RU2012155849A - Способ и устройство для обеспечения слоя, запирающего носители заряда в устройстве преобразования с повышением частоты инфракрасного излучения - Google Patents

Способ и устройство для обеспечения слоя, запирающего носители заряда в устройстве преобразования с повышением частоты инфракрасного излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2012155849A
RU2012155849A RU2012155849/28A RU2012155849A RU2012155849A RU 2012155849 A RU2012155849 A RU 2012155849A RU 2012155849/28 A RU2012155849/28 A RU 2012155849/28A RU 2012155849 A RU2012155849 A RU 2012155849A RU 2012155849 A RU2012155849 A RU 2012155849A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
sensitive
material selected
group
cathode
Prior art date
Application number
RU2012155849/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Фрэнки СОУ
То Юн КИМ
Тон У СОН
Галилео САРАСКЕТА
Бхабендра К. ПРАДХАН
Original Assignee
Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк.
Нанохолдингз, Ллк
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк., Нанохолдингз, Ллк filed Critical Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк.
Publication of RU2012155849A publication Critical patent/RU2012155849A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H10K85/215—Fullerenes, e.g. C60 comprising substituents, e.g. PCBM
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

1. Устройство для восприятия инфракрасного излучения (IR), содержащее:анод;слой, запирающий дырки;слой, чувствительный к IR, отделенный от анода слоем, запирающим дырки;органический светоизлучающий слой, отделенный от анода указанным слоем, чувствительным к IR; икатод, при этом, когда потенциал приложен между анодом и катодом и IR излучение попадает на слой, чувствительный к IR, в органическом светоизлучающем слое генерируется выходное электромагнитное излучение.2. Устройство по п.1, в котором слой, запирающий дырки, содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ВСР, UGH2, BPhen, Alq, mCP, C, 3TPYMB, наночастиц ZnO и их комбинаций.3. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой генерирует выходное электромагнитное излучение только, когда IR излучение попадает на чувствительный к IR слой.4. Устройство по п.1, в котором анод выполнен прозрачным, и катод выполнен прозрачным.5. Устройство по п.1, в котором анод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ITO, IZO, АТО, AZO, и углеродные нанотрубки.6. Устройство по п.1, в котором катод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: LiF/Al, Ag, Ca:Mg, LiF/Al/ITO, Ag/ITO, CsCO/ITO и Ba/Al.7. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из MEH-PPV, Alqи FIrpic.8. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является органическим.9. Устройство по п.8, в котором органический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: SnPc, SnPc:C, AlPcCl, AlPcCl:С, TiOPc и TiOPc:C.10. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является неорганическим.11. Устройство по п.10, в котором неорганический чувствительный к IR слой содержит мат

Claims (40)

1. Устройство для восприятия инфракрасного излучения (IR), содержащее:
анод;
слой, запирающий дырки;
слой, чувствительный к IR, отделенный от анода слоем, запирающим дырки;
органический светоизлучающий слой, отделенный от анода указанным слоем, чувствительным к IR; и
катод, при этом, когда потенциал приложен между анодом и катодом и IR излучение попадает на слой, чувствительный к IR, в органическом светоизлучающем слое генерируется выходное электромагнитное излучение.
2. Устройство по п.1, в котором слой, запирающий дырки, содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ВСР, UGH2, BPhen, Alq3, mCP, C60, 3TPYMB, наночастиц ZnO и их комбинаций.
3. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой генерирует выходное электромагнитное излучение только, когда IR излучение попадает на чувствительный к IR слой.
4. Устройство по п.1, в котором анод выполнен прозрачным, и катод выполнен прозрачным.
5. Устройство по п.1, в котором анод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ITO, IZO, АТО, AZO, и углеродные нанотрубки.
6. Устройство по п.1, в котором катод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: LiF/Al, Ag, Ca:Mg, LiF/Al/ITO, Ag/ITO, CsCO3/ITO и Ba/Al.
7. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из MEH-PPV, Alq3 и FIrpic.
8. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является органическим.
9. Устройство по п.8, в котором органический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:С60, TiOPc и TiOPc:C60.
10. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является неорганическим.
11. Устройство по п.10, в котором неорганический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из PbSe и PbS.
12. Устройство по п.11, дополнительно содержащее слой переноса дырок, при этом слой переноса дырок отделяет органический светоизлучающий слой от чувствительного к IR слоя.
13. Устройство по п.12, в котором слой переноса дырок содержит материал, выбранный из группы, состоящей из ТАРС, NPB и TPD.
14. Устройство по п.10, дополнительно содержащее слой переноса электронов, при этом слой переноса электронов отделяет органический светоизлучающий слой от катода.
15. Устройство по п.13, в котором слой переноса электронов содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: 3TPYMB, ВСР, BPhen и Alg3.
16. Устройство по п.1, в котором выходное излучение генерируется в органическом светоизлучающем слое посредством объединения электронов, инжектированных из катода, с дырками, инжектированными из чувствительного к IR слоя.
17. Устройство по п.16, в котором электроны, инжектированные из катода, перемещаются через слой переноса электронов от катода к светоизлучающему слою.
18. Устройство по п.16, в котором дырки, инжектированные из чувствительного к IR слоя, перемещаются через слой переноса дырок от чувствительного к IR слоя к светоизлучающему слою.
19. Устройство по п.1, в котором выходное электромагнитное излучение не генерируется, пока потенциал не достигнет пороговой величины.
20. Устройство по п.1, в котором генерирование заряда между слоем, запирающим дырки, и слоем, чувствительным к IR незначительно.
21. Способ детектирования инфракрасного (IR) излучения, характеризующийся тем, что:
помещают устройство в интересующую область, при этом устройство содержит: анод;
слой, запирающий дырки;
слой, чувствительный к IR, отделенный от анода слоем, запирающим дырки;
органический светоизлучающий слой, отделенный от анода указанным слоем, чувствительным к IR; и
катод, причем, когда потенциал прикладывается между анодом и катодом и излучение IR попадает на слой, чувствительный к IR, в органическом светоизлучающем слое генерируется выходное электромагнитное излучение; и
выполняют мониторинг выходного электромагнитного излучения, так что, когда детектируется выходное электромагнитное излучение, определяют, что в интересующей области присутствует IR излучение.
22. Способ по п.21, в котором слой, запирающий дырки, содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ВСР, UGH2, BPhen, Alq3, mCP, C60, 3TPYMB, наночастицы ZnO и их комбинации.
23. Способ по п.21, в котором органический светоизлучающий слой генерирует выходное электромагнитное излучение, только когда излучение IR попадает на слой, чувствительный к IR.
24. Способ по п.21, в котором анод выполнен прозрачным, и катод выполнен прозрачным.
25. Способ по п.21, в котором анод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ITO, IZO, АТО, AZO, и углеродные нанотрубки.
26. Способ по п.21, в котором катод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: LiF/Al, Ag, Ca:Mg, LiF/Al/ITO, Ag/ITO, CsCO3/ITO и Ba/Al.
27. Способ по п.21, в котором органический светоизлучающий слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из MEH-PPV, Alq3 и FIrpic.
28. Способ по п.21, в котором слой, чувствительный к IR, является органическим.
29. Способ по п.28, в котором органический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcC1:С60, TiOPc и TiOPc:C60.
30. Способ по п.21, в котором слой, чувствительный к IR, является неорганическим.
31. Способ по п.30, в котором неорганический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из PbSe и PbS.
32. Способ по п.31, дополнительно содержащий слой переноса дырок, причем слой переноса дырок отделяет органический светоизлучающий слой от слоя, чувствительного к IR.
33. Способ по п.32, в котором слой переноса дырок содержит материал, выбранный из группы, состоящей из ТАРС, NPB и TPD.
34. Способ по п.30, дополнительно содержащий слой переноса электронов, причем слой переноса электронов отделяет органический светоизлучающий слой от катода.
35. Способ по п.33, в котором слой переноса электронов содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: 3TPYMB, ВСР, BPhen и Alq3.
36. Способ по п.31, в котором выходное излучение генерируется в органическом светоизлучающем слое при объединении электронов, инжектированных из катода, с дырками, инжектированными из чувствительного к IR слоя.
37. Способ по п.36, в котором электроны, инжектированные из катода, перемещаются через слой переноса электронов от катода к светоизлучающему слою.
38. Способ по п.36, в котором дырки, инжектированные из слоя, чувствительного к IR, перемещаются через слой переноса дырок от слоя, чувствительного к IR, к светоизлучающему слою.
39. Способ по п.21, в котором выходное электромагнитное излучение не генерируется, пока потенциал не достигнет пороговой величины.
40. Способ по п.21, в котором генерирование зарядов между слоем, запирающим дырки, и слоем, чувствительным к IR, является незначительным.
RU2012155849/28A 2010-05-24 2011-05-24 Способ и устройство для обеспечения слоя, запирающего носители заряда в устройстве преобразования с повышением частоты инфракрасного излучения RU2012155849A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34769610P 2010-05-24 2010-05-24
US61/347,696 2010-05-24
PCT/US2011/037772 WO2011149960A2 (en) 2010-05-24 2011-05-24 Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012155849A true RU2012155849A (ru) 2014-06-27

Family

ID=45004721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012155849/28A RU2012155849A (ru) 2010-05-24 2011-05-24 Способ и устройство для обеспечения слоя, запирающего носители заряда в устройстве преобразования с повышением частоты инфракрасного излучения

Country Status (12)

Country Link
US (2) US8716701B2 (ru)
EP (1) EP2577747B1 (ru)
JP (1) JP5778261B2 (ru)
KR (1) KR101820772B1 (ru)
CN (1) CN102906886B (ru)
AU (1) AU2011258475A1 (ru)
BR (1) BR112012029738A2 (ru)
CA (1) CA2800549A1 (ru)
MX (1) MX2012013643A (ru)
RU (1) RU2012155849A (ru)
SG (1) SG185375A1 (ru)
WO (1) WO2011149960A2 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101558348B (zh) 2006-09-29 2013-03-06 佛罗里达大学研究基金公司 用于红外检测和显示的方法和设备
KR101820772B1 (ko) 2010-05-24 2018-01-22 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 업-컨버젼 장치 상에 전하 차단층을 제공하기 위한 방법 및 장치
EP2666191A4 (en) 2011-02-28 2018-01-03 University of Florida Research Foundation, Inc. Photodetector and upconversion device with gain (ec)
CN103597624A (zh) * 2011-06-06 2014-02-19 佛罗里达大学研究基金会有限公司 透明红外-可见光上转换器件
RU2014102650A (ru) 2011-06-30 2015-08-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Усиливающий инфракрасный фотодетектор и его применение для обнаружения ик-излучения
CN103311448A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
EP3308113A4 (en) 2015-06-11 2019-03-20 University of Florida Research Foundation, Incorporated MONODISPERSED IR ABSORPTION NANOPARTICLES AND METHODS AND DEVICES THEREOF
CN108230930B (zh) 2018-01-05 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN108448000B (zh) * 2018-03-29 2019-05-17 云南大学 一种红外-可见光学上转换器件
US20210013437A1 (en) * 2018-09-29 2021-01-14 Tcl Technology Group Corporation Quantum dot light-emitting diode
US10879487B2 (en) * 2018-10-04 2020-12-29 Universal Display Corporation Wearable OLED illumination device
CN110197860B (zh) * 2019-05-29 2021-05-28 深圳扑浪创新科技有限公司 一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途
KR20210109158A (ko) 2020-02-27 2021-09-06 삼성전자주식회사 광전 변환 소자, 유기 센서 및 전자 장치
EP4006994A1 (en) * 2020-11-26 2022-06-01 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optoelectronic device

Family Cites Families (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57139976A (en) 1981-02-23 1982-08-30 Omron Tateisi Electronics Co Light emitting/receiving device
EP0106514B1 (en) 1982-09-23 1989-03-15 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Infrared detectors
JPS6030163A (ja) 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JPS61149831A (ja) 1984-12-24 1986-07-08 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線検知装置
US4778692A (en) 1985-02-20 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
EP0219711A1 (de) 1985-10-08 1987-04-29 Heimann GmbH Infrarotdetektor
JPH0797657B2 (ja) 1986-10-01 1995-10-18 株式会社小松製作所 光メモリ
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS6412583A (en) 1987-07-07 1989-01-17 Toshiba Corp Photodetector
JPH0216421A (ja) 1988-07-04 1990-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光検出器
JPH0379693A (ja) 1989-04-28 1991-04-04 Quantex Corp 光学的アップコンバーションのための高性能光ルミネセント材料及びそれを作る方法
US5122905A (en) 1989-06-20 1992-06-16 The Dow Chemical Company Relective polymeric body
US5121398A (en) 1989-09-26 1992-06-09 Excel Technology, Inc. Broadly tunable, high repetition rate solid state lasers and uses thereof
US5315129A (en) 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
SE468188B (sv) 1991-04-08 1992-11-16 Stiftelsen Inst Foer Mikroelek Metod foer inkoppling av straalning i en infraroeddetektor, jaemte anordning
US5270092A (en) 1991-08-08 1993-12-14 The Regents, University Of California Gas filled panel insulation
JPH05186702A (ja) 1992-01-13 1993-07-27 Fuji Xerox Co Ltd ジハロゲン化スズフタロシアニンとハロゲン化ガリウムフタロシアニンとの混合結晶およびそれを用いた電子写真感光体
CA2095666A1 (en) 1992-05-08 1993-11-09 Junichi Ohwaki Infrared-to-visible up-conversion material
JPH06326350A (ja) 1993-05-12 1994-11-25 Nichia Chem Ind Ltd 赤外可視変換素子
JP3405608B2 (ja) 1993-09-17 2003-05-12 株式会社東芝 有機ｅｌ素子
JPH07122762A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Asahi Chem Ind Co Ltd 薄膜光起電力装置
US5389788A (en) 1993-12-13 1995-02-14 Hughes Aircraft Company Infrared transducer and goggles incorporating the same
JPH087096A (ja) 1994-06-20 1996-01-12 Fujitsu General Ltd 動画認識システム
FR2729757A1 (fr) * 1995-01-20 1996-07-26 Sofradir Dispositif de detection d'ondes electromagnetiques, et notamment de rayonnements infra-rouges
US5710428A (en) 1995-08-10 1998-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Infrared focal plane array detecting apparatus having light emitting devices and infrared camera adopting the same
US5811834A (en) 1996-01-29 1998-09-22 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
JPH1065200A (ja) * 1996-08-15 1998-03-06 Yokogawa Electric Corp 赤外受光素子
US6211529B1 (en) * 1996-08-27 2001-04-03 California Institute Of Technology Infrared radiation-detecting device
US5853497A (en) 1996-12-12 1998-12-29 Hughes Electronics Corporation High efficiency multi-junction solar cells
JPH10242493A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池
EP1051762A1 (en) 1998-02-02 2000-11-15 Uniax Corporation X-y addressable electric microswitch arrays and sensor matrices employing them
JPH11329736A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
AR022366A1 (es) 1998-08-19 2002-09-04 Univ Princeton Dispositivo optoelectronico organico fotosensible, metodo de generacion de energia electrica a partir del mismo, metodo de deteccion de energia electrica a partir del mismo, y metodo de fabricacion del mismo
US6140646A (en) 1998-12-17 2000-10-31 Sarnoff Corporation Direct view infrared MEMS structure
JP2000277265A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Agency Of Ind Science & Technol 有機空間光変調素子
JP2000349365A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Futaba Corp 光電流増倍素子
JP2001006876A (ja) 1999-06-25 2001-01-12 Futaba Corp 光−光変換素子
JP4107354B2 (ja) 1999-07-15 2008-06-25 独立行政法人科学技術振興機構 ミリ波・遠赤外光検出器
US6512385B1 (en) 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
JP3950594B2 (ja) 1999-09-03 2007-08-01 ローム株式会社 表示装置
US6509574B2 (en) 1999-12-02 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Optocouplers having integrated organic light-emitting diodes
US20020066904A1 (en) 1999-12-03 2002-06-06 Han-Tzong Yuan Solid-state relay having integrated organic light-emitting diodes
AUPQ897600A0 (en) 2000-07-25 2000-08-17 Liddiard, Kevin Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector
US6579629B1 (en) 2000-08-11 2003-06-17 Eastman Kodak Company Cathode layer in organic light-emitting diode devices
GB0024804D0 (en) 2000-10-10 2000-11-22 Microemissive Displays Ltd An optoelectronic device
US6828045B1 (en) 2003-06-13 2004-12-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element and production method thereof
DE10101995A1 (de) 2001-01-18 2002-07-25 Philips Corp Intellectual Pty Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schützen mindestens einer Chipanordnung vor Manipulation und/oder vor Mißbrauch
JP2002340668A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Denso Corp サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法
WO2002099896A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 State University Of New York Infrared radiation imager
JP2003083809A (ja) 2001-09-10 2003-03-19 Hamamatsu Photonics Kk 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。
US20030052365A1 (en) 2001-09-18 2003-03-20 Samir Chaudhry Structure and fabrication method for capacitors integratible with vertical replacement gate transistors
US7348946B2 (en) 2001-12-31 2008-03-25 Intel Corporation Energy sensing light emitting diode display
US7378124B2 (en) 2002-03-01 2008-05-27 John James Daniels Organic and inorganic light active devices and methods for making the same
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6951694B2 (en) 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
US7700200B2 (en) 2002-03-29 2010-04-20 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
EP1367659B1 (en) 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US20040031965A1 (en) 2002-08-16 2004-02-19 Forrest Stephen R. Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device
US7119359B2 (en) 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US7052351B2 (en) * 2002-12-31 2006-05-30 Eastman Kodak Company Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS
JP2003178887A (ja) 2003-01-06 2003-06-27 Canon Inc 電界発光素子用電極材料の選択方法
EP1447860A1 (en) 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Organic material photodiode
US6869699B2 (en) 2003-03-18 2005-03-22 Eastman Kodak Company P-type materials and mixtures for electronic devices
WO2004095144A1 (ja) 2003-04-24 2004-11-04 Sharp Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、電子写真画像形成方法および電子写真装置
US20040222306A1 (en) 2003-05-08 2004-11-11 Anthony Fajarillo Methods, systems and apparatus for displaying bonsai trees
US6914315B2 (en) 2003-05-28 2005-07-05 Vtera Technology Inc. GaN-based heterostructure photodiode
EP1636853A4 (en) 2003-06-12 2007-04-04 Sirica Corp STATIONARY NON-BALANCE DISTRIBUTION FREE CARRIER AND PHOTOENENERGY UPGRADING THEREFORE
US7148463B2 (en) 2003-07-16 2006-12-12 Triquint Semiconductor, Inc. Increased responsivity photodetector
US7381953B1 (en) 2003-07-25 2008-06-03 Public Service Solutions, Inc. Infrared imaging device
US6906326B2 (en) 2003-07-25 2005-06-14 Bae Systems Information And Elecronic Systems Integration Inc. Quantum dot infrared photodetector focal plane array
WO2005017973A2 (en) 2003-08-18 2005-02-24 Nanosource, Inc. Semiconductor avalanche photodetector with vacuum or gaseous gap electron acceleration region
EP1513171A1 (en) 2003-09-05 2005-03-09 Sony International (Europe) GmbH Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production
US6881502B2 (en) 2003-09-24 2005-04-19 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer
US8884845B2 (en) 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
WO2005050164A2 (en) 2003-11-13 2005-06-02 Georgia Tech Research Corporation Detection systems and methods
US6972431B2 (en) 2003-11-26 2005-12-06 Trustees Of Princeton University Multilayer organic photodetectors with improved performance
US7125635B2 (en) 2003-12-23 2006-10-24 Xerox Corporation Imaging members
BRPI0506541A (pt) 2004-01-20 2007-02-27 Cyrium Technologies Inc célula solar com material de ponto quántico epitaxialmente crescido
US6943425B2 (en) 2004-01-23 2005-09-13 Intevac, Inc. Wavelength extension for backthinned silicon image arrays
GB0401578D0 (en) 2004-01-24 2004-02-25 Koninkl Philips Electronics Nv Phototransistor
US7151339B2 (en) 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
JP2005266537A (ja) 2004-03-19 2005-09-29 Stanley Electric Co Ltd 赤外線透過フィルタ及び該赤外線透過フィルタを具備する赤外線投光器
JP2005277113A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
US7773139B2 (en) 2004-04-16 2010-08-10 Apple Inc. Image sensor with photosensitive thin film transistors
US7326908B2 (en) 2004-04-19 2008-02-05 Edward Sargent Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals
US7773404B2 (en) 2005-01-07 2010-08-10 Invisage Technologies, Inc. Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same
JP2006013103A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Sony Corp 有機電界発光素子
US20060014044A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
US7300731B2 (en) * 2004-08-10 2007-11-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Spatially-doped charge transport layers
KR20060018583A (ko) 2004-08-25 2006-03-02 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 함유하는 백색 발광 유·무기하이브리드 전기 발광 소자
US8026510B2 (en) 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
JP2006128437A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
KR100678291B1 (ko) 2004-11-11 2007-02-02 삼성전자주식회사 나노입자를 이용한 수광소자
US7402831B2 (en) 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
TWI278252B (en) 2005-04-04 2007-04-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting display device
US7279705B2 (en) 2005-01-14 2007-10-09 Au Optronics Corp. Organic light-emitting device
US20060157806A1 (en) 2005-01-18 2006-07-20 Omnivision Technologies, Inc. Multilayered semiconductor susbtrate and image sensor formed thereon for improved infrared response
US8115093B2 (en) 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
KR100624307B1 (ko) 2005-02-23 2006-09-19 제일모직주식회사 표시장치용 저반사율의 휘도 향상 다층 광학필름 및 이를이용한 유기발광다이오드 표시장치
US7208738B2 (en) 2005-02-28 2007-04-24 Sundar Natarajan Yoganandan Light source utilizing an infrared sensor to maintain brightness and color of an LED device
CN101133499B (zh) 2005-03-04 2010-06-16 松下电工株式会社 多层有机太阳能电池
JP4567495B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 株式会社リコー 光波長変換素子
TWI305431B (en) * 2005-04-06 2009-01-11 Au Optronics Corp Organic light emitting diode display
ES2297972A1 (es) 2005-05-30 2008-05-01 Universidad Politecnica De Madrid Fotodetector de infrarrojos de banda intermedia y puntos cuanticos.
WO2006130717A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 The Regents Of The University Of California Effective organic solar cells based on triplet materials
WO2006132128A1 (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha 正孔注入輸送層用塗液、正孔注入輸送層の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、及び、その製造方法
KR20070000262A (ko) 2005-06-27 2007-01-02 삼성전자주식회사 Mg-Ag 단일 박막층을 사용한 음극 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자
US7247850B2 (en) 2005-08-05 2007-07-24 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government Infrared imager
WO2007017475A1 (de) 2005-08-08 2007-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Organischer photodetektor mit erhöhter empfindlichkeit, sowie verwendung eines triarylmin-fluoren-polymers als zwischenschicht in einem photodetektor
DE102005037290A1 (de) 2005-08-08 2007-02-22 Siemens Ag Flachbilddetektor
KR100720100B1 (ko) * 2005-08-23 2007-05-18 한양대학교 산학협력단 다중 이종 헤테로 구조의 정공속박층을 가지는유기발광소자 및 그 제조방법
CN102157532B (zh) 2005-08-25 2013-03-06 爱德华·萨金特 具有增强的增益和灵敏度的量子点光学器件及其制造方法
CN100424897C (zh) * 2005-09-28 2008-10-08 中国科学院上海技术物理研究所 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
KR100691567B1 (ko) 2005-10-18 2007-03-09 신코엠 주식회사 유기 전계 발광다이오드 디스플레이 패널의 구동회로 및이를 이용한 디스차아지 방법
US7947897B2 (en) 2005-11-02 2011-05-24 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
US8013240B2 (en) 2005-11-02 2011-09-06 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic cells utilizing ultrathin sensitizing layer
US8021763B2 (en) 2005-11-23 2011-09-20 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent OLED with interlayer
KR101502317B1 (ko) 2005-12-05 2015-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기금속 착체, 및 이를 사용하는 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
US7414294B2 (en) 2005-12-16 2008-08-19 The Trustees Of Princeton University Intermediate-band photosensitive device with quantum dots having tunneling barrier embedded in organic matrix
DE602006001930D1 (de) 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
KR101288304B1 (ko) 2006-01-27 2013-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 화합물 및 이를 구비한 유기 발광 소자
WO2008060642A2 (en) 2006-02-10 2008-05-22 The Research Foundation Of State University Of New York High density coupling of quantum dots to carbon nanotube surface for efficient photodetection
WO2007095386A2 (en) 2006-02-13 2007-08-23 Solexant Corporation Photovoltaic device with nanostructured layers
CN101405888B (zh) 2006-02-17 2011-09-28 索莱赞特公司 纳米结构的电致发光器件以及显示器
RU2438152C2 (ru) 2006-03-02 2011-12-27 Компаунд Фотоникс Пространственный световой модулятор с оптической адресацией и способ
WO2007099880A1 (en) 2006-03-03 2007-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting material, light emitting element, light emitting device and electronic device
CN101411000A (zh) 2006-03-23 2009-04-15 索莱赞特公司 包括纳米颗粒敏化的碳纳米管的光伏器件
US8247801B2 (en) 2006-03-31 2012-08-21 Imec Organic semi-conductor photo-detecting device
US20080121271A1 (en) 2006-05-03 2008-05-29 Rochester Institute Of Technology Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof
JP2008016831A (ja) 2006-06-09 2008-01-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 光−光変換デバイス
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
TWI312531B (en) 2006-06-30 2009-07-21 Nat Taiwan Universit Photoelectric device and fabrication method thereof
US7955889B1 (en) 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
CN101558348B (zh) * 2006-09-29 2013-03-06 佛罗里达大学研究基金公司 用于红外检测和显示的方法和设备
US8080824B2 (en) 2006-11-15 2011-12-20 Academia Sinica Suppressing recombination in an electronic device
WO2008140601A1 (en) 2006-12-06 2008-11-20 Solexant Corporation Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
US7799990B2 (en) 2007-03-12 2010-09-21 Northwestern University Electron-blocking layer / hole-transport layer for organic photovoltaics and applications of same
WO2008131313A2 (en) 2007-04-18 2008-10-30 Invisage Technologies, Inc. Materials systems and methods for optoelectronic devices
US20100044676A1 (en) 2008-04-18 2010-02-25 Invisage Technologies, Inc. Photodetectors and Photovoltaics Based on Semiconductor Nanocrystals
WO2009002551A1 (en) 2007-06-26 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots
KR100838088B1 (ko) 2007-07-03 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
KR101479803B1 (ko) 2007-07-23 2015-01-06 바스프 에스이 광전 탠덤 전지
DE102007043648A1 (de) 2007-09-13 2009-03-19 Siemens Ag Organischer Photodetektor zur Detektion infraroter Strahlung, Verfahren zur Herstellung dazu und Verwendung
SG186643A1 (en) 2007-12-13 2013-01-30 Technion Res & Dev Foundation Photovoltaic cells comprising group iv-vi semiconductor core-shell nanocrystals
EP2232589B1 (en) 2007-12-18 2013-11-20 Marek T. Michalewicz Quantum tunneling photodetector array
JP5162271B2 (ja) 2008-02-15 2013-03-13 Ａｇｃテクノグラス株式会社 光学多層膜付きガラス部材とその製造方法
KR20090089073A (ko) 2008-02-18 2009-08-21 삼성모바일디스플레이주식회사 실란일아민계 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한 유기발광 소자
US20090208776A1 (en) 2008-02-19 2009-08-20 General Electric Company Organic optoelectronic device and method for manufacturing the same
US20090214967A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the same
US20090217967A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 International Business Machines Corporation Porous silicon quantum dot photodetector
JP5108806B2 (ja) 2008-03-07 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
WO2009116511A1 (ja) 2008-03-19 2009-09-24 シャープ株式会社 光増感素子及びそれを用いた太陽電池
KR101995371B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
JP4533939B2 (ja) 2008-04-10 2010-09-01 三菱重工業株式会社 赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法
US7821807B2 (en) 2008-04-17 2010-10-26 Epir Technologies, Inc. Nonequilibrium photodetectors with single carrier species barriers
JP2009272528A (ja) 2008-05-09 2009-11-19 Fujifilm Corp 光電変換素子，光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子
US8362517B2 (en) 2008-06-11 2013-01-29 Plextronics, Inc. Encapsulation for organic optoelectronic devices
US20100059097A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
JP2010067802A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Seiko Epson Corp 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2010087205A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Kaneka Corp 多接合型薄膜光電変換装置
CN102197507A (zh) 2008-10-28 2011-09-21 密执安州立大学董事会 具有单独的红色、绿色和蓝色子元件的堆叠式白色oled
TWI407610B (zh) 2008-11-28 2013-09-01 Univ Nat Chiao Tung Infrared light distance sensing device for organic semiconductors
KR101584990B1 (ko) 2008-12-01 2016-01-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
CN102257651B (zh) 2008-12-19 2014-11-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 透明有机发光二极管
AU2010236973A1 (en) * 2009-01-12 2011-08-11 The Regents Of The University Of Michigan Enhancement of organic photovoltaic cell open circuit voltage using electron/hole blocking exciton blocking layers
US8563850B2 (en) 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
DE102009018647A1 (de) 2009-04-23 2010-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP2010263030A (ja) 2009-05-01 2010-11-18 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku 有機ｅｌ素子
GB2470006B (en) 2009-05-05 2012-05-23 Cambridge Display Tech Ltd Device and method of forming a device
TWI380490B (en) 2009-05-05 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Organic photosensitive photoelectric device
GB0909818D0 (en) 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
JP2011098948A (ja) 2009-06-25 2011-05-19 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology ビピリジン誘導体及びそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US9496315B2 (en) 2009-08-26 2016-11-15 Universal Display Corporation Top-gate bottom-contact organic transistor
US9666818B2 (en) 2009-09-18 2017-05-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Tandem-type organic photoelectric conversion element and solar battery
JP2011065927A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp 発光装置
JP2013506303A (ja) 2009-09-29 2013-02-21 リサーチ トライアングル インスティテュート， インターナショナル 量子ドット−フラーレン接合ベースの光検出器
JP5769724B2 (ja) * 2009-11-24 2015-08-26 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク．Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｆｌｏｒｉｄａ Ｒｅｓｅａｔｃｈ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ，Ｉｎｃ． 赤外線放射を感知する方法および装置
CN101794834B (zh) 2009-12-14 2013-06-12 湖南共创光伏科技有限公司 设有上转换荧光材料膜层的高效太阳能薄膜电池及其膜层制备方法
KR101820772B1 (ko) 2010-05-24 2018-01-22 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 적외선 업-컨버젼 장치 상에 전하 차단층을 제공하기 위한 방법 및 장치
CN101872793B (zh) 2010-07-02 2013-06-05 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法
CN103238221A (zh) 2010-11-23 2013-08-07 佛罗里达大学研究基金会有限公司 在低驱动电压下具有高探测灵敏度的ir光探测器
KR101890748B1 (ko) 2011-02-01 2018-08-23 삼성전자주식회사 멀티 스택 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 화소 및 그 제조방법
BR112013021606A2 (pt) 2011-02-28 2016-11-16 Nanoholdings Llc dispositivos de conversão ascendente com absorvedor de banda larga
EP2666191A4 (en) 2011-02-28 2018-01-03 University of Florida Research Foundation, Inc. Photodetector and upconversion device with gain (ec)
CN103493199B (zh) 2011-04-05 2016-11-23 佛罗里达大学研究基金会有限公司 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置
CN103597624A (zh) 2011-06-06 2014-02-19 佛罗里达大学研究基金会有限公司 透明红外-可见光上转换器件
AU2012268322A1 (en) 2011-06-06 2014-01-16 Nanoholdings, Llc Infrared imaging device integrating an IR up-conversion device with a CMOS image sensor
WO2012178071A2 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Brown University Device and methods for temperature and humidity measurements using a nanocomposite film sensor
RU2014102650A (ru) 2011-06-30 2015-08-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Усиливающий инфракрасный фотодетектор и его применение для обнаружения ик-излучения
JP5853486B2 (ja) 2011-08-18 2016-02-09 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
US20150372046A1 (en) 2013-01-25 2015-12-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. A NOVEL IR IMAGE SENSOR USING A SOLUTION-PROCESSED PbS PHOTODETECTOR

Also Published As

Publication number Publication date
US9997571B2 (en) 2018-06-12
KR101820772B1 (ko) 2018-01-22
WO2011149960A8 (en) 2012-12-20
EP2577747A2 (en) 2013-04-10
KR20130117652A (ko) 2013-10-28
CN102906886A (zh) 2013-01-30
WO2011149960A2 (en) 2011-12-01
CA2800549A1 (en) 2011-12-01
CN102906886B (zh) 2016-11-23
WO2011149960A3 (en) 2012-04-05
JP5778261B2 (ja) 2015-09-16
US20140367572A1 (en) 2014-12-18
MX2012013643A (es) 2013-05-01
BR112012029738A2 (pt) 2016-08-09
US8716701B2 (en) 2014-05-06
AU2011258475A1 (en) 2012-11-15
EP2577747B1 (en) 2018-10-17
EP2577747A4 (en) 2016-06-29
SG185375A1 (en) 2012-12-28
JP2013532374A (ja) 2013-08-15
US20120187295A1 (en) 2012-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012155849A (ru) Способ и устройство для обеспечения слоя, запирающего носители заряда в устройстве преобразования с повышением частоты инфракрасного излучения
RU2013139232A (ru) Устройства преобразования с повышением частоты, содержащие широкополосный поглотитель
EP2727154B1 (en) A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain
RU2013139230A (ru) Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп)
TWI579275B (zh) 有機發光二極體
Kim et al. Organic infrared upconversion device
RU2012126145A (ru) Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения
JP2011009727A5 (ru)
WO2012005457A3 (ko) 고효율 유기전계 발광소자
Li et al. Highly efficient blue and warm white organic light-emitting diodes with a simplified structure
US20160093822A1 (en) Organic electronic device and electric field-induced carrier generation layer
Zhao et al. PbS quantum dots based organic-inorganic hybrid infrared detecting and display devices
Zhou et al. Chromatic-stability white organic light emitting diodes based on phosphorescence doped electron transport layer
KR102296566B1 (ko) Dna 기반 물질을 이용한 친환경 고효율 유기 발광 소자
KR20180079109A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
Zhang et al. Delayed Electroluminescence of Doped Fluorescent Single Layer Organic Light-Emitting Devices
차재령 et al. All fused ring spiro host and dopant materials for efficient blue fluorescent organic light-emitting diodes
Thangaraju et al. (4, 4′-N, N′-dicarbazole) biphenyl (CBP) as efficient host in cost-effective green phosphorescent OLEDs
Qiu et al. High-efficiency non-blocking phosphorescent organic light emitting diode with ultrathin emission layer
Lan et al. 68.3: Achieving High Efficiency White Organic Light‐emitting Diodes based on Transient Electroluminescence Analysis

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20160309