RU2012126145A - Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения - Google Patents

Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2012126145A
RU2012126145A RU2012126145/28A RU2012126145A RU2012126145A RU 2012126145 A RU2012126145 A RU 2012126145A RU 2012126145/28 A RU2012126145/28 A RU 2012126145/28A RU 2012126145 A RU2012126145 A RU 2012126145A RU 2012126145 A RU2012126145 A RU 2012126145A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
electron
siu
hole
electrode
Prior art date
Application number
RU2012126145/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Фрэнки СОУ
То Юн КИМ
Original Assignee
Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк. filed Critical Юниверсити Оф Флорида Рисерч Фаундейшн, Инк.
Publication of RU2012126145A publication Critical patent/RU2012126145A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/10—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/042—Superluminescent diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/953—Detector using nanostructure
    • Y10S977/954—Of radiant energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

1. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:первый электрод;ИК-чувствительный слой, первая сторона которого находится в контакте с первым электродом;первое светоизлучающее устройство (СИУ), первая сторона которого находится в контакте со второй стороной ИК-чувствителыюго слоя;первый слой разделения зарядов, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной первого СИУ;второе СИУ, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной слоя разделения зарядов;второй электрод, находящийся в контакте со второй стороной второго электрода;при этом при подаче разности потенциалов между первым и вторым электродами и воздействии ИК-излучения на ИК-чувствительный слой, в ИК-чувствительном слое образуются воспринимающий электрон и воспринимающая дырка, а в первом слое разделения зарядов образуются первая дырка и первый электрон; причем первая дырка или первый электрон проходит к первому СИУ, чувствительный электрон или чувствительная дырка, образованная в ИК-чувствительном слое, проходит в первое СИУ и объединяется в первом СИУ, соответственно, с первой дыркой или первым электроном с образованием первого излученного фотона; при этом другой из указанных первой дырки и первого электрона, образованных в первом слое разделения зарядов, проходит ко второму СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, которые попали во второе СИУ, с образованием второго излученного фотона.2. Устройство по п.1, в котором чувствительный электрон проходит в первое СИУ и объединяется с первой дыркой, при этом первый электрон проходит во второе СИУ и объединяется с соответств�

Claims (31)

1. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
первый электрод;
ИК-чувствительный слой, первая сторона которого находится в контакте с первым электродом;
первое светоизлучающее устройство (СИУ), первая сторона которого находится в контакте со второй стороной ИК-чувствителыюго слоя;
первый слой разделения зарядов, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной первого СИУ;
второе СИУ, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной слоя разделения зарядов;
второй электрод, находящийся в контакте со второй стороной второго электрода;
при этом при подаче разности потенциалов между первым и вторым электродами и воздействии ИК-излучения на ИК-чувствительный слой, в ИК-чувствительном слое образуются воспринимающий электрон и воспринимающая дырка, а в первом слое разделения зарядов образуются первая дырка и первый электрон; причем первая дырка или первый электрон проходит к первому СИУ, чувствительный электрон или чувствительная дырка, образованная в ИК-чувствительном слое, проходит в первое СИУ и объединяется в первом СИУ, соответственно, с первой дыркой или первым электроном с образованием первого излученного фотона; при этом другой из указанных первой дырки и первого электрона, образованных в первом слое разделения зарядов, проходит ко второму СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, которые попали во второе СИУ, с образованием второго излученного фотона.
2. Устройство по п.1, в котором чувствительный электрон проходит в первое СИУ и объединяется с первой дыркой, при этом первый электрон проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующей дыркой, прошедшей во второе СИУ.
3. Устройство по п.1, в котором чувствительная дырка проходит в первое СИУ и объединяется с первым электроном, при этом первая дырка проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующим электроном, прошедшим во второе СИУ.
4. Устройство по п.1,
в котором из второго электрода во второе СИУ проходит соответствующий электрон или дырка, прошедшие во второе СИУ.
5. Устройство по п.1, в котором первый электрод является, по меньшей мере, частично прозрачным.
6. Устройство по п.1, в котором первый электрод является прозрачным.
7. Устройство по п.1, в котором второй электрод является, по меньшей мере, частично прозрачным.
8. Устройство по п.1, в котором второй электрод является прозрачным.
9. Устройство по п.8, в котором второй электрод представляет собой пленку из MgAg.
10. Устройство по п.9, в котором толщина пленки из MgAg составляет 20 мкм или менее.
11. Устройство по п.1, дополнительно содержащее по меньшей мере одно дополнительное СИУ и соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов, причем первая сторона каждого из указанных по меньшей мере одного дополнительного СИУ находится в контакте со второй стороной соответствующего по меньшей мере одного дополнительного слоя разделения зарядов, при этом указанное по меньшей мере одно дополнительное СИУ и указанный соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов расположены между второй стороной второго СИУ и вторым электродом, так что первая сторона первого дополнительного слоя разделения зарядов контактирует со второй стороной второго СИУ, а второй электрод находится в контакте со второй стороной последнего из указанных по меньшей мере одного дополнительного СИУ, при этом другой из указанных первой дырки и первого электрона, образовавшихся в первом слое разделения зарядов, проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, прошедшим во второе СИУ из второго слоя разделения зарядов, причем соответствующий электрон или дырка, прошедшие во второе СИУ, являются вторым электроном и второй дыркой, образовавшимися в первом дополнительном слое разделения зарядов; при этом другой из указанных второго электрона или второй дырки проходит к первому дополнительному СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, прошедшими в первое дополнительное СИУ из второго электрода или из второго дополнительного слоя разделения зарядов.
12. Устройство по п.1, в котором ИК-чувствительный слой содержит материал с низкой характеристикой переноса дырок, плотность тока составляет менее 1 мА/см2.
13. Устройство по п.1, в котором первый электрод содержит оксид индий-олова (ITO).
14. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой светоизлучающие диоды.
15. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой органические светоизлучающие устройства.
16. Устройство по п.14, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой органические светоизлучающие диоды.
17. Устройство по п.15, в котором ИК-чувствительный слой представляет собой органический ИК-чувствительный слой.
18. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой тонкопленочные светоизлучающие диоды.
19. Устройство по п.11, в котором указанное по меньшей мере одно дополнительное СИУ содержит от одного до шести дополнительных СИУ, а указанный соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов содержит соответствующие от одного до шести дополнительных слоев разделения зарядов.
20. Устройство по п.1, в котором указанные первый и второй излученные фотоны являются фотонами видимого света.
21. Устройство по п.1, в котором ИК-чувствительный слой является чувствительным для длин волн в диапазоне от 0,8 мкм до 2 мкм.
22. Устройство по п.1, в котором указанные первый и второй излученные фотоны имеют различную длину волны.
23. Устройство по п.15, в котором по меньшей мере одно из указанных первого органического СИУ и второго органического СИУ содержит органический эмиссионный слой, причем органический эмиссионный слой содержит молекулы первого красителя, испускающие синий свет, молекулы второго красителя, испускающие зеленый свет, и молекулы третьего красителя, испускающие красный свет.
24. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
ИК-чувствительный слой, плотность тока в котором составляет менее 1 мА/см; и
органический светоизлучающий диод (ОСИД) на ИК-чувствительном слое, причем ОСИД выполнен с возможностью принимать электроны, образованные в ИК-чувствительном слое.
25. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
ИК-чувствительный слой, плотность тока в котором составляет менее 1 мА/см; и
органический светоизлучающий диод (ОСИД) на ИК-чувствительном слое, выполненный с возможностью принимать дырки, образованные в ИК-чувствительном слое.
26. Устройство по п.25, дополнительно содержащее первый электрод и слой с низкой характеристикой переноса дырок, расположенный между ИК-чувствительным слоем и первым электродом, причем ИК-чувствительный слой находится в контакте с ОСИД, а плотность тока в слое с низкой характеристикой переноса дырок составляет менее 1 мА/см2.
27. Устройство по п.25, в котором указанный слой блокирования дырок содержит SnPc:C60.
28. Устройство по п.25, в котором ОСИД содержит фосфоресцирующий эмиттер.
29. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит:
органический ИК-поглощающий материал, и
акцепторную примесь, причем органический ИК-поглощающий материал и акцепторная примесь смешаны в ИК-чувствительном слое.
30. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит фуллерен.
31. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит квантовые точки.
RU2012126145/28A 2009-11-24 2010-11-24 Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения RU2012126145A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26407109P 2009-11-24 2009-11-24
US61/264,071 2009-11-24
PCT/US2010/058015 WO2011066396A2 (en) 2009-11-24 2010-11-24 Method and apparatus for sensing infrared radiation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012126145A true RU2012126145A (ru) 2013-12-27

Family

ID=44067223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012126145/28A RU2012126145A (ru) 2009-11-24 2010-11-24 Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения

Country Status (10)

Country Link
US (2) US8796699B2 (ru)
EP (1) EP2504675A4 (ru)
JP (1) JP5769724B2 (ru)
KR (1) KR101815072B1 (ru)
CN (2) CN102725616B (ru)
AU (1) AU2010324764A1 (ru)
BR (1) BR112012012249A2 (ru)
CA (1) CA2781432A1 (ru)
RU (1) RU2012126145A (ru)
WO (1) WO2011066396A2 (ru)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG175565A1 (en) 2006-09-29 2011-11-28 Univ Florida Method and apparatus for infrared detection and display
US8498695B2 (en) 2006-12-22 2013-07-30 Novadaq Technologies Inc. Imaging system with a single color image sensor for simultaneous fluorescence and color video endoscopy
SG185375A1 (en) 2010-05-24 2012-12-28 Univ Florida Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
CN103180968A (zh) * 2010-08-18 2013-06-26 班大燕 具备波长转换功能的有机/无机混合光学放大器
KR20140025359A (ko) * 2011-02-28 2014-03-04 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인코포레이티드 이득 (ｅｃ)을 갖는 광검출기 및 업컨버젼 소자
EP2718991A4 (en) * 2011-06-06 2015-05-13 Univ Florida TRANSPARENT DEVICE FOR UPGRADE FROM INFRARED LIGHT TO VISIBLE LIGHT
CN103765588B (zh) * 2011-06-06 2016-08-24 佛罗里达大学研究基金会有限公司 集成ir上转换器件和cmos图像传感器的红外成像器件
BR112013033122A2 (pt) * 2011-06-30 2017-01-24 Nanoholdings Llc método e aparelho para detectar radiação infravermelha com ganho
WO2013044200A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 University Of Florida Research Foundation, Inc. Infrared driven oled display
CN102661797A (zh) * 2012-04-27 2012-09-12 长春理工大学 采用上转换发光材料的短波红外图像探测装置
JP6131955B2 (ja) * 2012-08-09 2017-05-24 ソニー株式会社 受発光素子及び受発光装置
DE102012222463A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement mit Infrarot-Detektor
CN103178076A (zh) * 2013-04-07 2013-06-26 云南大学 红外光与可见光转换器件
CN103353689B (zh) 2013-06-28 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 光阀器件、红外显示装置、专用眼镜及系统
TWI686971B (zh) * 2013-08-09 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
JPWO2015147073A1 (ja) * 2014-03-25 2017-04-13 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
CN111146352B (zh) * 2014-07-24 2022-10-21 飞利斯有限公司 有机电致发光晶体管
JP2018529214A (ja) 2015-06-11 2018-10-04 ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション, インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation, Inc. 単分散ｉｒ吸収ナノ粒子及び関連する方法及びデバイス
JP6743137B2 (ja) 2015-11-13 2020-08-19 ノバダック テクノロジーズ ユーエルシー ターゲットの照明およびイメージングのためのシステムおよび方法
EP3408654B1 (en) 2016-01-26 2022-08-03 Stryker European Operations Limited Fluorescence imaging system and method for fluorescence imaging
CN105529345A (zh) * 2016-01-29 2016-04-27 中国计量学院 一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器
US10192932B2 (en) * 2016-02-02 2019-01-29 Apple Inc. Quantum dot LED and OLED integration for high efficiency displays
CN105701952B (zh) * 2016-04-19 2019-02-12 北京小米移动软件有限公司 空气异常告警的方法及装置
EP3469420A4 (en) 2016-06-14 2020-02-12 Novadaq Technologies ULC ADAPTIVE IMAGING METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING LOW LIGHT SIGNALS IN MEDICAL VISUALIZATION
JP6931705B2 (ja) 2017-02-10 2021-09-08 ノバダック テクノロジーズ ユーエルシー オープンフィールドハンドヘルド蛍光イメージングシステムおよび方法
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11282981B2 (en) * 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
CN108428801A (zh) * 2018-03-13 2018-08-21 华南理工大学 一种有机上转换器件
CN110391307A (zh) * 2018-04-18 2019-10-29 苏州大学 一种InGaAs探测器与OLED结合的上转换器件的制备方法
US11631815B2 (en) 2018-12-28 2023-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot electroluminescence device
CN111863870B (zh) * 2019-04-29 2023-08-22 上海和辉光电股份有限公司 Oled面板及其驱动方法
CN111628093B (zh) * 2020-05-13 2021-06-29 电子科技大学 一种高效率有机上转换器件
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
KR102895864B1 (ko) 2020-07-29 2025-12-04 삼성전자주식회사 결함 검출 회로를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 결함 검출 방법
US12178056B2 (en) 2020-10-28 2024-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Sensor and electronic device
EP4006994A1 (en) * 2020-11-26 2022-06-01 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optoelectronic device
CN112510062B (zh) * 2020-11-27 2022-08-16 电子科技大学 一种上转换器件红外复合波长成像系统及其搭建测试方法
KR102573266B1 (ko) * 2021-08-02 2023-08-31 국민대학교산학협력단 초박형-led 유연 스킨 패치 및 이의 제조방법
US20230133040A1 (en) * 2021-11-03 2023-05-04 OLEDWorks LLC Photonic feedback organic photodiodes and upconverters
US12487342B2 (en) 2022-05-17 2025-12-02 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Quantum film direct time of flight sensor circuit for low cost short wave infrared operation

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61149831A (ja) 1984-12-24 1986-07-08 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線検知装置
EP0219711A1 (de) * 1985-10-08 1987-04-29 Heimann GmbH Infrarotdetektor
JPH0216421A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光検出器
JPH0379693A (ja) * 1989-04-28 1991-04-04 Quantex Corp 光学的アップコンバーションのための高性能光ルミネセント材料及びそれを作る方法
JPH087096B2 (ja) * 1990-11-30 1996-01-29 防衛庁技術研究本部長 赤外検知装置
JPH05186702A (ja) * 1992-01-13 1993-07-27 Fuji Xerox Co Ltd ジハロゲン化スズフタロシアニンとハロゲン化ガリウムフタロシアニンとの混合結晶およびそれを用いた電子写真感光体
JPH087096A (ja) 1994-06-20 1996-01-12 Fujitsu General Ltd 動画認識システム
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JPH11329736A (ja) * 1998-05-20 1999-11-30 Futaba Corp 光変調鏡
JP2002340668A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Denso Corp サーモパイル式赤外線センサおよびその検査方法
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
TWI272874B (en) * 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US20040031965A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Forrest Stephen R. Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device
JP2003178887A (ja) * 2003-01-06 2003-06-27 Canon Inc 電界発光素子用電極材料の選択方法
US7727693B2 (en) * 2003-04-24 2010-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Electrophotographic photoreceptor, electrophotographic image forming method, and electrophotographic apparatus
US6914315B2 (en) * 2003-05-28 2005-07-05 Vtera Technology Inc. GaN-based heterostructure photodiode
US20060014044A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
US8026510B2 (en) * 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
US7402831B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7279705B2 (en) * 2005-01-14 2007-10-09 Au Optronics Corp. Organic light-emitting device
TWI278252B (en) * 2005-04-04 2007-04-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting display device
US7208738B2 (en) * 2005-02-28 2007-04-24 Sundar Natarajan Yoganandan Light source utilizing an infrared sensor to maintain brightness and color of an LED device
WO2006132128A1 (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha 正孔注入輸送層用塗液、正孔注入輸送層の製造方法、有機エレクトロルミネセンス素子、及び、その製造方法
CN100424897C (zh) * 2005-09-28 2008-10-08 中国科学院上海技术物理研究所 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
US8021763B2 (en) * 2005-11-23 2011-09-20 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent OLED with interlayer
WO2007066556A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex and light-emitting element, light-emitting device and electronic device using the same
EP1804309B1 (en) * 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
WO2007099880A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting material, light emitting element, light emitting device and electronic device
US7955889B1 (en) * 2006-07-11 2011-06-07 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
SG175565A1 (en) * 2006-09-29 2011-11-28 Univ Florida Method and apparatus for infrared detection and display
US8080824B2 (en) * 2006-11-15 2011-12-20 Academia Sinica Suppressing recombination in an electronic device
KR100838088B1 (ko) * 2007-07-03 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
US20090214967A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge using the same
JP4533939B2 (ja) * 2008-04-10 2010-09-01 三菱重工業株式会社 赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法
EP2345096B1 (en) * 2008-10-28 2018-10-17 The Regents of the University of Michigan Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements
TWI407610B (zh) * 2008-11-28 2013-09-01 國立交通大學 Infrared light distance sensing device for organic semiconductors
KR101584990B1 (ko) * 2008-12-01 2016-01-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN105870241A (zh) 2016-08-17
US9006752B2 (en) 2015-04-14
JP5769724B2 (ja) 2015-08-26
US20120286296A1 (en) 2012-11-15
CA2781432A1 (en) 2011-06-03
US8796699B2 (en) 2014-08-05
WO2011066396A3 (en) 2011-09-22
US20150001395A1 (en) 2015-01-01
KR20120089348A (ko) 2012-08-09
JP2013512439A (ja) 2013-04-11
AU2010324764A1 (en) 2012-06-14
KR101815072B1 (ko) 2018-01-30
EP2504675A4 (en) 2016-08-17
BR112012012249A2 (pt) 2016-04-19
CN102725616B (zh) 2016-04-06
CN102725616A (zh) 2012-10-10
EP2504675A2 (en) 2012-10-03
WO2011066396A2 (en) 2011-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012126145A (ru) Способ и устройство для восприятия инфракрасного излучения
KR102139577B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP5568305B2 (ja) 赤外線検出および表示のための方法および装置
EP2577747B1 (en) Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
TW200921182A (en) Optoelectronic devices
MX2013014311A (es) Dispositivo formador de imagenes de luz infrarroja que integra un dispositivo de conversion ascendente de luz infrarroja con un sensor de imagenesde semicoductor complementario de oxido de metal.
CN108448000A (zh) 一种红外-可见光学上转换器件
CN106920816B (zh) 有机发光显示装置及有机发光堆叠结构
JP2010152221A (ja) 画像表示装置
TW200810141A (en) Light-light conversion device
JP2004311421A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWM498318U (zh) 堆疊型薄膜光轉換裝置
KR102296626B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100948855B1 (ko) 유기 발광 장치
TW200529693A (en) Full color organic electroluminescence device with double layer emission pixel
JP2011242638A (ja) 有機ｅｌ表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150730