RU2012157235A - Печь термообработки - Google Patents

Печь термообработки Download PDF

Info

Publication number
RU2012157235A
RU2012157235A RU2012157235/28A RU2012157235A RU2012157235A RU 2012157235 A RU2012157235 A RU 2012157235A RU 2012157235/28 A RU2012157235/28 A RU 2012157235/28A RU 2012157235 A RU2012157235 A RU 2012157235A RU 2012157235 A RU2012157235 A RU 2012157235A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat treatment
tubular shell
treatment furnace
furnace according
tubular
Prior art date
Application number
RU2012157235/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2573059C2 (ru
Inventor
Такаси МУРАКАМИ
Такенори ВАТАБЕ
Хироюки ОЦУКА
Original Assignee
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. filed Critical Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Publication of RU2012157235A publication Critical patent/RU2012157235A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2573059C2 publication Critical patent/RU2573059C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Abstract

1. Печь термической обработки для использования при термической обработке полупроводниковых подложек, включающая в себя цилиндрическую трубчатую оболочку, которая снабжена на противоположных концах проемами, имеющими достаточный размер для того, чтобы позволить перемещать полупроводниковые подложки в трубчатую оболочку и из нее.2. Печь термической обработки по п.1, дополнительно включающая в себя крышки, каждая из которых разъемно установлена на трубчатой оболочке, чтобы блокировать проем, практически герметизировав трубчатую оболочку.3. Печь термической обработки по п.1, дополнительно включающая в себя тонкие газовпускные патрубки, проходящие сквозь крышки, для ввода газа в трубчатую оболочку.4. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя тонкие газовпускные патрубки, расположенные у противоположных концов трубчатой оболочки, для ввода газа в трубчатую оболочку.5. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя тонкий газовпускной патрубок, расположенный у центра трубчатой оболочки в продольном измерении, для ввода газа в трубчатую оболочку.6. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, при этом проем в трубчатой оболочке имеет внутренний диаметр, который составляет, по меньшей мере, 95% внутреннего диаметра трубчатой оболочки в центре.7. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя, по меньшей мере, одну станцию для лодочек, расположенную снаружи трубчатой оболочки и вблизи проема в трубчатой оболочке, причем станция для лодочек несет лодочку с установленными на ней полупроводниковыми подложками в режиме

Claims (9)

1. Печь термической обработки для использования при термической обработке полупроводниковых подложек, включающая в себя цилиндрическую трубчатую оболочку, которая снабжена на противоположных концах проемами, имеющими достаточный размер для того, чтобы позволить перемещать полупроводниковые подложки в трубчатую оболочку и из нее.
2. Печь термической обработки по п.1, дополнительно включающая в себя крышки, каждая из которых разъемно установлена на трубчатой оболочке, чтобы блокировать проем, практически герметизировав трубчатую оболочку.
3. Печь термической обработки по п.1, дополнительно включающая в себя тонкие газовпускные патрубки, проходящие сквозь крышки, для ввода газа в трубчатую оболочку.
4. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя тонкие газовпускные патрубки, расположенные у противоположных концов трубчатой оболочки, для ввода газа в трубчатую оболочку.
5. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя тонкий газовпускной патрубок, расположенный у центра трубчатой оболочки в продольном измерении, для ввода газа в трубчатую оболочку.
6. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, при этом проем в трубчатой оболочке имеет внутренний диаметр, который составляет, по меньшей мере, 95% внутреннего диаметра трубчатой оболочки в центре.
7. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, дополнительно включающая в себя, по меньшей мере, одну станцию для лодочек, расположенную снаружи трубчатой оболочки и вблизи проема в трубчатой оболочке, причем станция для лодочек несет лодочку с установленными на ней полупроводниковыми подложками в режиме ожидания.
8. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, при этом термическая обработка предназначена для диффундирования легирующей примеси p- или n-типа в кремниевые подложки.
9. Печь термической обработки по любому из пп.1-3, при этом термическая обработка предназначена для оксидирования кремниевых подложек.
RU2012157235/28A 2010-06-04 2011-06-03 Печь термообработки RU2573059C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-128998 2010-06-04
JP2010128998 2010-06-04
PCT/JP2011/062753 WO2011152510A1 (ja) 2010-06-04 2011-06-03 熱処理炉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012157235A true RU2012157235A (ru) 2014-07-20
RU2573059C2 RU2573059C2 (ru) 2016-01-20

Family

ID=45066865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012157235/28A RU2573059C2 (ru) 2010-06-04 2011-06-03 Печь термообработки

Country Status (11)

Country Link
US (2) US20130161313A1 (ru)
EP (1) EP2579298B1 (ru)
JP (1) JP5532016B2 (ru)
KR (1) KR101424543B1 (ru)
CN (1) CN103038865B (ru)
AU (1) AU2011259931B2 (ru)
MY (1) MY164113A (ru)
RU (1) RU2573059C2 (ru)
SG (1) SG186159A1 (ru)
TW (1) TWI545298B (ru)
WO (1) WO2011152510A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130344246A1 (en) * 2012-06-21 2013-12-26 Xuesong Li Dual-Chamber Reactor for Chemical Vapor Deposition
CN103151248B (zh) * 2013-03-07 2016-04-20 武汉电信器件有限公司 一种光电探测器制作中锌的扩散装置及其扩散方法
JP6504974B2 (ja) * 2015-09-11 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 磁化処理装置及び磁化処理方法
KR102466140B1 (ko) 2016-01-29 2022-11-11 삼성전자주식회사 가열 장치 및 이를 갖는 기판 처리 시스템
CN109371472A (zh) * 2017-08-11 2019-02-22 中天科技精密材料有限公司 退火装置及退火方法
US11521876B2 (en) * 2018-03-07 2022-12-06 Tokyo Electron Limited Horizontal substrate boat

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2048155A1 (de) * 1970-09-30 1972-04-06 Siemens Ag Anordnung zum Abscheiden von kri stallinem Halbleitermaterial
JPS5496359A (en) * 1977-12-28 1979-07-30 Nec Home Electronics Ltd Heat treatment method for semiconductor device
JPS54156470A (en) * 1978-05-30 1979-12-10 Mitsubishi Electric Corp Gas phase diffusion method
JPS584811B2 (ja) * 1978-10-31 1983-01-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPS58154227A (ja) * 1982-03-09 1983-09-13 Matsushita Electronics Corp 半導体基板の拡散処理方法
JPS60240121A (ja) * 1984-05-15 1985-11-29 Fujitsu Ltd 横型炉
JPS6159722A (ja) * 1984-08-30 1986-03-27 Fujitsu Ltd 横型熱処理炉
JPS6181619A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Nec Corp 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム
JPS61280614A (ja) * 1985-06-05 1986-12-11 Nec Corp 半導体装置の製造装置
JPS63213925A (ja) * 1987-03-02 1988-09-06 Nec Corp 半導体ウエ−ハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム
JPS6430234A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Matsushita Electronics Corp Apparatus for manufacturing semiconductor device
JPS6482971A (en) 1987-09-26 1989-03-28 Toshiba Corp Emphatic pattern generating device
JPS6489514A (en) 1987-09-30 1989-04-04 Nec Corp Diffusion furnace for manufacturing semiconductor integrated circuit
JPH01156470A (ja) 1987-12-14 1989-06-20 Seiko Epson Corp スパツタリング用ターゲツトの製造方法
JPH02205318A (ja) * 1989-02-03 1990-08-15 Fujitsu Ltd 熱処理装置
JPH02306619A (ja) 1989-05-22 1990-12-20 Sharp Corp 不純物拡散装置
JPH04155821A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPH04364028A (ja) * 1991-06-11 1992-12-16 Fuji Electric Co Ltd 熱処理方法
JPH05102054A (ja) 1991-10-11 1993-04-23 Sony Corp 拡散炉
FR2824663B1 (fr) * 2001-05-14 2004-10-01 Semco Sa Procede et dispositif de dopage, diffusion et oxydation pyrolithique de plaquettes de silicium a pression reduite
CN200964448Y (zh) * 2006-06-13 2007-10-24 上海太阳能科技有限公司 晶体硅硅片扩散炉
KR100877102B1 (ko) * 2007-05-28 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
SG186159A1 (en) 2013-01-30
EP2579298B1 (en) 2020-07-08
KR101424543B1 (ko) 2014-07-31
EP2579298A1 (en) 2013-04-10
TW201217734A (en) 2012-05-01
JP2012015501A (ja) 2012-01-19
CN103038865A (zh) 2013-04-10
KR20130036261A (ko) 2013-04-11
US9799535B2 (en) 2017-10-24
CN103038865B (zh) 2016-01-20
RU2573059C2 (ru) 2016-01-20
EP2579298A4 (en) 2017-03-15
WO2011152510A1 (ja) 2011-12-08
AU2011259931A1 (en) 2013-01-10
US20130161313A1 (en) 2013-06-27
US20160329216A1 (en) 2016-11-10
JP5532016B2 (ja) 2014-06-25
TWI545298B (zh) 2016-08-11
MY164113A (en) 2017-11-30
AU2011259931B2 (en) 2014-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012157235A (ru) Печь термообработки
SG10201810894TA (en) Cooled process tool adapter for use in substrate processing chambers
TW200943381A (en) Thermal reactor with improved gas flow distribution
MX367016B (es) Inserto con malla giratoria y malla giratoria para aireadores en baterias sanitarias.
RU2012136926A (ru) Устройство и способы для обработки диоксида углерода
CN205245840U (zh) 一种化工热气冷却器
TW201506326A (zh) 廢氣處理裝置
CN103363808A (zh) 一种扩散炉的炉门密封装置
CN203976978U (zh) 一种新型扩散炉
UA100924C2 (en) Circular air duct
TW200639930A (en) Inner tube for furnace and furnace apparatus using the same
EA201300477A1 (ru) Способ и оборудование для разложения угля нагревающим газом в циклическом режиме
RU2012107619A (ru) Установка для переработки влажных органических субстратов в газообразные энергоносители
CN103311373A (zh) 一种提高方阻均匀性的装置
MX2013013660A (es) Horno de gasificacion por pirolisis de residuos.
MD4088B1 (en) Wind guide device for windmill
MY167447A (en) Gas/gas heat exchanger
CN204509509U (zh) 水冷管道机构和设置有该水冷管道机构的长晶炉封板
MY177669A (en) Gas distributor for a siemens reactor
MY185420A (en) Polysilicon manufacturing apparatus
Zhao et al. Comparative Study of Phonon Modes and Carrier Mobility in CH3NH 3 PbX 3 (X= Cl, Br, I) Perovskites using Terahertz Time-Domain Spectroscopy
CN203768405U (zh) 一种钻杆接头的热处理设备
CN203277481U (zh) 一种太阳能硅片扩散装置
JP2015068517A5 (ru)
Yu Identifying the High Frequency Local Modes in Oxygen Doped CdTe & CdSe with ab Initio Density-functional Theory