RU2013115831A - АНТРА[2,3-b:7,6-b]ДИТИОФЕНОВЫЕ ПРОИЗВОДНЫЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ - Google Patents

АНТРА[2,3-b:7,6-b]ДИТИОФЕНОВЫЕ ПРОИЗВОДНЫЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Download PDF

Info

Publication number
RU2013115831A
RU2013115831A RU2013115831/04A RU2013115831A RU2013115831A RU 2013115831 A RU2013115831 A RU 2013115831A RU 2013115831/04 A RU2013115831/04 A RU 2013115831/04A RU 2013115831 A RU2013115831 A RU 2013115831A RU 2013115831 A RU2013115831 A RU 2013115831A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
atoms
group
groups
sir
branched
Prior art date
Application number
RU2013115831/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Чаншэн ВАН
Стивен ТИРНИ
Мансур Д'ЛАВАРИ
Уилльям МИТЧЕЛЛ
Никола БЛУЕН
Original Assignee
Мерк Патент Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Мерк Патент Гмбх filed Critical Мерк Патент Гмбх
Publication of RU2013115831A publication Critical patent/RU2013115831A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

1. Соединение формулы Iв которой отдельные группы принимают следующие значения:одна из Yи Yпредставляет собой -СН= или =СН-, а другая представляет собой -Х-, одна из Yи Yпредставляет собой -СН= или =СН-, а другая представляет собой -Х-,Х представляет собой -O-, -S-, -Se- или -NR-,А представляет собой С или Si,Rи Rнезависимо одна от другой обозначают Н, F, Cl, Br, I, линейный, разветвленный или цикличный алкил, состоящий из 1-20 С-атомов, который является незамещенным или замещенным с помощью одной или большего количества групп L, и где одна или большее количество несмежных СНгрупп являются необязательно замененными, в каждом случае независимо одна от другой, на -O-, -S-, -NR-, -SiRR-, -CY=CY- или -С≡С- таким способом, что О и/или S атомы не соединены непосредственно один с другим, или обозначают арил или гетероарил, состоящий из 4-20 кольцевых атомов, который является незамещенным или замещенным с помощью одной или большего количества групп L,R, R′, R″ представляют собой одинаковые или разные группы, выбранные из группы, состоящей из таких как: Н, линейная, разветвленная или циклическая алкильная или алкокси группа, состоящая из 1-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкенильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкинильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкилкарбонильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, арильная или гетероарильная группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, арилалкильная или гетероарилалкильная группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, арилокси или гетероарилокси группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, или арилалкилокси или гетероарилалкилок�

Claims (16)

1. Соединение формулы I
Figure 00000001
в которой отдельные группы принимают следующие значения:
одна из Y1 и Y2 представляет собой -СН= или =СН-, а другая представляет собой -Х-, одна из Y3 и Y4 представляет собой -СН= или =СН-, а другая представляет собой -Х-,
Х представляет собой -O-, -S-, -Se- или -NRx-,
А представляет собой С или Si,
R1 и R2 независимо одна от другой обозначают Н, F, Cl, Br, I, линейный, разветвленный или цикличный алкил, состоящий из 1-20 С-атомов, который является незамещенным или замещенным с помощью одной или большего количества групп L, и где одна или большее количество несмежных СН2 групп являются необязательно замененными, в каждом случае независимо одна от другой, на -O-, -S-, -NR0-, -SiR0R00-, -CY0=CY00- или -С≡С- таким способом, что О и/или S атомы не соединены непосредственно один с другим, или обозначают арил или гетероарил, состоящий из 4-20 кольцевых атомов, который является незамещенным или замещенным с помощью одной или большего количества групп L,
R, R′, R″ представляют собой одинаковые или разные группы, выбранные из группы, состоящей из таких как: Н, линейная, разветвленная или циклическая алкильная или алкокси группа, состоящая из 1-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкенильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкинильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, линейная, разветвленная или циклическая алкилкарбонильная группа, состоящая из 2-20 С атомов, арильная или гетероарильная группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, арилалкильная или гетероарилалкильная группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, арилокси или гетероарилокси группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, или арилалкилокси или гетероарилалкилокси группа, состоящая из 4-20 кольцевых атомов, где все упомянутые выше группы являются необязательно замещенными одной или большим количеством групп L,
L выбирают из таких как: P-Sp-, F, Cl, Br, I, -ОН, -CN, -NO2, -NCO, -NCS, -OCN, -SCN, -C(=O)NR0R00, -C(=O)X0, -C(=O)R0, -NR0R00, С(=O)ОН, необязательно замещенный арил или гетероарил, состоящий из 4-20 кольцевых атомов, или линейный, разветвленный или цикличный алкил, состоящий из 1-20, предпочтительно 1-12 С атомов, где одна или большее количество несмежных СН2 групп являются необязательно замененными, в каждом случае независимо одна от другой, на -O-, -S-, -NR0-, -SiR0R00-, -CY0=CY00- или -С≡С- таким способом, что О и/или S атомы не соединены непосредственно один с другим, и которая является незамещенной или замещенной одной или большим количеством F или Cl атомов или ОН групп,
Р представляет собой полимеризуемую группу,
Sp представляет собой спейсерную группу или простую связь,
Х0 представляет собой галоген,
Rx принимает одно из значений, представленных для R1,
R0 и R00 независимо одна от другой обозначают Н или алкил, состоящий из 1-20 С-атомов,
Y0 и Y00 независимо одна от другой обозначают Н, F, Cl или CN,
m представляет собой 1 или 2,
n представляет собой 1 или 2,
где, по крайней мере, в одной группе ARR′R″, по крайней мере, два из заместителей R, R′ и R″ не являются одинаковыми.
2. Соединение по п.1, в котором Х представляет собой S.
3. Соединение по п.1 или 2, в котором n=m=1.
4. Соединение по п.1 или 2, отличающееся тем, что оно представляют собой смесь изомеров, где в первом изомере Y1=Y3 и Y2=Y4, и во втором изомере Y1=Y4 и Y2=Y3.
5. Соединение по п.1 или 2, отличающееся тем, что R, R′ и R″ каждый независимо выбирают из таких как: необязательно замещенная и линейная, разветвленная или циклическая алкильная или алкокси группа, состоящая из 1-10 С атомов, которая представляет собой, например, метил, этил, н-пропил, изопропил, циклопропил, 2,3-диметилциклопропил, 2,2,3,3-тетраметилциклопропил, циклобутил, циклопентил, метокси или этокси, необязательно замещенный и линейный, разветвленный или циклический алкенил, алкинил или алкилкарбонил, состоящий из 2-12 С атомов, который представляет собой, например, аллил, изопропенил, 2-бут-1-енил, цис-2-бут-2-енил, 3-бут-1-енил, пропинил или ацетил, необязательно замещенный арил, гетероарил, арилалкил или гетероарилалкил, арилокси или гетероарилокси, состоящий из 5-10 кольцевых атомов, который представляет собой, например, фенил, п-толил, бензил, 2-фуранил, 2-тиенил, 2-селенофенил, М-метилпиррол-2-ил или фенокси.
6. Соединение по п.1 или 2, отличающееся тем, что R1 и R2 выбирают из группы, состоящей из таких как: Н, F, Cl, Br, I, -CN, и линейный, разветвленный или цикличный алкил, алкокси, тиоалкил, алкенил, алкинил, алкилкарбонил, алкоксикарбонил, алкилкарбонилокси, алкилкарбониламидо, алкиламидокарбонил или алкоксикарбонилокси, состоящий из 1-20, предпочтительно 1-12 С атомов, который является незамещенным или замещенным одним или большим количеством F или Cl атомов или ОН групп или перфторированным.
7. Соединение по п.1 или 2, отличающееся тем, что R1 и R2 выбирают из группы, состоящей из таких как: фуран, тиофен, селенофен, N-пиррол, пиримидин, тиазол, тиадиазол, оксазол, оксадиазол, селеназол, би-, три- или тетрациклические группы, содержащие одно или большее количество указанных выше колец и необязательно содержащие одно или большее количество бензольных колец, где отдельные кольца связаны простыми связями или сконденсированы друг с другом, тиено[3,2-b]тиофен, дитиено[3,2-b:2′,3′-d]тиофен, селенофено[3,2-b]селенофен-2,5-диил, селенофено[2,3-b]селенофен-2,5-диил, селенофено[3,2-b]тиофен-2,5-диил, селенофено[2,3-b]тиофен-2,5-диил, бензо[1,2-b:4,5-b′]дитиофен-2,6-диил, 2,2-дитиофен, 2,2-диселенофен, дитиено[3,2-b:2′,3′-d)силол-5,5-диил, 4H-циклопента [2,1-6:3,4-b′]дитиофен-2,6-диил, бензо[b]тиофен, бензо[b] селенофен, бензооксазол, бензотиазол, бензоселеназол, где все упомянутые выше группы являются незамещенными, или замещенными одной или большим количеством групп L, как определено в п.1.
8. Соединение по п.1 или 2, отличающееся тем, что выбрано из следующих формул
Figure 00000002
Figure 00000003
где R, R′ и R″ принимают значения, указанные в п.1, и "алкил" обозначает алкил, состоящий из 2, 3 или 4 С атомов.
9. Композиция, включающая одно или большее количество соединений по одному или большему количеству пп.1-8 и один или большее количество органических растворителей.
10. Органическая полупроводниковая композиция, включающая одно или большее количество соединений по одному или большему количеству пп.1-8, один или большее количество органических связующих агентов или их предшественников, имеющих диэлектрическую проницаемость ε при 1000 Гц равную 3,3 или меньше, и необязательно один или большее количество растворителей.
11. Применение соединений и композиций по одному или большему количеству пп.1-8 в качестве переносящего заряд, полупроводникового, электропроводящего, фотопроводящего или светоизлучающего материала в оптических, электрооптических, электронных, электролюминесцентных или фотолюминесцентных компонентах или устройствах.
12. Переносящий заряд, полупроводниковый, электропроводящий, фотопроводящий или светоизлучающий материал или компонент, содержащий одно или большее количество соединений или композиций по одному или большему количеству пп.1-8.
13. Оптический, электрооптический, электронный, электролюминесцентный или фотолюминесцентный компонент или устройство, включающее одно или большее количество соединений, композиций, материалов или компонентов по одному или большему количеству пп.1-12.
14. Компонент или устройство по п.13, отличающееся тем, что выбрано из группы, состоящей из таких как: органические полевые транзисторы (OFET), тонкопленочные транзисторы (TFT), интегральные микросхемы (IC), логические схемы, конденсаторы, метки, устройства или компоненты радиочастотной идентификации (RFID), органические светоизлучающие диоды (OLED), органические светоизлучающие транзисторы (OLET), плоскоэкранные дисплеи, подсветки дисплеев, органические фотогальванические устройства (OPV), фотоэлементы, лазерные диоды, фотопроводники, фотодетекторы, электрофотографические устройства, электрофотографические записывающие устройства, органические запоминающие устройства, сенсорные устройства, инжектирующие заряд слои, переносящие заряд слои или прослойки в полимерных светоизлучающих диодах (PLED), органические плазмон-излучающие диоды (OPED), Диоды Шоттки, планаризующие слои, антистатические пленки, полимерные электролитные мембраны (РЕМ), проводящие подложки, проводящие схемы, электродные материалы в батареях, ориентирующие слои, биосенсоры, биочипы, маркировки защитных категорий, устройства систем защиты, и компоненты или устройства для определения и распознавания ДНК последовательностей.
15. Способ получения соединения по одному или большему количеству пп.1-8, включающий стадии:
a) обработку дихлорсилана формулы SiCl2R2 с помощью раствора R′MgBr, в котором R и R′ принимают значения, указанные в формуле I, например, R представляет собой первую алкильную группу и R′ представляет собой алкенильную группу или вторую алкильную группу, которая отличается от первой алкильной группы, что приводит к получению хлорсилана формулы SiClR2R′,
b) введение в реакцию хлорсилана SiClR2R′ из стадии а) с Li-C≡C-SiR03, в котором R0 представляет собой алкил, например, метил, что приводит к получению соответствующего защищенного силана формулы R03Si-C≡C-SiR2R′,
c) снятие защиты с защищенного силана R03Si-C≡C-SiR2R′, например, путем обработки с помощью карбоната калия, что обеспечивает получение незащищенного силана формулы H-C≡C-SiR2R′,
b2) альтернативно стадиям b) и с), обработку хлорсилана SiClR2R′ со стадии а) с помощью этинилмагнийгалогенида или ацетилида лития, что обеспечивает прямое получение незащищенного силана H-C≡C-SiR2R′,
d) литирование силана H-C≡C-SiR2R′ со стадии с) или b2), например, с помощью н-бутиллития, что обеспечивает получение силилацетилида лития формулы Li-C≡C-SiR2R′,
e) введение в реакцию силилацетилида лития Li-C≡C-SiR2R′ со стадии d) с дитиеноантрахиноном, который является необязательно замещенным в 2- и/или 8-положении с помощью R1 и/или R2, как определено в формуле I, что приводит к получению соответствующего диола,
f) введение в реакцию диода со стадии е) с восстанавливающим реагентом, например, SnCl2, в кислых условиях, что обеспечивает получение антра[2,3-b:7,6-b′]дитиофена, который замещен с помощью -C≡C-SiR2R′ групп в 5- и 11-положении и необязательно замещен с помощью R1 и/или R2 в 2- и/или 8-положении.
16. Способ получения соединения по одному или большему количеству пунктов 1-8, включающий стадии:
a) введение в реакцию 2,3-тиофендикарбоксальдегид-диацеталя с алкиллитием, LDA или другим литирующим агентом, а затем введение в реакцию полученного соединения с галогенирующим агентом, включая, но не ограничиваясь приведенными, четыреххлористый углерод, 1,2-дихлорэтан, четырехбромистый углерод, 1,2-дибромтетрахлорэтан, 1,2-дибромэтан, 1-йодперфторгексан, йодистыйхлорид, элементарный йод, что обеспечивает получение 5-галогенированного 2,3-тиофендикарбоксальдегида диацеталя,
b) снятие защиты с 5-галогенированного 2,3-тиофендикарбоксальдегид-диацеталя со стадии а) в кислых условиях с получением соответствующего диальдегида, который далее конденсируют с циклическим 1,4-дикетоном, таким как 1,4-циклогексадион, 1,4-дигидрокси-нафталин или его высшие аналоги, что приводит к получению хинона дигалогенированного аценодитиофена,
c) обработку хинона дигалогенированного аценодитиофена со стадии b) с помощью силилацетилида лития формулы Li-C≡C-SiR2R′, который, например, может быть получен с помощью способа, как описано выше, и в котором R и R′ принимают значения, указанные в формуле I, например R представляет собой первую алкильную группу и R′ представляет собой алкенильную группу или вторую алкильную группу, которая отличается от первой алкильной группы, с последующим гидролизом, например, при помощи разбавленной HCl, что приводит к получению дигалогенированного диольного промежуточного соединения,
d) перекрестное сочетание дигалогенированного диольного промежуточного соединения со стадии с) с соответствующей-борной кислотой, борным сложным эфиром, станнаном, галогенидом цинка или галогенидом магния, в присутствии никелевого или палладиевого комплекса в качестве катализатора, что приводит к получению гетероарильного увеличенного диола,
е) введение в реакцию гетероарильного увеличенного диола со стадии d) с восстанавливающим агентом, например, SnCl2, в кислых условиях, что обеспечивает получение 2,8-дигетероарил-антра[2,3-b;7,6-b′]дитиофена, который замещен -C≡C-SiR2R′ группами в 5- и 11-положении, или
b2) альтернативно стадиям b)-е), введение в реакцию 5-галогенированного 2,3-тиофендикарбоксальдегид-диацеталя, полученного путем стадии а) в реакцию перекрестного сочетания с соответствующей гетероарил-борной кислотой, борным сложным эфиром, станнаном, галогенидом цинка или галогенидом магния, в присутствии никелевого или палладиевого комплекса в качестве катализатора, снятия защиты с полученного продукта и конденсирования с циклическим 1,4-дикетоном, как описано в стадии b), обработки полученного продукта с помощью силилацетилида лития формулы Li-C≡C-SiR2R′, с последующим гидролизом, как описано в стадии с), и ароматизирования полученного 2,8-дигетероарильного увеличенного диола путем введения его в реакцию с восстанавливающим агентом, как описано в стадии е), что обеспечивает получение 2,8-дигетероарил-антра[2,3-6;7,6-b′]дитиофена, который замещен -C≡C-SiR2R′ группами в 5- и 11-положении.
RU2013115831/04A 2010-09-10 2011-08-12 АНТРА[2,3-b:7,6-b]ДИТИОФЕНОВЫЕ ПРОИЗВОДНЫЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ RU2013115831A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10009454.9 2010-09-10
EP10009454 2010-09-10
PCT/EP2011/004076 WO2012031659A1 (en) 2010-09-10 2011-08-12 Anthra[2,3-b:7,6b']dithiophene derivatives and their use as organic semiconductors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013115831A true RU2013115831A (ru) 2014-10-20

Family

ID=44509181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013115831/04A RU2013115831A (ru) 2010-09-10 2011-08-12 АНТРА[2,3-b:7,6-b]ДИТИОФЕНОВЫЕ ПРОИЗВОДНЫЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20130161568A1 (ru)
EP (1) EP2614068A1 (ru)
JP (1) JP2013544755A (ru)
KR (1) KR20130103530A (ru)
CN (1) CN103154007A (ru)
RU (1) RU2013115831A (ru)
SG (1) SG188395A1 (ru)
TW (1) TW201215617A (ru)
WO (1) WO2012031659A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150041094A (ko) * 2012-08-09 2015-04-15 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도성 제제
WO2014044359A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Merck Patent Gmbh Organic semiconductor formulations
JP6181318B2 (ja) 2014-04-29 2017-08-16 サビック グローバル テクノロジーズ ビー.ブイ. 光電子工学用途のための高い導電性および吸収を有する小分子/オリゴマーの合成
CN106661058A (zh) * 2014-06-30 2017-05-10 默克专利股份有限公司 扩展的非线性并苯衍生物和它们作为有机半导体的用途
WO2016035640A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 富士フイルム株式会社 有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜、及び有機半導体素子
JP6556844B2 (ja) * 2015-08-04 2019-08-07 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜
KR102631401B1 (ko) 2018-08-28 2024-01-29 삼성전자주식회사 화합물, 박막 트랜지스터 및 전자 소자

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US5198153A (en) 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
WO1996021659A1 (en) 1995-01-10 1996-07-18 University Of Technology, Sydney Organic semiconductor
EP0889350A1 (en) 1997-07-03 1999-01-07 ETHZ Institut für Polymere Photoluminescent display devices (I)
US5998804A (en) 1997-07-03 1999-12-07 Hna Holdings, Inc. Transistors incorporating substrates comprising liquid crystal polymers
GB9726810D0 (en) 1997-12-19 1998-02-18 Zeneca Ltd Compounds composition & use
US6723394B1 (en) 1999-06-21 2004-04-20 Cambridge University Technical Services Limited Aligned polymers for an organic TFT
GB0028867D0 (en) 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
US20030021913A1 (en) 2001-07-03 2003-01-30 O'neill Mary Liquid crystal alignment layer
CN1541426A (zh) 2001-07-09 2004-10-27 溶液影响的取向
US7842942B2 (en) * 2003-11-28 2010-11-30 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting layers
US7385221B1 (en) 2005-03-08 2008-06-10 University Of Kentucky Research Foundation Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
JP5228907B2 (ja) * 2006-03-10 2013-07-03 コニカミノルタ株式会社 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
JP2007299852A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
EP2132213B1 (en) * 2007-03-07 2013-05-15 University of Kentucky Research Foundation Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith
KR20160124918A (ko) * 2008-03-06 2016-10-28 메르크 파텐트 게엠베하 유기 반도체 조성물
KR101622420B1 (ko) * 2008-05-30 2016-05-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 실릴에티닐 펜타센 화합물 및 조성물 및 그의 제조 및 사용 방법
KR20100067386A (ko) * 2008-12-11 2010-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 반도체 저분자 및 이를 포함하는 유기 박막트랜지스터

Also Published As

Publication number Publication date
EP2614068A1 (en) 2013-07-17
US20130161568A1 (en) 2013-06-27
SG188395A1 (en) 2013-04-30
KR20130103530A (ko) 2013-09-23
CN103154007A (zh) 2013-06-12
TW201215617A (en) 2012-04-16
JP2013544755A (ja) 2013-12-19
WO2012031659A1 (en) 2012-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013115831A (ru) АНТРА[2,3-b:7,6-b]ДИТИОФЕНОВЫЕ ПРОИЗВОДНЫЕ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
RU2013110785A (ru) ПРОИЗВОДНЫЕ АНТРА[2,3-b:7,6-b']ДИТИОФЕНА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Sonntag et al. Novel star-shaped triphenylamine-based molecular glasses and their use in OFETs
Prachumrak et al. Novel bis [5-(fluoren-2-yl) thiophen-2-yl] benzothiadiazole end-capped with carbazole dendrons as highly efficient solution-processed nondoped red emitters for organic light-emitting diodes
JP6986887B2 (ja) 撮像素子用光電変換素子
JPWO2006070817A1 (ja) 有機ホウ素π電子系化合物及びその合成中間体
Jung et al. Palladium-catalyzed cross-coupling reactions of dithienosilole with indium reagents: synthesis and characterization of dithienosilole derivatives and their application to organic light-emitting diodes
JP2014509067A5 (ru)
JP2009541548A5 (ru)
CN108336246A (zh) 一种有机发光器件
CN1823027A (zh) 双(2-并苯基)乙炔半导体
CN104744517A (zh) 有机金属错合物及包含其的有机电激发光装置
RU2013130877A (ru) Нелинейные аценовые производные и их применение в качестве органических полупроводников
TWI734806B (zh) 攝像元件用光電變換元件用材料及含有該材料之光電變換元件
CN101050267A (zh) 聚(炔基噻吩)和由其产生的电子器件
JP5513479B2 (ja) シリコーン組成物および有機発光ダイオード
WO2012111487A1 (ja) アクセプター性の基を有する化合物、これを用いた有機薄膜及び有機薄膜素子
CN108503655B (zh) 一种杂环化合物及使用该杂环化合物的有机电子装置
US20190112417A1 (en) Novel organic polymer and method for producing same
CN102898427A (zh) 一种基于有机小分子的水醇溶性吡啶鎓盐及制备方法与应用
CN112930351B (zh) 化合物及其制造方法以及使用了该化合物的有机半导体材料
CN108299449B (zh) 一类基于咔唑并五元杂环单元的电致发光材料及其制备方法与应用
CN105566335A (zh) 卟啉金属配合物及其制备方法与应用
CN1696132A (zh) 含有3,4-亚甲二氧基噻吩单元的化合物
Cui et al. Synthesis and Characterizations of Poly (9, 10-bisarylethynyl-2, 6-anthrylene) s and Poly (9, 10-bisalkynyl-2, 6-anthrylene)

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20140813