RU2013131015A - Солнечный элемент и модуль солнечного элемента - Google Patents
Солнечный элемент и модуль солнечного элемента Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013131015A RU2013131015A RU2013131015/28A RU2013131015A RU2013131015A RU 2013131015 A RU2013131015 A RU 2013131015A RU 2013131015/28 A RU2013131015/28 A RU 2013131015/28A RU 2013131015 A RU2013131015 A RU 2013131015A RU 2013131015 A RU2013131015 A RU 2013131015A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- cell according
- silicon
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Солнечный элемент, содержащий подложку на основе кристаллического кремния одного типа проводимости, имеющую светопринимающую поверхность, эмиттерный слой, образованный со стороны светопринимающей поверхности подложки, и имеющую легирующую примесь противоположного типа проводимости, добавляемую к ней, пассивирующую пленку, образованную на поверхности подложки, вытягивающий электрод для вытягивания фотогенерированного заряда из кремниевой подложки, и коллекторный электрод, находящийся в контакте, по меньшей мере, с частью вытягивающего электрода, для накопления заряда, вытянутого вытягивающим электродом, отличающийся тем, что вытягивающий электрод включает первый электрод в форме спеченной проводящей пасты, содержащей легирующую примесь, для придания проводимости кремнию, причем, по меньшей мере, первый электрод сформирован таким образом, чтобы он проникал сквозь пассивирующий слой, а коллекторный электрод включает в себя второй электрод, обладающий более высокой проводимостью, чем первый электрод.2. Солнечный элемент по п.1, в котором ниже границы раздела между эмиттерным слоем кремниевой подложки и первым электродом сформирована самолегированная область, образованная в результате диффузии легирующей примеси в первом электроде в ходе этапа спекания.3. Солнечный элемент по п. 1, в котором самолегированная область обладает более низким удельным электросопротивлением, чем прилегающий к ней эмиттерный слой.4. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод образован из проводящей пасты на основе Ag и содержит в качестве легирующей примеси B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или в виде их соеди
Claims (20)
1. Солнечный элемент, содержащий подложку на основе кристаллического кремния одного типа проводимости, имеющую светопринимающую поверхность, эмиттерный слой, образованный со стороны светопринимающей поверхности подложки, и имеющую легирующую примесь противоположного типа проводимости, добавляемую к ней, пассивирующую пленку, образованную на поверхности подложки, вытягивающий электрод для вытягивания фотогенерированного заряда из кремниевой подложки, и коллекторный электрод, находящийся в контакте, по меньшей мере, с частью вытягивающего электрода, для накопления заряда, вытянутого вытягивающим электродом, отличающийся тем, что вытягивающий электрод включает первый электрод в форме спеченной проводящей пасты, содержащей легирующую примесь, для придания проводимости кремнию, причем, по меньшей мере, первый электрод сформирован таким образом, чтобы он проникал сквозь пассивирующий слой, а коллекторный электрод включает в себя второй электрод, обладающий более высокой проводимостью, чем первый электрод.
2. Солнечный элемент по п.1, в котором ниже границы раздела между эмиттерным слоем кремниевой подложки и первым электродом сформирована самолегированная область, образованная в результате диффузии легирующей примеси в первом электроде в ходе этапа спекания.
3. Солнечный элемент по п. 1, в котором самолегированная область обладает более низким удельным электросопротивлением, чем прилегающий к ней эмиттерный слой.
4. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод образован из проводящей пасты на основе Ag и содержит в качестве легирующей примеси B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или в виде их соединений или их сочетания.
5. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод частично контактирует или полностью покрыт вторым электродом.
6. Солнечный элемент по любому из пп. 1-5, в котором вытягивающий электрод имеет структуру ламината, состоящую из первого и второго электродов, а коллекторный электрод имеет монослойную структуру, состоящую из второго электрода.
7. Солнечный элемент по любому из пп. 1-5, в котором каждый из электродов, вытягивающий и коллекторный, имеет структуру ламината, состоящую из первого и второго электродов.
8. Солнечный элемент по любому из пп. 1-5, в котором вытягивающий электрод состоит из первого электрода, а коллекторный электрод состоит из второго электрода.
9. Солнечный элемент по п. 1, в котором пассивирующая пленка содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, оксид алюминия, аморфный кремний, микрокристаллический кремний или оксид титана или их сочетания.
10. Солнечный элемент, содержащий подложку на основе кристаллического кремния, имеющую несветопринимающую поверхность, пассивирующую пленку, образованную на несветопринимающей поверхности подложки, вытягивающий электрод для вытягивания фотогенерированного заряда из кремниевой подложки и коллекторный электрод, расположенный, по меньшей мере, частично в контакте с вытягивающим электродом для накопления заряда, улавливаемого в вытягивающем электроде, отличающийся тем, что вытягивающий электрод включает первый электрод в форме спеченной проводящей пасты, содержащей легирующую примесь для придания проводимости кремнию, причем, по меньшей мере, первый электрод сформирован таким образом, чтобы он проникал сквозь пассивирующий слой, а коллекторный электрод включает второй электрод, обладающий более высокой проводимостью, чем первый электрод.
11. Солнечный элемент по п. 10, в котором на устройстве сопряжения между кремниевой подложкой и первым электродом образована самолегированная область в результате диффузии легирующей примеси в первом электроде в ходе этапа спекания.
12. Солнечный элемент по п. 10, в котором самолегированная область обладает более низким удельным электросопротивлением, чем не самолегированная область, расположенная рядом с ней.
13. Солнечный элемент по п. 10, в котором первый электрод образован из проводящей пасты на основе Ag и содержит B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или в виде их соединений или их сочетания.
14. Солнечный элемент по п. 10, в котором первый электрод частично контактирует или полностью покрыт вторым электродом.
15. Солнечный элемент по любому из пп. 10-14, в котором вытягивающий электрод имеет структуру ламината, состоящую из первого и второго электродов, а коллекторный электрод имеет монослойную структуру, состоящую из второго электрода.
16. Солнечный элемент по любому из пп. 10-14, в котором каждый из электродов, вытягивающий электрод и коллекторный, имеют структуру ламината, состоящую из первого и второго электродов.
17. Солнечный элемент по любому из пп. 10-14, в котором вытягивающий электрод состоит из первого электрода, а коллекторный электрод состоит из второго электрода.
18. Солнечный элемент по п. 10, в котором пассивирующая пленка содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, оксид алюминия, аморфный кремний, микрокристаллический кремний или оксид титана или их сочетания.
19. Модуль солнечного элемента, содержащий электрически соединенные солнечные элементы по п. 1.
20. Модуль солнечного элемента, содержащий электрически соединенные солнечные элементы по п. 10.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-271619 | 2010-12-06 | ||
| JP2010271619 | 2010-12-06 | ||
| PCT/JP2011/077784 WO2012077567A1 (ja) | 2010-12-06 | 2011-12-01 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013131015A true RU2013131015A (ru) | 2015-01-20 |
| RU2571444C2 RU2571444C2 (ru) | 2015-12-20 |
Family
ID=46207057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013131015/28A RU2571444C2 (ru) | 2010-12-06 | 2011-12-01 | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20130247957A1 (ru) |
| EP (1) | EP2650923B1 (ru) |
| JP (1) | JP5541370B2 (ru) |
| KR (1) | KR101917879B1 (ru) |
| CN (1) | CN103329280B (ru) |
| CA (1) | CA2820002A1 (ru) |
| MY (1) | MY170106A (ru) |
| RU (1) | RU2571444C2 (ru) |
| SG (1) | SG191044A1 (ru) |
| TW (1) | TWI587534B (ru) |
| WO (1) | WO2012077567A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9293624B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-03-22 | Sunpower Corporation | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
| US9263601B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-02-16 | Sunpower Corporation | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact |
| KR102032280B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2019-10-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물 |
| US20160104810A1 (en) * | 2013-05-13 | 2016-04-14 | Kaneka Corporation | Solar cell module and method for producing same |
| WO2014189058A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法、並びに太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2015050349A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池素子およびその製造方法並びにファイヤースルー用アルミニウムペースト |
| TW201511300A (zh) * | 2013-09-11 | 2015-03-16 | Inst Nuclear Energy Res Atomic Energy Council | 具有摻雜矽或硼原子之鋁金屬電極之製備方法 |
| KR101867855B1 (ko) | 2014-03-17 | 2018-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| JP6388707B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2018-09-12 | トリナ ソーラー エナジー デベロップメント ピーティーイー リミテッド | ハイブリッド全バックコンタクト太陽電池及びその製造方法 |
| CN104241454B (zh) * | 2014-09-25 | 2017-04-05 | 上海联孚新能源科技集团有限公司 | 一种提高太阳能电池转化效率的方法 |
| JP6502651B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| US10061449B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-28 | Apple Inc. | Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus |
| CN110100317B (zh) * | 2016-12-13 | 2022-09-30 | 信越化学工业株式会社 | 高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统 |
| CN110047952A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-23 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种太阳能电池Al栅线结构及其制备方法 |
| CN113016091A (zh) * | 2019-10-18 | 2021-06-22 | 株式会社安能科多科技 | 元件 |
| CN111739985B (zh) * | 2020-08-21 | 2021-01-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其选择性发射极的制备方法 |
| CN113644145B (zh) * | 2021-10-18 | 2022-02-18 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536998A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 電極の形成方法 |
| JP2928433B2 (ja) * | 1993-02-23 | 1999-08-03 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| BR9610739A (pt) | 1995-10-05 | 1999-07-13 | Ebara Sola Inc | Célula solar e processo para sua fabricação |
| JP2000138386A (ja) | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法およびこの方法で製造された太陽電池 |
| US6632730B1 (en) * | 1999-11-23 | 2003-10-14 | Ebara Solar, Inc. | Method for self-doping contacts to a semiconductor |
| EP1276701B1 (de) | 2000-04-28 | 2012-12-05 | Merck Patent GmbH | Ätzpasten für anorganische oberflächen |
| JP2002217434A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池用インターコネクターおよびストリング |
| JP2004273826A (ja) | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP4121928B2 (ja) | 2003-10-08 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| DE112004002853B4 (de) * | 2004-05-07 | 2010-08-26 | Mitsubishi Denki K.K. | Verfahren zum Herstellen einer Solarbatterie |
| JP4557622B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の接続構造及びこれを含む太陽電池モジュール |
| JP4780953B2 (ja) | 2004-11-29 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール |
| US7435361B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2008204967A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-09-04 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| JP2007096040A (ja) | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| US7765949B2 (en) * | 2005-11-17 | 2010-08-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extrusion/dispensing systems and methods |
| JP2007214372A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP4963866B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-06-27 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| TWI487124B (zh) * | 2006-08-25 | 2015-06-01 | Sanyo Electric Co | 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法 |
| WO2009013307A2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Universität Konstanz | Method for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter as well as a corresponding solar cell |
| US8309844B2 (en) * | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
| JP4610630B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法 |
| US20090250108A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation |
| KR100974221B1 (ko) | 2008-04-17 | 2010-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| JP5172480B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
| TWI423462B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-01-11 | Ind Tech Res Inst | 矽晶太陽電池之背面電極製造方法 |
| US20110217809A1 (en) * | 2008-11-14 | 2011-09-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Inks and pastes for solar cell fabricaton |
| KR100993511B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2010-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| KR101002282B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2010-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| KR101009422B1 (ko) * | 2009-04-14 | 2011-01-19 | (유)에스엔티 | 태양전지의 제조 방법 |
| EP2432024A4 (en) * | 2009-04-14 | 2013-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | PHOTOVOLTAIC ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8586129B2 (en) * | 2010-09-01 | 2013-11-19 | Solarworld Innovations Gmbh | Solar cell with structured gridline endpoints and vertices |
-
2011
- 2011-12-01 SG SG2013043831A patent/SG191044A1/en unknown
- 2011-12-01 CA CA2820002A patent/CA2820002A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-01 US US13/991,978 patent/US20130247957A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-01 WO PCT/JP2011/077784 patent/WO2012077567A1/ja active Application Filing
- 2011-12-01 JP JP2012547809A patent/JP5541370B2/ja active Active
- 2011-12-01 MY MYPI2013002043A patent/MY170106A/en unknown
- 2011-12-01 EP EP11846590.5A patent/EP2650923B1/en active Active
- 2011-12-01 KR KR1020137017430A patent/KR101917879B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-01 RU RU2013131015/28A patent/RU2571444C2/ru active
- 2011-12-01 CN CN201180065728.7A patent/CN103329280B/zh active Active
- 2011-12-06 TW TW100144862A patent/TWI587534B/zh active
-
2015
- 2015-10-23 US US14/921,473 patent/US9887312B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG191044A1 (en) | 2013-08-30 |
| US20160079466A1 (en) | 2016-03-17 |
| TWI587534B (zh) | 2017-06-11 |
| JP5541370B2 (ja) | 2014-07-09 |
| WO2012077567A1 (ja) | 2012-06-14 |
| US9887312B2 (en) | 2018-02-06 |
| MY170106A (en) | 2019-07-05 |
| KR101917879B1 (ko) | 2018-11-13 |
| JPWO2012077567A1 (ja) | 2014-05-19 |
| EP2650923A1 (en) | 2013-10-16 |
| KR20130138285A (ko) | 2013-12-18 |
| CN103329280B (zh) | 2017-02-08 |
| CN103329280A (zh) | 2013-09-25 |
| US20130247957A1 (en) | 2013-09-26 |
| EP2650923B1 (en) | 2021-06-02 |
| RU2571444C2 (ru) | 2015-12-20 |
| TW201240115A (en) | 2012-10-01 |
| EP2650923A4 (en) | 2017-11-22 |
| CA2820002A1 (en) | 2012-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013131015A (ru) | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента | |
| US10084107B2 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
| RU2013131017A (ru) | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента | |
| ES2454316T3 (es) | Célula fotovoltaica de heterounión con doble de dopaje y procedimiento de fabricación | |
| RU2012115464A (ru) | Солнечный элемент, способ изготовления солнечного элемента и модуль солнечных элементов | |
| US20100243042A1 (en) | High-efficiency photovoltaic cells | |
| CN107369726B (zh) | n型晶体硅双面太阳电池 | |
| JP2005101427A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
| TWM527159U (zh) | 異質接面太陽能電池結構 | |
| KR101642158B1 (ko) | 태양 전지 모듈 | |
| CN103400868A (zh) | 一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构 | |
| CN203325916U (zh) | 一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构 | |
| KR101371865B1 (ko) | 태양전지의 전면전극 구조 및 그 제조방법 | |
| CN102201480A (zh) | 基于n型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池 | |
| CN102263156A (zh) | 一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术 | |
| CN107785444B (zh) | 太阳能电池 | |
| CN210073868U (zh) | 一种选择性增强正面钝化的perc太阳能电池 | |
| KR101310518B1 (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN107924958B (zh) | 光电转换元件 | |
| KR20200033569A (ko) | ＣｕＩ 이중 박막 증착 방법 및 이를 이용한 태양전지 | |
| CN214043683U (zh) | 光伏电池片及光伏组件 | |
| CN103367550B (zh) | 一种背接触太阳电池及其制备方法 | |
| KR101979843B1 (ko) | 태양전지 | |
| CN202405278U (zh) | 一种高效晶体硅太阳电池 | |
| CN203760491U (zh) | 一种mwt太阳电池 |