RU2348088C2 - Регулирование электромеханического поведения структур в устройстве микроэлектромеханических систем - Google Patents
Регулирование электромеханического поведения структур в устройстве микроэлектромеханических систем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2348088C2 RU2348088C2 RU2005111765/28A RU2005111765A RU2348088C2 RU 2348088 C2 RU2348088 C2 RU 2348088C2 RU 2005111765/28 A RU2005111765/28 A RU 2005111765/28A RU 2005111765 A RU2005111765 A RU 2005111765A RU 2348088 C2 RU2348088 C2 RU 2348088C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- substrate
- electric charges
- mems
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
Abstract
Изобретение относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур. Устройство микроэлектромеханических систем (МЭМС) содержит: подложку, электростатически смещаемый слой, электрод, размещенный поверх подложки, между электродом и смещаемым слоем расположен воздушный зазор, слой улавливания электрических зарядов, содержащий материал, способный улавливать как положительные, так и отрицательные заряды, прозрачный слой, сформированный между слоем улавливания электрических зарядов и электродом. Также предложены еще два варианта устройства МЭМС и два варианта способа изготовления МЭМС. Изобретение обеспечивает улучшенный характеристический (электромеханический) отклик. 5 н. и 18 з.п. ф-лы, 9 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к устройствам микроэлектромеханических систем. В частности, оно относится к тонкопленочным структурам в устройствах микроэлектромеханических систем и к электромеханическому и оптическому откликам этих тонкопленочных структур.
Уровень техники
В настоящее время устройства микроэлектромеханических систем (МЭМС) можно изготавливать методами микрообработки. Примеры устройств МЭМС включают в себя электродвигатели, насосы, клапаны, переключатели, датчики, пиксели и пр.
Нередко в устройствах МЭМС применяют принципы и явления разных областей, таких как оптика, электричество и механика. Эти принципы и явления, которые на первый взгляд трудно совместно использовать на макроскопическом уровне, могут стать чрезвычайно эффективными при применении на микроскопическом уровне устройств МЭМС, на котором эти явления приобретают более сильное влияние. Например, электростатические силы, обычно считающиеся слишком слабыми на макроскопическом уровне, являются достаточно сильными на микроскопическом уровне устройств МЭМС для приведения в действие этих устройств, часто с высокими скоростями срабатывания и с низким энергопотреблением.
Материалы, используемые в устройствах МЭМС, обычно подбирают, исходя из присущих им оптических, электрических и механических свойств, из их характеристик срабатывания на привходящее воздействие, например, на напряжение возбуждения или на напряжение приведения в действие.
Трудность, сказывающаяся на изготовлении устройств МЭМС, заключается в том, что в некоторых случаях материал, хорошо и в нужной степени реагирующий на привходящее воздействие, например, имеющий хороший оптический отклик на падающее световое излучение, может при этом проявлять более худшее реагирование на привходящее воздействие, например, электромеханический отклик на напряжение приведения в действие или возбуждения. Для устранения или, по меньшей мере, некоторого улучшения этого более худшего реагирования нужно находить или разрабатывать новые материалы, часто с большими затратами для этого.
Еще одна трудность изготовления устройств МЭМС заключается в том, что иногда материалы, выбранные за их характеристический отклик, могут быть повреждены из-за воздействия на них химических веществ, используемых при том или ином способе микроизготовления. В результате этого обстоятельства ухудшится характеристический отклик материала на привходящее воздействие.
Раскрытие изобретения
Согласно одному из вариантов осуществления настоящее изобретение предлагает способ изготовления устройства микроэлектромеханических систем. Способ предусматривает изготовление первого слоя, содержащего пленку или структурированную пленку, обладающую характеристическим электромеханическим откликом и характеристическим оптическим откликом; причем характеристический оптический отклик является желательным, а характеристический электромеханический отклик является нежелательным; и модифицирование характеристического электромеханического отклика первого слоя путем манипулирования образованием электрических зарядов на нем при приведении в действие устройства микроэлектромеханических систем.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 и 2 - блок-схема устройства МЭМС в недействующем и приведенном в действие состояниях соответственно;
фиг.3 - диаграмма напряжений приведения в действие и выключения для устройства МЭМС, показываемого на чертежах фиг.1 и 2;
фиг.4 показывает вариант осуществления тонкопленочной многоуровневой структуры для устройства МЭМС в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения;
фиг.5 показывает петлю гистерезиса для устройства МЭМС, содержащего тонкопленочную многоуровневую структуру согласно фиг.4;
фиг.6 показывает еще один вариант осуществления тонкопленочной многоуровневой структуры для устройства МЭМС;
фиг.7 показывает петлю гистерезиса для устройства МЭМС, содержащего тонкопленочную многоуровневую структуру согласно фиг.6;
фиг.8а показывает блок-схему электростатической системы течения текучей среды в устройстве МЭМС согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения;
фиг.8b показывает схематический чертеж системы течения текучей среды согласно фиг.8а, иллюстрирующий принцип ее работы;
фиг.9 показывает еще один вариант осуществления устройства МЭМС согласно настоящему изобретению.
Осуществление изобретения
В устройстве микроэлектромеханических систем (МЭМС) может потребоваться определенная структура или слой ради их оптического отклика на привходящее воздействие в виде падающего светового излучения, но при этом возможно, что это устройство будет проявлять нежелательный электромеханический отклик на привходящее воздействие в виде напряжения приведения в действие или возбуждения. Настоящее изобретение раскрывает методику управления электромеханическим откликом структуры или слоя в целях уменьшения, по меньшей мере, нежелательного электромеханического отклика.
В качестве поясняющего, но не ограничивающего примера устройства МЭМС рассмотрим устройство 10 интерференционной модуляции (УПМ), показываемое на чертеже фиг.1. На фиг.1 УПМ 10 представлен сильно упрощенным в пояснительных целях, чтобы не перегружать подробностями данное изобретение.
УПМ 10 содержит прозрачный слой 12 и отражающий слой 14, который отделен от прозрачного слоя 12 воздушным зазором 16. Отражающий слой 14 опирается на стойки 18 и выполнен электростатически смещаемым в сторону прозрачного слоя 12, при этом закрывая воздушный зазор 16. Электрод 20, соединенный с возбуждающим механизмом 22, обусловливает электростатическое смещение отражающего слоя 14. Фиг.1 показывает отражающий слой 14 в невозбужденном или несмещенном состоянии, и фиг.2 показывает отражающий слой 14 в возбужденном или смещенном состоянии. Отражающий слой 14 подбирают для обеспечения нужного оптического отклика на падающее световое излучение, когда он вводится в контакт с прозрачным слоем 12. В одной конструкции УПМ прозрачный слой 12 может содержать SiO2. Электрод 20 и прозрачный слой 12 сформированы на подложке 24. Подложка 24, электрод 20 и прозрачный слой на ней здесь названы «тонкопленочной многоуровневой структурой».
Обычно множество УПМ-устройств 10 изготавливают в виде крупной матрицы, чтобы сформировать пиксели в рефлективном дисплее. В таком рефлективном дисплее каждое УПМ-устройство 10 определяет пиксель, имеющий характеристический оптический отклик, находясь в невозбужденном состоянии, и характеристический оптический отклик, находясь в возбужденном состоянии. Прозрачный слой 12 и размер воздушного зазора 16 можно подобрать такими, чтобы УПМ в рефлективном дисплее смог отражать красный, синий или зеленый свет в невозбужденном состоянии и смог поглощать свет, будучи в возбужденном состоянии.
Нужно отметить, что во время работы рефлективного дисплея УМП-устройства 10 быстро запитываются и отключаются от питания для передачи информации. Будучи запитанным, отражающий слой 14 УПМ-устройства 10 электростатически перемещается к прозрачному слою 12, и когда УПМ 10 отключается от питания, отражающий слой 14 может возвратиться в свое невозбужденное состояние. Чтобы удерживать отражающий слой 14 в его возбужденном состоянии, к каждому УПМ-устройству 10 прилагается напряжение смещения.
Если напряжение приведения в действие Vactuation, определяемое как напряжение, нужное для электростатического приведения отражающего слоя 14 УПМ-устройства в его возбужденное состояние, согласно фиг.2, равно напряжению выключения Vrelease, определяемому как напряжение, при котором отражающий слой 14 возвращается в свое несмещенное состояние, согласно фиг.1, тогда очень затрудняется выбор надлежащего напряжения смещения Vbias, которое можно приложить ко всем УМП 10 в данном рефлективном дисплее, чтобы удерживать отражающие слои 14 каждого соответствующего УМП-устройства 10 в рефлективном дисплее в его возбужденном состоянии. Причина этого заключается в том, что каждый УПМ 10 в рефлективном дисплее может иметь некоторые отличия, например разную толщину слоев 12, 14 и прочее, и это на практике приводит к разному напряжению выключения Vrelease для каждого УПМ 10. Помимо этого по причине сопротивления линии будут иметь место изменения фактического напряжения, прилагаемого к каждому УПМ 10, в зависимости от его положения в дисплее. Это обстоятельство сильно затрудняет, если не делает невозможным, выбор значения для Vbias, которое будет удерживать отражающий слой 14 каждого соответствующего УПМ 10 в данном рефлективном дисплее в его возбужденном состоянии. Это обстоятельство поясняется со ссылкой на чертеж фиг.3, который показывает наблюдаемое гистерезисное поведение отражающего слоя 14 УПМ 10, в котором прозрачный слой 12 содержит SiO2.
На фиг.3 показана кривая 30, которая выводит прилагаемое напряжение (в вольтах) на оси Х в зависимости от оптического отклика, измеряемого в вольтах, на оси Y для УПМ 10, содержащего прозрачный слой SiO2. Видно, что отражающий слой 14 приводится в действие приблизительно при 12,5 В, т.е. Vactuation равно 12,5 В; и отражающий слой 14 возвращается в свое невозбужденное состояние, если прилагаемое напряжение падает ниже 12,5 В, т.е. Vrelease равно 12,5 В. Таким образом, отражающий слой 14 в УПМ-устройстве 10, в котором прозрачный слой содержит только SiO2, не проявляет гистерезиса. Поэтому, если отражающий слой изготавливается с помощью УПМ-устройств 10, каждое из которых содержит прозрачный слой 12, имеющий только SiO2, то будет невозможно выбрать значение для Vbias. Например, если Vbias выбрано в значении 12,5 В по причине изменений в УПМ-устройствах 10 в рефлективном дисплее, то по меньшей мере в некоторых УПМ-устройствах 10 Vbias в 12,5 В не сможет удерживать отражающий слой 14 этих УПМ-устройств 10 в возбужденном состоянии.
Для выбора Vbias, достаточного для удержания отражающего слоя 14 соответствующего УПМ-устройства 10 в рефлективном дисплее в возбужденном состоянии, необходимо, чтобы каждый отражающий слой 14 соответствующего УПМ-устройства 10 в рефлективном дисплее проявлял гистерезис в некоторой степени, определяемый как ненулевая разница между Vactuation и Vrelease.
Нужно отметить, что электромеханический отклик отражающего слоя 14 каждого УПМ-устройства 10 определяется электромеханическими свойствами отражающего слоя 14 и также электрическими свойствами прозрачного слоя 12. В одной определенной конструкции УПМ-устройства прозрачный слой 12 содержит SiO2, дающий нужный оптический отклик, когда отражающий слой 14 вводится в контакт с ним. Но прозрачный слой 12, содержащий SiO2, имеет определенные электрические характеристики или свойства (SiO2 улавливает отрицательный электрический заряд), которые отрицательно сказываются на гистерезисной характеристике отражающего слоя 14. Поэтому прозрачный слой 12 имеет нужный оптический отклик, но нежелательный электромеханический отклик на возбуждающее или приводящее в действие напряжение, что отрицательно сказывается на гистерезисной характеристике отражающего слоя 14.
Согласно вариантам осуществления настоящего изобретения электромеханическое поведение прозрачного слоя 12 изменяется при добавлении еще одного слоя тонкопленочной многоуровневой структуры. Этот дополнительный слой по меньшей мере сводит к минимуму или компенсирует воздействие прозрачного слоя 12 на гистерезисную характеристику отражающего слоя 14.
Согласно одному из вариантов осуществления настоящего изобретения дополнительный слой содержит Al2O3, который осажден известными способами на прозрачном слое 12. В результате этого получается тонкопленочная многоуровневая структура 40 согласно фиг.4, содержащая подложку 42, электрод 44, выполненный из SiO2 прозрачный слой 46 и слой 48 из Al2O3, который функционирует как слой, улавливающий электрические заряды.
Фиг.5 показывает петлю гистерезиса 5 для УПМ-устройства 10, содержащего тонкопленочную многоуровневую структуру 40. Как и в случае с петлей гистерезиса 30, на оси Х выведено прилагаемое напряжение в вольтах, и на оси Y оптический отклик в вольтах. Петля 50 гистерезиса показывает гистерезисное окно 2,8 В, определяемое как разность между Vactuation (7,8 В) и Vrelease (5,0 В). Если отдельные УПМ 10, каждое из них, в рефлективном дисплее имеют соответствующий отражающий слой 14, который проявляет гистерезис в соответствии с петлей гистерезиса 50, то будет очевидно, что имеется возможность выбора значения для Vbias между 5 В и 7,8 В, которое будет эффективно удерживать отражающий слой 14 каждого соответствующего УПМ-устройства 10 в рефлективном дисплее в его возбужденном состоянии. Согласно еще одному осуществлению настоящего изобретения тонкопленочная многоуровневая структура может также быть изменена так, чтобы содержать слой Al2O3 сверху и также снизу прозрачного слоя 12. Этот вариант осуществления показан на чертеже фиг.6, где показано, что тонкопленочная многоуровневая структура 60 содержит подложку 62, электрод 64, первый слой 66 из Al2O3, прозрачный слой 68 из SiO2 и второй слой 70 из Al2O3.
Фиг.7 показывает петлю 80 гистерезиса для отражающего слоя 14 УПМ-устройства 10, имеющего тонкопленочную многоуровневую структуру 60, показываемую на чертеже фиг.6. Видно, что окно гистерезиса теперь стало более широким, т.е. 4,5 В, являясь разницей между Vactuation (9 В) И Vrelease (4,5 В).
Но можно использовать и другие материалы, имеющие более высокую концентрацию ловушек электрических зарядов. Эти материалы содержат AlOх, являющийся нестехиометрическим вариантом Al2O3, нитрид кремния (Si3N4), его нестехиометрический вариант (SiNx) и пятиокись тантала (Ta2O5) и его нестехиометрический вариант (ТаОх). Все эти материалы имеют концентрации ловушек электрических зарядов, на несколько порядков более высокие, чем SiO2, и они улавливают электрические заряды обеих полярностей. Поскольку эти материалы имеют высокую концентрацию ловушек электрических зарядов, относительно легко вводить электрический заряд в эти материалы и выводить его из них по сравнению с SiO2, который имеет более низкую концентрацию ловушек электрических зарядов и имеет сродство только для улавливания отрицательных электрических зарядов.
Другие примеры материалов с высокой концентрацией ловушек электрических зарядов: оксиды редкоземельных металлов (например, оксид гафния) и полимеры. Для формирования дополнительного слоя сверху и, как вариант, снизу прозрачного слоя 12 из SiO2 можно использовать полупроводниковые материалы, имеющие примесь для улавливания либо отрицательного, либо положительного электрического заряда.
Выше изложены способы управления электромеханическим поведением устройства МЭМС, согласно которым образование электрических зарядов в устройстве МЭМС регулируется за счет использования слоя улавливания электрических зарядов, имеющего высокую концентрацию ловушек электрических зарядов. Но нужно отметить, что настоящее изобретение предусматривает использование любого слоя улавливания электрических зарядов в целях изменения или управления электромеханическим поведением устройства МЭМС независимо от его концентрации ловушек электрических зарядов. Разумеется, выбор слоя улавливания электрических зарядов, будь он слоем высокой, низкой или средней концентрации ловушек электрических зарядов, будет определяться нужным электромеханическим поведением для устройства МЭМС.
В некоторых вариантах осуществления применение металлов в виде тонких слоев или агрегатов обеспечивает еще один механизм для регулирования концентрации ловушек электрических зарядов в основной пленке устройства МЭМС. Структурирование основной пленки путем создания пустот или создания изменений или периодичности в характеристиках ее материала можно также использовать для изменения характеристик улавливания электрических зарядов.
Согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения УПМ-устройство 10 содержит слой химического барьера, осажденный на прозрачном слое 12 в целях защиты прозрачного слоя 12 от повреждений или ухудшения свойств под воздействием химических травителей, применяемых в микрообработке. Например, в одном осуществлении прозрачный слой 12, который содержит SiO2, защищен верхним слоем, содержащим Al2O3, действующим как химический барьер по отношению к травителям, например XeF2. В этих вариантах осуществления обнаружилось, что, если прозрачный слой 12 из SiO2 защищен от травителей, то отсутствие однородности в SiO2 устраняется наряду с сопутствующим отсутствием однородности в электромеханическом поведении, в силу чего отражающий слой 14 каждого УПМ-устройства 10 проявляет гистерезис.
Фиг.8а и 8b показывают еще одно применение в УПМ-устройстве, в котором слой улавливания электрических зарядов используется для регулирования электромеханического поведения структуры в УПМ-устройстве.
На фиг.8а ссылочное обозначение 90 указывает некоторую часть электростатической системы течения текучей среды. Эта электростатическая система течения текучей среды содержит подложку 92, в которой сформирован канал 94, имеющий форму по существу в виде буквы U. Канал 94 содержит внутренний слой 96 из первого материала, который выбран, например, по причине его химических и механических свойств; например, материал может быть особо износостойким, и его качества ненамного ухудшаются в связи с протеканием текучей среды в канале. Канал 94 также содержит внешний слой 98, который выбран ради его свойств улавливания электрических зарядов, согласно пояснению, приводимому ниже.
Электростатическая система 90 течения текучей среды также имеет пары электродов 100 и 102, которые избирательно запитываются для осуществления смещения заряженных частиц в текучей среде в канале 94 в направлении, указанном стрелкой 104 на чертеже фиг.8b. Согласно одному из вариантов осуществления внешний слой 98 улавливает электрический заряд в текучей среде, тем самым улучшая управляемость течения текучей среды в системе 101. В другом варианте осуществления слой 98 может улавливать электрический заряд в целях устранения или снижения эффектов гистерезиса.
На фиг.9 показано еще одно применение слоя улавливания электрических зарядов для изменения электромеханического поведения структуры в устройстве МЭМС. Согласно фиг.9 ссылочное обозначение 120 в общем указывает электродвигатель, который содержит ротор 122, центрированный по оси и отделенный интервалом от статора 124. Показано, что статор 124 сформирован на подложке 126 и имеет электроды 128, которые в работе запитываются возбуждающим механизмом (не показан). Ротор 122 имеет цилиндрическую часть 130, на которой закреплен вал 132. Ротор 122 может быть выполнен из материала, который может быть выбран по его механическим свойствам, таким как износостойкость, но может иметь нежелательные электрические свойства реагирования на привходящее воздействие, например, когда электроды 128 запитываются для осуществления вращения ротора 122. Для компенсации этих нежелательных электрических свойств слои 134 и 136 осаждены на роторе 122, чтобы действовать по существу в качестве слоя улавливания электрических зарядов в целях изменения электромеханического поведения ротора 122.
Несмотря на то, что настоящее изобретение изложено со ссылкой на конкретные приводимые в качестве примера варианты осуществления, очевидно, что в них можно выполнить различные модификации и изменения в рамках идеи изобретения, изложенной в формуле изобретения. Соответственно описание и чертежи следует рассматривать как поясняющие, а не ограничивающие.
Claims (23)
1. Устройство микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащее подложку; электрод и прозрачный слой, размещенный поверх подложки и отделенный от электростатически смещаемого слоя воздушным зазором; причем упомянутый смещаемый слой является отражающим по отношению к падающему свету; и на прозрачном слое осажден слой остановки травления, содержащий Al2О3.
2. Устройство по п.1, в котором прозрачный слой содержит SiO2.
3. Устройство по п.1, в котором слой остановки травления является устойчивым к XeF2.
4. Устройство по п.1, в котором указанное устройство представляет собой интерференционный модулятор.
5. Способ изготовления устройства микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащий этапы, на которых формируют слой электрода и прозрачный слой поверх подложки; формируют слой остановки травления, содержащий Al2О3, поверх прозрачного слоя; формируют электростатически смещаемый слой, причем упомянутый смещаемый слой отделен от слоя остановки травления воздушным зазором; и подвергают слой остановки травления воздействию химического травителя, причем слой остановки травления является устойчивым к воздействию указанного химического травителя.
6. Способ по п.5, в котором прозрачный слой содержит SiO2.
7. Способ по п.5, в котором химический травитель содержит XeF2.
8. Способ по п.5, в котором МЭМС устройство представляет собой интерференционный модулятор.
9. Устройство микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащее подложку; электростатически смещаемый слой; электрод, причем электрод, размещенный поверх подложки; воздушный зазор, причем воздушный зазор расположен между и электродом, и смещаемым слоем; слой улавливания электрических зарядов, причем слой улавливания электрических зарядов содержит материал, способный улавливать как положительные, так и отрицательные заряды; и прозрачный слой, сформированный между слоем улавливания электрических зарядов и электродом.
10. Устройство по п.9, в котором слой улавливания электрических зарядов содержит материал, выбранный из группы: AlOx (нестехиометрический), Si3N4, SiNx (нестехиометрический), Та2O5 и ТаОх (нестехиометрический).
11. Устройство по п.9, в котором прозрачный слой содержит SiO2.
12. Устройство по п.9, дополнительно содержащее второй слой улавливания электрических зарядов, сформированный между прозрачным слоем и электродом.
13. Устройство по п.9, дополнительно включает в себя слой, содержащий Al2О3, расположенный между прозрачным слоем и электродом.
14. Устройство по п.9, в котором указанное устройство представляет собой интерференционный модулятор.
15. Способ изготовления устройства микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащий этапы, на которых формируют слой электрода поверх подложки; формируют прозрачный слой поверх подложки; формируют слой улавливания электрических зарядов, причем слой улавливания электрических зарядов содержит материал, способный улавливать как положительные, так и отрицательные заряды; и формируют электростатически смещаемый слой, причем смещаемый слой отделен от слоя улавливания электрических зарядов воздушным зазором.
16. Способ по п.15, в котором слой улавливания электрических зарядов содержит материал, выбранный из группы: AlOx (нестехиометрический), Si3N4, SiNx (нестехиометрический), Та2O5 и ТаОх (нестехиометрический).
17. Способ по п.15, в котором прозрачный слой содержит SiO2.
18. Способ по п.15, дополнительно содержащий этап, на котором формируют второй слой улавливания электрических зарядов между прозрачным слоем и электродом.
19. Способ по п.15, дополнительно содержащий этап, на котором формируют содержащий Al2О3 слой между прозрачным слоем и электродом.
20. Способ по п.15, в котором смещаемый слой является отражающим.
21. Устройство микроэлектромеханических систем (МЭМС), содержащее подложку; электрод, причем электрод размещен поверх подложки; электростатически смещаемый слой, отделенный от упомянутого электрода воздушным зазором; слой, содержащий SiO2, причем слой, содержащий SiO2, расположен между электродом и воздушным зазором; и, по меньшей мере, один слой, содержащий Al2О3, расположенный на слое, содержащем SiO2, или смежно с ним, причем слой, содержащий Al2О3, расположен между воздушным зазором и слоем, содержащим SiO2.
22. Устройство по п.21, дополнительно содержащее слой, содержащий Al2O3, расположенный между слоем, содержащим SiO2, и электродом.
23. Устройство по п.21, в котором указанное устройство представляет собой интерференционный модулятор.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/251,196 | 2002-09-20 | ||
US10/251,196 US7550794B2 (en) | 2002-09-20 | 2002-09-20 | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005111765A RU2005111765A (ru) | 2006-01-20 |
RU2348088C2 true RU2348088C2 (ru) | 2009-02-27 |
Family
ID=31992676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005111765/28A RU2348088C2 (ru) | 2002-09-20 | 2003-09-18 | Регулирование электромеханического поведения структур в устройстве микроэлектромеханических систем |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7550794B2 (ru) |
EP (1) | EP1540738B1 (ru) |
JP (1) | JP4800619B2 (ru) |
KR (2) | KR101117059B1 (ru) |
CN (1) | CN1723571B (ru) |
AU (1) | AU2003275194A1 (ru) |
BR (1) | BR0314604A (ru) |
CA (1) | CA2499208C (ru) |
ES (1) | ES2523980T3 (ru) |
HK (1) | HK1085305A1 (ru) |
MX (1) | MXPA05003078A (ru) |
RU (1) | RU2348088C2 (ru) |
TW (1) | TWI289538B (ru) |
WO (1) | WO2004026757A2 (ru) |
Families Citing this family (254)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7123216B1 (en) * | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US8014059B2 (en) * | 1994-05-05 | 2011-09-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for charge control in a MEMS device |
US7471444B2 (en) * | 1996-12-19 | 2008-12-30 | Idc, Llc | Interferometric modulation of radiation |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
US8023724B2 (en) * | 1999-07-22 | 2011-09-20 | Photon-X, Inc. | Apparatus and method of information extraction from electromagnetic energy based upon multi-characteristic spatial geometry processing |
WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
US20060050350A1 (en) * | 2002-12-10 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Driving of an array of micro-electro-mechanical-system (mems) elements |
TW200413810A (en) * | 2003-01-29 | 2004-08-01 | Prime View Int Co Ltd | Light interference display panel and its manufacturing method |
US7417782B2 (en) * | 2005-02-23 | 2008-08-26 | Pixtronix, Incorporated | Methods and apparatus for spatial light modulation |
TW594360B (en) * | 2003-04-21 | 2004-06-21 | Prime View Int Corp Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
US7221495B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
US7709285B2 (en) * | 2003-10-31 | 2010-05-04 | Epcos Ag | Method of manufacturing a MEMS device and MEMS device |
US8081371B2 (en) * | 2003-11-01 | 2011-12-20 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Spatial light modulator and display apparatus |
US7161728B2 (en) * | 2003-12-09 | 2007-01-09 | Idc, Llc | Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators |
US7142346B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
US7532194B2 (en) * | 2004-02-03 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Driver voltage adjuster |
US7119945B2 (en) * | 2004-03-03 | 2006-10-10 | Idc, Llc | Altering temporal response of microelectromechanical elements |
US7706050B2 (en) * | 2004-03-05 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated modulator illumination |
US7060895B2 (en) * | 2004-05-04 | 2006-06-13 | Idc, Llc | Modifying the electro-mechanical behavior of devices |
US7476327B2 (en) | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
US7164520B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-01-16 | Idc, Llc | Packaging for an interferometric modulator |
US7256922B2 (en) * | 2004-07-02 | 2007-08-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators with thin film transistors |
TWI233916B (en) * | 2004-07-09 | 2005-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system |
KR101354520B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2014-01-21 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
AU2005203198A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-16 | Idc, Llc | Staggered column drive circuit systems and methods |
US7889163B2 (en) * | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
US7560299B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7515147B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-04-07 | Idc, Llc | Staggered column drive circuit systems and methods |
US7499208B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-03-03 | Udc, Llc | Current mode display driver circuit realization feature |
US7551159B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-06-23 | Idc, Llc | System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator |
US7602375B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-10-13 | Idc, Llc | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7679627B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
US7415186B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-08-19 | Idc, Llc | Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects |
US7460246B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Method and system for sensing light using interferometric elements |
US7545550B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-09 | Idc, Llc | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7130104B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US8878825B2 (en) * | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
US7813026B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of reducing color shift in a display |
US7920135B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving a bi-stable display |
US20060065366A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Cummings William J | Portable etch chamber |
US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7808703B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for implementation of interferometric modulator displays |
US7349136B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-03-25 | Idc, Llc | Method and device for a display having transparent components integrated therein |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7701631B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having patterned spacers for backplates and method of making the same |
US7417783B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
US7259449B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-08-21 | Idc, Llc | Method and system for sealing a substrate |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7630119B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
US7692839B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-04-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating |
US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
US7373026B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
US7586484B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-09-08 | Idc, Llc | Controller and driver features for bi-stable display |
US7136213B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-11-14 | Idc, Llc | Interferometric modulators having charge persistence |
US7684104B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
US7675669B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US7535466B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-05-19 | Idc, Llc | System with server based control of client device display features |
US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
US7653371B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selectable capacitance circuit |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7289256B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Electrical characterization of interferometric modulators |
US7417735B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices |
US7359066B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-04-15 | Idc, Llc | Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators |
US7310179B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-12-18 | Idc, Llc | Method and device for selective adjustment of hysteresis window |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7420728B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material |
US7893919B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
US7719500B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays |
US7355780B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-04-08 | Idc, Llc | System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US20060077126A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Manish Kothari | Apparatus and method for arranging devices into an interconnected array |
US7345805B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-03-18 | Idc, Llc | Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches |
US20060103643A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-05-18 | Mithran Mathew | Measuring and modeling power consumption in displays |
US20060076634A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
US7304784B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US7554714B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Device and method for manipulation of thermal response in a modulator |
US7369294B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US20060067650A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Clarence Chui | Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques |
US20060066932A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Clarence Chui | Method of selective etching using etch stop layer |
US7916103B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with end-of-life phenomena |
US7321456B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
US7317568B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-08 | Idc, Llc | System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors |
US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
US20060066596A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Sampsell Jeffrey B | System and method of transmitting video data |
US7343080B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-03-11 | Idc, Llc | System and method of testing humidity in a sealed MEMS device |
US7612932B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-11-03 | Idc, Llc | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7289259B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7368803B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion |
US7424198B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-09-09 | Idc, Llc | Method and device for packaging a substrate |
US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
US7564612B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US7936497B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7710629B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for display device with reinforcing substance |
US7446927B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-11-04 | Idc, Llc | MEMS switch with set and latch electrodes |
US7299681B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | Method and system for detecting leak in electronic devices |
US7668415B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for providing electronic circuitry on a backplate |
US8124434B2 (en) * | 2004-09-27 | 2012-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for packaging a display |
US7626581B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-12-01 | Idc, Llc | Device and method for display memory using manipulation of mechanical response |
US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
US7369296B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7527995B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
US20060066594A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Karen Tyger | Systems and methods for driving a bi-stable display element |
US20060176487A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-08-10 | William Cummings | Process control monitors for interferometric modulators |
TW200628877A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-16 | Prime View Int Co Ltd | Method of manufacturing optical interference type color display |
US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
US7755582B2 (en) * | 2005-02-23 | 2010-07-13 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
US8310442B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
US7746529B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-06-29 | Pixtronix, Inc. | MEMS display apparatus |
US8159428B2 (en) * | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US7675665B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-03-09 | Pixtronix, Incorporated | Methods and apparatus for actuating displays |
US7405852B2 (en) * | 2005-02-23 | 2008-07-29 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US7616368B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-11-10 | Pixtronix, Inc. | Light concentrating reflective display methods and apparatus |
US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US7304786B2 (en) * | 2005-02-23 | 2007-12-04 | Pixtronix, Inc. | Methods and apparatus for bi-stable actuation of displays |
US7742016B2 (en) * | 2005-02-23 | 2010-06-22 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
US7920136B2 (en) * | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
KR20080027236A (ko) | 2005-05-05 | 2008-03-26 | 콸콤 인코포레이티드 | 다이나믹 드라이버 ic 및 디스플레이 패널 구성 |
US7948457B2 (en) * | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7884989B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
US20060277486A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Skinner David N | File or user interface element marking system |
US7460292B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator with internal polarization and drive method |
JP2009503565A (ja) | 2005-07-22 | 2009-01-29 | クアルコム,インコーポレイテッド | Memsデバイスのための支持構造、およびその方法 |
EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
US7355779B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-04-08 | Idc, Llc | Method and system for driving MEMS display elements |
US7630114B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
US8391630B2 (en) * | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7636151B2 (en) * | 2006-01-06 | 2009-12-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing residual stress test structures |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7382515B2 (en) * | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
US8194056B2 (en) * | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7582952B2 (en) * | 2006-02-21 | 2009-09-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof |
US7547568B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US7550810B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having a layer movable at asymmetric rates |
US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
US7450295B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
US7643203B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
US7903047B2 (en) * | 2006-04-17 | 2011-03-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mode indicator for interferometric modulator displays |
US7527996B2 (en) * | 2006-04-19 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
US7417784B2 (en) * | 2006-04-19 | 2008-08-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US8049713B2 (en) * | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
US7369292B2 (en) * | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
US7649671B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7876489B2 (en) * | 2006-06-05 | 2011-01-25 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with optical cavities |
US7702192B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-04-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods for driving MEMS display |
US7385744B2 (en) * | 2006-06-28 | 2008-06-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7777715B2 (en) | 2006-06-29 | 2010-08-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Passive circuits for de-multiplexing display inputs |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US7388704B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-06-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7566664B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
US20080043315A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Cummings William J | High profile contacts for microelectromechanical systems |
US7629197B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Spatial light modulator |
US7545552B2 (en) * | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
EP2080045A1 (en) | 2006-10-20 | 2009-07-22 | Pixtronix Inc. | Light guides and backlight systems incorporating light redirectors at varying densities |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7556981B2 (en) | 2006-12-29 | 2009-07-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Switches for shorting during MEMS etch release |
US7852546B2 (en) | 2007-10-19 | 2010-12-14 | Pixtronix, Inc. | Spacers for maintaining display apparatus alignment |
US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
US7957589B2 (en) | 2007-01-25 | 2011-06-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Arbitrary power function using logarithm lookup table |
US8115987B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
US7733552B2 (en) * | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7742220B2 (en) * | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
US7715085B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7643202B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7625825B2 (en) * | 2007-06-14 | 2009-12-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures |
US7643199B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
US7782517B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Infrared and dual mode displays |
US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US8068268B2 (en) * | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
WO2009018287A1 (en) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators |
US7570415B2 (en) * | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US8072402B2 (en) * | 2007-08-29 | 2011-12-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics |
US7773286B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
US7847999B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
CN101828146B (zh) | 2007-10-19 | 2013-05-01 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏装置的显示器 |
US8058549B2 (en) * | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
KR20100103467A (ko) * | 2007-10-23 | 2010-09-27 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 조절가능하게 투과성인 mems―기반 장치 |
US7729036B2 (en) * | 2007-11-12 | 2010-06-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Capacitive MEMS device with programmable offset voltage control |
US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US7715079B2 (en) * | 2007-12-07 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices requiring no mechanical support |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
KR20100121498A (ko) * | 2008-02-11 | 2010-11-17 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 디스플레이 구동 체계가 통합된 표시소자의 감지, 측정 혹은 평가 방법 및 장치, 그리고 이를 이용한 시스템 및 용도 |
US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
US7944604B2 (en) * | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) * | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US7898723B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
US7969638B2 (en) * | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
US8248560B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-08-21 | Pixtronix, Inc. | Light guides and backlight systems incorporating prismatic structures and light redirectors |
EP2315987A2 (en) | 2008-06-03 | 2011-05-04 | Bsst Llc | Thermoelectric heat pump |
US7851239B2 (en) | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US8023167B2 (en) * | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7768690B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-08-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7746539B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for packing a display device and the device obtained thereof |
US7859740B2 (en) * | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
US7782522B2 (en) | 2008-07-17 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices |
US7855826B2 (en) | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
US20110205259A1 (en) * | 2008-10-28 | 2011-08-25 | Pixtronix, Inc. | System and method for selecting display modes |
US8270056B2 (en) * | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
US8736590B2 (en) * | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
US8248358B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-08-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Altering frame rates in a MEMS display by selective line skipping |
US7864403B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
EP2435867A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-04-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
US8270062B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) * | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
US8884940B2 (en) | 2010-01-06 | 2014-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Charge pump for producing display driver output |
CN102834763B (zh) | 2010-02-02 | 2015-07-22 | 皮克斯特罗尼克斯公司 | 用于制造填充冷密封流体的显示装置的方法 |
KR20120139854A (ko) | 2010-02-02 | 2012-12-27 | 픽스트로닉스 인코포레이티드 | 디스플레이 장치를 제어하기 위한 회로 |
US8659611B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for frame buffer storage and retrieval in alternating orientations |
JP2013524287A (ja) | 2010-04-09 | 2013-06-17 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法 |
US9110200B2 (en) | 2010-04-16 | 2015-08-18 | Flex Lighting Ii, Llc | Illumination device comprising a film-based lightguide |
BR112012026329A2 (pt) | 2010-04-16 | 2019-09-24 | Flex Lighting Ii Llc | sinal compreendendo um guia de luz baseado em película |
US8685778B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-04-01 | International Business Machines Corporation | Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures |
JP2013544370A (ja) | 2010-08-17 | 2013-12-12 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉ディスプレイデバイスの電荷中性電極の作動及び較正 |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
US8294184B2 (en) | 2011-02-23 | 2012-10-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | EMS tunable transistor |
US8345030B2 (en) | 2011-03-18 | 2013-01-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing positive and negative voltages from a single inductor |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
KR101654587B1 (ko) | 2011-06-06 | 2016-09-06 | 젠썸 인코포레이티드 | 카트리지 기반 열전 시스템 |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
US8716852B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro mechanical systems (MEMS) having outgasing prevention structures and methods of forming the same |
US9135843B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Charge pump for producing display driver output |
US9306143B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-04-05 | Gentherm Incorporated | High efficiency thermoelectric generation |
TWI495612B (zh) | 2013-01-04 | 2015-08-11 | Univ Nat Chiao Tung | 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法 |
US10270141B2 (en) | 2013-01-30 | 2019-04-23 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric-based thermal management system |
US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
JP6511368B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-05-15 | アズビル株式会社 | 微細機械装置 |
US11075331B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-07-27 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having circuitry with structural rigidity |
US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
Family Cites Families (284)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2534846A (en) | 1946-06-20 | 1950-12-19 | Emi Ltd | Color filter |
DE1288651B (de) | 1963-06-28 | 1969-02-06 | Siemens Ag | Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung |
US3616312A (en) | 1966-04-15 | 1971-10-26 | Ionics | Hydrazine manufacture |
FR1603131A (ru) | 1968-07-05 | 1971-03-22 | ||
US3653741A (en) | 1970-02-16 | 1972-04-04 | Alvin M Marks | Electro-optical dipolar material |
US3813265A (en) | 1970-02-16 | 1974-05-28 | A Marks | Electro-optical dipolar material |
US3725868A (en) | 1970-10-19 | 1973-04-03 | Burroughs Corp | Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications |
DE2336930A1 (de) | 1973-07-20 | 1975-02-06 | Battelle Institut E V | Infrarot-modulator (ii.) |
US4099854A (en) | 1976-10-12 | 1978-07-11 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption |
US4196396A (en) | 1976-10-15 | 1980-04-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback |
US4389096A (en) | 1977-12-27 | 1983-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Image display apparatus of liquid crystal valve projection type |
US4663083A (en) | 1978-05-26 | 1987-05-05 | Marks Alvin M | Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics |
US4445050A (en) | 1981-12-15 | 1984-04-24 | Marks Alvin M | Device for conversion of light power to electric power |
US4190488A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-26 | International Business Machines Corporation | Etching method using noble gas halides |
US4228437A (en) | 1979-06-26 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror |
NL8001281A (nl) | 1980-03-04 | 1981-10-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
DE3012253A1 (de) | 1980-03-28 | 1981-10-15 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung |
US4377324A (en) * | 1980-08-04 | 1983-03-22 | Honeywell Inc. | Graded index Fabry-Perot optical filter device |
US4441791A (en) | 1980-09-02 | 1984-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror light modulator |
FR2506026A1 (fr) | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Radant Etudes | Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence |
NL8103377A (nl) | 1981-07-16 | 1983-02-16 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
US4571603A (en) * | 1981-11-03 | 1986-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Deformable mirror electrostatic printer |
NL8200354A (nl) | 1982-02-01 | 1983-09-01 | Philips Nv | Passieve weergeefinrichting. |
US4500171A (en) * | 1982-06-02 | 1985-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Process for plastic LCD fill hole sealing |
US4482213A (en) | 1982-11-23 | 1984-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs |
US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
US4566935A (en) * | 1984-07-31 | 1986-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4710732A (en) | 1984-07-31 | 1987-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4596992A (en) | 1984-08-31 | 1986-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Linear spatial light modulator and printer |
US5061049A (en) | 1984-08-31 | 1991-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4662746A (en) | 1985-10-30 | 1987-05-05 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US5096279A (en) * | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4560435A (en) | 1984-10-01 | 1985-12-24 | International Business Machines Corporation | Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization |
US4615595A (en) | 1984-10-10 | 1986-10-07 | Texas Instruments Incorporated | Frame addressed spatial light modulator |
US4617608A (en) | 1984-12-28 | 1986-10-14 | At&T Bell Laboratories | Variable gap device and method of manufacture |
US5172262A (en) | 1985-10-30 | 1992-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
US4859060A (en) | 1985-11-26 | 1989-08-22 | 501 Sharp Kabushiki Kaisha | Variable interferometric device and a process for the production of the same |
US5835255A (en) * | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
GB8610129D0 (en) | 1986-04-25 | 1986-05-29 | Secr Defence | Electro-optical device |
US4748366A (en) | 1986-09-02 | 1988-05-31 | Taylor George W | Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects |
US4786128A (en) | 1986-12-02 | 1988-11-22 | Quantum Diagnostics, Ltd. | Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction |
JPS63194285A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-11 | シャープ株式会社 | カラ−表示装置 |
NL8701138A (nl) | 1987-05-13 | 1988-12-01 | Philips Nv | Electroscopische beeldweergeefinrichting. |
DE3716485C1 (de) | 1987-05-16 | 1988-11-24 | Heraeus Gmbh W C | Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe |
US4900136A (en) * | 1987-08-11 | 1990-02-13 | North American Philips Corporation | Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel |
US4956619A (en) | 1988-02-19 | 1990-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US4880493A (en) | 1988-06-16 | 1989-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electronic-carrier-controlled photochemical etching process in semiconductor device fabrication |
US4856863A (en) | 1988-06-22 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical fiber interconnection network including spatial light modulator |
US5028939A (en) | 1988-08-23 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator system |
JP2700903B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US4982184A (en) * | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
US5287096A (en) * | 1989-02-27 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Variable luminosity display system |
US5170156A (en) | 1989-02-27 | 1992-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Multi-frequency two dimensional display system |
US5192946A (en) | 1989-02-27 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Digitized color video display system |
US5206629A (en) | 1989-02-27 | 1993-04-27 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and memory for digitized video display |
US5162787A (en) | 1989-02-27 | 1992-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface |
US5214420A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator projection system with random polarity light |
US5272473A (en) | 1989-02-27 | 1993-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Reduced-speckle display system |
US5079544A (en) * | 1989-02-27 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Standard independent digitized video system |
US5214419A (en) | 1989-02-27 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Planarized true three dimensional display |
US5218472A (en) | 1989-03-22 | 1993-06-08 | Alcan International Limited | Optical interference structures incorporating porous films |
US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
US5022745A (en) | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
US4954789A (en) | 1989-09-28 | 1990-09-04 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
US5381253A (en) * | 1991-11-14 | 1995-01-10 | Board Of Regents Of University Of Colorado | Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation |
US5124834A (en) | 1989-11-16 | 1992-06-23 | General Electric Company | Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same |
US5037173A (en) | 1989-11-22 | 1991-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Optical interconnection network |
US5500635A (en) * | 1990-02-20 | 1996-03-19 | Mott; Jonathan C. | Products incorporating piezoelectric material |
US5279990A (en) * | 1990-03-02 | 1994-01-18 | Motorola, Inc. | Method of making a small geometry contact using sidewall spacers |
US5196946A (en) * | 1990-03-14 | 1993-03-23 | C-Cube Microsystems | System for compression and decompression of video data using discrete cosine transform and coding techniques |
CH682523A5 (fr) * | 1990-04-20 | 1993-09-30 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel. |
GB9012099D0 (en) | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
EP0467048B1 (en) * | 1990-06-29 | 1995-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Field-updated deformable mirror device |
US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
US5216537A (en) | 1990-06-29 | 1993-06-01 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5018256A (en) | 1990-06-29 | 1991-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5142405A (en) | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
US5099353A (en) * | 1990-06-29 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates |
US5153771A (en) | 1990-07-18 | 1992-10-06 | Northrop Corporation | Coherent light modulation and detector |
US5192395A (en) * | 1990-10-12 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a digital flexure beam accelerometer |
US5044736A (en) | 1990-11-06 | 1991-09-03 | Motorola, Inc. | Configurable optical filter or display |
US5602671A (en) * | 1990-11-13 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Low surface energy passivation layer for micromechanical devices |
US5331454A (en) | 1990-11-13 | 1994-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low reset voltage process for DMD |
FR2669466B1 (fr) | 1990-11-16 | 1997-11-07 | Michel Haond | Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant. |
US5233459A (en) | 1991-03-06 | 1993-08-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Electric display device |
US5136669A (en) | 1991-03-15 | 1992-08-04 | Sperry Marine Inc. | Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element |
JPH05241321A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | 光学マスク及びその修正方法 |
JPH05165189A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Hitachi Ltd | 光学マスク及びその修正方法 |
US5439763A (en) * | 1991-03-19 | 1995-08-08 | Hitachi, Ltd. | Optical mask and method of correcting the same |
US5358806A (en) | 1991-03-19 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Phase shift mask, method of correcting the same and apparatus for carrying out the method |
CA2063744C (en) | 1991-04-01 | 2002-10-08 | Paul M. Urbanus | Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system |
US5142414A (en) | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
US5226099A (en) | 1991-04-26 | 1993-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Digital micromirror shutter device |
FR2679057B1 (fr) * | 1991-07-11 | 1995-10-20 | Morin Francois | Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition. |
US5179274A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Method for controlling operation of optical systems and devices |
US5168406A (en) | 1991-07-31 | 1992-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Color deformable mirror device and method for manufacture |
US5254980A (en) | 1991-09-06 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | DMD display system controller |
US5233385A (en) | 1991-12-18 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | White light enhanced color field sequential projection |
US5233456A (en) | 1991-12-20 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Resonant mirror and method of manufacture |
US5228013A (en) | 1992-01-10 | 1993-07-13 | Bik Russell J | Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays |
US5296950A (en) * | 1992-01-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Optical signal free-space conversion board |
US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Switchable resonant filter for optical radiation |
US5212582A (en) | 1992-03-04 | 1993-05-18 | Texas Instruments Incorporated | Electrostatically controlled beam steering device and method |
EP0562424B1 (en) | 1992-03-25 | 1997-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Embedded optical calibration system |
US5312513A (en) | 1992-04-03 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Methods of forming multiple phase light modulators |
WO1993021663A1 (en) * | 1992-04-08 | 1993-10-28 | Georgia Tech Research Corporation | Process for lift-off of thin film materials from a growth substrate |
US5190637A (en) * | 1992-04-24 | 1993-03-02 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers |
US5311360A (en) | 1992-04-28 | 1994-05-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for modulating a light beam |
TW245772B (ru) * | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
JPH0651250A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ |
EP0646286B1 (en) * | 1992-06-17 | 2002-10-16 | Harris Corporation | Fabrication of semiconductor devices on SOI substrates |
US5818095A (en) * | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
US5345328A (en) * | 1992-08-12 | 1994-09-06 | Sandia Corporation | Tandem resonator reflectance modulator |
US5293272A (en) * | 1992-08-24 | 1994-03-08 | Physical Optics Corporation | High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating |
US5327286A (en) | 1992-08-31 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Real time optical correlation system |
US5325116A (en) | 1992-09-18 | 1994-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Device for writing to and reading from optical storage media |
US5296775A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Cooling microfan arrangements and process |
US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US5324683A (en) | 1993-06-02 | 1994-06-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having an air region |
US5489952A (en) * | 1993-07-14 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method and device for multi-format television |
US5497197A (en) * | 1993-11-04 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | System and method for packaging data into video processor |
US5583688A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level digital micromirror device |
US5500761A (en) * | 1994-01-27 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Micromechanical modulator |
JPH07253594A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
US20010003487A1 (en) * | 1996-11-05 | 2001-06-14 | Mark W. Miles | Visible spectrum modulator arrays |
US7123216B1 (en) | 1994-05-05 | 2006-10-17 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
US6710908B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US7460291B2 (en) * | 1994-05-05 | 2008-12-02 | Idc, Llc | Separable modulator |
US5497172A (en) * | 1994-06-13 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing |
US5454906A (en) | 1994-06-21 | 1995-10-03 | Texas Instruments Inc. | Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices |
US5499062A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory |
US5485304A (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
US5636052A (en) | 1994-07-29 | 1997-06-03 | Lucent Technologies Inc. | Direct view display based on a micromechanical modulation |
US5656554A (en) * | 1994-07-29 | 1997-08-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip reclamation technique involving multiple planarization processes |
ATE194725T1 (de) | 1994-09-02 | 2000-07-15 | Rad H Dabbaj | Reflektiver lichtventilmodulator |
US5650881A (en) | 1994-11-02 | 1997-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Support post architecture for micromechanical devices |
JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
US5610624A (en) * | 1994-11-30 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect |
US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
US5610438A (en) * | 1995-03-08 | 1997-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Micro-mechanical device with non-evaporable getter |
US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
JPH0933942A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 空間光変調素子およびその製造方法 |
US6324192B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-11-27 | Coretek, Inc. | Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same |
US5825528A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-20 | Lucent Technologies Inc. | Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator |
US5771321A (en) * | 1996-01-04 | 1998-06-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Micromechanical optical switch and flat panel display |
US5967163A (en) | 1996-01-30 | 1999-10-19 | Abbott Laboratories | Actuator and method |
US5751469A (en) | 1996-02-01 | 1998-05-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for an improved micromechanical modulator |
JPH1020328A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 空間光変調素子 |
US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
US5884083A (en) * | 1996-09-20 | 1999-03-16 | Royce; Robert | Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system |
DE19730715C1 (de) | 1996-11-12 | 1998-11-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais |
US5683649A (en) | 1996-11-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | Method for the fabrication of micro-electromechanical ceramic parts |
EP0963603B1 (en) | 1997-01-21 | 2003-12-03 | Georgia Tech Research Corporation | Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections |
EP0877272B1 (en) * | 1997-05-08 | 2002-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to spatial light modulators |
US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
US6031653A (en) * | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
EP1025711A1 (en) * | 1997-10-31 | 2000-08-09 | Daewoo Electronics Co., Ltd | Method for manufacturing thin film actuated mirror array in an optical projection system |
US6008123A (en) | 1997-11-04 | 1999-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Method for using a hardmask to form an opening in a semiconductor substrate |
US6028690A (en) * | 1997-11-26 | 2000-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio |
US6180428B1 (en) * | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices using micromachining |
US6016693A (en) * | 1998-02-09 | 2000-01-25 | The Regents Of The University Of California | Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates |
US6195196B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
WO1999052006A2 (en) | 1998-04-08 | 1999-10-14 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation of radiation |
US6689211B1 (en) * | 1999-04-09 | 2004-02-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system |
EP0951068A1 (en) | 1998-04-17 | 1999-10-20 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity |
US6046659A (en) * | 1998-05-15 | 2000-04-04 | Hughes Electronics Corporation | Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications |
JP2000028938A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | アレイ型光変調素子、アレイ型露光素子、及び平面型ディスプレイの駆動方法 |
US6100477A (en) * | 1998-07-17 | 2000-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Recessed etch RF micro-electro-mechanical switch |
KR100281182B1 (ko) * | 1998-08-10 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 형성 방법 |
US6710539B2 (en) * | 1998-09-02 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Field emission devices having structure for reduced emitter tip to gate spacing |
DE19938072A1 (de) | 1998-09-09 | 2000-03-16 | Siemens Ag | Verfahren zum selbstjustierenden Herstellen von zusätzlichen Strukturen auf Substraten mit vorhandenen ersten Strukturen |
JP4074714B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2008-04-09 | 富士フイルム株式会社 | アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法 |
US6323834B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Micromechanical displays and fabrication method |
US6391675B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-05-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for switching high frequency signals |
JPH11258777A (ja) * | 1998-12-10 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 光学マスクの欠陥修正方法 |
KR100301050B1 (ko) | 1998-12-14 | 2002-06-20 | 윤종용 | 콘택을포함하는반도체장치의커패시터제조방법 |
US6194323B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch |
TW439308B (en) * | 1998-12-16 | 2001-06-07 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
US6335831B2 (en) * | 1998-12-18 | 2002-01-01 | Eastman Kodak Company | Multilevel mechanical grating device |
US6215221B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-04-10 | Honeywell International Inc. | Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces |
JP4511739B2 (ja) | 1999-01-15 | 2010-07-28 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜 |
US6537427B1 (en) * | 1999-02-04 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Deposition of smooth aluminum films |
JP4787412B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2011-10-05 | シチズンホールディングス株式会社 | 薄膜基板の形成方法およびその方法によって形成された薄膜基板 |
US6358854B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-03-19 | Sandia Corporation | Method to fabricate layered material compositions |
US6446486B1 (en) * | 1999-04-26 | 2002-09-10 | Sandia Corporation | Micromachine friction test apparatus |
US6342452B1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a Si3N4/polycide structure using a dielectric sacrificial layer as a mask |
JP3592136B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法 |
US6201633B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Micro-electromechanical based bistable color display sheets |
US6359673B1 (en) * | 1999-06-21 | 2002-03-19 | Eastman Kodak Company | Sheet having a layer with different light modulating materials |
US6525310B2 (en) * | 1999-08-05 | 2003-02-25 | Microvision, Inc. | Frequency tunable resonant scanner |
WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
US6351329B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
US6960305B2 (en) * | 1999-10-26 | 2005-11-01 | Reflectivity, Inc | Methods for forming and releasing microelectromechanical structures |
US7041224B2 (en) * | 1999-10-26 | 2006-05-09 | Reflectivity, Inc. | Method for vapor phase etching of silicon |
US6674090B1 (en) * | 1999-12-27 | 2004-01-06 | Xerox Corporation | Structure and method for planar lateral oxidation in active |
US6407851B1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-06-18 | Mohammed N. Islam | Micromechanical optical switch |
DE10006035A1 (de) | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement |
US6531945B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inductor with a magnetic core |
JP2001272613A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Seiko Epson Corp | 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、それらの製造方法、光スイッチングユニットおよび映像表示装置 |
JP4002712B2 (ja) * | 2000-05-15 | 2007-11-07 | スパンション エルエルシー | 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ保持方法 |
US7008812B1 (en) * | 2000-05-30 | 2006-03-07 | Ic Mechanics, Inc. | Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation |
US6465320B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-10-15 | Motorola, Inc. | Electronic component and method of manufacturing |
US6452465B1 (en) | 2000-06-27 | 2002-09-17 | M-Squared Filters, Llc | High quality-factor tunable resonator |
US6452124B1 (en) | 2000-06-28 | 2002-09-17 | The Regents Of The University Of California | Capacitive microelectromechanical switches |
EP1720347B1 (en) * | 2000-07-03 | 2010-06-23 | Sony Corporation | Optical multilayer structure, optical switching device, and image display |
EP1172681A3 (en) * | 2000-07-13 | 2004-06-09 | Creo IL. Ltd. | Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof |
US6853129B1 (en) * | 2000-07-28 | 2005-02-08 | Candescent Technologies Corporation | Protected substrate structure for a field emission display device |
US7083997B2 (en) * | 2000-08-03 | 2006-08-01 | Analog Devices, Inc. | Bonded wafer optical MEMS process |
US6392233B1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-05-21 | Sarnoff Corporation | Optomechanical radiant energy detector |
TW471063B (en) * | 2000-08-11 | 2002-01-01 | Winbond Electronics Corp | Method to form opening in insulator layer using ion implantation |
US6635919B1 (en) * | 2000-08-17 | 2003-10-21 | Texas Instruments Incorporated | High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications |
US6376787B1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer |
TWI226103B (en) * | 2000-08-31 | 2005-01-01 | Georgia Tech Res Inst | Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same |
JP4304852B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2009-07-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 非平面液晶表示素子及びその製造方法 |
US6466354B1 (en) * | 2000-09-19 | 2002-10-15 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for interferometric modulation of light |
US6522801B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-02-18 | Agere Systems Inc. | Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor |
JP2002124534A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 金属細線の直進性評価装置及び方法 |
GB2367788A (en) * | 2000-10-16 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corp | Etching using an ink jet print head |
US6859218B1 (en) * | 2000-11-07 | 2005-02-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic display devices and methods |
DE10055421A1 (de) * | 2000-11-09 | 2002-05-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
US6406975B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-06-18 | Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. | Method for fabricating an air gap shallow trench isolation (STI) structure |
DE10063991B4 (de) * | 2000-12-21 | 2005-06-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
US6620712B2 (en) * | 2001-02-14 | 2003-09-16 | Intpax, Inc. | Defined sacrifical region via ion implantation for micro-opto-electro-mechanical system (MOEMS) applications |
US6661561B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-12-09 | Creo Inc. | High frequency deformable mirror device |
CN1228818C (zh) | 2001-04-02 | 2005-11-23 | 华邦电子股份有限公司 | 在半导体中形成漏斗形介层窗的方法 |
US6525396B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Selection of materials and dimensions for a micro-electromechanical switch for use in the RF regime |
US6756317B2 (en) * | 2001-04-23 | 2004-06-29 | Memx, Inc. | Method for making a microstructure by surface micromachining |
US6600587B2 (en) * | 2001-04-23 | 2003-07-29 | Memx, Inc. | Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure |
US6657832B2 (en) * | 2001-04-26 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes |
US6602791B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-08-05 | Dalsa Semiconductor Inc. | Manufacture of integrated fluidic devices |
AU2002303842A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-03 | Reflectivity, Inc. | A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants |
DE10127622B4 (de) * | 2001-06-07 | 2009-10-22 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit HDPCVD-Oxid gefüllten Isolationsgrabens |
US6958123B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-25 | Reflectivity, Inc | Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid |
US7005314B2 (en) * | 2001-06-27 | 2006-02-28 | Intel Corporation | Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications |
US6905613B2 (en) * | 2001-07-10 | 2005-06-14 | Honeywell International Inc. | Use of an organic dielectric as a sacrificial layer |
JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
US6936183B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Etch process for etching microstructures |
AUPR846701A0 (en) | 2001-10-25 | 2001-11-15 | Microtechnology Centre Management Limited | A method of fabrication of micro-devices |
US6635506B2 (en) | 2001-11-07 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating micro-electromechanical switches on CMOS compatible substrates |
US20030111439A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Fetter Linus Albert | Method of forming tapered electrodes for electronic devices |
US6782166B1 (en) * | 2001-12-21 | 2004-08-24 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optically transparent electrically conductive charge sheet poling electrodes to maximize performance of electro-optic devices |
US6608268B1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-19 | Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. | Proximity micro-electro-mechanical system |
US6794119B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-09-21 | Iridigm Display Corporation | Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device |
US6574033B1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-06-03 | Iridigm Display Corporation | Microelectromechanical systems device and method for fabricating same |
US7145143B2 (en) | 2002-03-18 | 2006-12-05 | Honeywell International Inc. | Tunable sensor |
US7027200B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-04-11 | Reflectivity, Inc | Etching method used in fabrications of microstructures |
US7029829B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same |
JP2003315732A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像表示装置 |
US6954297B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid |
US20030202264A1 (en) | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Weber Timothy L. | Micro-mirror device |
US6791441B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-09-14 | Raytheon Company | Micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it |
US6953702B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Fixed wavelength vertical cavity optical devices and method of manufacture therefor |
US6806110B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-10-19 | Agilent Technologies, Inc. | Monolithic multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser array and method of manufacture therefor |
US20040001258A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-01 | Mandeep Singh | Solid state etalons with low thermally-induced optical path length change |
US6741377B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-05-25 | Iridigm Display Corporation | Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same |
US7071289B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-04 | The University Of Connecticut | Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same |
TW593124B (en) | 2002-08-02 | 2004-06-21 | Ind Tech Res Inst | Suspended microstructure for infrared imaging device and sensor, and manufacturing method thereof |
US20040058531A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-03-25 | United Microelectronics Corp. | Method for preventing metal extrusion in a semiconductor structure. |
US6674033B1 (en) * | 2002-08-21 | 2004-01-06 | Ming-Shan Wang | Press button type safety switch |
TW544787B (en) * | 2002-09-18 | 2003-08-01 | Promos Technologies Inc | Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer |
US7781850B2 (en) * | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
TW559686B (en) * | 2002-12-27 | 2003-11-01 | Prime View Int Co Ltd | Optical interference type panel and the manufacturing method thereof |
US20040157426A1 (en) | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Luc Ouellet | Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices |
US6720267B1 (en) * | 2003-03-19 | 2004-04-13 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a cantilever beam model micro-electromechanical system |
US6829132B2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge control of micro-electromechanical device |
TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW591716B (en) * | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
US7190380B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-03-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Generating and displaying spatially offset sub-frames |
US7173314B2 (en) * | 2003-08-13 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts |
TWI305599B (en) * | 2003-08-15 | 2009-01-21 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Interference display panel and method thereof |
TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
TW593127B (en) * | 2003-08-18 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | Interference display plate and manufacturing method thereof |
TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
US20050057442A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Olan Way | Adjacent display of sequential sub-images |
TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
US6982820B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
US20050068583A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Gutkowski Lawrence J. | Organizing a digital image |
US6861277B1 (en) * | 2003-10-02 | 2005-03-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming MEMS device |
-
2002
- 2002-09-20 US US10/251,196 patent/US7550794B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-09-18 RU RU2005111765/28A patent/RU2348088C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-09-18 EP EP03759463.7A patent/EP1540738B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-18 ES ES03759463.7T patent/ES2523980T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-18 JP JP2004538461A patent/JP4800619B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-18 CN CN038219867A patent/CN1723571B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-18 KR KR1020117009971A patent/KR101117059B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-18 KR KR1020057004794A patent/KR101060544B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-18 WO PCT/US2003/030016 patent/WO2004026757A2/en active Application Filing
- 2003-09-18 AU AU2003275194A patent/AU2003275194A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-18 MX MXPA05003078A patent/MXPA05003078A/es active IP Right Grant
- 2003-09-18 CA CA2499208A patent/CA2499208C/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-18 BR BR0314604-9A patent/BR0314604A/pt not_active Application Discontinuation
- 2003-09-19 TW TW092125860A patent/TWI289538B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-03 HK HK06105235.8A patent/HK1085305A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-06-22 US US12/489,250 patent/US8368124B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MXPA05003078A (es) | 2005-11-17 |
TWI289538B (en) | 2007-11-11 |
US20040058532A1 (en) | 2004-03-25 |
KR20050046796A (ko) | 2005-05-18 |
US8368124B2 (en) | 2013-02-05 |
JP2006500231A (ja) | 2006-01-05 |
KR101117059B1 (ko) | 2012-02-29 |
WO2004026757A2 (en) | 2004-04-01 |
ES2523980T3 (es) | 2014-12-03 |
CN1723571A (zh) | 2006-01-18 |
EP1540738A4 (en) | 2010-11-17 |
JP4800619B2 (ja) | 2011-10-26 |
RU2005111765A (ru) | 2006-01-20 |
EP1540738B1 (en) | 2014-09-17 |
AU2003275194A1 (en) | 2004-04-08 |
CA2499208A1 (en) | 2004-04-01 |
HK1085305A1 (en) | 2006-08-18 |
WO2004026757A3 (en) | 2004-06-24 |
BR0314604A (pt) | 2005-07-26 |
US20090323168A1 (en) | 2009-12-31 |
EP1540738A2 (en) | 2005-06-15 |
CA2499208C (en) | 2013-07-30 |
KR101060544B1 (ko) | 2011-08-30 |
TW200404736A (en) | 2004-04-01 |
CN1723571B (zh) | 2012-06-20 |
KR20110054075A (ko) | 2011-05-24 |
US7550794B2 (en) | 2009-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2348088C2 (ru) | Регулирование электромеханического поведения структур в устройстве микроэлектромеханических систем | |
US8278726B2 (en) | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device | |
CN102323665B (zh) | 用于作动显示器的方法和装置 | |
JP2013516635A (ja) | エレクトロウェッティング式表示デバイス | |
CN1977206A (zh) | 具有薄膜晶体管的干涉式调制器 | |
KR20100105584A (ko) | 프로그램가능한 오프셋 전압 제어를 구비한 용량형 mems 장치 | |
EP1348144A2 (en) | Display devices manufactured utilizing mems technology | |
JPH08227041A (ja) | マイクロメカニカル・デバイス用の変形可能ビーム | |
JP3723431B2 (ja) | マイクロ電気機械光学デバイス | |
Al Nusayer et al. | 39‐4: TFT Integrated Microelectromechanical Shutter for Display Application | |
CN113292036A (zh) | 一种旋转结构及其制备方法 | |
KR100212566B1 (ko) | 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법 | |
CN101027594A (zh) | 控制微机电系统装置内结构的机电行为 | |
JP4391076B2 (ja) | 保持機構を備えた微小アクチュエータ及びその製造方法 | |
KR100212565B1 (ko) | 광로 조절 장치용 액츄에이터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20101006 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180919 |