CN117976592A - 晶圆传送平台及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种晶圆传送平台及方法,该平台包括真空传送模块,其内设置真空传送机械手,其通过真空传送机械手连接工艺腔室和装载平台;装载平台的一侧连接前端晶圆传送模块,前端晶圆传送模块用于传送待处理的晶圆至装载平台;工艺腔室、装载平台布设在真空传送模块的外围;真空冷却平台,至少为一个,其用于对处理后的晶圆进行降温。本发明可实现晶圆的不间断传送,保证工艺腔室全时段保持有晶圆生产状态,从而提升生产效率。
Description
技术领域
本发明属于晶圆设备领域工艺设备的晶圆传送,尤其涉及一种晶圆传送平台及方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,去胶设备是整个生产工艺中不可或缺的设备。几乎每一道干法刻蚀后都需要经行一次针对晶圆表面光刻胶的处理工艺,由此可知一片晶圆在整个完整的生产过程中需要经历成百上千次针对表面光刻胶的处理工艺,所以传送模块的WPH(waferpre hour)对于去胶设备至关重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆传送平台及方法,可实现晶圆的不间断传送。保证工艺腔室全时段保持有晶圆生产状态,从而提升生产效率。采用的技术方案如下:
一种晶圆传送平台,包括:
真空传送模块1,其内设置真空传送机械手11,其通过所述真空传送机械手11连接工艺腔室2和装载平台3;所述装载平台3的一侧连接前端晶圆传送模块4,所述前端晶圆传送模块4用于传送待处理的晶圆至装载平台3;所述工艺腔室2、装载平台3布设在真空传送模块1的外围;
真空冷却平台5,至少为一个,其用于对处理后的晶圆进行降温。
优选地,所述真空冷却平台5位于真空传送模块1内,且与工艺腔室2对应设置。
优选地,所述工艺腔室2和装载平台3分别沿真空传送模块1的不同边布设;工艺腔室2和装载平台3的数量之和,等于真空传送模块1的边总数。
优选地,所述真空传送模块1为五边形,所述工艺腔室2的数量为3;所述装载平台3的数量为2。
优选地,所述真空冷却平台5位于真空传送模块1的外围。
优选地,所述工艺腔室2的数量为2;所述装载平台3的数量为2;所述真空冷却平台5位于相邻工艺腔室2之间。
一种晶圆传送方法,包括以下步骤:
步骤1、前端晶圆传送模块4将晶舟送至装载平台3;
步骤2、装载平台3将晶舟举升至晶圆传送位置;
步骤3、真空传送模块1的阀门打开,真空传送机械手11将晶舟中的晶圆取出;
步骤4、真空传送机械手11将晶圆传送至其中一个工艺腔室2进行工艺处理;
步骤5、真空传送机械手11将处理后的晶圆取出,并放置到真空冷却平台5中冷却;
步骤6、真空传送机械手11将冷却后的晶圆送回至装载平台3处的晶舟。
与现有技术相比,本发明的优点为:
1、全新的双装载平台设计理念,实现两个晶圆同时取放,于此同时平台搭载2个装载平台,可实现晶圆不间断传送。
2、此平台可最大搭载3个工艺腔室,同时兼顾冷却的功能。
通过测试数据可知WPH会随着chamber数量的增加而增加,当时在chamber数量大于3个后其增长率明显下降。故搭载3chamber为最有解。
附图说明
图1为实施例1中晶圆传送平台的结构图;
图2为实施例2中晶圆传送平台的结构图;
图3为晶圆传送方法流程图;
图4为实施例1中晶圆传送方法示意图;
图5为实施例2中晶圆传送方法示意图;
图6为工艺腔室的数量和WPH增长率之间的实验图。
其中,1-真空传送模块,11-真空传送机械手,2-工艺腔室,3-装载平台,4-前端晶圆传送模块,5-真空冷却平台。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的晶圆传送平台及方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
实施例1
一种晶圆传送平台,尤其在6&8寸晶圆去胶工艺生产设备的传送模块中使用优势明显,解决了6,8寸晶圆干法刻蚀中去胶机晶圆传送效率瓶颈问题,可显著调高传送效率。其具体包括:
真空传送模块1,其内设置真空传送机械手11,其通过真空传送机械手11连接工艺腔室2和装载平台3。
装载平台3的一侧连接前端晶圆传送模块4,前端晶圆传送模块4用于传送待处理的晶圆至装载平台3;工艺腔室2、装载平台3布设在真空传送模块1的外围。
真空冷却平台5,至少为一个,其用于对处理后的晶圆进行降温。
如图1所示,具体的,真空冷却平台5位于真空传送模块1内,且与工艺腔室2对应设置。
工艺腔室2和装载平台3分别沿真空传送模块1的不同边布设。
工艺腔室2和装载平台3的数量之和,等于真空传送模块1的边总数。
真空传送模块1为五边形,工艺腔室2的数量为3;装载平台3的数量为2。
如图3~4所示,晶圆传送平台的工作原理:
步骤1、前端晶圆传送模块4将晶舟送至装载平台3,如过程A。
步骤2、装载平台3将晶舟举升至晶圆传送位置;
步骤3、真空传送模块1的阀门打开,真空传送机械手11将晶舟中的晶圆取出;
步骤4、真空传送机械手11将晶圆传送至其中一个工艺腔室2进行工艺处理。其中,随着反应的进行,每个工艺腔室2中始终存在晶圆。
步骤5、真空传送机械手11将处理后的晶圆取出,并放置到真空冷却平台5中冷却;
步骤6、真空传送机械手11将冷却后的晶圆送回至装载平台3处的晶舟。
如图4所示,显示2个晶圆同时传送,同时进行工艺。为表述清楚整个过程,从图中可以看到真空传送机械手的其中一组机械手(配备双手指,处在同一个水平面上)同时取走或者放回2个晶圆的过程。
其中,过程A为晶舟传送,其余过程为晶圆传送过程。
即通过采用4SMIF(前端晶圆传送模块4)+双载台VCE(装载平台3)+dual arm dualblade arm(真空传送机械手11)+VTM(真空传送模块1)+cooling station(真空冷却平台5)的组合方式,从第一组晶舟(承载2个晶圆)传送至VCE后,可实现晶圆的不间断传送。保证工艺腔室2全时段保持有晶圆生产状态。提升生产效率。
其中,工艺腔体全时段保持有晶圆生产状态的形成过程:
1、开始传送时,一个前端晶圆传送模块4先工作,从而使得1个装载平台3处于晶舟装载完成可取晶圆状态。
同时真空传送机械手11配合该载有晶舟的装载平台3,将晶圆依次送至3个工艺腔室中。
与此同时,另一个前端晶圆传送模块4将另外一组晶舟传送至另一个装载平台3中,等待前一组晶舟中的晶圆全部完成工艺后开始传送。
由此,该初始阶段,真空传送机械手11的任务:将晶圆从装载平台3中取出,并使得每个工艺腔室中始终存在晶圆。
2、在后续的运行时段,真空传送机械手11的任务:
针对每一组晶圆(2个):将处理后的晶圆取出并放置在真空冷却平台5、将冷处理后的晶圆取出并送回装载平台3、再次从装载平台3中取出晶圆搬运至工艺腔室。
由此,为确保工艺腔体全时段保持有晶圆生产状态,只需要满足在其中一个装载平台3中的晶圆完成工艺前,另一个装载平台3始终保持晶舟装载完成等待工艺的状态下即可。
表1WPH增长率表
通过双装载平台,实现工艺完和未工艺的晶圆传送无缝连接。如图表1、图6所示,以WPH增长率为考量,3chamber为最优解。
实施例2
该晶圆传送平台在实施例1的基础上,改变真空冷却平台5的位置和数量、工艺腔室2的数量。
如图2所示,真空冷却平台5位于真空传送模块1的外围。
工艺腔室2的数量为2;装载平台3的数量为2;真空冷却平台5位于相邻工艺腔室2之间。
如图3、5所示,晶圆传送平台中,2个工艺腔室共用一个真空冷却平台5。
同样地,通过采用4SMIF(前端晶圆传送模块4)+双载台VCE(装载平台3)+dual armdual blade arm(真空传送机械手11)+VTM(真空传送模块1)+cooling station(真空冷却平台5)的组合方式,从第一组晶舟(承载2个晶圆)传送至VCE后,可实现晶圆的不间断传送。保证工艺腔室2全时段保持有晶圆生产状态。提升生产效率。
其中,工艺腔体全时段保持有晶圆生产状态的形成过程:
1、开始传送时,两个前端晶圆传送模块4先后工作,从而使得其中2个工装载平台3中均有晶圆等待进行传送和工艺处理。
2、在后续的运行时段,真空传送机械手11的任务:
针对每一组晶圆(2个):从装载平台3中取出晶圆传送至工艺腔2、将处理后的晶圆取出并放置在真空冷却平台5、将冷处理后的晶圆取出并送回装载平台3中的晶舟。
由此,为确保工艺腔体全时段保持有晶圆生产状态,只需要满足在其中一个装载平台3中的晶圆完成工艺前,另一个装载平台3始终保持晶舟装载完成等待工艺的状态下即可。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种晶圆传送平台,其特征在于,包括:
真空传送模块(1),其内设置真空传送机械手(11),其通过所述真空传送机械手(11)连接工艺腔室(2)和装载平台(3);所述装载平台(3)的一侧连接前端晶圆传送模块(4),所述前端晶圆传送模块(4)用于传送待处理的晶圆至装载平台(3);所述工艺腔室(2)、装载平台(3)布设在真空传送模块(1)的外围;
真空冷却平台(5),至少为一个,其用于对处理后的晶圆进行降温。
2.根据权利要求1所述的晶圆传送平台,其特征在于,所述真空冷却平台(5)位于真空传送模块(1)内,且与工艺腔室(2)对应设置。
3.根据权利要求2所述的晶圆传送平台,其特征在于,所述工艺腔室(2)和装载平台(3)分别沿真空传送模块(1)的不同边布设;工艺腔室(2)和装载平台(3)的数量之和,等于真空传送模块(1)的边总数。
4.根据权利要求3所述的晶圆传送平台,其特征在于,所述真空传送模块(1)为五边形,所述工艺腔室(2)的数量为3;所述装载平台(3)的数量为2。
5.根据权利要求1所述的晶圆传送平台,其特征在于,所述真空冷却平台(5)位于真空传送模块(1)的外围。
6.根据权利要求5所述的晶圆传送平台,其特征在于,所述工艺腔室(2)的数量为2;所述装载平台(3)的数量为2;所述真空冷却平台(5)位于相邻工艺腔室(2)之间。
7.一种晶圆传送方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、前端晶圆传送模块(4)将晶舟送至装载平台(3);
步骤2、装载平台(3)将晶舟举升至晶圆传送位置;
步骤3、真空传送模块(1)的阀门打开,真空传送机械手(11)将晶舟中的晶圆取出;
步骤4、真空传送机械手(11)将晶圆传送至其中一个工艺腔室(2)进行工艺处理;
步骤5、真空传送机械手(11)将处理后的晶圆取出,并放置到真空冷却平台(5)中冷却;
步骤6、真空传送机械手(11)将冷却后的晶圆送回至装载平台(3)处的晶舟。
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