JP3723431B2 - マイクロ電気機械光学デバイス - Google Patents

Description

【０００１】
【関連出願】
本願は、１９９７年１２月２２日に出願された特許出願第０８／９９７１７５号の一部継続出願である。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般には光通信システムに関し、さらに詳細には、マイクロ電気機械光学デバイスに関する。
【０００３】
【従来の技術】
光通信システムは、通常は、様々な光学デバイス（例えば光源、光検出器、スイッチ、減衰器、ミラー、増幅器、フィルタ）を含む。光学デバイスは、光通信システム中の光信号を伝送、修正、または検出する。いくつかの光学デバイスは、マイクロ電気機械構造（例えば熱アクチュエータ）に結合され、マイクロ電気機械光学デバイスを形成する。本開示で使用するマイクロ電気機械構造という用語は、電気信号の制御下で機械的に動作する微視的構造を指す。
【０００４】
Ｃｏｗａｎ、Ｗｉｌｌｉａｍ Ｄ．他による「Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ」、ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．３２２６、１３７〜１４６ページ（１９９７）に、光学デバイスを動作させるのに有用なマイクロ電気機械構造が記載されている。Ｃｏｗａｎ他による文献では、マイクロ電気機械構造は熱アクチュエータである。熱アクチュエータは、光学ミラーに結合される。熱アクチュエータおよび光学ミラーはともに基板表面上に配設される。熱アクチュエータは複数のビームを有する。各ビームの第１の端部は光学ミラーに結合される。各ビームの第２の端部は基板表面に取り付けられる。
【０００５】
熱アクチュエータの各ビームは、上下に積み重ねた２つの材料層を有する。積み重ねられた材料層は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
【０００６】
熱アクチュエータは、ビームに電流が流されたのに応答して光学ミラーを機械的に動作させる。ビームに電流を流すと、積み重ねられた材料層が加熱される。ビームが加熱されるにつれて、各ビームの少なくとも一部分が、材料層の脆性−延性遷移点を超えて加熱され、冷却後も残るその永久的機械的変形を引き起こす。ビームが変形すると、各ビームの第１の端部ならびにそこに結合された光学ミラーは、基板表面の平面の上方に所定高さだけ上昇する。このようなマイクロ電気機械構造は、限られた範囲の結合された光学デバイスの運動しかもたらさず、これにより望ましくないものとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、そこに結合された光学デバイスの運動を制御することができるマイクロ電気機械光学デバイスが引き続き必要とされている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロ電気機械光学デバイスを対象とする。マイクロ電気機械光学デバイスは、光学デバイスに結合されたマイクロ電気機械構造を含む。マイクロ電気機械構造および光学デバイスは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気機械構造は、光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイスは、光学デバイスと基板の間に生成した静電界に応答して基板表面の平面に対して相対的に動作させることができる。
【０００９】
マイクロ電気機械構造は、複数の第１および第２のビームを含む。複数の第１のビームの第１の端部は、基板表面にヒンジで取り付けられたプレートに結合される。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含む。ヒンジ・プレートは係合プレートに結合される。複数の第２のビームの第１の端部は、係合プレートに結合される。係合プレートは、光学デバイスにも結合される。組み立てられていないときには、ビーム、ヒンジ・プレート、および係合プレートは、基板表面上に平らに載っている。
【００１０】
係合プレートは、その両端部に位置する一対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート上のＶ字型ノッチの各対は、ヒンジ・プレート上のＶ字型ノッチの領域内に位置する。
【００１１】
複数の第１のビームの第１の端部は、起動力の印加に応答して、基板表面の平面の上方にほぼ円弧の形状で上向きに上昇する。複数の第１のビームの第１の端部は、基板表面の平面の上方に上昇するにつれて、ヒンジ・プレートを基板表面の平面から回転させる。ヒンジ・プレートが基板表面の平面から回転したときに、複数の第２のビームは、係合プレートならびに光学デバイスを基板の平面の上方に上昇させる。係合プレートは、上昇するにつれて、第１のビームが開始したヒンジ・プレートの回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板の平面から約９０度の角度となる。
【００１２】
様々な起動力をビームに印加して、光学デバイスを上昇させることができる。適当な例としては、ビーム層の熱収縮、固有応力によるビームの収縮、および電磁力がある。
【００１３】
光学デバイスを基板表面の平面の上方に上昇させた後で、上昇した光学デバイスと基板表面の間で静電界を生成する。静電界は、光学デバイスと基板の一部分との間にバイアス電圧を印加することによって生成する。静電界は、光学デバイスを基板表面に向かって偏向（または回転）させることによって、光学デバイスを動作させる。光学デバイスの偏向距離は、印加するバイアス電圧の量によって決まる。
【００１４】
基板および光学デバイスは、バイアス電圧をそれらに印加することができるように、ともに導電性であることが好ましい。基板または光学デバイスのいずれかの導電性がこのような光学デバイスを基板表面に向かって偏向させるのに不十分であるときには、導電層（例えば電極）を任意選択でそれらの領域上に形成する。
【００１５】
本発明のその他の目的および特徴は、添付の図面に関連して考慮した以下の詳細な説明から明らかになるであろう。ただし、これらの図面は単に例示のみを目的としたものであって、本発明を限定する働きはせず、これについては添付の特許請求の範囲を参照しなければならないことを理解されたい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、光通信システム中で使用するのに適したマイクロ電気機械光学デバイスを対象とする。図１を参照すると、マイクロ電気機械光学デバイスは、基板１３の表面上に配設されたマイクロ電気機械構造１５および光学デバイス１７を含む。マイクロ電気機械構造１５は、光学デバイス１７に結合される。例えば、マイクロ電気機械構造１５は、ばね１４で光学デバイス１７に結合される。
【００１７】
電気機械構造１５は、複数のビーム１９、２６を含む。ビーム１９の第１の端部２２は、基板表面１３にヒンジで取り付けられたプレート２０に結合される。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含む。ヒンジ・プレート２０は係合プレート２５に結合される。係合プレート２５は、光学デバイス１７にも結合される。ビーム２６の第１の端部は、係合プレート２５に結合される。ビーム２６の第２の端部は、基板表面１３に結合される。組み立てられていないときには、ビーム１９、２６、ヒンジ・プレート２０、および係合プレート２５は、基板表面１３上に平らに載っている。
【００１８】
係合プレート２５は、その両端部に位置する一対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート２５上のＶ字型ノッチの各対は、ヒンジ・プレート２０上のＶ字型ノッチの領域内に位置する。
【００１９】
図２を参照すると、ビーム１９の第１の端部２２が、起動力の印加に応答して、基板表面の平面の上方にほぼ円弧の形状で上向きに上昇している。ビーム１９の第１の端部２２は、基板表面の平面の上方に上昇するにつれて、ヒンジ・プレート２０を基板の平面から回転させる。
【００２０】
ヒンジ・プレート２０が基板の平面から回転したときに、ビーム２６は、係合プレート２５ならびに光学デバイスを基板の平面の上方に上昇させる。係合プレートが基板の平面の上方に上昇するにつれて、係合プレート２５上のＶ字型ノッチの対が、ヒンジ・プレート２０上のＶ字型ノッチ中に滑り込む。係合プレート２５は、上昇すると、ビーム１９が開始したヒンジ・プレート２０の回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板の平面から約９０度の角度となる。ヒンジ・プレート２０上のＶ字型ノッチの高さにより、光学デバイスが上昇する高さが制限され、光学デバイスは一定の明確に規定された位置に保持される。
【００２１】
様々な起動力を電気機械構造に印加して、ビームの第１の端部２２を上昇させることができる。図３を参照すると、電気機械構造に印加された起動力がビームの熱収縮に基づいているときには、各ビーム１９、２６は、上下に積み重ねられた２つ以上の材料層３１、３２を含む。積み重ねられた材料層３１、３２はそれぞれ異なる熱膨張係数を有する。
【００２２】
一実施形態では、各ビーム１９、２６の最上部の材料層３１は、他方の材料層３２より大きな熱膨張係数を有する。
【００２３】
ビーム１９、２６に電流を流すと、積み重ねられた材料層３１、３２が加熱される。電流は、電流源（図示せず）からビーム１９、２６に流す。図４を参照すると、積み重ねられた材料層３１、３２は、加熱されると端から巻き上がり、各ビーム１９、２６の第１の端部ならびにそこに結合された光学ミラー（図示せず）を、基板表面１３の平面から上昇させる。各ビームの端部が基板表面の平面から上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにビームを形成するために使用した材料層の組成によって決まる。ただし、各ビーム２６の端部が基板表面の平面から上昇する高さは、係合プレート２５を上昇させ、ヒンジ・プレートを基板表面に対して約９０度回転させるのに十分であることが好ましい。
【００２４】
あるいは、電気機械構造に印加された起動力が固有応力によるビームの収縮に基づくときには、各ビーム１９、２６は、図５に示すように、基板表面１３上で上下に積み重ねられた２つ以上の材料層４１、４２を含む。最上部の材料層４１は固有応力を有する。最上部の材料層は、任意選択でその中に応力勾配を有する。底部材料層４２は犠牲層である。
【００２５】
犠牲材料層４２が（例えばエッチングによって）除去されると、２つ以上の最上部の層４１は、各ビーム１９、２６の第１の端部ならびにそこに結合されたヒンジ・プレート（図示せず）を、基板表面１３の平面の上方に上昇させる。各ビームの端部が基板表面の平面から上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにこれらのビームを形成するために使用した材料層の組成によって決まる。ただし、各ビーム２６が基板表面の平面から上昇する高さは、係合プレート２５を上昇させ、ヒンジ・プレートを基板表面に対して約９０度回転させるのに十分であることが好ましい。
【００２６】
その他の適当な起動力としては、スクラッチ・ドライブ（ｓｃｒａｔｃｈ ｄｒｉｖｅ）および電磁力がある。スクラッチ・ドライブに基づく例示的な電気機械構造については、Ａｋｉｙａｍａ．Ｔ他の「Ａ Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓｃｒａｔｃｈ Ｄｒｉｖｅ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｂｕｃｋｌｉｎｇ Ｍｏｔｉｏｎ」Ｐｒｏｃ．８ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＭＥＭＳ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ、３１０〜３１５ページ（１９９５）で論じられており、電磁力に基づく電気機械構造については、Ｂｕｓｃｈ−Ｖｉｓｈｎｉａｃ、Ｉ．Ｊ．の「Ｔｈｅ Ｃａｓｅ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒｓ」、Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、Ａ３３、２０７〜２２０ページ（１９９２）で論じられている。
【００２７】
電気機械構造１５が光学デバイス１７を基板の平面の上方に上昇させた後で、上昇した光学デバイス１７を、この光学デバイス１７と基板表面１３の間で生成した静電界に応答して動作させることができる。この静電界は、光学デバイス１７と基板表面１３の間にバイアス電圧を印加することによって生成される。
【００２８】
図１および２を参照すると、静電界は、光学デバイス１７と基板１３（または電極２７）の間で生成されたときに、この光学デバイス１７を、軸１−１’の周りで回転させる。光学デバイス１７が軸１−１’の周りで回転する角度は、光学デバイス１７と基板１３（または電極２７）の間で生成された静電界の大きさによって決まる。静電界の大きさは、印加されるバイアス電圧の量によって決まる。
【００２９】
あるいは、光学デバイスは、実質的に基板に向かって偏向させる、または回転および偏向を両方とも使用して動作させることができる。このような運動は、電極２７の幾何形状ならびに光学デバイスと係合プレートの間の結合によって決まる。
【００３０】
光学デバイスおよび基板は、静電界を生成するためにそれらの間にバイアス電圧を印加することができるように、ともに導電性であることが好ましい。光学デバイスまたは基板のいずれかの導電性が静電界を生成するのに不十分であるときには、図１に示すように、導電層（電極）２７、２８を任意選択でそれらの領域上に形成する。
【００３１】
本発明のマイクロ電気光学機械デバイスを製作する際には、適切に準備し（すなわち好適にはドーピングし）、洗浄した基板を準備する。適当な基板の材料としては、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウム、ゲルマニウム、または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で被覆したガラスがある。
【００３２】
複数の材料層を、この基板の表面上にプレーナ配列で形成する。適当な材料層の例としては、ポリシリコン、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素がある。
【００３３】
複数の材料層の各層を基板上に形成した後で、各層をパターン形成して、マイクロ電気機械構造ならびに光学デバイスを形成する。例えば、図１に示すミラー１７ならびにビーム１９、２６を含む電気光学機械デバイスは、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＣＮＣ ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ Ｃｅｎｔｅｒによって提供されたＭｕｌｔｉ−Ｕｓｅｒ ＭＥＭＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ（ＭＵＭＰＳ）を使用して製作する（ＳｍａｒｔＭＵＭＰｓ Ｄｅｓｉｇｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ａｔ ｍｅｍｓ．ｍｃｎｃ．ｏｒｇ参照）。
【００３４】
ＭＵＭＰＳプロセスでは、マイクロ電気機械構造および光学ミラーはポリシリコン層中に形成され、酸化物層（例えばホスホシリコンガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ））が犠牲層をもたらし、窒化ケイ素がマイクロ電気機械構造および光学ミラーを基板から電気的に分離する。マイクロ電気機械構造および光学ミラーは、複数のフォトリソグラフィ・ステップでポリシリコン層中に形成される。
【００３５】
フォトリソグラフィは、ポリシリコン層およびホスホシリコンガラス層の１つまたは複数をフォトレジスト（すなわちエネルギー感光材料）で被覆するステップと、適当なマスクを付けたフォトレジストを露光するステップと、露光されたフォトレジストを現像して、その下にある１つまたは複数のポリシリコン層およびホスホシリコンガラス層中に後にパターン転写するための所望のエッチング・マスクを生み出すステップとを含む。フォトレジスト中に画定されるパターンは、例えば反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）システム中でのエッチングにより、その下にある１つまたは複数のポリシリコン層およびホスホシリコンガラス層中に転写される。
本発明の特定の実施形態を説明するために、以下の実施例を与える。
【００３６】
【実施例】
実施例１
図１に示す構造を有するマイクロ電気機械光学デバイスを、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒから得た。このマイクロ電気機械光学デバイスは、シリコン基板の表面上に配設した。シリコン基板の抵抗率は、約１〜２Ω・ｃｍであった。厚さ６００ｎｍ（ナノメートル）の窒化ケイ素層の上に形成されたポリシリコン層（ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）とホスホシリコンガラス層（ＯＸ１およびＯＸ２）とが交互になった多層プレーナ配列を、シリコン基板上に形成した。
【００３７】
ポリシリコン層ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２の厚さはそれぞれ、約０．５μｍ（マイクロメートル）、２．０μｍ、および１．５μｍであった。ホスホシリコンガラス層ＯＸ１およびＯＸ２の厚さは、それぞれ約２μｍおよび０．７５μｍであった。０．５μｍのＣｒ／Ａｕの層を、ＰＯＬＹ２層の上に形成した。
窒化ケイ素層、ポリシリコン層（ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）、ホスホシリコンガラス層（ＯＸ１およびＯＸ２）、ならびにＣｒ／Ａｕ層は、低圧蒸着技法を使用してシリコン基板上に形成した。
【００３８】
図１を参照すると、電気機械構造１５および光学デバイス１７は、フォトリソグラフィ技法を使用して多層プレーナ配列で画定したものである。電気機械構造は、基板にヒンジで取り付けられたプレート２０にそれぞれ一方の縁部が結合された、２本のビーム１９、２６を含む。各ビーム１９の幅は約５０μｍ、長さは約３００μｍであった。ビーム２６の幅は約１００μｍ、長さは約５００μｍであった。これらのビームは、ＰＯＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。ビーム１９、２６は、固有応力を生み出すためにその上に堆積させたＣｒ／Ａｕ層も有し、これによりビームが巻き上がり、構造を組み立てる。
【００３９】
ヒンジ・プレート２０の幅は約３００μｍ、高さは約７０μｍであった。Ｖ字型ノッチのノッチの高さは約５０μｍであった。ヒンジ・プレート２０は、ＰＯＬＹ２層およびＰＯＬＹ１層中に画定した。
【００４０】
係合プレート２５の長さは約４００μｍ、幅は約１５０μｍであった。各Ｖ字型ノッチのノッチの高さは約７０μｍであった。係合プレート２５は、ＰＯＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。
【００４１】
光学デバイスは、約３００μｍ×３００μｍの寸法を有するミラーである。光学デバイスは、ＰＯＬＹ１層、ＰＯＬＹ２層、およびＣｒ／Ａｕ層中に画定した。
【００４２】
光学デバイスの縁部を、ばね１４で係合プレートに結合した。このばねは、ＰＯＬＹ１層中のみに画定した。
【００４３】
電極２７は、長さが約３００μｍ、幅が約２００μｍであり、ＰＯＬＹ０を使用して形成した。
【００４４】
上述の各製作ステップを、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒで実行した。
【００４５】
電気機械構造および光学デバイスをＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、ＰＯＬＹ２、ＯＸ１、ＯＸ２、およびＣｒ／Ａｕ層中に画定した後で、４９％ＨＦの槽中で室温で約１〜２分間ホスホシリコンガラス層をエッチングすることにより、電気機械構造および光学デバイスをシリコン基板の表面から解放した。
【００４６】
ホスホシリコンガラス層が除去された後で、ビームがヒンジ・プレートを回転させ、係合プレートならびに光学デバイスを基板表面から上昇させた。光学デバイスは、基板表面の上方約５０μｍの高さまで上昇した。
【００４７】
約１００ボルトの電圧を光学デバイスと基板表面上のパッド２７の間に印加した。光学デバイスとパッド２７の間に電圧を印加した後で、光学デバイスが軸１−１’（図１）の周りで枢動し、光学デバイスは基板表面に対して約５°の角度となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】マイクロ電気機械構造に結合された光学デバイスを含む本発明のマイクロ電気機械光学デバイスがその表面上に配設された基板の上面図である。
【図２】光学デバイスがマイクロ電気機械構造によって基板表面の平面の上方に上昇した後の、図１のマイクロ電気機械光学デバイスの側面図である。
【図３】起動力を印加する前のビームの一構成の断面図である。
【図４】起動力を印加した後の、図３のビームの断面図である。
【図５】起動力を印加する前のビームの代替構成の断面図である。
【図６】起動力を印加した後の、図５のビームの断面図である。

Claims (10)

1. マイクロ電気機械光学デバイスであって、
   光学デバイスおよびマイクロ電気機械構造が表面上に配設された基板を含み、
   該マイクロ電気機械構造は、複数のビームと、基板にヒンジで取り付けられた複数のプレートと、係合プレートとを含み、各ヒンジ・プレートがＶ字型ノッチを含み、該係合プレートは一対のＶ字型ノッチを含み、該係合プレート上のＶ字型ノッチは該ヒンジ・プレート上の対応するＶ字型ノッチにスライドするよう構成されており、そして
   該マイクロ電気機械構造は該光学デバイスに結合され、および該複数ビームは、起動力に応答して、該ヒンジプレートおよび該係合プレートの双方を該基板表面の平面の上方に上昇させ、これにより該起動力に応答して該光学デバイスを該基板表面の平面の上方に上昇させるようになっており、および上昇された光学デバイスは該光学デバイスと基板の間での電界の生成に応答して、該基板表面の平面に対して相対的に移動可能となっていることを特徴とするマイクロ電気気機械光学デバイス。
2. 各ビームが１つまたは複数の材料層を含む、請求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
3. 第１の材料層が第１の熱膨張係数によって特徴づけられ、第２の材料層が、第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数によって特徴づけられる、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
4. １つまたは複数の材料層の少なくとも１つが固有応力を有する、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
5. 第１および第２の材料層が、窒化ケイ素、ポリシリコン、二酸化ケイ素、および金属からなるグループから選択される、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
6. １つまたは複数の材料層の少なくとも１つが応力勾配を有する、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
7. 電界が、光学デバイスと基板表面上の電極との間にバイアス電圧を印加することによって生成される、請求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
8. 光学デバイスと基板の間に印加されるバイアス電圧が約１０００Ｖ未満である、請求項７に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
9. 光学デバイスが光学ミラーである、請求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。
10. 光学デバイスを移動させる方法であって、
    光学デバイスおよびその光学デバイスに結合されたマイクロ電気機械構造が表面上に配設された基板を設けるステップであって、該マイクロ電気機械構造が、複数のビームと、基板にヒンジ・プレートがＶ字型ノッチを含み、該係合プレートが一対のＶ字型ノッチを含むようなステップと、
    マイクロ電気機械構造に起動力を印加することによって、基板表面の平面の上方に光学デバイス上昇させるステップであって、該ビームが該ヒンジプレートと、該係合プレートの双方を、起動力に応答して該基表面の平面の上方に上昇させるときに、該係合プレート上の該Ｖ字型ノッチが該ヒンジプレート上の対応するノッチにスライドするよう構成されているようなステップと、
    該光学デバイスと該基板の間に電界を生成することによって、該上昇された光学デバイスを基板表面の平面に対して相対的に移動させるステップとを含むことを特徴とする方法

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