JPS6181619A - 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム - Google Patents

半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム

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Publication number
JPS6181619A
JPS6181619A JP20315684A JP20315684A JPS6181619A JP S6181619 A JPS6181619 A JP S6181619A JP 20315684 A JP20315684 A JP 20315684A JP 20315684 A JP20315684 A JP 20315684A JP S6181619 A JPS6181619 A JP S6181619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
boat
semiconductor wafer
quartz
loader
boat loader
Prior art date
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Pending
Application number
JP20315684A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Miyoshi
秀和 三好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP20315684A priority Critical patent/JPS6181619A/ja
Publication of JPS6181619A publication Critical patent/JPS6181619A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体クエハを熱処理炉内に挿入及び引き出し
動作を行うボートローダシステムに関するものである。
〔従来の技術〕
従来、半導体ウェハ熱処理炉システムに於いて、第3図
に示すように半導体ウェハ3aを熱処理炉5a内に挿入
するときには、半導体ウェハを石英ボート4aに乗せ、
この石英ボート4aの一端を石英棒7を介してボートロ
ーダ2で押して該半導体ウェハを処理位置まで挿入して
いる。6aはプロセスチェープである。ところで、半導
体ウェハの処理枚数を増加させるために、熱処理炉が大
型化され、それに伴ってボートローダが半導体ウェハを
炉内に挿入させるストロークも長くなっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来は石英ボード4aを1台のボートロ
ーダにて後押ししてこれを半導体ウェハの処理位置まで
出し入れするから、熱処理炉の大型に伴なう石英ボート
4aの移動ストロークの拡大はボートローダ2の実効長
を実質的に長くシ、このことがボートローダンステムの
横方向の設置スペースを大型化する原因となシ、クリー
ンルーム内の専有面積が大きくなってしまい、作業スペ
ースまでも狭くしてしまうという欠点があった。
本発明の目的は、ボートローダの移動ストローりを短く
したボートローダシステムを提供するものである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は熱処理炉内に半導体クエ・・を差込位置を通過
させてその奥の処理位置まで出し入れするボートローダ
システムにおいて、半導体ウニ/′−を熱処理炉の差込
位置まで送り込む第1段目のボートローダと、該半導体
ウェノ・を差込位置より処理位置まで送)込む第2段目
のボートローダとを有することを特徴とする半導体ウェ
ハ熱処理炉用ボートローダシステムである。
〔実施例〕
以下に、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、熱処理炉5b内に差込位置5b1と処
理位置5bzとの間で移動する石英親ボー)10を設け
、かつ該ボート10の一端を炉外に延長させてこれを第
2段目のボートローダ9に連結する。
一方、前記石英親ボート10上に複数枚の半導体ウェハ
3bの支持用石英ボー)4bを滑走可能に載置し、かつ
前記ボートローダ9に第1段目のボードローダ8を並列
に並べて設置してボートローダシステム1を構成する。
6bはプロセスチューブである。
実施例において、第2図(1)がボートo−デフステム
の初期状態であり、この状態において、第1段目のボー
トローダ8を駆動して該ローダ8にて石英ボード4bを
石英親ボート8上に滑走させてこれを熱処理炉5bの差
込位置5b1まで挿入する(第2図(■))。次いで、
石英ボート4bよシ第1段目のボートローダ8を切り離
すとともに、第2段目のボートローダ9を駆動して石英
ボート4bを乗せたまま石英親ボート10を熱処理炉5
b内にさらに挿入し、最終的に石英ボート4bの半導体
ウニノー、3bを処理位置5bzまで送り込む。熱処理
炉5b内での処理が終了した半導体ウエノ・を炉外に取
り出すには前記動作と逆のことを行なえば良い。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように、ボートローダシステムに
より半導体ウェハを熱処理炉に挿入及び引き出し動作を
行う場合に従来のボートストロークの長い一台のボート
ローダで操作させるより、第一段ボートローダと第二段
ボートローダの二台で操作させることによりボートスト
ロークを短く出来、ボートローダシステムの設置スペー
スを小型化できる。このことは、最近の半導体プロセス
が多岐にわたっており、設備の稼動台数におよぼす影響
が犬であることや、熱処理工程は処理時間がかかるとい
う点で半導体ウエノ1の処理能力が限られることなどか
らシステムの小型化により、フリー/ルームのレイアウ
トに自由度をもたせるとともに、作業性を向上できる効
果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、′第2図(1)、
(II)、(III)は、本発明の一実施例の動作手順
を示す図、第3図は従来のボートローダンステムを示す
図である。 1・・・・・・ボートローダシステム、3b・・・・・
・半導体ウェハ、4b・・・・・・石英ボート、5b・
・・・・・熱処理炉、 8・・・・・・第一段ボートロ
ーダ、  9・・・・・・第二段ボートローダ、10・
・・・・・石英親ボート/−−−−−ボートローダンス
テム 5b−−m−熱処理炉 5bt−=−差込イ装置 5bz−m−処理位置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)熱処理炉内に半導体ウェハを差込位置を通過させ
    てその奥の処理位置まで出し入れするボートローダシス
    テムにおいて、半導体ウェハを熱処理炉の差込位置まで
    送り込む第1段目のボートローダと、該半導体ウェハを
    差込位置より処理位置まで送り込む第2段目のボートロ
    ーダとを有することを特徴とする半導体ウェハ熱処理炉
    用ボートローダシステム。
JP20315684A 1984-09-28 1984-09-28 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム Pending JPS6181619A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20315684A JPS6181619A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20315684A JPS6181619A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6181619A true JPS6181619A (ja) 1986-04-25

Family

ID=16469356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20315684A Pending JPS6181619A (ja) 1984-09-28 1984-09-28 半導体ウエハ熱処理炉用ボ−トロ−ダシステム

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JP (1) JPS6181619A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2573059C2 (ru) * 2010-06-04 2016-01-20 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Печь термообработки

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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