JP2001117028A - マイクロ電気機械光学デバイス - Google Patents
マイクロ電気機械光学デバイスInfo
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- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結合された光学デバイスの運動を制御するこ
とができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供するこ
と。 【解決手段】 マイクロ電気機械光学デバイスを開示す
る。マイクロ電気機械光学デバイスは、光学デバイスに
結合されたマイクロ電気機械構造を含む。マイクロ電気
機械構造および光学デバイスは、ともに基板表面上に配
設される。マイクロ電気機械構造は、光学デバイスを基
板表面の平面の上方に所定距離だけ上昇させる。その
後、上昇させた光学デバイスは、光学デバイスと基板の
間に生成した静電界に応答して基板表面の平面に対して
相対的に動作させることができる。
とができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供するこ
と。 【解決手段】 マイクロ電気機械光学デバイスを開示す
る。マイクロ電気機械光学デバイスは、光学デバイスに
結合されたマイクロ電気機械構造を含む。マイクロ電気
機械構造および光学デバイスは、ともに基板表面上に配
設される。マイクロ電気機械構造は、光学デバイスを基
板表面の平面の上方に所定距離だけ上昇させる。その
後、上昇させた光学デバイスは、光学デバイスと基板の
間に生成した静電界に応答して基板表面の平面に対して
相対的に動作させることができる。
Description
【０００１】
【関連出願】本願は、１９９７年１２月２２日に出願さ
れた特許出願第０８／９９７１７５号の一部継続出願で
ある。
れた特許出願第０８／９９７１７５号の一部継続出願で
ある。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は一般には光通信シス
テムに関し、さらに詳細には、マイクロ電気機械光学デ
バイスに関する。
テムに関し、さらに詳細には、マイクロ電気機械光学デ
バイスに関する。
【０００３】
【従来の技術】光通信システムは、通常は、様々な光学
デバイス（例えば光源、光検出器、スイッチ、減衰器、
ミラー、増幅器、フィルタ）を含む。光学デバイスは、
光通信システム中の光信号を伝送、修正、または検出す
る。いくつかの光学デバイスは、マイクロ電気機械構造
（例えば熱アクチュエータ）に結合され、マイクロ電気
機械光学デバイスを形成する。本開示で使用するマイク
ロ電気機械構造という用語は、電気信号の制御下で機械
的に動作する微視的構造を指す。
デバイス（例えば光源、光検出器、スイッチ、減衰器、
ミラー、増幅器、フィルタ）を含む。光学デバイスは、
光通信システム中の光信号を伝送、修正、または検出す
る。いくつかの光学デバイスは、マイクロ電気機械構造
（例えば熱アクチュエータ）に結合され、マイクロ電気
機械光学デバイスを形成する。本開示で使用するマイク
ロ電気機械構造という用語は、電気信号の制御下で機械
的に動作する微視的構造を指す。
【０００４】Ｃｏｗａｎ、Ｗｉｌｌｉａｍ Ｄ．他によ
る「Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｕａｔ
ｏｒｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ」、ＳＰＩ
Ｅ、Ｖｏｌ．３２２６、１３７〜１４６ページ（１９９
７）に、光学デバイスを動作させるのに有用なマイクロ
電気機械構造が記載されている。Ｃｏｗａｎ他による文
献では、マイクロ電気機械構造は熱アクチュエータであ
る。熱アクチュエータは、光学ミラーに結合される。熱
アクチュエータおよび光学ミラーはともに基板表面上に
配設される。熱アクチュエータは複数のビームを有す
る。各ビームの第１の端部は光学ミラーに結合される。
各ビームの第２の端部は基板表面に取り付けられる。
る「Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｕａｔ
ｏｒｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ」、ＳＰＩ
Ｅ、Ｖｏｌ．３２２６、１３７〜１４６ページ（１９９
７）に、光学デバイスを動作させるのに有用なマイクロ
電気機械構造が記載されている。Ｃｏｗａｎ他による文
献では、マイクロ電気機械構造は熱アクチュエータであ
る。熱アクチュエータは、光学ミラーに結合される。熱
アクチュエータおよび光学ミラーはともに基板表面上に
配設される。熱アクチュエータは複数のビームを有す
る。各ビームの第１の端部は光学ミラーに結合される。
各ビームの第２の端部は基板表面に取り付けられる。
【０００５】熱アクチュエータの各ビームは、上下に積
み重ねた２つの材料層を有する。積み重ねられた材料層
は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
み重ねた２つの材料層を有する。積み重ねられた材料層
は、それぞれ異なる熱膨張係数を有する。
【０００６】熱アクチュエータは、ビームに電流が流さ
れたのに応答して光学ミラーを機械的に動作させる。ビ
ームに電流を流すと、積み重ねられた材料層が加熱され
る。ビームが加熱されるにつれて、各ビームの少なくと
も一部分が、材料層の脆性−延性遷移点を超えて加熱さ
れ、冷却後も残るその永久的機械的変形を引き起こす。
ビームが変形すると、各ビームの第１の端部ならびにそ
こに結合された光学ミラーは、基板表面の平面の上方に
所定高さだけ上昇する。このようなマイクロ電気機械構
造は、限られた範囲の結合された光学デバイスの運動し
かもたらさず、これにより望ましくないものとなってい
る。
れたのに応答して光学ミラーを機械的に動作させる。ビ
ームに電流を流すと、積み重ねられた材料層が加熱され
る。ビームが加熱されるにつれて、各ビームの少なくと
も一部分が、材料層の脆性−延性遷移点を超えて加熱さ
れ、冷却後も残るその永久的機械的変形を引き起こす。
ビームが変形すると、各ビームの第１の端部ならびにそ
こに結合された光学ミラーは、基板表面の平面の上方に
所定高さだけ上昇する。このようなマイクロ電気機械構
造は、限られた範囲の結合された光学デバイスの運動し
かもたらさず、これにより望ましくないものとなってい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、そこに結
合された光学デバイスの運動を制御することができるマ
イクロ電気機械光学デバイスが引き続き必要とされてい
る。
合された光学デバイスの運動を制御することができるマ
イクロ電気機械光学デバイスが引き続き必要とされてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロ電気
機械光学デバイスを対象とする。マイクロ電気機械光学
デバイスは、光学デバイスに結合されたマイクロ電気機
械構造を含む。マイクロ電気機械構造および光学デバイ
スは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気機
械構造は、光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定
距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイス
は、光学デバイスと基板の間に生成した静電界に応答し
て基板表面の平面に対して相対的に動作させることがで
きる。
機械光学デバイスを対象とする。マイクロ電気機械光学
デバイスは、光学デバイスに結合されたマイクロ電気機
械構造を含む。マイクロ電気機械構造および光学デバイ
スは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気機
械構造は、光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定
距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイス
は、光学デバイスと基板の間に生成した静電界に応答し
て基板表面の平面に対して相対的に動作させることがで
きる。
【０００９】マイクロ電気機械構造は、複数の第１およ
び第２のビームを含む。複数の第１のビームの第１の端
部は、基板表面にヒンジで取り付けられたプレートに結
合される。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含
む。ヒンジ・プレートは係合プレートに結合される。複
数の第２のビームの第１の端部は、係合プレートに結合
される。係合プレートは、光学デバイスにも結合され
る。組み立てられていないときには、ビーム、ヒンジ・
プレート、および係合プレートは、基板表面上に平らに
載っている。
び第２のビームを含む。複数の第１のビームの第１の端
部は、基板表面にヒンジで取り付けられたプレートに結
合される。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含
む。ヒンジ・プレートは係合プレートに結合される。複
数の第２のビームの第１の端部は、係合プレートに結合
される。係合プレートは、光学デバイスにも結合され
る。組み立てられていないときには、ビーム、ヒンジ・
プレート、および係合プレートは、基板表面上に平らに
載っている。
【００１０】係合プレートは、その両端部に位置する一
対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート上のＶ字型ノ
ッチの各対は、ヒンジ・プレート上のＶ字型ノッチの領
域内に位置する。
対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート上のＶ字型ノ
ッチの各対は、ヒンジ・プレート上のＶ字型ノッチの領
域内に位置する。
【００１１】複数の第１のビームの第１の端部は、起動
力の印加に応答して、基板表面の平面の上方にほぼ円弧
の形状で上向きに上昇する。複数の第１のビームの第１
の端部は、基板表面の平面の上方に上昇するにつれて、
ヒンジ・プレートを基板表面の平面から回転させる。ヒ
ンジ・プレートが基板表面の平面から回転したときに、
複数の第２のビームは、係合プレートならびに光学デバ
イスを基板の平面の上方に上昇させる。係合プレート
は、上昇するにつれて、第１のビームが開始したヒンジ
・プレートの回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板
の平面から約９０度の角度となる。
力の印加に応答して、基板表面の平面の上方にほぼ円弧
の形状で上向きに上昇する。複数の第１のビームの第１
の端部は、基板表面の平面の上方に上昇するにつれて、
ヒンジ・プレートを基板表面の平面から回転させる。ヒ
ンジ・プレートが基板表面の平面から回転したときに、
複数の第２のビームは、係合プレートならびに光学デバ
イスを基板の平面の上方に上昇させる。係合プレート
は、上昇するにつれて、第１のビームが開始したヒンジ
・プレートの回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板
の平面から約９０度の角度となる。
【００１２】様々な起動力をビームに印加して、光学デ
バイスを上昇させることができる。適当な例としては、
ビーム層の熱収縮、固有応力によるビームの収縮、およ
び電磁力がある。
バイスを上昇させることができる。適当な例としては、
ビーム層の熱収縮、固有応力によるビームの収縮、およ
び電磁力がある。
【００１３】光学デバイスを基板表面の平面の上方に上
昇させた後で、上昇した光学デバイスと基板表面の間で
静電界を生成する。静電界は、光学デバイスと基板の一
部分との間にバイアス電圧を印加することによって生成
する。静電界は、光学デバイスを基板表面に向かって偏
向（または回転）させることによって、光学デバイスを
動作させる。光学デバイスの偏向距離は、印加するバイ
アス電圧の量によって決まる。
昇させた後で、上昇した光学デバイスと基板表面の間で
静電界を生成する。静電界は、光学デバイスと基板の一
部分との間にバイアス電圧を印加することによって生成
する。静電界は、光学デバイスを基板表面に向かって偏
向（または回転）させることによって、光学デバイスを
動作させる。光学デバイスの偏向距離は、印加するバイ
アス電圧の量によって決まる。
【００１４】基板および光学デバイスは、バイアス電圧
をそれらに印加することができるように、ともに導電性
であることが好ましい。基板または光学デバイスのいず
れかの導電性がこのような光学デバイスを基板表面に向
かって偏向させるのに不十分であるときには、導電層
（例えば電極）を任意選択でそれらの領域上に形成す
る。
をそれらに印加することができるように、ともに導電性
であることが好ましい。基板または光学デバイスのいず
れかの導電性がこのような光学デバイスを基板表面に向
かって偏向させるのに不十分であるときには、導電層
（例えば電極）を任意選択でそれらの領域上に形成す
る。
【００１５】本発明のその他の目的および特徴は、添付
の図面に関連して考慮した以下の詳細な説明から明らか
になるであろう。ただし、これらの図面は単に例示のみ
を目的としたものであって、本発明を限定する働きはせ
ず、これについては添付の特許請求の範囲を参照しなけ
ればならないことを理解されたい。
の図面に関連して考慮した以下の詳細な説明から明らか
になるであろう。ただし、これらの図面は単に例示のみ
を目的としたものであって、本発明を限定する働きはせ
ず、これについては添付の特許請求の範囲を参照しなけ
ればならないことを理解されたい。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、光通信システム中で使
用するのに適したマイクロ電気機械光学デバイスを対象
とする。図１を参照すると、マイクロ電気機械光学デバ
イスは、基板１３の表面上に配設されたマイクロ電気機
械構造１５および光学デバイス１７を含む。マイクロ電
気機械構造１５は、光学デバイス１７に結合される。例
えば、マイクロ電気機械構造１５は、ばね１４で光学デ
バイス１７に結合される。
用するのに適したマイクロ電気機械光学デバイスを対象
とする。図１を参照すると、マイクロ電気機械光学デバ
イスは、基板１３の表面上に配設されたマイクロ電気機
械構造１５および光学デバイス１７を含む。マイクロ電
気機械構造１５は、光学デバイス１７に結合される。例
えば、マイクロ電気機械構造１５は、ばね１４で光学デ
バイス１７に結合される。
【００１７】電気機械構造１５は、複数のビーム１９、
２６を含む。ビーム１９の第１の端部２２は、基板表面
１３にヒンジで取り付けられたプレート２０に結合され
る。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含む。ヒ
ンジ・プレート２０は係合プレート２５に結合される。
係合プレート２５は、光学デバイス１７にも結合され
る。ビーム２６の第１の端部は、係合プレート２５に結
合される。ビーム２６の第２の端部は、基板表面１３に
結合される。組み立てられていないときには、ビーム１
９、２６、ヒンジ・プレート２０、および係合プレート
２５は、基板表面１３上に平らに載っている。
２６を含む。ビーム１９の第１の端部２２は、基板表面
１３にヒンジで取り付けられたプレート２０に結合され
る。このヒンジ・プレートは、Ｖ字型ノッチを含む。ヒ
ンジ・プレート２０は係合プレート２５に結合される。
係合プレート２５は、光学デバイス１７にも結合され
る。ビーム２６の第１の端部は、係合プレート２５に結
合される。ビーム２６の第２の端部は、基板表面１３に
結合される。組み立てられていないときには、ビーム１
９、２６、ヒンジ・プレート２０、および係合プレート
２５は、基板表面１３上に平らに載っている。
【００１８】係合プレート２５は、その両端部に位置す
る一対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート２５上の
Ｖ字型ノッチの各対は、ヒンジ・プレート２０上のＶ字
型ノッチの領域内に位置する。
る一対のＶ字型ノッチを有する。係合プレート２５上の
Ｖ字型ノッチの各対は、ヒンジ・プレート２０上のＶ字
型ノッチの領域内に位置する。
【００１９】図２を参照すると、ビーム１９の第１の端
部２２が、起動力の印加に応答して、基板表面の平面の
上方にほぼ円弧の形状で上向きに上昇している。ビーム
１９の第１の端部２２は、基板表面の平面の上方に上昇
するにつれて、ヒンジ・プレート２０を基板の平面から
回転させる。
部２２が、起動力の印加に応答して、基板表面の平面の
上方にほぼ円弧の形状で上向きに上昇している。ビーム
１９の第１の端部２２は、基板表面の平面の上方に上昇
するにつれて、ヒンジ・プレート２０を基板の平面から
回転させる。
【００２０】ヒンジ・プレート２０が基板の平面から回
転したときに、ビーム２６は、係合プレート２５ならび
に光学デバイスを基板の平面の上方に上昇させる。係合
プレートが基板の平面の上方に上昇するにつれて、係合
プレート２５上のＶ字型ノッチの対が、ヒンジ・プレー
ト２０上のＶ字型ノッチ中に滑り込む。係合プレート２
５は、上昇すると、ビーム１９が開始したヒンジ・プレ
ート２０の回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板の
平面から約９０度の角度となる。ヒンジ・プレート２０
上のＶ字型ノッチの高さにより、光学デバイスが上昇す
る高さが制限され、光学デバイスは一定の明確に規定さ
れた位置に保持される。
転したときに、ビーム２６は、係合プレート２５ならび
に光学デバイスを基板の平面の上方に上昇させる。係合
プレートが基板の平面の上方に上昇するにつれて、係合
プレート２５上のＶ字型ノッチの対が、ヒンジ・プレー
ト２０上のＶ字型ノッチ中に滑り込む。係合プレート２
５は、上昇すると、ビーム１９が開始したヒンジ・プレ
ート２０の回転を完了させ、ヒンジ・プレートは基板の
平面から約９０度の角度となる。ヒンジ・プレート２０
上のＶ字型ノッチの高さにより、光学デバイスが上昇す
る高さが制限され、光学デバイスは一定の明確に規定さ
れた位置に保持される。
【００２１】様々な起動力を電気機械構造に印加して、
ビームの第１の端部２２を上昇させることができる。図
３を参照すると、電気機械構造に印加された起動力がビ
ームの熱収縮に基づいているときには、各ビーム１９、
２６は、上下に積み重ねられた２つ以上の材料層３１、
３２を含む。積み重ねられた材料層３１、３２はそれぞ
れ異なる熱膨張係数を有する。
ビームの第１の端部２２を上昇させることができる。図
３を参照すると、電気機械構造に印加された起動力がビ
ームの熱収縮に基づいているときには、各ビーム１９、
２６は、上下に積み重ねられた２つ以上の材料層３１、
３２を含む。積み重ねられた材料層３１、３２はそれぞ
れ異なる熱膨張係数を有する。
【００２２】一実施形態では、各ビーム１９、２６の最
上部の材料層３１は、他方の材料層３２より大きな熱膨
張係数を有する。
上部の材料層３１は、他方の材料層３２より大きな熱膨
張係数を有する。
【００２３】ビーム１９、２６に電流を流すと、積み重
ねられた材料層３１、３２が加熱される。電流は、電流
源（図示せず）からビーム１９、２６に流す。図４を参
照すると、積み重ねられた材料層３１、３２は、加熱さ
れると端から巻き上がり、各ビーム１９、２６の第１の
端部ならびにそこに結合された光学ミラー（図示せず）
を、基板表面１３の平面から上昇させる。各ビームの端
部が基板表面の平面から上昇する高さは、ビームの長
さ、ならびにビームを形成するために使用した材料層の
組成によって決まる。ただし、各ビーム２６の端部が基
板表面の平面から上昇する高さは、係合プレート２５を
上昇させ、ヒンジ・プレートを基板表面に対して約９０
度回転させるのに十分であることが好ましい。
ねられた材料層３１、３２が加熱される。電流は、電流
源（図示せず）からビーム１９、２６に流す。図４を参
照すると、積み重ねられた材料層３１、３２は、加熱さ
れると端から巻き上がり、各ビーム１９、２６の第１の
端部ならびにそこに結合された光学ミラー（図示せず）
を、基板表面１３の平面から上昇させる。各ビームの端
部が基板表面の平面から上昇する高さは、ビームの長
さ、ならびにビームを形成するために使用した材料層の
組成によって決まる。ただし、各ビーム２６の端部が基
板表面の平面から上昇する高さは、係合プレート２５を
上昇させ、ヒンジ・プレートを基板表面に対して約９０
度回転させるのに十分であることが好ましい。
【００２４】あるいは、電気機械構造に印加された起動
力が固有応力によるビームの収縮に基づくときには、各
ビーム１９、２６は、図５に示すように、基板表面１３
上で上下に積み重ねられた２つ以上の材料層４１、４２
を含む。最上部の材料層４１は固有応力を有する。最上
部の材料層は、任意選択でその中に応力勾配を有する。
底部材料層４２は犠牲層である。
力が固有応力によるビームの収縮に基づくときには、各
ビーム１９、２６は、図５に示すように、基板表面１３
上で上下に積み重ねられた２つ以上の材料層４１、４２
を含む。最上部の材料層４１は固有応力を有する。最上
部の材料層は、任意選択でその中に応力勾配を有する。
底部材料層４２は犠牲層である。
【００２５】犠牲材料層４２が（例えばエッチングによ
って）除去されると、２つ以上の最上部の層４１は、各
ビーム１９、２６の第１の端部ならびにそこに結合され
たヒンジ・プレート（図示せず）を、基板表面１３の平
面の上方に上昇させる。各ビームの端部が基板表面の平
面から上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにこれら
のビームを形成するために使用した材料層の組成によっ
て決まる。ただし、各ビーム２６が基板表面の平面から
上昇する高さは、係合プレート２５を上昇させ、ヒンジ
・プレートを基板表面に対して約９０度回転させるのに
十分であることが好ましい。
って）除去されると、２つ以上の最上部の層４１は、各
ビーム１９、２６の第１の端部ならびにそこに結合され
たヒンジ・プレート（図示せず）を、基板表面１３の平
面の上方に上昇させる。各ビームの端部が基板表面の平
面から上昇する高さは、ビームの長さ、ならびにこれら
のビームを形成するために使用した材料層の組成によっ
て決まる。ただし、各ビーム２６が基板表面の平面から
上昇する高さは、係合プレート２５を上昇させ、ヒンジ
・プレートを基板表面に対して約９０度回転させるのに
十分であることが好ましい。
【００２６】その他の適当な起動力としては、スクラッ
チ・ドライブ（ｓｃｒａｔｃｈ ｄｒｉｖｅ）および電
磁力がある。スクラッチ・ドライブに基づく例示的な電
気機械構造については、Ａｋｉｙａｍａ．Ｔ他の「Ａ
ＱｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅＡｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓ
ｃｒａｔｃｈ Ｄｒｉｖｅ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｕｓｉ
ｎｇ Ｂｕｃｋｌｉｎｇ Ｍｏｔｉｏｎ」Ｐｒｏｃ．８
ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＭＥＭ
Ｓ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ、３１０〜３１５ページ（１９９
５）で論じられており、電磁力に基づく電気機械構造に
ついては、Ｂｕｓｃｈ−Ｖｉｓｈｎｉａｃ、Ｉ．Ｊ．の
「Ｔｈｅ Ｃａｓｅ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌ
ｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒｓ」、
Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、Ａ
３３、２０７〜２２０ページ（１９９２）で論じられて
いる。
チ・ドライブ（ｓｃｒａｔｃｈ ｄｒｉｖｅ）および電
磁力がある。スクラッチ・ドライブに基づく例示的な電
気機械構造については、Ａｋｉｙａｍａ．Ｔ他の「Ａ
ＱｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅＡｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｓ
ｃｒａｔｃｈ Ｄｒｉｖｅ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｕｓｉ
ｎｇ Ｂｕｃｋｌｉｎｇ Ｍｏｔｉｏｎ」Ｐｒｏｃ．８
ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＭＥＭ
Ｓ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ、３１０〜３１５ページ（１９９
５）で論じられており、電磁力に基づく電気機械構造に
ついては、Ｂｕｓｃｈ−Ｖｉｓｈｎｉａｃ、Ｉ．Ｊ．の
「Ｔｈｅ Ｃａｓｅ ｆｏｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌ
ｙ Ｄｒｉｖｅｎ Ｍｉｃｒｏａｃｔｕａｔｏｒｓ」、
Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、Ａ
３３、２０７〜２２０ページ（１９９２）で論じられて
いる。
【００２７】電気機械構造１５が光学デバイス１７を基
板の平面の上方に上昇させた後で、上昇した光学デバイ
ス１７を、この光学デバイス１７と基板表面１３の間で
生成した静電界に応答して動作させることができる。こ
の静電界は、光学デバイス１７と基板表面１３の間にバ
イアス電圧を印加することによって生成される。
板の平面の上方に上昇させた後で、上昇した光学デバイ
ス１７を、この光学デバイス１７と基板表面１３の間で
生成した静電界に応答して動作させることができる。こ
の静電界は、光学デバイス１７と基板表面１３の間にバ
イアス電圧を印加することによって生成される。
【００２８】図１および２を参照すると、静電界は、光
学デバイス１７と基板１３（または電極２７）の間で生
成されたときに、この光学デバイス１７を、軸１−１’
の周りで回転させる。光学デバイス１７が軸１−１’の
周りで回転する角度は、光学デバイス１７と基板１３
（または電極２７）の間で生成された静電界の大きさに
よって決まる。静電界の大きさは、印加されるバイアス
電圧の量によって決まる。
学デバイス１７と基板１３（または電極２７）の間で生
成されたときに、この光学デバイス１７を、軸１−１’
の周りで回転させる。光学デバイス１７が軸１−１’の
周りで回転する角度は、光学デバイス１７と基板１３
（または電極２７）の間で生成された静電界の大きさに
よって決まる。静電界の大きさは、印加されるバイアス
電圧の量によって決まる。
【００２９】あるいは、光学デバイスは、実質的に基板
に向かって偏向させる、または回転および偏向を両方と
も使用して動作させることができる。このような運動
は、電極２７の幾何形状ならびに光学デバイスと係合プ
レートの間の結合によって決まる。
に向かって偏向させる、または回転および偏向を両方と
も使用して動作させることができる。このような運動
は、電極２７の幾何形状ならびに光学デバイスと係合プ
レートの間の結合によって決まる。
【００３０】光学デバイスおよび基板は、静電界を生成
するためにそれらの間にバイアス電圧を印加することが
できるように、ともに導電性であることが好ましい。光
学デバイスまたは基板のいずれかの導電性が静電界を生
成するのに不十分であるときには、図１に示すように、
導電層（電極）２７、２８を任意選択でそれらの領域上
に形成する。
するためにそれらの間にバイアス電圧を印加することが
できるように、ともに導電性であることが好ましい。光
学デバイスまたは基板のいずれかの導電性が静電界を生
成するのに不十分であるときには、図１に示すように、
導電層（電極）２７、２８を任意選択でそれらの領域上
に形成する。
【００３１】本発明のマイクロ電気光学機械デバイスを
製作する際には、適切に準備し（すなわち好適にはドー
ピングし）、洗浄した基板を準備する。適当な基板の材
料としては、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウ
ム、ゲルマニウム、または酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）で被覆したガラスがある。
製作する際には、適切に準備し（すなわち好適にはドー
ピングし）、洗浄した基板を準備する。適当な基板の材
料としては、シリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウ
ム、ゲルマニウム、または酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）で被覆したガラスがある。
【００３２】複数の材料層を、この基板の表面上にプレ
ーナ配列で形成する。適当な材料層の例としては、ポリ
シリコン、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素がある。
ーナ配列で形成する。適当な材料層の例としては、ポリ
シリコン、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素がある。
【００３３】複数の材料層の各層を基板上に形成した後
で、各層をパターン形成して、マイクロ電気機械構造な
らびに光学デバイスを形成する。例えば、図１に示すミ
ラー１７ならびにビーム１９、２６を含む電気光学機械
デバイスは、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＣＮＣ
ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔ
ｉｏｎｓ Ｃｅｎｔｅｒによって提供されたＭｕｌｔｉ
−Ｕｓｅｒ ＭＥＭＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ（ＭＵＭＰＳ）
を使用して製作する（ＳｍａｒｔＭＵＭＰｓ Ｄｅｓｉ
ｇｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ａｔ ｍｅｍｓ．ｍｃｎｃ．
ｏｒｇ参照）。
で、各層をパターン形成して、マイクロ電気機械構造な
らびに光学デバイスを形成する。例えば、図１に示すミ
ラー１７ならびにビーム１９、２６を含む電気光学機械
デバイスは、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＣＮＣ
ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔ
ｉｏｎｓ Ｃｅｎｔｅｒによって提供されたＭｕｌｔｉ
−Ｕｓｅｒ ＭＥＭＳ Ｐｒｏｃｅｓｓ（ＭＵＭＰＳ）
を使用して製作する（ＳｍａｒｔＭＵＭＰｓ Ｄｅｓｉ
ｇｎ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ａｔ ｍｅｍｓ．ｍｃｎｃ．
ｏｒｇ参照）。
【００３４】ＭＵＭＰＳプロセスでは、マイクロ電気機
械構造および光学ミラーはポリシリコン層中に形成さ
れ、酸化物層（例えばホスホシリコンガラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ））が犠牲層をもた
らし、窒化ケイ素がマイクロ電気機械構造および光学ミ
ラーを基板から電気的に分離する。マイクロ電気機械構
造および光学ミラーは、複数のフォトリソグラフィ・ス
テップでポリシリコン層中に形成される。
械構造および光学ミラーはポリシリコン層中に形成さ
れ、酸化物層（例えばホスホシリコンガラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｓｉｌｉｃｏｎ ｇｌａｓｓ））が犠牲層をもた
らし、窒化ケイ素がマイクロ電気機械構造および光学ミ
ラーを基板から電気的に分離する。マイクロ電気機械構
造および光学ミラーは、複数のフォトリソグラフィ・ス
テップでポリシリコン層中に形成される。
【００３５】フォトリソグラフィは、ポリシリコン層お
よびホスホシリコンガラス層の１つまたは複数をフォト
レジスト（すなわちエネルギー感光材料）で被覆するス
テップと、適当なマスクを付けたフォトレジストを露光
するステップと、露光されたフォトレジストを現像し
て、その下にある１つまたは複数のポリシリコン層およ
びホスホシリコンガラス層中に後にパターン転写するた
めの所望のエッチング・マスクを生み出すステップとを
含む。フォトレジスト中に画定されるパターンは、例え
ば反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）システム中での
エッチングにより、その下にある１つまたは複数のポリ
シリコン層およびホスホシリコンガラス層中に転写され
る。本発明の特定の実施形態を説明するために、以下の
実施例を与える。
よびホスホシリコンガラス層の１つまたは複数をフォト
レジスト（すなわちエネルギー感光材料）で被覆するス
テップと、適当なマスクを付けたフォトレジストを露光
するステップと、露光されたフォトレジストを現像し
て、その下にある１つまたは複数のポリシリコン層およ
びホスホシリコンガラス層中に後にパターン転写するた
めの所望のエッチング・マスクを生み出すステップとを
含む。フォトレジスト中に画定されるパターンは、例え
ば反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）システム中での
エッチングにより、その下にある１つまたは複数のポリ
シリコン層およびホスホシリコンガラス層中に転写され
る。本発明の特定の実施形態を説明するために、以下の
実施例を与える。
【００３６】
【実施例】実施例１ 図１に示す構造を有するマイクロ電気機械光学デバイス
を、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒ
ｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ
から得た。このマイクロ電気機械光学デバイスは、シリ
コン基板の表面上に配設した。シリコン基板の抵抗率
は、約１〜２Ω・ｃｍであった。厚さ６００ｎｍ（ナノ
メートル）の窒化ケイ素層の上に形成されたポリシリコ
ン層（ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）と
ホスホシリコンガラス層（ＯＸ１およびＯＸ２）とが交
互になった多層プレーナ配列を、シリコン基板上に形成
した。
を、米国ノースカロライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒ
ｉａｎｇｌｅ Ｐａｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳＴｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒ
から得た。このマイクロ電気機械光学デバイスは、シリ
コン基板の表面上に配設した。シリコン基板の抵抗率
は、約１〜２Ω・ｃｍであった。厚さ６００ｎｍ（ナノ
メートル）の窒化ケイ素層の上に形成されたポリシリコ
ン層（ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）と
ホスホシリコンガラス層（ＯＸ１およびＯＸ２）とが交
互になった多層プレーナ配列を、シリコン基板上に形成
した。
【００３７】ポリシリコン層ＰＯＬＹ０、ＰＯＬＹ１、
およびＰＯＬＹ２の厚さはそれぞれ、約０．５μｍ（マ
イクロメートル）、２．０μｍ、および１．５μｍであ
った。ホスホシリコンガラス層ＯＸ１およびＯＸ２の厚
さは、それぞれ約２μｍおよび０．７５μｍであった。
０．５μｍのＣｒ／Ａｕの層を、ＰＯＬＹ２層の上に形
成した。窒化ケイ素層、ポリシリコン層（ＰＯＬＹ０、
ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）、ホスホシリコンガラ
ス層（ＯＸ１およびＯＸ２）、ならびにＣｒ／Ａｕ層
は、低圧蒸着技法を使用してシリコン基板上に形成し
た。
およびＰＯＬＹ２の厚さはそれぞれ、約０．５μｍ（マ
イクロメートル）、２．０μｍ、および１．５μｍであ
った。ホスホシリコンガラス層ＯＸ１およびＯＸ２の厚
さは、それぞれ約２μｍおよび０．７５μｍであった。
０．５μｍのＣｒ／Ａｕの層を、ＰＯＬＹ２層の上に形
成した。窒化ケイ素層、ポリシリコン層（ＰＯＬＹ０、
ＰＯＬＹ１、およびＰＯＬＹ２）、ホスホシリコンガラ
ス層（ＯＸ１およびＯＸ２）、ならびにＣｒ／Ａｕ層
は、低圧蒸着技法を使用してシリコン基板上に形成し
た。
【００３８】図１を参照すると、電気機械構造１５およ
び光学デバイス１７は、フォトリソグラフィ技法を使用
して多層プレーナ配列で画定したものである。電気機械
構造は、基板にヒンジで取り付けられたプレート２０に
それぞれ一方の縁部が結合された、２本のビーム１９、
２６を含む。各ビーム１９の幅は約５０μｍ、長さは約
３００μｍであった。ビーム２６の幅は約１００μｍ、
長さは約５００μｍであった。これらのビームは、ＰＯ
ＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。ビーム１
９、２６は、固有応力を生み出すためにその上に堆積さ
せたＣｒ／Ａｕ層も有し、これによりビームが巻き上が
り、構造を組み立てる。
び光学デバイス１７は、フォトリソグラフィ技法を使用
して多層プレーナ配列で画定したものである。電気機械
構造は、基板にヒンジで取り付けられたプレート２０に
それぞれ一方の縁部が結合された、２本のビーム１９、
２６を含む。各ビーム１９の幅は約５０μｍ、長さは約
３００μｍであった。ビーム２６の幅は約１００μｍ、
長さは約５００μｍであった。これらのビームは、ＰＯ
ＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。ビーム１
９、２６は、固有応力を生み出すためにその上に堆積さ
せたＣｒ／Ａｕ層も有し、これによりビームが巻き上が
り、構造を組み立てる。
【００３９】ヒンジ・プレート２０の幅は約３００μ
ｍ、高さは約７０μｍであった。Ｖ字型ノッチのノッチ
の高さは約５０μｍであった。ヒンジ・プレート２０
は、ＰＯＬＹ２層およびＰＯＬＹ１層中に画定した。
ｍ、高さは約７０μｍであった。Ｖ字型ノッチのノッチ
の高さは約５０μｍであった。ヒンジ・プレート２０
は、ＰＯＬＹ２層およびＰＯＬＹ１層中に画定した。
【００４０】係合プレート２５の長さは約４００μｍ、
幅は約１５０μｍであった。各Ｖ字型ノッチのノッチの
高さは約７０μｍであった。係合プレート２５は、ＰＯ
ＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。
幅は約１５０μｍであった。各Ｖ字型ノッチのノッチの
高さは約７０μｍであった。係合プレート２５は、ＰＯ
ＬＹ１層およびＰＯＬＹ２層中に画定した。
【００４１】光学デバイスは、約３００μｍ×３００μ
ｍの寸法を有するミラーである。光学デバイスは、ＰＯ
ＬＹ１層、ＰＯＬＹ２層、およびＣｒ／Ａｕ層中に画定
した。
ｍの寸法を有するミラーである。光学デバイスは、ＰＯ
ＬＹ１層、ＰＯＬＹ２層、およびＣｒ／Ａｕ層中に画定
した。
【００４２】光学デバイスの縁部を、ばね１４で係合プ
レートに結合した。このばねは、ＰＯＬＹ１層中のみに
画定した。
レートに結合した。このばねは、ＰＯＬＹ１層中のみに
画定した。
【００４３】電極２７は、長さが約３００μｍ、幅が約
２００μｍであり、ＰＯＬＹ０を使用して形成した。
２００μｍであり、ＰＯＬＹ０を使用して形成した。
【００４４】上述の各製作ステップを、米国ノースカロ
ライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａ
ｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａ
ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒで実行した。
ライナ州、Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｒｉａｎｇｌｅ Ｐａ
ｒｋ、ＭＣＮＣのＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａ
ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｃｅｎｔｅｒで実行した。
【００４５】電気機械構造および光学デバイスをＰＯＬ
Ｙ０、ＰＯＬＹ１、ＰＯＬＹ２、ＯＸ１、ＯＸ２、およ
びＣｒ／Ａｕ層中に画定した後で、４９％ＨＦの槽中で
室温で約１〜２分間ホスホシリコンガラス層をエッチン
グすることにより、電気機械構造および光学デバイスを
シリコン基板の表面から解放した。
Ｙ０、ＰＯＬＹ１、ＰＯＬＹ２、ＯＸ１、ＯＸ２、およ
びＣｒ／Ａｕ層中に画定した後で、４９％ＨＦの槽中で
室温で約１〜２分間ホスホシリコンガラス層をエッチン
グすることにより、電気機械構造および光学デバイスを
シリコン基板の表面から解放した。
【００４６】ホスホシリコンガラス層が除去された後
で、ビームがヒンジ・プレートを回転させ、係合プレー
トならびに光学デバイスを基板表面から上昇させた。光
学デバイスは、基板表面の上方約５０μｍの高さまで上
昇した。
で、ビームがヒンジ・プレートを回転させ、係合プレー
トならびに光学デバイスを基板表面から上昇させた。光
学デバイスは、基板表面の上方約５０μｍの高さまで上
昇した。
【００４７】約１００ボルトの電圧を光学デバイスと基
板表面上のパッド２７の間に印加した。光学デバイスと
パッド２７の間に電圧を印加した後で、光学デバイスが
軸１−１’（図１）の周りで枢動し、光学デバイスは基
板表面に対して約５°の角度となった。
板表面上のパッド２７の間に印加した。光学デバイスと
パッド２７の間に電圧を印加した後で、光学デバイスが
軸１−１’（図１）の周りで枢動し、光学デバイスは基
板表面に対して約５°の角度となった。
【図１】マイクロ電気機械構造に結合された光学デバイ
スを含む本発明のマイクロ電気機械光学デバイスがその
表面上に配設された基板の上面図である。
スを含む本発明のマイクロ電気機械光学デバイスがその
表面上に配設された基板の上面図である。
【図２】光学デバイスがマイクロ電気機械構造によって
基板表面の平面の上方に上昇した後の、図１のマイクロ
電気機械光学デバイスの側面図である。
基板表面の平面の上方に上昇した後の、図１のマイクロ
電気機械光学デバイスの側面図である。
【図３】起動力を印加する前のビームの一構成の断面図
である。
である。
【図４】起動力を印加した後の、図３のビームの断面図
である。
である。
【図５】起動力を印加する前のビームの代替構成の断面
図である。
図である。
【図６】起動力を印加した後の、図５のビームの断面図
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディビッド ジョン ビショップ アメリカ合衆国 07901 ニュージャーシ ィ，サミット，オーク クノール ロード ７
Claims (23)
- 【請求項１】 光学デバイスおよびマイクロ電気機械構
造がその表面上に配設された基板を含むマイクロ電気機
械光学デバイスであって、 マイクロ電気機械構造が光学デバイスに結合され、マイ
クロ電気機械構造が起動力に応答して基板表面の平面の
上方に光学デバイスを上昇させ、上昇した光学デバイス
が、光学デバイスと基板の間での電界の生成に応答して
基板表面の平面に対して相対的に動作することができ
る、マイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項２】 マイクロ電気機械構造が、複数のビーム
と、基板にヒンジで取り付けられた複数のプレートと、
係合プレートとを含み、各ヒンジ・プレートがＶ字型ノ
ッチを含み、係合プレートが一対のＶ字型ノッチを含
み、係合プレート上のＶ字型ノッチの各対がヒンジ・プ
レート上のノッチ内にあり、ビームが起動力に応答し
て、ヒンジ・プレートおよび係合プレートを両方とも基
板表面の平面の上方に上昇させる、請求項１に記載のマ
イクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項３】 各ビームが１つまたは複数の材料層を含
む、請求項２に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項４】 第１の材料層が第１の熱膨張係数によっ
て特徴づけられ、第２の材料層が、第１の熱膨張係数と
は異なる第２の熱膨張係数によって特徴づけられる、請
求項３に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項５】 １つまたは複数の材料層の少なくとも１
つが固有応力を有する、請求項３に記載のマイクロ電気
機械光学デバイス。 - 【請求項６】 第１および第２の材料層が、窒化ケイ
素、ポリシリコン、二酸化ケイ素、および金属からなる
グループから選択される、請求項３に記載のマイクロ電
気機械光学デバイス。 - 【請求項７】 １つまたは複数の材料層の少なくとも１
つが応力勾配を有する、請求項３に記載のマイクロ電気
機械光学デバイス。 - 【請求項８】 電界が、光学デバイスと基板表面の間に
バイアス電圧を印加することによって生成される、請求
項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項９】 電界が、光学デバイスと基板表面上の電
極との間にバイアス電圧を印加することによって生成さ
れる、請求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイ
ス。 - 【請求項１０】 光学デバイスと基板の間に印加される
バイアス電圧が約１０００Ｖ未満である、請求項８また
は９に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１１】 光学デバイスが光学ミラーである、請
求項１に記載のマイクロ電気機械光学デバイス。 - 【請求項１２】 光学デバイスおよびマイクロ電気機械
構造を含むマイクロ電気機械光学デバイスがその表面上
に配設された基板を含む光通信システムであって、 マイクロ電気機械構造が光学デバイスに結合され、マイ
クロ電気機械構造が起動力に応答して基板表面の平面の
上方に光学デバイスを上昇させ、上昇した光学デバイス
が光学デバイスと基板の間での電界の生成に応答して基
板表面の平面に対して相対的に動作することができる光
通信システム。 - 【請求項１３】 光学デバイスを動作させる方法であっ
て、 光学デバイスおよびその光学デバイスに結合されたマイ
クロ電気機械構造がその表面上に配設された基板を設け
るステップと、 マイクロ電気機械構造に起動力を印加することによっ
て、基板表面の平面の上方に光学デバイスを上昇させる
ステップと、 光学デバイスと基板の間で電界を生成することによっ
て、上昇させた光学デバイスを基板表面の平面に対して
相対的に動作させるステップとを含む方法。 - 【請求項１４】 マイクロ電気機械構造が、複数のビー
ムと、基板にヒンジで取り付けられた複数のプレート
と、係合プレートとを含み、各ヒンジ・プレートがＶ字
型ノッチを含み、係合プレートが一対のＶ字型ノッチを
含み、係合プレート上のＶ字型ノッチの各対がヒンジ・
プレート上のノッチ内にあり、ビームが起動力に応答し
て、ヒンジ・プレートおよび係合プレートを両方とも基
板表面の平面の上方に上昇させる、請求項１３に記載の
方法。 - 【請求項１５】 各ビームが１つまたは複数の材料層を
含む、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 第１の材料層が第１の熱膨張係数によ
って特徴づけられ、第２の材料層が、第１の熱膨張係数
とは異なる第２の熱膨張係数によって特徴づけられる、
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 １つまたは複数の材料層の少なくとも
１つが固有応力を有する、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１８】 第１および第２の材料層が、窒化ケイ
素、ポリシリコン、二酸化ケイ素、および金属からなる
グループから選択される、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１９】 １つまたは複数の材料層の少なくとも
１つが応力勾配を有する、請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２０】 電界が、光学デバイスと基板表面の間
にバイアス電圧を印加することによって生成される、請
求項１４に記載の方法。 - 【請求項２１】 電界が、光学デバイスと基板表面上の
電極との間にバイアス電圧を印加することによって生成
される、請求項１４に記載の方法。 - 【請求項２２】 光学デバイスと基板の間に印加される
バイアス電圧が約１０００Ｖ未満である、請求項２０ま
たは２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 光学デバイスが光学ミラーである、請
求項１３に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US09/390158 | 1999-09-03 | ||
| US09/390,158 US6392221B1 (en) | 1997-12-22 | 1999-09-03 | Micro-electro-mechanical optical device |
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|---|---|
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Family
ID=23541325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265136A Expired - Fee Related JP3723431B2 (ja) | 1999-09-03 | 2000-09-01 | マイクロ電気機械光学デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1104746B1 (ja) |
| JP (1) | JP3723431B2 (ja) |
| DE (1) | DE60001479T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
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|---|---|---|---|---|
| US6300619B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-10-09 | Lucent Technologies Inc. | Micro-electro-mechanical optical device |
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