RU2013131017A - Солнечный элемент и модуль солнечного элемента - Google Patents
Солнечный элемент и модуль солнечного элемента Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013131017A RU2013131017A RU2013131017/28A RU2013131017A RU2013131017A RU 2013131017 A RU2013131017 A RU 2013131017A RU 2013131017/28 A RU2013131017/28 A RU 2013131017/28A RU 2013131017 A RU2013131017 A RU 2013131017A RU 2013131017 A RU2013131017 A RU 2013131017A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- contact
- silicon substrate
- electrodes
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Солнечный элемент, содержащий кристаллическую кремниевую подложку, имеющую, по меньшей мере, p-n переход, пассивирующую пленку, сформированную на ней, и электроды, сформированные на ней путем печатания и термообработки проводящей пасты, отличающийся тем, что электроды включают в себя первый электрод, который сформирован таким образом, чтобы вытягивающий электрод мог контактировать с кремниевой подложкой для вытягивания фотогенерированных носителей из кремниевой подложки, и второй электрод, который сформирован таким образом, чтобы коллекторный электрод мог контактировать с первым электродом для накопления носителей, вытянутых первым электродом, а второй электрод и кремниевая подложка могли контактировать только частично или вообще нигде, по меньшей мере, вне точки контакта между первым и вторым электродами.2. Солнечный элемент по п. 1, в котором область, в которой отсутствует контакт между вторым электродом и кремниевой подложкой, за исключением области контакта между первым и вторым электродами, составляет, по меньшей мере, 20% от области, равной области, образованной шириной и общей длиной второго электрода минус область контакта между первым и вторым электродами.3. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод частично контактирует или полностью покрыт вторым электродом.4. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод образован из проводящей пасты, содержащей B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или их соединения, а область, обладающая высокой концентрацией элемента, диффундированного в ней, включена в кремниевую подложку под первым электродом.5. Солнечный элемент по п. 1, в котором пассивир
Claims (7)
1. Солнечный элемент, содержащий кристаллическую кремниевую подложку, имеющую, по меньшей мере, p-n переход, пассивирующую пленку, сформированную на ней, и электроды, сформированные на ней путем печатания и термообработки проводящей пасты, отличающийся тем, что электроды включают в себя первый электрод, который сформирован таким образом, чтобы вытягивающий электрод мог контактировать с кремниевой подложкой для вытягивания фотогенерированных носителей из кремниевой подложки, и второй электрод, который сформирован таким образом, чтобы коллекторный электрод мог контактировать с первым электродом для накопления носителей, вытянутых первым электродом, а второй электрод и кремниевая подложка могли контактировать только частично или вообще нигде, по меньшей мере, вне точки контакта между первым и вторым электродами.
2. Солнечный элемент по п. 1, в котором область, в которой отсутствует контакт между вторым электродом и кремниевой подложкой, за исключением области контакта между первым и вторым электродами, составляет, по меньшей мере, 20% от области, равной области, образованной шириной и общей длиной второго электрода минус область контакта между первым и вторым электродами.
3. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод частично контактирует или полностью покрыт вторым электродом.
4. Солнечный элемент по п. 1, в котором первый электрод образован из проводящей пасты, содержащей B, Al, Ga, P, As, In или Sb в свободном состоянии или их соединения, а область, обладающая высокой концентрацией элемента, диффундированного в ней, включена в кремниевую подложку под первым электродом.
5. Солнечный элемент по п. 1, в котором пассивирующая пленка содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбид кремния, оксид алюминия, аморфный кремний, микрокристаллический кремний или оксид титана, или их сочетания.
6. Солнечный элемент по п. 1, в котором коллекторный электрод, содержащий скомбинированные первый и второй электроды, образован на светопринимающей поверхности или не светопринимающей поверхности солнечного элемента или на них обеих.
7. Модуль солнечного элемента, содержащий электрически соединенные солнечные элементы по любому из пп. 1-6.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-271659 | 2010-12-06 | ||
| JP2010271659 | 2010-12-06 | ||
| PCT/JP2011/077787 WO2012077568A1 (ja) | 2010-12-06 | 2011-12-01 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013131017A true RU2013131017A (ru) | 2015-01-20 |
| RU2571167C2 RU2571167C2 (ru) | 2015-12-20 |
Family
ID=46207058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013131017/28A RU2571167C2 (ru) | 2010-12-06 | 2011-12-01 | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9224888B2 (ru) |
| EP (1) | EP2650926B1 (ru) |
| JP (1) | JP5626361B2 (ru) |
| KR (1) | KR101847470B1 (ru) |
| CN (1) | CN103329279B (ru) |
| CA (1) | CA2820034A1 (ru) |
| MY (1) | MY164543A (ru) |
| RU (1) | RU2571167C2 (ru) |
| SG (1) | SG191045A1 (ru) |
| TW (1) | TWI521724B (ru) |
| WO (1) | WO2012077568A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5275415B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法 |
| KR102018652B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2019-09-05 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| JP5677404B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2015-02-25 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セル |
| JP2015130406A (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
| KR101867855B1 (ko) | 2014-03-17 | 2018-06-15 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| JP2016092238A (ja) * | 2014-11-05 | 2016-05-23 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP6628196B2 (ja) * | 2016-01-05 | 2020-01-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP7064823B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2022-05-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN108074999A (zh) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 镇江大全太阳能有限公司 | 一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法 |
| RU172396U1 (ru) * | 2016-12-28 | 2017-07-06 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Солнечный элемент |
| CN110337423A (zh) | 2017-03-24 | 2019-10-15 | 贺利氏贵金属北美康舍霍肯有限责任公司 | 用于导电膏组合物的低蚀刻和非接触式玻璃 |
| CN109065639A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-21 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件 |
| CN112786734A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池组件生产方法及太阳能电池组件 |
| CN114284381A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-04-05 | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 | 异质结太阳能电池及其制作方法 |
| CN113725307B (zh) | 2021-08-27 | 2024-02-06 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 光伏电池片、电池组件及制备工艺 |
| CN113921622B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-04-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电池片基板、光伏电池、光伏电池组件及其组装方法 |
| CN115579423B (zh) * | 2022-10-19 | 2024-07-09 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 丝网印刷不良电池片的处理方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1648224C (ru) * | 1988-12-20 | 1995-01-09 | Научно-производственное предприятие "Сатурн" | Способ изготовления фотопреобразователя |
| JPH0536998A (ja) | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 電極の形成方法 |
| JP2928433B2 (ja) | 1993-02-23 | 1999-08-03 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| CA2232857C (en) * | 1995-10-05 | 2003-05-13 | Jalal Salami | Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (salde) solar cell |
| JP2000138386A (ja) | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法およびこの方法で製造された太陽電池 |
| US6632730B1 (en) | 1999-11-23 | 2003-10-14 | Ebara Solar, Inc. | Method for self-doping contacts to a semiconductor |
| AU4251001A (en) | 2000-04-28 | 2001-11-12 | Merck Patent Gmbh | Etching pastes for inorganic surfaces |
| JP2002217434A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池用インターコネクターおよびストリング |
| JP2004273826A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP4121928B2 (ja) | 2003-10-08 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| JP4557622B2 (ja) | 2004-07-29 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の接続構造及びこれを含む太陽電池モジュール |
| JP4780953B2 (ja) | 2004-11-29 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子及び、これを用いた太陽電池モジュール |
| JP2008204967A (ja) | 2005-05-31 | 2008-09-04 | Naoetsu Electronics Co Ltd | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| JP2007096040A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| US7765949B2 (en) * | 2005-11-17 | 2010-08-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Extrusion/dispensing systems and methods |
| JP4963866B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-06-27 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| TWI487124B (zh) | 2006-08-25 | 2015-06-01 | Sanyo Electric Co | 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法 |
| US20100018565A1 (en) * | 2007-01-25 | 2010-01-28 | Yasushi Funakoshi | Solar cell, solar cell array and solar cell module, and method of fabricating solar cell array |
| ES2505322T3 (es) * | 2007-07-26 | 2014-10-09 | Universität Konstanz | Método para producir una célula solar de silicio con un emisor decapado por grabado así como una célula solar correspondiente |
| RU2357325C1 (ru) * | 2007-10-29 | 2009-05-27 | Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) | Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления |
| JP4610630B2 (ja) | 2008-03-31 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法 |
| US20090250108A1 (en) | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation |
| KR100994924B1 (ko) * | 2008-04-17 | 2010-11-19 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| KR100974221B1 (ko) * | 2008-04-17 | 2010-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 |
| JP5172480B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
| TWI423462B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-01-11 | Ind Tech Res Inst | 矽晶太陽電池之背面電極製造方法 |
| KR100993511B1 (ko) | 2008-11-19 | 2010-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| KR101002282B1 (ko) | 2008-12-15 | 2010-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| JP2010251343A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| WO2010119512A1 (ja) | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置とその製造方法 |
| US8586129B2 (en) * | 2010-09-01 | 2013-11-19 | Solarworld Innovations Gmbh | Solar cell with structured gridline endpoints and vertices |
-
2011
- 2011-12-01 CN CN201180065726.8A patent/CN103329279B/zh active Active
- 2011-12-01 KR KR1020137017730A patent/KR101847470B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-01 MY MYPI2013002040A patent/MY164543A/en unknown
- 2011-12-01 RU RU2013131017/28A patent/RU2571167C2/ru active
- 2011-12-01 EP EP11847500.3A patent/EP2650926B1/en active Active
- 2011-12-01 JP JP2012547810A patent/JP5626361B2/ja active Active
- 2011-12-01 US US13/992,015 patent/US9224888B2/en active Active
- 2011-12-01 CA CA2820034A patent/CA2820034A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-01 SG SG2013043849A patent/SG191045A1/en unknown
- 2011-12-01 WO PCT/JP2011/077787 patent/WO2012077568A1/ja active Application Filing
- 2011-12-06 TW TW100144863A patent/TWI521724B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012077568A1 (ja) | 2012-06-14 |
| KR20130140106A (ko) | 2013-12-23 |
| US20130255747A1 (en) | 2013-10-03 |
| CN103329279A (zh) | 2013-09-25 |
| KR101847470B1 (ko) | 2018-04-10 |
| US9224888B2 (en) | 2015-12-29 |
| CA2820034A1 (en) | 2012-06-14 |
| RU2571167C2 (ru) | 2015-12-20 |
| CN103329279B (zh) | 2016-11-02 |
| TW201236171A (en) | 2012-09-01 |
| MY164543A (en) | 2018-01-15 |
| EP2650926A4 (en) | 2017-11-22 |
| JPWO2012077568A1 (ja) | 2014-05-19 |
| SG191045A1 (en) | 2013-08-30 |
| TWI521724B (zh) | 2016-02-11 |
| EP2650926A1 (en) | 2013-10-16 |
| JP5626361B2 (ja) | 2014-11-19 |
| EP2650926B1 (en) | 2021-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013131017A (ru) | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента | |
| RU2013131015A (ru) | Солнечный элемент и модуль солнечного элемента | |
| JP6815533B2 (ja) | 穿孔ｐｅｒｃ両面太陽電池およびそのモジュール、システムと製造方法 | |
| JP2010103506A5 (ja) | 光電変換装置 | |
| WO2018210348A1 (zh) | 一种太阳能电池组件及太阳能电池板 | |
| US20140332074A1 (en) | Solar cell module | |
| CN103400868A (zh) | 一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构 | |
| CN203325916U (zh) | 一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构 | |
| KR101062486B1 (ko) | 발열체를 이용한 저열화 실리콘 박막 태양 전지 | |
| JP6820435B2 (ja) | 太陽光の吸収に有効なｐ型ｐｅｒｃ両面太陽電池及びその製造方法 | |
| CN102263156A (zh) | 一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术 | |
| CN107924958B (zh) | 光电转换元件 | |
| KR20100021539A (ko) | 고효율 태양전지 | |
| JP3198451U (ja) | ４本バスバー太陽電池 | |
| JP2009054727A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN202111105U (zh) | 采用电容结构的新太阳能电池结构 | |
| US20110132456A1 (en) | Solar cell integrating monocrystalline silicon and silicon-germanium film | |
| US9537021B2 (en) | Photovoltaic cell | |
| CN110854213A (zh) | 一种利用热载流子增强硅基光热电效应光电转换器 | |
| CN104952961A (zh) | 一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池 | |
| KR101650442B1 (ko) | 하이브리드 태양광 소자 | |
| CN102306676B (zh) | 一种硅基叠层太阳能电池 | |
| US20110056558A1 (en) | Solar cell | |
| KR101251878B1 (ko) | 양면 수광형 태양전지 제조 방법 | |
| CN102254968A (zh) | 采用电容结构的新太阳能薄膜电池结构 |