RU2014126213A - Способ получения триалкильных соединений галлия - Google Patents
Способ получения триалкильных соединений галлия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014126213A RU2014126213A RU2014126213A RU2014126213A RU2014126213A RU 2014126213 A RU2014126213 A RU 2014126213A RU 2014126213 A RU2014126213 A RU 2014126213A RU 2014126213 A RU2014126213 A RU 2014126213A RU 2014126213 A RU2014126213 A RU 2014126213A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gallium
- aluminum
- reaction mixture
- compound
- trialkyl
- Prior art date
Links
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 15
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 29
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims abstract 15
- -1 aluminum alkyl compound Chemical class 0.000 claims abstract 7
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000002585 base Substances 0.000 claims abstract 5
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 7
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 6
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 6
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 5
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 3
- 125000005234 alkyl aluminium group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims 2
- CMAOLVNGLTWICC-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-5-methylbenzonitrile Chemical compound CC1=CC=C(F)C(C#N)=C1 CMAOLVNGLTWICC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- HYZXMVILOKSUKA-UHFFFAOYSA-K chloro(dimethyl)alumane;dichloro(methyl)alumane Chemical compound C[Al](C)Cl.C[Al](Cl)Cl HYZXMVILOKSUKA-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical group CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAKQLTYPVIOBZ-UHFFFAOYSA-N tritert-butylalumane Chemical compound CC(C)(C)[Al](C(C)(C)C)C(C)(C)C RTAKQLTYPVIOBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
1. Способ получения триалкильных соединений галлия общей формулы RGa, в которой R обозначает C-C-алкильную группу, который включает стадии:a) реакции трихлорида галлия (GaCl) с алкильным соединением алюминия типа RAlCl(где R обозначает C-C-алкильную группу, a=1, 2 или 3, b=0, 1 или 2 и сумма a+b=3) в присутствии по меньшей мере двух галогенидов щелочных металлов, использующихся в качестве вспомогательного основания;b) нагревания реакционной смеси до температуры, находящейся в диапазоне от 120 до 250°C, и одновременного выделения образующегося триалкильного соединения галлия (RGa) из реакционной смеси с помощью сепаратора, где сепаратор работает при температуре, которая более чем на 30°C, предпочтительно более чем на 60°C ниже температуры кипения наиболее летучего частично алкилированного продукта типа RGaCl(где R обозначает C-C-алкильную группу, с, d=1 или 2 и c+d=3), образующегося в реакционной смеси.2. Способ по п. 1, который дополнительно включает стадиюc) нагревания реакционной смеси до температуры, находящейся в диапазоне от 165 до 350°C, и выделения из реакционной смеси оставшегося триалкильного соединения галлия (RGa) и частично алкилированных продуктов (RGaCl).3. Способ по п. 1 или 2, который дополнительно включает стадиюd) повторного использования на стадии а) в реакционной смеси частично алкилированных продуктов типа RGaCl, полученных на стадии с).4. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии а) трихлорид галлия (GaCl) полностью или частично заменен повторно использующимися частично алкилированными продуктами типа RGaCl.5. Способ по п. 1 или 2, в котором алкильное соединение алюминия типа RAlClвыбрано из группы, включающей триалкильные соединения алюминия (RAl), диалкиль
Claims (24)
1. Способ получения триалкильных соединений галлия общей формулы R3Ga, в которой R обозначает C1-C5-алкильную группу, который включает стадии:
a) реакции трихлорида галлия (GaCl3) с алкильным соединением алюминия типа RaAlClb (где R обозначает C1-C5-алкильную группу, a=1, 2 или 3, b=0, 1 или 2 и сумма a+b=3) в присутствии по меньшей мере двух галогенидов щелочных металлов, использующихся в качестве вспомогательного основания;
b) нагревания реакционной смеси до температуры, находящейся в диапазоне от 120 до 250°C, и одновременного выделения образующегося триалкильного соединения галлия (R3Ga) из реакционной смеси с помощью сепаратора, где сепаратор работает при температуре, которая более чем на 30°C, предпочтительно более чем на 60°C ниже температуры кипения наиболее летучего частично алкилированного продукта типа RcGaCld (где R обозначает C1-C5-алкильную группу, с, d=1 или 2 и c+d=3), образующегося в реакционной смеси.
2. Способ по п. 1, который дополнительно включает стадию
c) нагревания реакционной смеси до температуры, находящейся в диапазоне от 165 до 350°C, и выделения из реакционной смеси оставшегося триалкильного соединения галлия (R3Ga) и частично алкилированных продуктов (RcGaCld).
3. Способ по п. 1 или 2, который дополнительно включает стадию
d) повторного использования на стадии а) в реакционной смеси частично алкилированных продуктов типа RcGaCld, полученных на стадии с).
4. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии а) трихлорид галлия (GaCl3) полностью или частично заменен повторно использующимися частично алкилированными продуктами типа RcGaCld.
5. Способ по п. 1 или 2, в котором алкильное соединение алюминия типа RaAlClb выбрано из группы, включающей триалкильные соединения алюминия (R3Al), диалкильные соединения алюминия (R2AlCl), моноалкильные соединения алюминия (RAlCl2) и их смеси.
6. Способ по п. 1 или 2, в котором алкильное соединение алюминия типа RaAlClb выбрано из группы, включающей сесквихлориды алкилалюминия (R3Al2Cl3, т.е. смеси R2AlCl и RAlCl2).
7. Способ по п. 1 или 2, который на последующей стадии дополнительно включает тщательную очистку триалкильного соединения галлия, указанной тщательной очисткой предпочтительно является ректификация и/или перегонка.
8. Способ по п. 1 или 2, в котором R обозначает метильную, этильную, н-пропильную, изопропильную, н-бутильную, изобутильную или трет-бутильную группу, предпочтительно метильную или этильную группу.
9. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии b) сепаратор работает при атмосферном давлении (1±0,2) бар или при пониженном давлении, равном до 10-3.
10. Способ по п. 1, в котором на стадии c) оставшееся триалкильное соединение галлия (R3Ga) и частично алкилированные продукты выделяют из реакционной смеси при пониженном давлении, находящемся в диапазоне от 10-3 до 10-6 бар (от 1 до 10-3 мбар).
11. Способ по п. 1 или 2, в котором в качестве алкильного соединения алюминия используют сесквихлорид метилалюминия [(CH3)3Al2Cl3], сесквихлорид этилалюминия [(C2H5)3Al2Cl3)], триметилалюминий [(CH3)3Al], триэтилалюминий [(C2H5)3Al] или три-трет-бутилалюминий [((CH3)3C)3Al].
12. Способ по п. 1 или 2, в котором в качестве сепаратора используют нагреваемый элемент для разделения или нагреваемую колонку с насадкой.
13. Способ по п. 1 или 2, в котором сепаратор работает при температуре, которая на 5-40°C, предпочтительно на 10-25°C выше температуры кипения триалкильного соединения галлия R3Ga, образующегося в реакционной смеси.
14. Способ по п. 1 или 2, в котором триалкильным соединением галлия является триметилгаллий и сепаратор работает при температуре, находящейся в диапазоне от 60 до 90°C, предпочтительно при температуре, находящейся в диапазоне от 70 до 80°C.
15. Способ по п. 1 или 2, в котором триалкильным соединением галлия является триэтилгаллий и сепаратор работает при пониженном давлении, находящемся в диапазоне до 1 мбар (10 бар), при температуре, находящейся в диапазоне от 100 до 160°C, предпочтительно при температуре, находящейся в диапазоне от 100 до 150°C.
16. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии а) в качестве вспомогательного основания используют по меньшей мере два хлорида щелочных металлов, предпочтительно смесь хлорида натрия (NaCl) и хлорида калия (KCl).
17. Способ по п. 1 или 2, в котором во вспомогательном основании отношение количества молей NaCl к количеству молей KCl находится в диапазоне от 6:3 до 8:3, предпочтительно составляет 7:3.
18. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии b) расплав соли, который является жидким при температуре проведения реакции, образуется из вспомогательного основания в комбинации с содержащим алюминий продуктом реакции.
19. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии а) отношение количества эквивалентов использующегося вспомогательного основания к количеству эквивалентов использующегося алкильного соединения алюминия находится в диапазоне от 0,5:1 до 3:1, предпочтительно в диапазоне от 0,75:1 до 2,5:1.
20. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии а) используют от 1 до 5 экв., предпочтительно от 1 до 3 экв. алкильного соединения алюминия в пересчете на 1 экв. трихлорида галлия.
21. Способ по п. 1 или 2, в котором по меньшей мере стадии а) и b) проводят в непрерывном режиме в подходящих реакторах.
22. Способ по п. 1 или 2, в котором на стадии b) частично алкилированные продукты типа RcGaCld (где R обозначает C1-C5-алкильную группу, с, d=1 или 2 и c+d=3) рециркулируют в реакционную смесь с помощью сепаратора.
23. Способ по п. 1 или 2, в котором триалкильное соединение галлия (R3Ga) получают с непосредственными выходами, находящимися в диапазоне от 60 до 90%.
24. Применение триалкильных соединений галлия, полученных способом по любому из п.п. 1-22, в качестве металлорганических исходных веществ для химического осаждения из паровой фазы (МОХПФ).
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011119487.1 | 2011-11-28 | ||
| DE102011119487 | 2011-11-28 | ||
| DE201210013941 DE102012013941A1 (de) | 2012-07-16 | 2012-07-16 | Verfahren zur Herstellung von Galliumtrialkylverbindungen |
| DE102012013941.1 | 2012-07-16 | ||
| PCT/EP2012/073772 WO2013083450A1 (en) | 2011-11-28 | 2012-11-28 | Process for preparing trialkylgallium compounds |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014126213A true RU2014126213A (ru) | 2016-01-27 |
Family
ID=47278289
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014126212A RU2014126212A (ru) | 2011-11-28 | 2012-11-28 | Способ получения триалкильных соединений металлов группы iiiа |
| RU2014126213A RU2014126213A (ru) | 2011-11-28 | 2012-11-28 | Способ получения триалкильных соединений галлия |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014126212A RU2014126212A (ru) | 2011-11-28 | 2012-11-28 | Способ получения триалкильных соединений металлов группы iiiа |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9108985B2 (ru) |
| EP (2) | EP2785725B1 (ru) |
| JP (6) | JP6165160B2 (ru) |
| KR (3) | KR102071084B1 (ru) |
| CN (5) | CN109456345A (ru) |
| IN (1) | IN2014CN02940A (ru) |
| RU (2) | RU2014126212A (ru) |
| TW (2) | TWI632151B (ru) |
| WO (2) | WO2013083450A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI632151B (zh) | 2011-11-28 | 2018-08-11 | 烏明克股份有限兩合公司 | 第iiia族金屬的三烷基化合物之製法 |
| US8513447B1 (en) * | 2012-02-01 | 2013-08-20 | Chemtura Corporation | Preparation of tri-alkyl gallium or tri-alkyl indium compounds |
| RU2016110114A (ru) | 2013-08-22 | 2018-11-23 | Умикоре Аг Унд Ко. Кг | Способ получения алкилиндиевых соединений и их применение |
| JP6541657B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2019-07-10 | ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフトＵｍｉｃｏｒｅ ＡＧ ＆ Ｃｏ．ＫＧ | アルキルインジウム化合物の製造方法及びその使用 |
| JP6413801B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2018-10-31 | 宇部興産株式会社 | トリアルキルガリウムの製造方法 |
| EP3613748B1 (de) | 2014-03-14 | 2021-11-10 | Umicore Ag & Co. Kg | Verfahren zur herstellung von trialkylgallium-verbindungen |
| EP3409676B1 (de) * | 2017-05-29 | 2020-10-14 | Umicore Ag & Co. Kg | Herstellung von trialkylindiumverbindungen in gegenwart von carboxylaten |
| KR102228897B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2021-03-17 | 누리온 케미칼즈 인터내셔널 비.브이. | 갈륨 클로라이드의 저장 및/또는 수송 방법 |
| WO2019115377A1 (en) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Process for purification of dimethyl aluminium chloride |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL264689A (ru) | 1960-05-14 | |||
| US5043462A (en) * | 1989-04-28 | 1991-08-27 | Messer Greisheim | Process for the production of gallium-alkyl compounds |
| DE4005726A1 (de) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zur herstellung von galliumalkylverbindungen |
| US5473090A (en) | 1992-07-02 | 1995-12-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for the preparation of trialkyl compounds of group 3a metals |
| US5350869A (en) | 1993-07-27 | 1994-09-27 | Cvd, Incorporated | Purification of trialkylgallium, synthesis of trialkylgallium |
| US5756786A (en) | 1997-06-25 | 1998-05-26 | Morton International, Inc. | High purity trimethylindium, method of synthesis |
| JP2000005503A (ja) | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Nippon Shokubai Co Ltd | 反応蒸留装置および反応蒸留方法 |
| GB2344822A (en) | 1998-12-19 | 2000-06-21 | Epichem Ltd | Organometallic compound production using distillation |
| GB0017968D0 (en) | 2000-07-22 | 2000-09-13 | Epichem Ltd | An improved process and apparatus for the isolation of pure,or substantially pure,organometallic compounds |
| KR100852361B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2008-08-14 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 트리알킬 ｖａ족 금속 화합물 |
| US6770769B2 (en) | 2002-04-06 | 2004-08-03 | Shipley Company, L.L.C. | Trialkylindium preparation |
| JP4054997B2 (ja) | 2003-06-19 | 2008-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 高純度アルキルガリウムの製造方法 |
| TW200619222A (en) | 2004-09-02 | 2006-06-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making organometallic compounds |
| JP4470682B2 (ja) | 2004-10-13 | 2010-06-02 | 住友化学株式会社 | トリメチルガリウムの製造方法 |
| JP4774776B2 (ja) | 2005-03-23 | 2011-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | トリアルキルガリウムの製造方法 |
| US7667063B2 (en) | 2005-03-23 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Method for producing trialkyl gallium |
| CN1872861A (zh) | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 | 三甲基镓生产方法及设备 |
| CN1872862A (zh) | 2005-06-03 | 2006-12-06 | 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 | 三甲基镓制备和提纯方法 |
| JP4784729B2 (ja) | 2005-06-09 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | トリメチルガリウムの製造方法 |
| JP2009007786A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Miracle Three Corporation | 階段室型共同住宅の増築方法及びこの方法で増築された建築物 |
| US20090054717A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd. | Method of Producing 3,4-Diacyloxy-1-Butene |
| US20090149008A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-06-11 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing group iii/v compounds |
| JP2009126835A (ja) | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Ube Ind Ltd | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 |
| JP5423039B2 (ja) | 2009-02-23 | 2014-02-19 | 宇部興産株式会社 | 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法 |
| TWI632151B (zh) | 2011-11-28 | 2018-08-11 | 烏明克股份有限兩合公司 | 第iiia族金屬的三烷基化合物之製法 |
-
2012
- 2012-11-27 TW TW106104275A patent/TWI632151B/zh active
- 2012-11-27 TW TW101144306A patent/TWI632149B/zh active
- 2012-11-28 CN CN201811396095.8A patent/CN109456345A/zh active Pending
- 2012-11-28 US US13/261,859 patent/US9108985B2/en active Active
- 2012-11-28 WO PCT/EP2012/073772 patent/WO2013083450A1/en active Application Filing
- 2012-11-28 KR KR1020147011627A patent/KR102071084B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-28 IN IN2940CHN2014 patent/IN2014CN02940A/en unknown
- 2012-11-28 US US14/358,069 patent/US9695201B2/en active Active
- 2012-11-28 RU RU2014126212A patent/RU2014126212A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-11-28 KR KR1020207012873A patent/KR102231740B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-28 JP JP2014542886A patent/JP6165160B2/ja active Active
- 2012-11-28 CN CN201280058149.4A patent/CN103958529A/zh active Pending
- 2012-11-28 EP EP12798251.0A patent/EP2785725B1/en active Active
- 2012-11-28 EP EP12794701.8A patent/EP2785724B1/en active Active
- 2012-11-28 RU RU2014126213A patent/RU2014126213A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-11-28 WO PCT/EP2012/073771 patent/WO2013083449A1/en active Application Filing
- 2012-11-28 CN CN201810250898.6A patent/CN108341834B/zh active Active
- 2012-11-28 KR KR1020147011622A patent/KR102109904B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-28 JP JP2014542885A patent/JP6165159B2/ja active Active
- 2012-11-28 CN CN201710084832.XA patent/CN107021973A/zh active Pending
- 2012-11-28 CN CN201280058143.7A patent/CN103958528A/zh active Pending
-
2017
- 2017-03-21 JP JP2017054179A patent/JP6679527B2/ja active Active
- 2017-03-21 JP JP2017054178A patent/JP6644726B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-08 JP JP2019203284A patent/JP6983851B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-29 JP JP2021124454A patent/JP2021169529A/ja active Pending
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014126213A (ru) | Способ получения триалкильных соединений галлия | |
| US8513447B1 (en) | Preparation of tri-alkyl gallium or tri-alkyl indium compounds | |
| JP5423039B2 (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法 | |
| JP6890649B2 (ja) | トリアルキルガリウム化合物の調製及びその使用 | |
| RU2016110113A (ru) | Способ получения алкилиндиевых соединений и их применение |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20151130 |