Chemical compound O=CCCCC=O SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical class OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 1
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 1
- LKDRXBCSQODPBY-AMVSKUEXSA-N L-(-)-Sorbose Chemical compound OCC1(O)OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O LKDRXBCSQODPBY-AMVSKUEXSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- 229930182821 L-proline Natural products 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002230 Pectic acid Polymers 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000805 Polyaspartic acid Polymers 0.000 description 1
- 108010020346 Polyglutamic Acid Proteins 0.000 description 1
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical class OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical class OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012382 advanced drug delivery Methods 0.000 description 1
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FUFJGUQYACFECW-UHFFFAOYSA-L calcium hydrogenphosphate Chemical compound [Ca+2].OP([O-])([O-])=O FUFJGUQYACFECW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- CDAISMWEOUEBRE-JMVOWJSSSA-N cis-inositol Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O CDAISMWEOUEBRE-JMVOWJSSSA-N 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013317 conjugated microporous polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 235000019316 curdlan Nutrition 0.000 description 1
- 229940078035 curdlan Drugs 0.000 description 1
- IMPKVMRTXBRHRB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2,3,4,5-pentol Chemical compound OC1CC(O)C(O)C(O)C1O IMPKVMRTXBRHRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WESBWDZFWNIVRV-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2,3,4-tetrol Chemical compound OC1CCC(O)C(O)C1O WESBWDZFWNIVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 235000019700 dicalcium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000012377 drug delivery Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CDAISMWEOUEBRE-NIPYSYMMSA-N epi-inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H]1O CDAISMWEOUEBRE-NIPYSYMMSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N glutaric acid Chemical class OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229940005740 hexametaphosphate Drugs 0.000 description 1
- CBCIHIVRDWLAME-UHFFFAOYSA-N hexanitrodiphenylamine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1NC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O CBCIHIVRDWLAME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003893 lactate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 description 1
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 description 1
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 description 1
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 1
- 239000000845 maltitol Substances 0.000 description 1
- 235000010449 maltitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N maltitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N 0.000 description 1
- 229940035436 maltitol Drugs 0.000 description 1
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- CDAISMWEOUEBRE-GNIYUCBRSA-N muco-inositol Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O CDAISMWEOUEBRE-GNIYUCBRSA-N 0.000 description 1
- 210000003643 myeloid progenitor cell Anatomy 0.000 description 1
- ZYWUVGFIXPNBDL-UHFFFAOYSA-N n,n-diisopropylaminoethanol Chemical compound CC(C)N(C(C)C)CCO ZYWUVGFIXPNBDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide Chemical compound CC(=O)NC=C RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIWDVJPPVMGJGR-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCNC(=O)C(C)=C ZIWDVJPPVMGJGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-M naphthalene-2-sulfonate Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005474 octanoate group Chemical class 0.000 description 1
- UWBHMRBRLOJJAA-UHFFFAOYSA-N oxaluric acid Chemical compound NC(=O)NC(=O)C(O)=O UWBHMRBRLOJJAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N pectic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)O[C@H](C(O)=O)[C@@H]1OC1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC2[C@@H]([C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O2)C(O)=O)O)[C@@H](C(O)=O)O1 LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 108010064470 polyaspartate Proteins 0.000 description 1
- 239000010318 polygalacturonic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002643 polyglutamic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 229940048084 pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012712 reversible addition−fragmentation chain-transfer polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019830 sodium polyphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- 235000019832 sodium triphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920000208 temperature-responsive polymer Polymers 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-I triphosphate(5-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L33/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к водной полирующей композиции, имеющей pH от 3 до 11. Композиция содержит (А) по меньшей мере один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Абразивные частицы (А) являются неорганическими частицами, содержащими или состоящими из диоксида церия. Композиция содержит (B) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент, выбранный из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов, причем растворимый в воде конденсированный фосфат выбран из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием и индекс n равен от 2 до 10000. Композиция содержит (C) по меньшей мере один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы (с1) многоатомных спиртов, причем многоатомный спирт (с1) содержится в количествах от 0,005 до 5 мас.% в пересчете на массу указанной композиции, (с2) смеси, состоящей из (с21) по меньшей мере одного многоатомного спирта и (с22) по меньшей мере одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, (с3) смесей (с1) и (с2). Описан также способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств и применение водной полирующей композиции для изготовления электрических, механических и оптических устройств. Технический результат – обеспечение композиции, имеющей улучшенную избирательность в отношении оксида кремния по сравнению с нитридом кремния даже более 50 с получением отполированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 табл., 30 пр.
Description
Изобретение относится к новым водным полирующим композициям, которые особенно подходят для полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств.
Более того, данное изобретение относится к новому способу полирования подложек для производства электрических, механических и оптических устройств.
Не в последнюю очередь данное изобретение относится к применению новой водной полирующей композиции для производства электрических, механических и оптических устройств.
Цитированные документы
Документы, цитированные в данной заявке, включены сюда путем ссылки во всей полноте.
Уровень техники
Химико-механическая планаризация или полирование (ХМП) является главным способом для достижения локальной и глобальной плоскостности интегральных схем (ИС). В способе обычно применяют композиции для ХМП или суспензии, содержащие абразивы и другие добавки в качестве активного химического вещества, между вращающейся поверхностью субстрата и полирующей подушкой при применении нагрузки. Таким образом, способ ХМП сочетает в себе физический процесс, такой как трение, и химический процесс, такой как окисление или хелатирование. Нежелательно, чтобы удаление или полирование материала подложки включала только физическое или только химическое действие, необходимо синергетическое сочетание обоих действий для достижения быстрого и однородного удаления.
Таким образом, материал подложки удаляют до тех пор, пока не будет достигнута желаемая плоскость или пока не обнажается защитный подслой или тормозящий слой. В конечном итоге получают плоскую, свободную от дефектов поверхность, которая позволяет производство подходящего многослойного ИС устройства с применением последующей фотолитографии, формирования рельефа, травления и нанесения тонких пленок.
Узкощелевая изоляция (УЩИ) является особым применением ХМП, который обычно требует селективного удаления диоксида кремния до нитрида кремния на структурированной пластине в качестве субстрата. В этом случае протравленные углубления переполняются диэлектрическим материалом, например диоксидом кремния, который полируют с применением защитной пленки нитрида кремния в качестве тормозящего слоя. ХМП заканчивается очищением диоксида кремния с защитной пленки при минимизации удаления обнаженного нитрида кремния и расположенного в щели (углублении) оксида кремния.
Это требует применения суспензий ХМП, способных давать высокое отношение скорости удаления диоксида кремния (material removal rate, MRR) к скорости удаления нитрида кремния (MRR), при этом в данной области техники такое соотношение также обозначается как «селективность оксид/нитрид» ("oxide-to-nitride selectivity").
ХМП суспензии на основе диоксида церия привлекли значительное внимание в области применения УЩИ благодаря их способности достигать сравнительно высокой селективности оксид/нитрид из-за высокого химического сродства диоксида церия с диоксидом кремния, которое также называется в данной области техники как химическим эффектом «зубчатого зацепления» диоксида церия.
Тем не менее, селективность оксид/нитрид суспензий ХМП на основе диоксида церия должна быть улучшена за счет добавок, которые "подгоняют" селективность.
Было предпринято множество попыток подогнать селективность суспензий ХМП на основе диоксида церия.
Так, Jae-Don Lee et al. описывают в Journal of the Electrochemical Society, 149 (8), G477-G481, 2002, влияние неионогенных поверхностно-активных веществ с различным гидрофильно-липофильным балансом (ГЛБ), таких как полиэтиленоксиды, сополимеры этиленоксид-пропиленоксид и триблок-сополимеры этиленоксид-пропиленоксид-этиленоксид, на селективность оксид/поликремний во время ХМП. Однако пирогенный кремнезем применяют в качестве абразива.
Jae-Dong Lee et al. описывают в Journal of the Electrochemical Society, 149 (8) G477-G481, 2002, Effects of Nonionic Surfactants on Oxide-To-Polysilicon Selectivity during Chemical Mechanical Polishing, влияние поверхностно-активных веществ, таких как полиэтиленоксид (ПЭО) и триблок-сополимеры этиленоксид-пропиленоксид-этиленоксид, на селективность. Однако это не относится к селективности оксид/нитрид.
В американской патентной заявке US 2002/0034875 A1 и американском патенте US 6626968 В2 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащую поверхностно-активные вещества, агенты для регулирования уровня pH, такие как гидроксид калия, серная кислота, азотная кислота, соляная кислота или фосфорная кислота, и полимеры, содержащие гидрофильную функциональную группу и гидрофобную функциональную группу, такие как поливинилметиловый эфир (ПВМЭ), полиэтиленгликоль (ПЭГ), полиоксиэтилен 23 лауриловый эфир (ПОЛЭ), полипропионовая кислота (ППК), полиакриловая кислота (ПАК) и полиэтиленгликоля бисэфир (ПЭГБЭ). Тем не менее, эта суспензия ХМП на основе диоксида церия имеет увеличенную селективность оксид/поликремний.
В американском патенте US 6616514 B1 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая органические многоатомные спирты, содержащие по меньшей мере 3 гидроксильные группы, которые не диссоциируют в водной среде; или полимер, полученный из по меньшей мере одного мономера, содержащего по меньшей мере 3 гидроксильные группы, которые не диссоциируют в водной среде, такой как манит, сорбит, манноза, ксилит, сорбоза, сахароза и декстрин, для улучшения селективности оксид/нитрид.
В американской патентной заявке US 2006/0124594 A1 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, имеющая вязкость по меньшей мере 1,5 сП и содержащая агент, повышающий вязкость, включающий неионогенный полимер, такой как полиэтиленгликоль (ПЭГ). Указывается, что суспензия ХМП на основе диоксида церия имеет высокую селективность оксид/нитрид и низкую неоднородность внутри пластины (НОВП).
В американской патентной заявке US 2006/0207188 A1 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая продукт реакции полимера, такого как полиакриловая кислота или поли(алкилметакрилат), и мономера, такого как акриламид, метакриламид, этил-метакриламид, винилпиридин или винилпирролидон. Полагают, что продукты реакции также повышают селективность оксид/нитрид.
Американская патентная заявка US 2006/0216935 A1 раскрывает суспензию ХМП на основе диоксида церия, содержащую протеин, лизин и/или аргинин, и соединения пирролидона, такие как поливинилпирролидон (ПВП), N-октил-2-пирролидон, N-этил-2-пирролидон, N-гидроксиэтил-2-пирролидон, N-циклогексил-2-пирролидон, N-бутил-2-пирролидон, N-гексил-2-пирролидон, N-децил-2-пирролидон, N-октадецил-2-пирролидон и N-гексадецил-2-пирролидон. Суспензия ХМП на основе диоксида церия, кроме того, может содержать диспергирующие агенты, подобные полиакриловой кислоте, гликолям и полигликолям. Конкретные примеры включают пролин, поливинилпирролидон или N-октил-2-пирролидон, блок-сополимеры ППО/ПЭО, и глутаровый альдегид. Полагают, что суспензия ХМП на основе диоксида церия щадяще удаляет диоксид кремния в канавках, тем самым позволяя проводить полирование, распространяющееся за пределы краев без значительного повышения минимальной высоты ступени.
В американской патентной заявке US 2007/0077865 A1 описывается суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая сополимеры полиэтиленоксидов/полипропиленоксида, предпочтительно из семейства Pluronic™, выпускаемого компанией BASF. Суспензия ХМП на основе диоксида церия, кроме того, может содержать аминоспирты, такие как 2-диметиламино-2-метил-1-пропанол (ДМАМП), 2-амино-2-этил-1-пропанол (АЭП), 2-(2-аминоэтиламино)этанол, 2-(изопропиламино)этанол, 2-(метиламино)этанол, 2-(диэтиламино)этанол, 2-(2-диметиламиноэтокси)этанол, 1,1'-[[3-(диметиламино)пропил]имино]-бис-2-пропанол, 2-(2-бутиламино)этанол, 2-(трет-бутиламино)этанол, 2-(диизопропиламино)этанол и N-(3-аминопропил)морфолин. Суспензия ХМП на основе диоксида церия, кроме того, может содержать соединения четвертичного аммония, подобные гидроксиду тетраметиламмония, пленкообразующие агенты, такие как алкиламины, алканоламины, гидроксиламины, эфиры фосфорной кислоты, лаурилсульфат натрия, жирные кислоты, полиакрилаты, полиметакрилаты, поливинилфосфонаты, полималаты, полистиролсульфонат, поливинилсульфат, бензотриазол, триазол и бензоимидазол, и комплексообразующие агенты, такие как ацетилацетон, ацетаты, гликоляты, лактаты, глюконаты, галловая кислота, оксалаты, фталаты, цитраты, сукцинаты, тартаты, малаты, этилендиаминтетрауксусная кислота, этиленгликоль, пирокатехин, пирогаллол, дубильная кислота, соли фосфония и фосфоновые кислоты. Суспензия ХМП на основе диоксида церия, как полагают, обеспечивает хорошую селективность по отношению к оксиду кремния и/или нитриду кремния по сравнению с поликремнием.
Американская патентная заявка US 2007/0175104 A1 раскрывает суспензию ХМП на основе диоксида церия, содержащую поликремниевый ингибитор полировки, который выбран из растворимых в воде полимеров, имеющих N-монозамещенный или N,N-дизамещенный скелет, замещенный любыми членами, выбранными из группы, состоящей из акриламида, метакриламида и их альфа-замещенных производных; полиэтиленгликолей; поливинилпирролидонов; алкилоксилированных линейных алифатических спиртов и продуктов присоединения этиленоксида к ацетиленовым диолам. Суспензия ХМП на основе диоксида церия может содержать дополнительные растворимые в воде полимеры, такие как полисахариды, подобные альгиновой кислоте, пектиновой кислоте, карбоксиметилцеллюлозе, агар-агару, курдлану и пуллулану; многоосновные карбоновые кислоты, такие как полиаспарагиновая кислота, полиглутаминовая кислота, полилизин, полияблочная кислота, полиметакриловая кислота, полиимидная кислота, полималеиновая кислота, полиитаконовая кислота, полифумаровая кислота, поли(п-стиролкарбоновая кислота), полиакриловая кислота, полиакриламид, амино-полиакриламид, полиглиоксиловая кислота и их соли; и виниловые полимеры, такие как поливиниловый спирт и полиакролеин. Указывается, что суспензия ХМП на основе диоксида церия имеет высокую селективность по отношению к оксиду кремния по сравнению с поликремнием.
В американской патентной заявке US 2007/0191244 A1 описывается суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая соединение, имеющее среднемассовую молекулярную массу от 30 до 500 и содержащая гидроксильные группы и карбоксильную группу, либо обе, такие как цитраты, малаты, глюконаты, тартраты, 2-оксиизобутираты, адипинаты, октаноаты, сукцинаты, соединения, содержащие остатки ЭДТУ, глутараты, метиленсукцинаты, маннозу, глицеро-галакто-гептозу, эритро-манно-октозу, арабино-галакто-нонозу и глутамин. Суспензия ХМП на основе диоксида церия, кроме того, может содержать линейные полимерные кислоты или полимерные кислоты привитого типа, имеющие боковые цепи алкоксиполиалкиленгликоля. Полагают, что суспензия ХМП на основе диоксида церия достигает улучшенной повсеместной плоскостности отполированных пластин.
В заявках на патенты США US 2008/0085602 A1 и US 2008/0124913 A1 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая от 0,001 до 0,1% мас. неионогенного поверхностно-активного вещества, выбранного из триблок-сополимеров этиленоксид-пропиленоксид-этиленоксид, и полиакриловой кислоты в качестве диспергирующего агента. Указывается, что суспензия на основе диоксида церия имеет высокую селективность по отношению к диоксиду кремния и нитриду кремния по сравнению с поликремнием.
Изготовление электрических устройств, в частности полупроводниковых интегральных схем (ИС), требует процессов высокой точности, которые включают, среди прочего, ХМП с высокой селективностью.
Хотя суспензии ХМП на основе диоксида церия предшествующего уровня техники могут иметь удовлетворительную селективность оксид/нитрид и могут приводить к получению отполированных пластин, имеющих хорошую глобальную и локальную плоскостность, что иллюстрируется показателями неоднородности внутри пластины (НОВП) и неоднородностью одной пластины относительно другой (НОПП), все более уменьшающиеся размеры архитектур ИС, в частности БИС (больших интегральных схем) или СБИС (сверхбольших интегральных схем), делают необходимым постоянно улучшать суспензии ХМП на основе диоксида церия, чтобы отвечать все возрастающим техническим и экономическим требованиям изготовителей интегральных схем.
Однако эта растущая необходимость постоянно улучшать суспензии ХМП на основе диоксида церия предшествующего уровня техники относится не только к области интегральных схем, также должна быть улучшена эффективность полирования и планаризации в областях производства других электрических устройств, таких как жидкокристаллические панели, органические электролюминесцентные панели, печатные платы, микромеханизмы, ДНК-чипы, микрозаводы, фотовольтаические ячейки и магнитные головки; а также высокоточных механических устройств и оптических устройств, в частности оптических стекол, таких как фотомаски, линзы и призмы, неорганические электропроводные пленки, такие как на основе оксида индия-олова (ITO), оптические интегральные схемы, оптические переключатели, оптические волноводы, оптические монокристаллы, такие как торцевые поверхности оптических волокон и сцинтилляторов, монокристаллы твердотельных лазеров, сапфировые субстраты для голубых лазерных светоиспускающих диодов, полупроводниковые монокристаллы и стеклянные субстраты для магнитных дисков. Производство таких электрических и оптических устройств также требует стадий ХМП высокой точности
В европейской патентной заявке EP 1338636 A1 описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая агент против отвердевания, выбранный из группы, включающей целлюлозу, кристаллическую целлюлозу, производные целлюлозы, диоксид кремния, альгинаты, конденсаты бета-нафталина сульфоната и формалина, гидрофосфат кальция, белки, полипептиды и органические высокомолекулярные флокулянты, и диспергирующий агент или поверхностно-активное вещество, такое как конденсированный фосфат, такой как пирофосфорная кислота, пирофосфат натрия, триполифосфат натрия или гексаметафосфат натрия. Тем не менее, раскрыта только полировка стекла.
В заявке на патент Японии JP 2005-336400 A описана суспензия ХМП на основе диоксида церия, содержащая растворимый в воде конденсированный фосфат, такой как пирофосфат, триполифосфат и соль гексаметафосфорной кислоты, и растворимый в воде карбонат или гидрокарбонат. Кроме того, суспензия ХМП на основе диоксида церия может содержать растворимый в воде органический растворитель, такой как метанол, этанол, 1-пропанол, 2-пропанол, 1-бутанол, 2-бутанол, этиленгликоль, пропиленгликоль и 1,2,3-пропантриол, кетоны, такие как ацетон и метилэтилкетон, тетрагидрофуран, N,N-диметилформамид, диметилсульфоксид и 1,4-диоксан. Указано, что суспензия ХМП на основе диоксида церия обеспечивает улучшенное полирование в отношении точности полировки, очистки, исходной скорости полировки и скорости полировки. Тем не менее, раскрыта только полировка стекла.
В заявке на патент Японии JP 2001-240850 A описана суспензия ХМП, содержащая оксид алюминия, оксид циркония или карбид кремния в качестве абразива, блок- или статистический сополимер алкиленоксида и этиленоксида в качестве диспергирующего агента, и фосфат натрия или полифосфат натрия в качестве "антиржавейного агента". Суспензию ХМП применяют для полирования кремниевых пластин, стекла, алюминия, керамики, синтетического диоксида кремния, кварца и сапфира.
Задачи изобретения
Следовательно, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы обеспечить новую водную полирующую композицию, в частности новую композицию для химико-механического полирования (ХМП), особенно новую суспензию ХМП на основе диоксида церия, которая не имеет недостатков или изъянов полирующих композиций известного уровня техники.
В частности, новый водная полирующая композиция, в частности новая композиция для химико-механического полирования (ХМП), особенно новая суспензия ХМП на основе диоксида церия, должна обладать значительно улучшенной селективностью оксид/нитрид и обеспечивать получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность, что иллюстрируется, например, показателями неоднородности внутри пластины (НОВП) и неоднородности одной пластины относительно другой (НОПП). Следовательно, они должны превосходно подходить для производства архитектур ИС, в частности БИС (большие интегральные схемы) или СБИС (сверхбольшие интегральные схемы), имеющих структуры с размерами меньше 50 нм.
Более того, новая водная полирующая композиция, в частности новая композиция для химико-механического полирования (ХМП) и особенно новая суспензия ХМП на основе диоксида церия, должны быть полезны не только в области устройств с интегральными схемами, но также должны быть полезны с наибольшей эффективностью и успехом в областях производства других электрических устройств, таких как жидкокристаллические панели, органические электролюминесцентные панели, печатные платы, микромеханизмы, ДНК-чипы, микрозаводы и магнитные головки; а также в области механических устройств и оптических устройств высокой точности, в частности оптических стекол, таких как фотомаски, линзы и призмы, неорганических электропроводных пленок, таких как на основе оксида индия-олова (ITO), оптических интегральных схем, оптических переключателей, оптических волноводов, оптических монокристаллов, таких как торцевые поверхности оптических волокон и сцинтилляторов, монокристаллов твердотельных лазеров, сапфировых субстратов для лазерных светоиспускающих диодов, работающих в голубой области видимого спектра, полупроводниковых монокристаллов и стеклянных субстратов для магнитных дисков.
Другой задачей данного изобретения является обеспечение нового способа полирования подложек для механических, электрических и оптических устройств, где материал указанной подложки содержит пленку на основе диэлектрика оксида кремния и пленки на основе нитрида кремния.
Сущность изобретения
Следовательно, была обнаружена новая водная полирующая композиция, имеющая pH в интервале от 3 до 11, где указанная водная полирующая композиция содержит
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (B) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;
(B) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент; и
(C) по меньшей мере один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы, состоящей из:
(c1) многоатомных спиртов, выбранных из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде алифатических и циклоалифатических, мономерных, димерных и олигомерных многоатомных спиртов, имеющих по меньшей мере 4 гидроксигруппы, которые являются недиссоциируемыми в водной среде;
(c2) смеси, состоящей из:
(c21) по меньшей мере одного многоатомного спирта, выбранного из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде алифатических и циклоалифатических многоатомных спиртов, имеющих по меньшей мере 2 гидроксигруппы, которые являются недиссоциируемыми в водной среде; и
(c22) по меньшей мере одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, выбранного из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов (c221); и линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (c222); и
(с3) смеси (c1) и (c2).
Далее в описании новая водная полирующая композиция именуется "композицией по изобретению".
Более того, был открыт новый способ полирования подложек для механических, электрических или оптических устройств путем контактирования подложки по меньшей мере один раз с композицией по изобретению и полирования подложки до достижения желаемой плоскостности.
Далее в описании новый способ полирования подложек для механических, электрических или оптических устройств именуется "способом по изобретению".
Не в последнюю очередь, было найдено новое применение композиции по изобретению для производства электрических, механических и оптических устройств, при этом такое применение далее в описании именуется «применением по изобретению».
Преимущества изобретения
С точки зрения предшествующего уровня техники было неожиданно и не могло ожидаться специалистом в данной области, что задачи настоящего изобретения могут быть решены композицией по изобретению, способом и применением по изобретению.
Было особенно неожиданно, что композиция по изобретению продемонстрировала значительно улучшенную селективность оксид/нитрид и обеспечила получение отполированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность, что иллюстрируется, например, показателями неоднородности внутри пластины (НОВП) и неоднородности одной пластины относительно другой (НОПП). Следовательно, они превосходно подходят для производства архитектур ИС, в частности БИС (большие интегральные схемы) или СБИС (сверхбольшие интегральные схемы), имеющих структуры с размерами меньше 50 нм.
Кроме того, композиция по изобретению остается стабильной во время длительной транспортировки и хранения, где стабильность значительно улучшает логистику и управление процессом.
Более того, композиция по изобретению не только исключительно полезна в области устройств с интегральными схемами, но также была полезна с наибольшей эффективностью и успехом в областях производства других электрических устройств, таких как жидкокристаллические панели, органические электролюминесцентные панели, печатные платы, микромеханизмы, ДНК-чипы, микрозаводы и магнитные головки; а также в области механических устройств и оптических устройств высокой точности, в частности оптических стекол, таких как фотомаски, линзы и призмы, неорганических электропроводных пленок, таких как на основе оксида индия-олова (ITO), оптических интегральных схем, оптических переключателей, оптических волноводов, оптических монокристаллов, таких как торцевые поверхности оптических волокон и сцинтилляторов, монокристаллов твердотельных лазеров, сапфировых субстратов для лазерных светоиспускающих диодов, работающих в голубой области видимого спектра, полупроводниковых монокристаллов и стеклянных субстратов для магнитных дисков.
Наиболее важно, что композиция по изобретению исключительно хорошо подошла для применения по изобретению.
Следовательно, композиция по изобретению была наиболее полезна для способа по изобретению. Способ по изобретению может наиболее предпочтительно применяться для полирования, особенно химико-механического полирования, материалов подложек для электрических устройств, таких как жидкокристаллические панели, органические электролюминесцентные панели, печатные платы, микромеханизмы, ДНК-чипы, микрозаводы и магнитные головки; а также механических устройств и оптических устройств высокой точности, в частности оптических стекол, таких как фотомаски, линзы и призмы, неорганических электропроводных пленок, таких как на основе оксида индия-олова (ITO), оптических интегральных схем, оптических переключателей, оптических волноводов, оптических монокристаллов, таких как торцевые поверхности оптических волокон и сцинтилляторов, монокристаллов твердотельных лазеров, сапфировых субстратов для лазерных светоиспускающих диодов, работающих в голубой области видимого спектра, полупроводниковых монокристаллов и стеклянных субстратов для магнитных дисков.
Более конкретно, однако, способ по изобретению превосходно подошел для полирования полупроводниковых пластин, содержащих пленки на основе диэлектрика диоксида кремния и пленки на основе нитрида кремния. Способ по изобретению обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность, что иллюстрируется, например, показателями неоднородности внутри пластины (НОВП) и неоднородности одной пластины относительно другой (НОПП). Поэтому они превосходно подходят для производства архитектур ИС, в частности БИС (большие интегральные схемы) или СБИС (сверхбольшие интегральные схемы), имеющих структуры с размерами меньше 50 нм.
Подробное описание изобретения
Композиция по изобретению представляет собой водную композицию. Это означает, что она содержит воду, в частности сверхчистую воду, в качестве основного растворителя и диспергирующего агента. Тем не менее, композиция по изобретению может содержать по меньшей мере один смешиваемый с водой органический растворитель, однако в таких незначительных количествах, которые не меняют водную природу композиции по изобретению.
Предпочтительно композиция по изобретению содержит воду в количестве от 60 до 99,95% мас., более предпочтительно от 70 до 99,9% мас., еще более предпочтительно от 80 до 99,9% мас. и наиболее предпочтительно от 90 до 99,9% мас., причем массовые проценты представляют собой проценты в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
Величина pH композиции по изобретению составляет между 3 и 11, более предпочтительно между 4 и 11, еще более предпочтительно между 5 и 11 и наиболее предпочтительно между 6 и 11, предпочтительно с применением агентов, регулирующих pH (Е), описанных далее в описании.
"Растворимый в воде" означает, что соответствующий компонент или ингредиент композиции по изобретению может быть растворен в водной фазе на молекулярном уровне.
"Диспергируемый в воде" означает, что соответствующий компонент или ингредиент композиции по изобретению может быть диспергирован в водной фазе и формировать стабильную эмульсию или суспензию.
"Димер" или "димерный" означает, что соответствующий компонент или ингредиент композиции по изобретению состоит из двух связанных мономерных структурных единиц, которые обе могут иметь одинаковую структуру или структуру, отличающуюся друг от друга.
"Олигомер" или "олигомерный" означает, что соответствующий компонент или ингредиент композиции по изобретению состоит из 3-12 связанных мономерных структурных единиц, которые все могут иметь одинаковую структуру. Однако также возможно, что структурные единицы выбраны из по меньшей мере двух различных структур.
"Полимер" или "полимерный" означает, что соответствующий компонент или ингредиент композиции по изобретению состоит из более чем 12 связанных мономерных структурных единиц, которые все могут иметь одинаковую структуру. Однако также возможно, что структурные единицы выбраны из по меньшей мере двух различных структур.
"Многоатомный" означает "имеющий две или более гидроксигруппы".
Первым основным ингредиентом композиции по изобретению является по меньшей мере один, предпочтительно один тип абразивных частиц (А).
Абразивные частицы (А) положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от анионного фосфатного диспергирующего агента (В), описанного далее в описании, и имеющей pH в интервале от 3 до 9. Положительный заряд подтверждается электрофоретической подвижностью μ (мкм/с)⋅(В/см) абразивных частиц (А). Электрофоретическая подвижность μ может быть измерена непосредственно с помощью приборов, таких как Zetasizer Nano от Malvern, Ltd.
Средний размер абразивных частиц (А) может варьироваться в широких интервалах и, следовательно, может быть наиболее выгодным образом приведен в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно средний размер частиц, определенный с помощью динамического рассеяния лазерного излучения, находится в диапазоне от 1 до 2000 нм, предпочтительно 1-1000 нм, более предпочтительно 1-750 и наиболее предпочтительно 1-500 нм.
Распределение абразивных частиц (A) по размеру может быть мономодальным, бимодальным или мультимодальным. Предпочтительно распределение частиц по размеру является мономодальным, чтобы получить легко воспроизводимый профиль свойств абразивных частиц (А) и легко воспроизводимые условия в ходе способа по изобретению.
Кроме того, распределение абразивных частиц (A) по размеру может быть узким или широким. Предпочтительно распределение частиц по размеру является узким, лишь с малым количеством маленьких частиц и больших частиц, чтобы получить легко воспроизводимый профиль свойств абразивных частиц (A) и легко воспроизводимые условия в ходе способа по изобретению.
Абразивные частицы (A) могут иметь различные формы. Следовательно, они могут быть одного или по существу одного типа формы. Тем не менее, также возможно, что абразивные частицы (A) имеют разные формы. В частности, два типа абразивных частиц (A), различающихся по форме, могут присутствовать в данной композиции по изобретению. Что касается самих форм, они могут представлять собой кубы, кубы с закругленными ребрами, октаэдры, икосаэдры, гранулы и сферы с или без выступов или впадин. Наиболее предпочтительно форма является сферической в отсутствие или только с очень малым количеством выступов или впадин. Эта форма, как правило, является предпочтительной, потому что обычно она увеличивает устойчивость механическим воздействиям, которым подвергаются абразивные частицы (A) во время процесса ХМП.
В принципе, любой тип абразивных частиц (A) может применяться в композиции по изобретению, если они обладают описанным выше профилем свойств. Следовательно, абразивные частицы (A) могут быть органическими или неорганическими частицами или органическо-неорганическими гибридными частицами. Предпочтительно абразивные частицы (A) являются неорганическими частицами.
В принципе, любой тип неорганических абразивных частиц (A) может применяться в композиции по изобретению, если эти частицы позволяют получить описанный выше профиль свойств. Однако наиболее предпочтительно применяют неорганические абразивные частицы (A), содержащие или состоящие из диоксида церия.
Абразивные частицы (A), которые содержат диоксид церия, могут содержать незначительные количества других оксидов редкоземельных металлов.
Предпочтительно абразивные частицы (A), которые содержат диоксид церия, являются композитными частицами (A), содержащими ядро, которое содержит или состоит из по меньшей мере одного другого абразивного материала из твердых частиц, который отличается от диоксида церия, в частности оксид алюминия, диоксид кремния, диоксид титана, диоксид циркония, оксид цинка и их смеси.
Такие композитные частицы (A) известны, например, из международной патентной заявки WO 2005/035688 A1, из американских патентов US 6110396, US 6238469 B1, US 6645265 B1, из публикации К.S. Choi et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.671, 2001 Materials Research Society, M5.8.1-M5.8.10, из публикации S.-H. Lee et al., J. Mater. Res., Vol.17, No.10, (2002), pages 2744-2749, из публикации A. Jindal et al., Journal of the Electrochemical Society, 150 (5) G314-G318 (2003), из публикации Z. Lu, Journal of Materials Research, Vol.18, No. 10, October 2003, Materials Research Society, или публикации S. Hedge et al., Electrochemical and Solid-State Letters, 7 (12) G316-G318 (2004).
Наиболее предпочтительно композитные частицы (A) представляют собой покрытые частицы типа малина, содержащие ядро, выбранное из группы, состоящей из оксида алюминия, диоксида кремния, диоксида титана, диоксида циркония, оксида цинка и их смесей, с размером ядра от 20 до 100 нм, где это ядро покрыто частицами диоксида церия, имеющими размер частиц меньше 10 нм.
Количество абразивных частиц (A), используемое в композиции по изобретению, может варьироваться в широких пределах и, следовательно, может быть наиболее выгодным образом приведено в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно композиция по изобретению содержит 0,005-10% мас., более предпочтительно 0,01-8% мас. и наиболее предпочтительно 0,01-6% мас. абразивных частиц (A), где массовые проценты указаны в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
Композиция по изобретению содержит по меньшей мере один, предпочтительно один анионный фосфатный диспергирующий агент (B) в качестве второго основного ингредиента.
Предпочтительно анионный фосфатный диспергирующий агент (B) выбран из группы, состоящей из растворимых в воде конденсированных фосфатов.
Примерами растворимых в воде конденсированных фосфатов (B) являются соли, в частности аммониевые, натриевые и калиевые соли, метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием, и индекс n равен от 2 до 10000. Для полифосфатов формул I, II и III, индекс n предпочтительно равен от 2 до 2000, более предпочтительно от 2 до 300, наиболее предпочтительно от 2 до 50, особенно от 2 до 15, например от 3 до 8.
Примеры особенно подходящих растворимых в воде конденсированных фосфатов (В) включают соль Грэма (NaPO3)40-50, Calgon™ (NaPO3)15-20, соль Курроля (NaPO3)n, где n= около 5000, и гексаметафосфат аммония, натрия и калия.
Концентрация растворимого в воде анионного фосфатного диспергирующего агента (B) в композиции по изобретению может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно анионные фосфатные диспергирующие агенты (B) применяют в количествах, так что массовое отношение диоксида церия к анионному фосфатному диспергирующему агенту (C) составляет от 10 до 2000 и, более предпочтительно от 20 до 1000.
В качестве третьего основного ингредиента композиция по изобретению содержит по меньшей мере один, предпочтительно один компонент на основе многоатомного спирта (C).
Компонент на основе многоатомного спирта (С) выбирают из группы, состоящей из
(c1) многоатомных спиртов, выбранных из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, предпочтительно растворимых в воде алифатических и циклоалифатических, мономерных, димерных и олигомерных многоатомных спиртов, имеющих по меньшей мере 4, предпочтительно по меньшей мере 5 и наиболее предпочтительно по меньшей мере 6 гидроксигрупп в молекуле, где указанные гидроксигруппы являются недиссоциируемыми в водной среде;
(c2) смеси, состоящей из
(c21) по меньшей мере одного, предпочтительно одного многоатомного спирта, выбранного из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, предпочтительно растворимых в воде алифатических и циклоалифатических многоатомных спиртов, имеющих по меньшей мере 2, предпочтительно 2 или 3 гидроксигруппы в молекуле, где указанные гидроксигруппы являются недиссоциируемыми в водной среде; и
(c22) по меньшей мере одного, предпочтительно одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, выбранного из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов (c221); и линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (c222); и
(c3) смесей (c1) и (c2).
"Недиссоциируемые" означает, что константа диссоциации для реакции R-OH→R-O-+Н+ гидроксигруппы в нейтральной водной фазе очень низкая или, для практических целей, фактически равна нулю.
Предпочтительно многоатомный спирт (c1) выбирают из группы, состоящей из пентаэритрита, альдитов, циклитов, углеводов и димеров и олигомеров глицерина, триметилолпропана, пентаэритрита, альдита и циклитов.
Предпочтительно альдит (c1) выбирают из группы, состоящей из тетритов, пентитов, гекситов, гептитов и октитов.
Более предпочтительно тетрит (c1) выбирают из эритрита, треита и их смесей; пентит (c1) выбирают из группы, состоящей из арабинита, рибита, ксилита и их смесей; гексит (c1) выбирают из группы, состоящей из галактита, маннита, глюцита, аллита, альтрита, идита и их смесей.
Предпочтительно димер (c1) выбирают из группы, состоящей из димеров глицерина, триметилолпропана, эритрита, треита и пентаэритрита и их смесей, а также мальтита, изомальтита, лактита и их смесей.
Более предпочтительно олигомер (c1) выбирают из группы, состоящей из три-, тетра-, пента-, гекса-, гепта-, окта-, нона-, дека-, ундека- и додекаглицерина, -триметилолпропана, -эритрита, -треита и -пентаэритрита и их смесей.
Предпочтительно циклиты (c1) выбирают из 1,2,3,4-тетрагидроксициклогексана, 1,2,3,4,5-пентагидроксициклогексана, инозитов и их смесей.
Более предпочтительно инозит (с1) выбирают из группы, состоящей из мио-, сцилло-, муко-, хиро-, нео-, алло-, эпи- и цис-инозита и их смесей. Наиболее предпочтительно применяют мио-инозит (c1).
Предпочтительно углевод (c1) выбирают из группы, состоящей из моносахаридов, дисахаридов, олигосахаридов, полисахаридов, дезоксисахаров и аминосахаров, в частности моносахаридов (c1).
Предпочтительно моносахарид (c1) выбирают из группы, состоящей из аллозы, альтрозы, глюкозы, маннозы, идозы, галактозы и талозы, в частности галактозы.
Концентрация многоатомного спирта (c1) в композиции по изобретению может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно композиция по изобретению содержит многоатомный спирт (c1) в количествах от 0,005 до 5% мас., более предпочтительно от 0,01 до 4% мас. и наиболее предпочтительно от 0,05 до 3% мас., где массовые проценты указаны в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
Предпочтительно растворимый в воде или диспергируемый в воде алифатический или циклоалифатический многоатомный спирт (c21), имеющий 2-3 гидроксигруппы, которые являются недиссоциируемыми в водной среде, выбирают из группы, состоящей из этиленгликоля, пропиленгликоля, диэтилен гликоля, триэтиленгликоля, дипропиленгликоля, трипропиленгликоля, этиленпропиленгликоля, диэтиленпропиленгликоля, этилендипропиленгликоля, глицерина, 1,2,3-тригидрокси-н-бутана, триметилолпропана и их смесей, наиболее предпочтительно этиленгликоля, глицерина и их смесей.
Концентрация многоатомного спирта (c21) в композиции по изобретению может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно многоатомный спирт (с21) применяют в количестве от 0,05 до 5% мас., предпочтительно от 0,1 до 4% мас. и наиболее предпочтительно от 0,5 до 3% мас., где массовые проценты указаны в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
Предпочтительно гомополимер или сополимер алкиленоксидов (c221) выбирают из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида.
Сополимеры этиленоксид-пропиленоксид (c221) могут быть статистическими сополимерами, чередующимися сополимерами или блок-сополимерами, содержащими блоки полиэтиленоксида и блоки полипропиленоксида. В блок-сополимерах этиленоксид-пропиленоксид (c221) блоки полиэтиленоксида предпочтительно имеют гидрофильно-липофильный баланс (ГЛБ) от 10 до 15. Блоки полипропиленоксида предпочтительно могут иметь значения ГЛБ от 28 до около 32.
Предпочтительно гомополимерами алкиленоксидов (с221) являются полимеры этиленоксида, такие как полиэтиленгликоль (ПЭГ).
Предпочтительно растворимые в воде полимеры (c221) имеют среднемассовую молекулярную массу от 2000 до 1000000 дальтон, более предпочтительно 5000-500000 дальтон и наиболее предпочтительно от 10000 до 250000 дальтон.
Растворимые в воде полимеры (c221) являются обычными и известными, коммерчески доступными веществами. Подходящие растворимые в воде полимеры (c22) описаны в японской патентной заявке JP 2001-240850 A, пункт 2 в сочетании с абзацами [0007]-[0014], в американской патентной заявке US 2007/0077865 A1, колонка страница 1, абзац [0008] - страница 2, абзац [0010], в американской патентной заявке US 2006/0124594 A1, страница 3, абзацы [0036] и [0037] и в американской патентной заявке US 2008/0124913 A1, страница 3, абзацы [0031] - [0033] в сочетании с пунктом 14, или они имеются в продаже под торговыми наименованиями Pluronic™, Tetronic™ и Basensol™ производства BASF Corporation и BASF SE, как показано в брошюре компании BASF Corporation "Pluronic™ & Tetronic™ Block Copolymer Surfactants, 1996" или в американском патенте US 2006/0213780 A1.
Наиболее предпочтительно полиэтиленгликоль (ПЭГ) применяют в качестве полимера (c221).
Композиция по изобретению также может содержать полимер (c221) в сочетании с многоатомным спиртом (c1) только.
Также концентрация полимера (c221) в композиции по изобретению может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно полимер (с22) применяют в количествах от 0,005 до 5% мас., предпочтительно от 0,01 до 4% мас. и наиболее предпочтительно от 0,05 до 3% мас., где массовые проценты указаны в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
Предпочтительно алифатические и циклоалифатические N-виниламидные мономеры, которые являются элементарными звеньями линейных и разветвленных алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (c222), выбирают из группы, состоящей из N-винилацетамида, N-винилпирролидона, N-винилвалеролактама, N-винилкапролактама, N-винилсукцинимида и их смесей.
Поли(N-виниламидные) сополимеры (c222) могут содержать мономерные звенья, образованные из обычных и известных олефиново-ненасыщенных мономеров, отличающихся от N-виниламидов, например сложных и простых виниловых эфиров, акриловых и метакриловых сложных эфиров, аллиловых сложных и простых эфиров, олефинов, которые могут быть замещены атомами галогенов или нитрильными группами, и стирольных мономеров, при условии что такие мономерные единицы содержатся только в таких количествах, при которых растворимость в воде не нарушается.
Предпочтительно растворимые в воде полимеры (c222) имеют среднемассовую молекулярную массу от 2000 до 1000000 дальтон, более предпочтительно от 5000 до 500000 дальтон и наиболее предпочтительно от 10000 до 250000 дальтон.
Композиция по изобретению также может содержать полимер (c222) в сочетании с многоатомным спиртом (c1) только.
Также концентрация полимера (c222) в композиции по изобретению может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно полимер (с22) применяют в количестве от 0,005 до 5% мас., предпочтительно от 0,01 до 4% мас. и наиболее предпочтительно от 0,05 до 3% мас, где массовые проценты указаны в пересчете на полную массу композиции по изобретению.
В композиции по изобретению также массовое отношение многоатомного спирта (c1) к смеси (c2) может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно массовое отношение (c1):(c2) составляет от 100:1 до 1:100.
Более того, в композиции по изобретению также массовое отношение многоатомного спирта (c21) к полимеру (c221) или (c222) может варьироваться в широких пределах и поэтому может быть наиболее выгодным образом приведена в соответствие с конкретными требованиями данной композиции и способа по изобретению. Предпочтительно массовое отношение (c21):(c221) или (c222) составляет от 100:1 до 1:100.
Композиция по изобретению может необязательно содержать по меньшей мере один функциональный компонент (D), который отличается от ингредиентов или компонентов (A), (B) и (C).
Предпочтительно функциональный компонент (D) выбирают из группы соединений, обычно применяемых в суспензиях ХМП на основе диоксида церия.
Примеры таких соединений (D) описаны в начале и описаны, например, Y.N. Prasad et al. в статье в Electrochemical and Solid-State Letters, 9 (12) G337-G339 (2006), Hyun-Goo Kang et al. в Journal of Material Research, volume 22, No.3, 2007, pages 777 to 787, S. Kim et al. в Journal of Colloid and Interface Science, 319 (2008), pages 48 to 52, S.V. Babu et al. в Electrochemical and Solid-State Letters, 7 (12) G327-G330 (2004), Jae-Dong Lee et al. в Journal of Electrochemical Society, 149 (8) G477-G481, 2002, в американских патентах US 5738800, US 6042741, US 6132637, US 6218305 B, US 5759917, US 6689692 B1, US 6984588 B2, US 6299659 B1, US 6626968 B2, US 6436835 B1, US 6491843 B1, US 6544892 B2, US 6627107 B2, US 6616514 B1 и US 7071105 B2, в американских патентных заявках US 2002/0034875 А1, US 2006/0144824 A1, US 2006/0207188 A1, US 2006/0216935 A1, US 2007/0077865 A1, US 2007/0175104 A1, US 2007/0191244 A1 и US 2007/0218811 A1, и в японской патентной заявке JP 2005-336400 A.
Более того, функциональный компонент (D) выбирают из группы, состоящей из органических, неорганические и гибридных органическо-неорганических абразивных частиц, отличающихся от частиц (А), материалов, имеющих нижнюю критическую температуру растворения (НКТР) или верхнюю критическую температуру растворения (ВКТР), окисляющих агентов, пассивирующих агентов, агентов для обращения заряда, комплексообразующих или хелатообразующих агентов, агентов, повышающих истирание, стабилизирующих агентов, агентов, регулирующих текучесть, поверхностно-активных веществ, биоцидов, катионов металлов и органических растворителей.
Подходящие органические абразивные частицы (D) и их эффективные количества известны, например, из американской патентной заявки US 2008/0254628 A1, стр.4, абзац [0054], или из международной патентной заявки WO 2005/014753 A1, где описаны твердые частицы, состоящие из меламина и производных меламина, таких как ацетогуанамин, бензогуанамин и дициандиамид.
Подходящие неорганические абразивные частицы (D) и их эффективные количества известны, например, из международной патентной заявки WO 2005/014753 A1, стр.12, строки 1-8 или из американского патента US 6068787, колонка 6, строка 41 - колонка 7, строка 65.
Подходящие гибридные органическо-неорганические абразивные частицы (D) и их эффективные количества известны, например, из американских патентных заявок US 2008/0254628 A1, стр.4, абзац [0054] или US 2009/0013609 A1, стр.3, абзац [0047] - стр.6, абзац [0087].
Подходящие окисляющие агенты (D) и их эффективные количества известны, например, из европейской патентной заявки EP 1036836 A1, стр.8, абзацы [0074] и [0075] или из американских патентов US 6068787, колонка 4, строка 40 - колонка 7, строка 45, или US 7300601 B2, колонка 4, строки 18-34. Предпочтительно применяют органические и неорганические пероксиды, более предпочтительно неорганические пероксиды. В частности, применяют пероксид водорода.
Подходящие пассивирующие агенты (D) и их эффективные количества известны, например, из американского патента US 7300601 B2, колонка 3, строка 59 - колонка 4, строка 9 или из американской патентной заявки US 2008/0254628 A1, абзац [0058], объединяющий страницы 4 и 5.
Подходящие комплексообразующие или хелатообразующие агенты (D), которые иногда именуются агентами, повышающими истирание (см. американскую патентную заявку US 2008/0254628 A1, стр.5, абзац [0061]) или агентами для травления или травильными средствами (см. американскую патентную заявку US 2008/0254628 A1, стр.4, абзац [0054]), и их эффективные количества известны, например, из американского патента US 7300601 B2, колонка 4, строки 35-48. Аминокислоты, в частности глицин, и, кроме того, дициандиамид и триазины, содержащие по меньшей мере одну, предпочтительно две и более предпочтительно три первичные аминогруппы, такие как меламин и растворимые в воде гуанамины, в частности меламин, формогуанамин, ацетогуанамин и 2,4-диамино-6-этил-1,3,5-триазин, являются наиболее предпочтительными для применения.
Подходящие стабилизирующие агенты (D) и их эффективные количества известны, например, из американского патента US 6068787, колонка 8, строки 4-56.
Подходящие агенты, регулирующие текучесть (D), и их эффективные количества известны, например, из американской патентной заявки US 2008/0254628 A1, стр.5, абзац [0065] - стр.6, абзац [0069].
Подходящие поверхностно-активные вещества (D) и их эффективные количества известны, например, из международной патентной заявки WO 2005/014753 A1, стр.8, строка 23 - стр.10, строка 17 или из американского патента US 7300601 B2, колонка 5, строка 4 - колонка 6, строка 8.
Подходящие поливалентные ионы металлов (D) и их эффективные количества известны, например, из европейской патентной заявки ЕР 1036836 A1, стр.8, абзац [0076] - стр.9, абзац [0078].
Подходящие органические растворители (D) и их эффективные количества известны, например, из американского патента US 7361603 B2, колонка 7, строки 32-48 или американской патентной заявки US 2008/0254628 A1, стр.5, абзац [0059].
Подходящие материалы (D), демонстрирующие нижнюю критическую температуру растворения (НКТР) или верхнюю критическую температуру растворения (ВКТР), описаны, например, в статье Н. Mori, Н. Iwaya, А. Nagai and Т. Endo, Controlled synthesis of thermoresponsive polymers, derived from L-proline via RAFT polymerization, в Chemical Communication, 2005, 4872-4874; или в статье D. Schmaljohann, Thermo- and pH-responsive polymers and drug delivery, Advanced Drug Delivery Reviews, volume 58 (2006), 1655-1670 или в американских патентных заявках US 2002/0198328 A1, US 2004/0209095 A1, US 2004/0217009 A1, US 2006/0141254 A1, US 2007/0029198 A1, US 2007/0289875 A1, US 2008/0249210 A1, US 2008/0050435 A1 или US 2009/0013609 A1, американских патентах US 5057560, US 578882 и US 6682642 B2, международных патентных заявках WO 01/60926 A1, WO 2004/029160 A1, WO 2004/0521946 A1, WO 2006/093242 A2 или WO 2007/012763 A1, в европейских патентных заявках EP 0583814 A1, EP 1197587 B1 и EP 1942179 A1, или в немецкой патентной заявке DE 2610705.
В принципе, могут применяться любые агенты для обращения заряда (D), обычно применяемые в области ХМП. Предпочтительно агент для обращения заряда (D) выбирают из группы, состоящей из мономерных, олигомерных и полимерных соединений, содержащих по меньшей мере одну анионную группу, выбранную из группы, состоящей из карбоксилатных, сульфинатных, сульфатных и фосфонатных групп.
Подходящие биоциды (D) могут быть выбраны из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде N-замещенных диазений диоксидов и солей N-замещенных N'-гидрокси-диазений оксидов.
Если присутствует, функциональный компонент (D) может содержаться в различных количествах. Предпочтительно общее количество (D) составляет не более 10% мас. ("% мас." означает "массовый процент"), более предпочтительно не более 2% мас., наиболее предпочтительно не более 0,5% мас., в особенности не более 0,1% мас., например не более 0,01% мас., в пересчете на общую массу соответствующей ХМП композиции. Предпочтительно общее количество (D) составляет по меньшей мере 0,0001% мас., более предпочтительно по меньшей мере 0,001% мас., наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,008% мас., особенно по меньшей мере 0,05% мас., например по меньшей мере 0,3% мас., в пересчете на общую массу соответствующей композиции.
Композиция по изобретению может необязательно содержать по меньшей мере один агент, регулирующий pH, или буферный агент (Е), который материально отличается от ингредиентов (A), (B) и (C).
Подходящие агенты, регулирующие pH, и буферные агенты (Е) и их эффективные количества известны, например, из европейской патентной заявки EP 1036836 A1, стр.8, абзацы [0080], [0085] и [0086], международной патентной заявки WO 2005/014753 A1, стр.12, строки 19-24, американской патентной заявки US 2008/0254628 A1, стр.6, абзац [0073] или американского патента US 7300601 B2, колонка 5, строки 33-63. Примерами агентов, регулирующих pH, или буферных агентов (Е) являются гидроксид калия, гидроксид аммония, гидроксид тетраметиламмония (ГТМА), азотная кислота и серная кислота.
Если присутствует, агент, регулирующий pH, или буферный агент (Е) может содержаться в различных количествах. Предпочтительно общее количество (Е) составляет не более 20% мас., более предпочтительно не более 7% мас., наиболее предпочтительно не более 2% мас., в особенности не более 0,5% мас., например не более 0,1% мас. в пересчете на общую массу соответствующей ХМП композиции. Предпочтительно общее количество (Е) составляет по меньшей мере 0,001% мас., более предпочтительно по меньшей мере 0,01% мас., наиболее предпочтительно по меньшей мере 0,05% мас., в особенности по меньшей мере 0,1% мас., например по меньшей мере 0,5% мас., в пересчете на общую массу соответствующей композиции.
Получение композиции по изобретению не имеет каких-либо особенностей и может проводиться растворением или диспергированием описанных выше ингредиентов (А), (В) и (С) и, необязательно, (D) и/или (Е) в водной среде, в частности в деионизированной воде. Для этой цели применяют обычные и стандартные процессы смешивания и смешивающие аппараты, такие как сосуды с мешалкой, аппараты для растворения, встроенные в технологическую линию, импеллеры высокого сдвига, ультразвуковые смесители, гомогенизирующие форсунки или противоточные смесители. Предпочтительно полученная таким образом композиция по изобретению может фильтроваться через фильтры с требуемым размером ячеек, чтобы удалить частицы грубого помола, такие как агломераты или агрегаты твердых мелкодисперсных абразивных частиц (А).
Композиции по изобретению превосходно подходят для способа по изобретению.
В способе по изобретению подложка для электрических, механических и оптических устройств, в частности электрических устройств, наиболее предпочтительно устройств с интегральными схемами, по меньшей мере один раз вводится в контакт с композицией по изобретению и полируется, в частности химически и механически полируется, до достижения желаемой плоскостности.
Способ по изобретению демонстрирует особенные преимущества в ХМП кремниевых полупроводниковых пластин, имеющих изолирующие слои, состоящие из материалов на основе оксида кремния с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, и слои на основе нитрида кремния в качестве тормозящих или защитных слоев.
Подходящие материалы с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью и подходящие способы получения изолирующих диэлектрических слоев описаны, например, в американских патентных заявках US 2005/0176259 A1, стр.2, абзацы [0025]-[0027], US 2005/0014667 A1, стр.1, абзац [0003], US 2005/0266683 A1, стр.1, абзац [0003] и стр.2, абзац [0024], или US 2008/0280452 A1, абзацы [0024]-[0026] или в американском патенте US 7250391 B2, колонка 1, строки 49-54 или в европейской патентной заявке EP 1306415 A2, стр.4, абзац [0031].
Способ по изобретению особенно подходит для узкощелевой изоляции (УЩИ), которая требует селективного удаления диоксида кремния по сравнению с нитридом кремния на структурированной пластине в качестве субстрата. В этом способе вытравленные канавки переполняются диэлектрическим материалом, например диоксидом кремния, который полируют с применением защитной пленки на основе нитрида кремния в качестве тормозящего слоя. В этом предпочтительном варианте осуществления изобретения способ по изобретению заканчивается очищением диоксида кремния с барьерной пленки при минимизации удаления обнаженного нитрида кремния и оксида кремния в углублениях.
Таким образом, способ по изобретению демонстрирует селективность оксид/нитрид более 50, предпочтительно более 75 и наиболее предпочтительно более 100.
Способ по изобретению не имеет особенностей, а может проводиться с помощью процессов и оборудования, обычно используемых для ХМП в изготовлении полупроводниковых пластин с ИС.
Как известно в данной области техники, типовое оборудование для ХМП состоит из вращающейся платформы, которая покрыта полировальником (полировальной подушкой). Пластина установлена на носителе или держателе, где ее верхняя сторона расположена вниз, лицом к полировальнику. Носитель удерживает пластину в горизонтальном положении. Такой конкретный порядок расположения полирующего и удерживающего устройства также известен как конструкция с зафиксированной платформой. Носитель может держать подушку носителя, которая находится между удерживающей поверхностью носителя и поверхностью пластины, которая неотполирована. Эта подушка может работать в качестве смягчающей подкладки для пластины.
Под носителем также обычно находится платформа (тарелка) большего диаметра в горизонтальном положении, который представляет собой поверхность, параллельную поверхности пластины, которую будут полировать. Ее полировальник контактирует с поверхностью пластины в ходе процесса планаризации. В ходе способа ХМП по изобретению композиция по изобретению наносится на полировальник в виде непрерывного потока или по каплям.
Как носителю, так и опорной платформе придается вращение вокруг их соответствующих осей, которые проходят перпендикулярно носителю и платформе. Вращающийся вал носителя может оставаться зафиксированным в положении относительно вращающейся платформы или может испытывать горизонтальные колебания по отношению к платформе. Направление вращения носителя обычно, хотя необязательно, является таким же, как направление вращения платформы. Скорости вращения носителя и платформы обычно, хотя необязательно, установлены на разные значения.
Традиционно температура платформы установлена на температуру между 10 и 70°C.
Более подробно методика описана в международной патентной заявке WO 2004/063301 A1, в частности стр.16, абзац [0036] - стр.18, абзац [0040] в сочетании с фигурой 1.
Посредством процесса по изобретению могут быть получены полупроводниковые пластины с ИС, содержащие структурированные слои материала с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью, в частности слои на основе диоксида кремния, имеющие превосходную плоскостность. Следовательно, могут быть получены структуры, изготовленные с использованием дамасской медной технологии, которые также имеют превосходную плоскостность и, в готовой ИС, превосходные электрические свойства.
Примеры и сравнительные эксперименты
Сравнительные эксперименты C1-C6
Получение сравнительных водных полирующих композиций C1-C6
Для получения сравнительных водных полирующих композиций C1-C6 диоксид церия (средний размер частиц d50 от 120 до 140 Нм, что измеряется динамическим рассеянием лазерного излучения), гексаметафосфат натрия (РР; массовое отношение диоксида церия к РР=200, далее обозначается как РР200, массовое отношение диоксида церия к РР=300, далее обозначается как РР300) и инозит диспергируют или растворяют в сверхчистой воде. Применяемые количества приведены в таблице 1.
Таблица 1 | |||||
Композиции сравнительных водных полирующих композиций C1-C6 | |||||
№ композиции | Диоксид церия/% мас. | РР200 | РР300 | Инозит/% мас. | pH |
C1 | 0,5 | - | - | - | 5 |
C2 | 0,5 | + | - | - | 6,5 |
C3 | 0,15 | - | - | - | 5 |
C4 | 0,15 | - | - | 1 | 5 |
C5 | 0,125 | - | - | - | 5 |
C6 | 0,125 | - | + | - | 6 |
Примеры 1-11
Получение водных полирующих композиций 1-11
Для получения водных полирующих композиций 1-11 диоксид церия (средний размер частиц d50 от 120 до 140 Нм, что определяется динамическим рассеянием лазерного излучения), гексаметафосфат натрия (РР; массовое отношение диоксида церия к РР=200, далее обозначается как РР200, массовое отношение диоксида церия к РР=300, далее обозначается как РР300) и инозит диспергируют или растворяют в сверхчистой воде. Применяемые количества приведены в таблице 2.
Таблица 2 | |||||
Композиции водных полирующих композиций 1-11 | |||||
№ композиции | Диоксид церия/% мас. | РР200 | РР300 | Инозит/% мас. | pH |
1 | 0,125 | + | - | 1 | 6,5 |
2 | 0,125 | - | + | 0,05 | 6 |
3 | 0,125 | - | + | 0,1 | 6 |
4 | 0,125 | - | + | 0,2 | 6 |
5 | 0,125 | - | + | 0,5 | 6 |
6 | 0,125 | - | + | 0,8 | 6 |
7 | 0,125 | - | + | 1 | 6 |
8 | 0,125 | - | + | 2 | 6 |
9 | 0,125 | - | + | 2 | 4 |
10 | 0,125 | - | + | 2 | 6 |
11 | 0,125 | - | + | 2 | 9 |
Водные полирующие композиции 1-11 из примеров 1-11 превосходно подошли для химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств.
Примеры 12-22 и сравнительные примеры C7-C12
ХМП пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния и пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе нитрида кремния и селективность оксид/нитрид
Таблица 3 показывает, какие водные полирующие композиции применялись для примеров 12-22 и сравнительных экспериментов C7-С12
Таблица 3 | |||
Водные полирующие композиции и тип слоя на основе диоксида кремния, применяемых для примеров 12-22 и сравнительных экспериментов C7-C12 | |||
Водная полирующая композиция № | Из примера или сравнительного эксперимента № | Применяется для примера или сравнительного эксперимента № | Тип применяемого слоя диоксида кремния |
C1 | C1 | C7 | HDP |
C2 | C2 | C8 | HDP |
C3 | C3 | C9 | HDP |
C4 | C4 | C10 | HDP |
C5 | C5 | C11 | HDP |
C6 | C6 | C12 | HDP |
1 | 1 | 12 | HDP |
2 | 2 | 13 | HDP |
3 | 3 | 14 | HDP |
4 | 4 | 15 | HDP |
5 | 5 | 16 | HDP |
6 | 6 | 17 | HDP |
7 | 7 | 18 | HDP |
8 | 8 | 19 | HDP |
9 | 9 | 20 | TEOS |
10 | 10 | 21 | TEOS |
11 | 11 | 22 | TEOS |
HDP: диоксид кремния, осажденный из плазмы высокой плотности;
TEOS: оксид, получаемый химическим осаждением из паровой фазы тетраэтилортосиликата
Далее, для процесса ХМП использовали следующие параметры.
Пример 12 и сравнительные эксперименты C7-C10
- Полировальная машина: Strasbaugh 6EGnHance (роторного типа):
- скорость вращения опорной платформы: 93 об/мин;
- скорость вращения носителя: 87 об/мин;
- полировальник IC 1000/Suba 400 K-groove производства Rohm & Haas;
- придание требуемых характеристик полировальнику - in situ с применением алмазного чистящего диска S60 компании 3М;
- скорость потока суспензии: 200 мл/мин;
- субстраты: пластины с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния (см. таблицу 3) и пластины с нанесенным невскрытым слоем нитрида кремния толщиной 500 нм, полученным химическим осаждением из паровой фазы, производства Montco Silicon;
- усилие прижатия: 2,7 фунта/кв. дюйм (185,143 мбар); С9: 1,5 фунта/кв. дюйм (102,86 мбар);
- время полировки: 1 минута.
Примеры 13-22 и сравнительные эксперименты C11 и C12
- Полировальная мащина: Amat Mirra (роторного типа):
- скорость вращения опорной платформы: 100 об/мин;
- скорость вращения носителя: 90 об/мин;
- полировальник IC 1000/Suba 400 K-groove производства Rohm & Haas;
- придание требуемых характеристик полировальнику - in situ с применением чистящего алмазного диска S60 компании 3М;
- скорость потока суспензии: 200 мл/мин;
- субстраты: пластины с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния (см. таблицу 3) и пластины с нанесенным невскрытым слоем нитрида кремния толщиной 500 нм;
- усилие прижатия: 2 фунта/кв. дюйм (137,143 мбар);
- время полировки: 1 минута.
Скорости удаления поликремниевого материала (MRR) измеряли лазерной интерферометрией (FilmTek™ 2000). В таблице 4 дан обзор полученных MRR.
Таблица 4 | |||
ХМП пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния и пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе нитрида кремния и селективность оксид/нитрид | |||
Пример или сравнительный эксперимент № | MRR диоксида кремния (Á/мин) | MRR нитрида кремния (Á/мин) | Селективность оксид/нитрид |
C7 | 2378 | 589 | 4 |
C8 | 1467 | 397 | 3,7 |
C9 | 1971 | 331 | 6 |
C10 | 2088 | 138 | 15 |
C11 | 1846 | 347 | 5 |
C12 | 1017 | 242 | 4 |
12 | 1430 | 63 | 22,7 |
13 | 1031 | 199 | 5 |
14 | 1107 | 120 | 9 |
15 | 1014 | 72 | 14 |
16 | 1186 | 40 | 30 |
17 | 1247 | 38 | 33 |
18 | 1220 | 30 | 41 |
19 | 1200 | 23 | 52 |
20 | 1135 | 98 | 12 |
21 | 1568 | 25 | 63 |
22 | 1342 | 21 | 64 |
Результаты, собранные в таблице, показывают, что высокая селективность оксид/нитрид не могла быть достигнута для водных полирующих композиций, содержащих только диоксид церия, диоксид церия и РР и диоксид церия и инозит. Наоборот, легко достижимым стало получение высокой селективности оксид/нитрид даже более 50 с полирующими композициями, содержащими диоксид церия, РР и инозит. Если бы pH полирующей композиции повысили до 9, селективность оксид/ нитрид могла бы быть улучшена еще больше.
Такие высокие селективности оксид/нитрид также могли быть достигнуты для водных полирующих композиций, содержащих диоксид церия, гексаметафосфат натрия РР, глицерин и полиэтиленгликоль ПЭГ и/или поливинилпирролидон ПВП.
Примеры 23-26
Получение водных полирующих композиций 12-15
Для получения водных полирующих композиций 12-15 диоксид церия (средний размер частиц d50 от 120 до 140 нм, что определяется динамическим рассеянием лазерного излучения), гексаметафосфат натрия (РР; массовое отношение диоксида церия к РР=250, далее обозначается как РР250), инозит, галактозу и Protectol KD (соль N'-гидроксидиазений оксида; биоцид производства BASF SE) диспергируют или растворяют в сверхчистой воде. Используемые количества приведены в таблице 5.
Таблица 5 | |||||||
Состав водных полирующих композиций 12-15 | |||||||
Пр. № | Композиция № | Диоксид церия/% мас. | Protectol KD/част./млн | РР250 | Инозит/% мас. | Галактоза/% мас. | pH |
23 | 12 | 0,125 | 25 | + | - | 0,25 | 9,5 |
24 | 13 | 0,125 | 25 | + | 0,25 | 0,25 | 9,5 |
25 | 14 | 0,5 | 12,5 | + | 0,5 | - | 9,5 |
26 | 15 | 0,5 | 12,5 | + | 0,25 | 0,25 | 9,5 |
Водные полирующие композиции 12-15 из примеров 23-26 превосходно подошли для химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств.
Примеры 27-30
ХМП пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния и пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе нитрида кремния и селективность оксид/нитрид
ХМП проводили, как описано в примерах 13-22, за исключением того, что скорость вращения опорной платформы составляла 63 об/мин, и скорость носителя составляла 60 об/мин. В таблице 6 дан обзор полученных MRR.
Таблица 6 | |||||
ХМП пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе диоксида кремния и пластин с нанесенным невскрытым слоем на основе нитрида кремния и селективность оксид/нитрид | |||||
Водная полирующая композиция № | Из примера № | Применяется для примера № | MRR TEOS (Á/мин) | MRR нитрида кремния (Á/мин) | Селективность оксид/нитрид |
12 | 23 | 27 | 1172 | 8 | 146,5 |
13 | 24 | 28 | 1226 | 3 | 408,6 |
14 | 25 | 29 | 1727 | 23 | 75 |
15 | 26 | 30 | 1488 | 15 | 100 |
Результаты в таблице 6 показывают, что уже высокая селективность оксид/нитрид, достигнутая применением циклита (см. пример 25) или моносахарида (см. пример 27), смогла быть еще более улучшена совместным применением циклита и моносахарида (см. примеры 28 и 30).
Claims (28)
1. Водная полирующая композиция, имеющая pH в интервале от 3 до 11 и содержащая
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (В) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;
(B) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент, выбранный из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов,
причем растворимый в воде конденсированный фосфат выбран из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
и полифосфатов общей формулы II и III:
где М является аммонием, натрием и калием и индекс n равен от 2 до 10000; и
(C) по меньшей мере один компонент на основе многоатомного спирта, выбранный из группы, состоящей из
(с1) многоатомных спиртов, выбранных из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических, мономерных, димерных и олигомерных многоатомных спиртов, имеющих по меньшей мере 4 гидроксигруппы, которые являются недиссоциируемыми в водной среде, выбранных из группы, состоящей из эритрита, пентаэритрита, альдитов, циклитов, углеводов и димеров и олигомеров глицерина, эритрита, пентаэритрита, альдитов, циклитов,
причем альдит (с1) выбран из группы, состоящей из тетритов, пентитов, гекситов, гептитов и октитов; циклит (с1) выбран из инозитов; и углевод (с1) выбран из группы, состоящей из моносахаридов, дисахаридов, олигосахаридов, полисахаридов, дезоксисахаров и аминосахаров,
причем моносахарид (с1) выбран из группы, состоящей из аллозы, альтрозы, глюкозы, маннозы, идозы, галактозы и талозы, и
причем многоатомный спирт (с1) содержится в количествах от 0,005 до 5 маc. % в пересчете на общую массу указанной композиции;
(с2) смеси, состоящей из
(с21) по меньшей мере одного многоатомного спирта, выбранного из группы, состоящей из растворимых в воде и диспергируемых в воде, алифатических и циклоалифатических многоатомных спиртов (с21), имеющих 2-3 гидроксигруппы, которые являются недиссоциируемыми в водной среде, выбранных из группы, состоящей из этиленгликоля, пропиленгликоля, диэтиленгликоля, триэтиленгликоля, дипропиленгликоля, трипропиленгликоля, этиленпропиленгликоля, диэтиленпропиленгликоля, этилендипропиленгликоля, глицерина, 1,2,3-тригидрокси-н-бутана, триметилолпропана и их смесей; и
(с22) по меньшей мере одного растворимого в воде или диспергируемого в воде полимера, выбранного из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов (с221), выбранных из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида; и линейных и разветвленных, алифатических и циклоалифатических поли(N-виниламидных) гомополимеров и сополимеров (с222), выбранных из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров алифатических и циклоалифатических N-виниламидных мономеров, выбранных из группы, состоящей из N-винилацетамида, N-винилпирролидона, N-винилвалеролактама, N-винилкапролактама, N-винилсукцинимида и их смесей; и
(с3) смесей (с1) и (с2),
причем абразивные частицы (А) являются неорганическими частицами, содержащими или состоящими из диоксида церия.
2. Водная полирующая композиция по п. 1, отличающаяся тем, что
- многоатомный спирт (с21) используют в количествах от 0,05 до 5 мас. % в пересчете на общую массу указанной композиции, и
- полимер (с22) используют в количествах от 0,005 до 5 мас. % в пересчете на общую массу указанной композиции.
3. Водная полирующая композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит по меньшей мере один агент, регулирующий pH, или буферный агент (Е), отличающийся от компонентов (А), (В) и (С).
4. Водная полирующая композиция по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит по меньшей мере один функциональный компонент (D), отличающийся от компонентов (А), (В) и (С), и где указанный функциональный компонент (D) выбран из группы, состоящей из органических, неорганических и гибридных органическо-неорганических абразивных частиц, отличающихся от частиц (А), материалов, имеющих нижнюю критическую температуру растворения или верхнюю критическую температуру растворения, окисляющих агентов, пассивирующих агентов, агентов для обращения заряда, комплексообразующих или хелатообразующих агентов, агентов, повышающих истирание, стабилизирующих агентов, агентов, регулирующих текучесть, поверхностно-активных веществ, биоцидов, катионов металлов и органических растворителей.
5. Водная полирующая композиция по п. 4, отличающаяся тем, что биоцид (D) выбран из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде N-замещенных диазений-диоксидов и солей N'-гидрокси-диазений-оксидов.
6. Способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств путем контактирования подложки по меньшей мере один раз с водной полирующей композицией и полирования подложки до получения желаемой плоскостности, отличающийся тем, что используют водную полирующую композицию по любому из пп. 1-5.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что подложка содержит по меньшей мере один слой, содержащий или состоящий из по меньшей мере одного диэлектрического материала на основе оксида кремния, и по меньшей мере один слой, содержащий или состоящий из нитрида кремния.
8. Применение водной полирующей композиции по любому из пп. 1-5 для изготовления электрических, механических и оптических устройств.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US38072110P | 2010-09-08 | 2010-09-08 | |
US61/380,721 | 2010-09-08 | ||
PCT/IB2011/053884 WO2012032461A1 (en) | 2010-09-08 | 2011-09-06 | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013115239A RU2013115239A (ru) | 2014-10-20 |
RU2607214C2 true RU2607214C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=45810173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013115239A RU2607214C2 (ru) | 2010-09-08 | 2011-09-06 | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130200038A1 (ru) |
EP (1) | EP2614121B1 (ru) |
JP (1) | JP5965907B2 (ru) |
KR (1) | KR101908280B1 (ru) |
CN (1) | CN103097476B (ru) |
IL (1) | IL224615B (ru) |
MY (1) | MY170196A (ru) |
RU (1) | RU2607214C2 (ru) |
SG (2) | SG10201506169XA (ru) |
TW (1) | TWI538971B (ru) |
WO (1) | WO2012032461A1 (ru) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG10201506215WA (en) * | 2010-09-08 | 2015-09-29 | Basf Se | Aqueous polishing compositions containing n-substituted diazenium dioxides and/or n'-hydroxy-diazenium oxide salts |
WO2012046179A1 (en) | 2010-10-07 | 2012-04-12 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
KR20140059230A (ko) | 2011-09-07 | 2014-05-15 | 바스프 에스이 | 글리코시드를 포함하는 화학 기계 연마 (cmp) 조성물 |
SG11201403505UA (en) * | 2011-12-21 | 2014-07-30 | Basf Se | Method for manufacturing cmp composition and application thereof |
JP2016178099A (ja) * | 2013-08-09 | 2016-10-06 | コニカミノルタ株式会社 | Cmp用研磨液 |
US9633831B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
EP3099756A4 (en) * | 2014-01-31 | 2017-08-02 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a poly(aminoacid) |
JP2015227446A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-17 | 花王株式会社 | サファイア板用研磨液組成物 |
KR20170039221A (ko) * | 2014-08-01 | 2017-04-10 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 폴리싱 용액 및 그의 사용 방법 |
US9551075B2 (en) | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
JP6393231B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2018-09-19 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法 |
JP2017013183A (ja) * | 2015-07-01 | 2017-01-19 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
JP6646062B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-02-14 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法 |
KR102574842B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-09-06 | 솔브레인 주식회사 | 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
JP6737894B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-08-12 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリッシング方法 |
JP6957265B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-11-02 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP2019050307A (ja) | 2017-09-11 | 2019-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法、ならびに研磨用組成物およびその製造方法 |
US10428241B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-10-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions containing charged abrasive |
JP7045171B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2022-03-31 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
KR102442600B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2022-09-14 | 주식회사 케이씨텍 | 연마용 슬러리 조성물 |
US20200002607A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Versum Materials Us, Llc | Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing |
US11072726B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-07-27 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
US11078417B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-08-03 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
CN108587478B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-09-25 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 |
US11549034B2 (en) * | 2018-08-09 | 2023-01-10 | Versum Materials Us, Llc | Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions |
CN109536038A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-29 | 东莞市晶博光电有限公司 | 一种抛光液及采用该抛光液的抛光方法 |
US11326076B2 (en) | 2019-01-25 | 2022-05-10 | Versum Materials Us, Llc | Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives |
CN113004802B (zh) * | 2019-12-20 | 2024-04-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
CN114621683A (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-14 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
CN116000782B (zh) * | 2022-12-27 | 2023-09-19 | 昂士特科技(深圳)有限公司 | 用于金属合金cmp的化学机械抛光组合物 |
CN118359995B (zh) * | 2024-06-19 | 2024-08-16 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种鱼鳞形塔基的单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU490811A1 (ru) * | 1973-07-06 | 1975-11-05 | Харьковский Институт Радиоэлектроники | Паста дл доводки и полировки деталей |
US6110832A (en) * | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
US20050287931A1 (en) * | 2002-10-25 | 2005-12-29 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry and polished substrate |
RU2356926C2 (ru) * | 2003-07-11 | 2009-05-27 | У.Р. Грэйс Энд Ко.-Конн. | Абразивные частицы для механической полировки |
RU2386587C2 (ru) * | 2005-07-12 | 2010-04-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Дисперсия оксида алюминия |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109816A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 研磨剤スラリ−の調製方法 |
US6206756B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
US6471735B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-29 | Air Liquide America Corporation | Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
US6429133B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore |
US6540935B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical/mechanical polishing slurry, and chemical mechanical polishing process and shallow trench isolation process employing the same |
KR100464429B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법 |
US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
GB0222843D0 (en) * | 2002-10-02 | 2002-11-06 | Basf Ag | Microbicidal compositions and their use |
CN1213118C (zh) * | 2002-12-13 | 2005-08-03 | 清华大学 | 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料 |
JP4202172B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
KR100637772B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2006-10-23 | 제일모직주식회사 | 반도체 sti 공정용 고선택비 cmp 슬러리 조성물 |
US20060216935A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Ferro Corporation | Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication |
US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
TWI363790B (en) * | 2005-10-19 | 2012-05-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Cerium oxide slurry, cerium oxide polishing solution and polishing method by utilizing the same |
DE102006061891A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Basf Se | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
KR101431299B1 (ko) * | 2007-03-26 | 2014-08-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마용 수계 분산체, 및 반도체 장치의 화학 기계 연마 방법 |
CN101033374A (zh) * | 2007-04-13 | 2007-09-12 | 中国地质大学(武汉) | 一种高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法 |
KR101256551B1 (ko) * | 2008-03-06 | 2013-04-19 | 주식회사 엘지화학 | Cmp 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 |
WO2009110729A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-11 | Lg Chem, Ltd. | Cmp slurry and a polishing method using the same |
JP2011142284A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
US20110244184A1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-06 | Solarworld Industries America, Inc. | Alkaline etching solution for texturing a silicon wafer surface |
-
2011
- 2011-09-06 JP JP2013527717A patent/JP5965907B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 TW TW100132008A patent/TWI538971B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-09-06 CN CN201180043273.9A patent/CN103097476B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-06 MY MYPI2013000777A patent/MY170196A/en unknown
- 2011-09-06 SG SG10201506169XA patent/SG10201506169XA/en unknown
- 2011-09-06 EP EP11823139.8A patent/EP2614121B1/en not_active Not-in-force
- 2011-09-06 US US13/820,765 patent/US20130200038A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-06 WO PCT/IB2011/053884 patent/WO2012032461A1/en active Application Filing
- 2011-09-06 KR KR1020137008871A patent/KR101908280B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-06 SG SG2013010632A patent/SG188206A1/en unknown
- 2011-09-06 RU RU2013115239A patent/RU2607214C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-02-07 IL IL224615A patent/IL224615B/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU490811A1 (ru) * | 1973-07-06 | 1975-11-05 | Харьковский Институт Радиоэлектроники | Паста дл доводки и полировки деталей |
US6110832A (en) * | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
US20050287931A1 (en) * | 2002-10-25 | 2005-12-29 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry and polished substrate |
RU2356926C2 (ru) * | 2003-07-11 | 2009-05-27 | У.Р. Грэйс Энд Ко.-Конн. | Абразивные частицы для механической полировки |
RU2386587C2 (ru) * | 2005-07-12 | 2010-04-20 | Эвоник Дегусса Гмбх | Дисперсия оксида алюминия |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012032461A1 (en) | 2012-03-15 |
KR101908280B1 (ko) | 2018-10-16 |
JP5965907B2 (ja) | 2016-08-10 |
EP2614121A1 (en) | 2013-07-17 |
KR20130133174A (ko) | 2013-12-06 |
CN103097476A (zh) | 2013-05-08 |
IL224615B (en) | 2018-11-29 |
EP2614121A4 (en) | 2016-03-09 |
SG188206A1 (en) | 2013-04-30 |
JP2013541609A (ja) | 2013-11-14 |
RU2013115239A (ru) | 2014-10-20 |
EP2614121B1 (en) | 2019-03-06 |
SG10201506169XA (en) | 2015-09-29 |
US20130200038A1 (en) | 2013-08-08 |
TWI538971B (zh) | 2016-06-21 |
CN103097476B (zh) | 2016-02-17 |
MY170196A (en) | 2019-07-09 |
TW201213469A (en) | 2012-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2607214C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств | |
RU2588620C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и на основе поликремния | |
RU2577281C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования материалов подложек для электрических, механических и оптических устройств | |
RU2573672C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния | |
KR101967134B1 (ko) | N-치환 디아제늄 디옥시드 및/또는 n´-히드록시-디아제늄 옥시드 염을 함유하는 수성 폴리싱 조성물 | |
EP2613910A1 (en) | Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films | |
RU2589482C2 (ru) | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой диэлектрической постоянной | |
US9496146B2 (en) | Method for forming through-base wafer vias | |
TWI583755B (zh) | 用於將含氧化矽介電質及多晶矽薄膜之基板化學機械拋光的水性拋光組成物及方法 | |
TW202231805A (zh) | 用於高拓樸選擇性的自停止性拋光組合物與方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190907 |