JPH087096B2 - 赤外検知装置 - Google Patents
赤外検知装置Info
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- JPH087096B2 JPH087096B2 JP33831990A JP33831990A JPH087096B2 JP H087096 B2 JPH087096 B2 JP H087096B2 JP 33831990 A JP33831990 A JP 33831990A JP 33831990 A JP33831990 A JP 33831990A JP H087096 B2 JPH087096 B2 JP H087096B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は赤外計測に使用される焦電形の赤外検知装置
に関するもので、特に誘導弾等において用いられる高温
源検知・追跡誘導での利用に好適な赤外検知装置に関す
るものである。
に関するもので、特に誘導弾等において用いられる高温
源検知・追跡誘導での利用に好適な赤外検知装置に関す
るものである。
従来の技術 焦電形の赤外検知器は、焦電素子に赤外線が入射する
と、それを熱吸収してわずかの素子温度上昇が起り、そ
の温度変化により表面電荷が発生し、それを電気信号と
して出力するようになっている。このような現象を焦電
効果というが、この焦電効果を有する素子は、同時に圧
電効果も持つ。従って、振動・衝撃を受けると表面電荷
が発生し、いわゆる圧電雑音を発生する。これを防止す
るために、第４図に示すように、焦電形外検知素子１を
設けた赤外検知器ケース５を防震支持部４を介して構体
６に設置し、外部からの振動・衝撃を防いで圧電雑音を
発生を抑える方法がとられている。７赤外集光系であ
る。また、第２の方法として、第５図に示すように、焦
電形赤外検知素子１と赤外集光系７を構体６に組合せた
装置全体を防震支持部４を介して基盤８に設置し、圧電
雑音を抑える方法もある。
と、それを熱吸収してわずかの素子温度上昇が起り、そ
の温度変化により表面電荷が発生し、それを電気信号と
して出力するようになっている。このような現象を焦電
効果というが、この焦電効果を有する素子は、同時に圧
電効果も持つ。従って、振動・衝撃を受けると表面電荷
が発生し、いわゆる圧電雑音を発生する。これを防止す
るために、第４図に示すように、焦電形外検知素子１を
設けた赤外検知器ケース５を防震支持部４を介して構体
６に設置し、外部からの振動・衝撃を防いで圧電雑音を
発生を抑える方法がとられている。７赤外集光系であ
る。また、第２の方法として、第５図に示すように、焦
電形赤外検知素子１と赤外集光系７を構体６に組合せた
装置全体を防震支持部４を介して基盤８に設置し、圧電
雑音を抑える方法もある。
発明が解決しようとする課題 ところが、本装置は焦電形赤外検知素子と赤外集光系
を組合せて赤外放射源の分布を計測し、高温部の位置を
測定できる機能を有しているが、上記のような防震対策
をほどこした場合、第１の方法では、赤外集光系と焦電
形赤外検知素子との相対的位置関係が、防震支持部４の
変形によって変動し、焦電形赤外検知素子１の視野方位
が変動することになる。また、第２の方法の場合、装置
全体の傾きが視野方位に関係し、防震支持部４の変形を
影響を避けることができない。
を組合せて赤外放射源の分布を計測し、高温部の位置を
測定できる機能を有しているが、上記のような防震対策
をほどこした場合、第１の方法では、赤外集光系と焦電
形赤外検知素子との相対的位置関係が、防震支持部４の
変形によって変動し、焦電形赤外検知素子１の視野方位
が変動することになる。また、第２の方法の場合、装置
全体の傾きが視野方位に関係し、防震支持部４の変形を
影響を避けることができない。
このように、防震支持部４の変形により、計測すべき
高温部の位置のデータが変動することになるので、これ
を解決する必要がある。防震支持部４の材質を吟味し
て、温度変化による変形の少ない材質を採用する等の配
慮は大切であるが、本来の目的から言えば取付面の振動
あるいは衝撃を吸収して、焦電形赤外検知素子に動きを
伝えない働きをするためのものなので、加振時にはかな
らず、防震支持部４が変形しているわけであり、根本的
解決にならない。そこで、このような視野方位の変動は
抑えることができないわけで、むしろ問題は、そのよう
な誤差要因をいかにして、補正するかにある。
高温部の位置のデータが変動することになるので、これ
を解決する必要がある。防震支持部４の材質を吟味し
て、温度変化による変形の少ない材質を採用する等の配
慮は大切であるが、本来の目的から言えば取付面の振動
あるいは衝撃を吸収して、焦電形赤外検知素子に動きを
伝えない働きをするためのものなので、加振時にはかな
らず、防震支持部４が変形しているわけであり、根本的
解決にならない。そこで、このような視野方位の変動は
抑えることができないわけで、むしろ問題は、そのよう
な誤差要因をいかにして、補正するかにある。
本発明は、上記課題を解決するもので、赤外検知素子
の視野が防震支持部の変形によって変動しても、その変
動値を即座に補正できる焦電形の赤外検知装置を提供す
ることを目的とするものである。
の視野が防震支持部の変形によって変動しても、その変
動値を即座に補正できる焦電形の赤外検知装置を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、請求項１記載の発明にお
いては、焦電形赤外検知器とアレイ光センサを同一面上
に配して防震支持体を介して支持構体に配し、赤外集光
系を焦電形赤外検知器と、光源をアレイ光センサと各々
対向させて配したものである。 請求項２の発明は請求
項１の発明における光源からの項を一定の周波数で強度
変調するものである。
いては、焦電形赤外検知器とアレイ光センサを同一面上
に配して防震支持体を介して支持構体に配し、赤外集光
系を焦電形赤外検知器と、光源をアレイ光センサと各々
対向させて配したものである。 請求項２の発明は請求
項１の発明における光源からの項を一定の周波数で強度
変調するものである。
請求項３および４の発明は請求項１の発明における光
源をレーザ光源としたものである。
源をレーザ光源としたものである。
請求項５の発明は請求項１の発明における光源を発光
ダイオードおよび集光系で構成したものである。
ダイオードおよび集光系で構成したものである。
請求項６の発明は焦電形赤外検知器と赤外集光系とを
支持構体に支持して防震支持部を介して基盤に固定し、
支持構体に反射ミラーを設けてこれと対向する基盤面に
光源およびアレイ光センサを設けたものである。
支持構体に支持して防震支持部を介して基盤に固定し、
支持構体に反射ミラーを設けてこれと対向する基盤面に
光源およびアレイ光センサを設けたものである。
請求項７の発明は請求項６の発明における光源からの
光を一定の周波数で強度変調するものである。
光を一定の周波数で強度変調するものである。
請求項８および９の発明は請求項６の発明における光
源をレーザ光源としたものである。
源をレーザ光源としたものである。
請求項10の発明は請求項６の発明における光源を発光
ダイオードおよび集光系で構成したものである。
ダイオードおよび集光系で構成したものである。
請求項11の発明は請求項１の発明と請求項６の発明を
組合せて防震支持系を２系統としたものである。
組合せて防震支持系を２系統としたものである。
請求項12の発明は請求項11の発明における各光源から
の光を各々一定の周波数で強度変調するものである。
の光を各々一定の周波数で強度変調するものである。
作用 請求項１の発明は、焦電形赤外検知器と赤外集光系の
相対位置の変動に対しては、赤外集光系光軸に垂直な面
上での焦電形赤外検知器位置を規定する２座標での位置
の変動をアレイ光センサ上での光点の位置により視野方
位の変動量に換算して補正するものである。
相対位置の変動に対しては、赤外集光系光軸に垂直な面
上での焦電形赤外検知器位置を規定する２座標での位置
の変動をアレイ光センサ上での光点の位置により視野方
位の変動量に換算して補正するものである。
請求項2,7および12の発明は光源からの光を一定周波
数で強度変調し、その周波数成分を中心に信号処理する
ことによりS/Nを向上させる。
数で強度変調し、その周波数成分を中心に信号処理する
ことによりS/Nを向上させる。
請求項３乃至5,8乃至10の発明においては、光源を特
定のものにすることにより空間分解能の高い変動検出を
可能とする。
定のものにすることにより空間分解能の高い変動検出を
可能とする。
請求項６の発明は、赤外検知装置全体の方位変動に対
して基盤に配置された基準光源からの基準光を反射ミラ
ーで反射し、赤外検知装置全体の方位の変動を反射基準
光の方位変動としてアレイ光センサで計測して補正する
ものである。
して基盤に配置された基準光源からの基準光を反射ミラ
ーで反射し、赤外検知装置全体の方位の変動を反射基準
光の方位変動としてアレイ光センサで計測して補正する
ものである。
請求項11の発明は焦電形赤外検知器と赤外集光系の相
対位置の変動および赤外検知装置全体の変動の各々を支
持構体に設けた位置基準からなる光源および基盤を設け
た方位基準となる光源からの各光をアレイ光センサで検
出し、補正するものである。
対位置の変動および赤外検知装置全体の変動の各々を支
持構体に設けた位置基準からなる光源および基盤を設け
た方位基準となる光源からの各光をアレイ光センサで検
出し、補正するものである。
実 施 例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説
明する。第１図において、１は焦電形赤外検知素子で、
0.1mmピッチの128×128素子アレイである。赤外集光系
７は、焦点距離50mmのゲルマニウムレンズで、10μｍの
赤外波長を中心にして、反射防止膜がコーテイングされ
ている。焦電形赤外検知素子１は、赤外検知器ケース５
に設置され、この赤外検知器ケース５が防震支持部４を
介して構体６に設置されている。赤外検知器ケース５の
一部にアレイ光センサ２を固定し、焦電形赤外検知素子
１と同一の動きになるようにする。
明する。第１図において、１は焦電形赤外検知素子で、
0.1mmピッチの128×128素子アレイである。赤外集光系
７は、焦点距離50mmのゲルマニウムレンズで、10μｍの
赤外波長を中心にして、反射防止膜がコーテイングされ
ている。焦電形赤外検知素子１は、赤外検知器ケース５
に設置され、この赤外検知器ケース５が防震支持部４を
介して構体６に設置されている。赤外検知器ケース５の
一部にアレイ光センサ２を固定し、焦電形赤外検知素子
１と同一の動きになるようにする。
アレイ光センサ２は25μｍピッチで、128×128素子で
ある。一方、構体６の一部に発光ダイオード３を設置
し、アレイ光センサ３の受光面上で50μｍφの微小スポ
ットになるよう発光ダイオード３の前に微小レンズを設
置する。
ある。一方、構体６の一部に発光ダイオード３を設置
し、アレイ光センサ３の受光面上で50μｍφの微小スポ
ットになるよう発光ダイオード３の前に微小レンズを設
置する。
これにより、赤外集光系７に対する焦電形赤外検知素
子１の相対的位置の変動を検出することができる。変位
量は最大±1.6mm、上下、左右について検出でき、空間
分解能は50μｍである。これは、焦電形赤外検知素子１
の空間分解能100μｍより十分良く、補正によって空間
分解能が劣化することはない。この実施例では、例え
ば、△lmm変動すると、次式により、方位変動量△α
（度）を計算でき、この角度値で補正することもでき
る。
子１の相対的位置の変動を検出することができる。変位
量は最大±1.6mm、上下、左右について検出でき、空間
分解能は50μｍである。これは、焦電形赤外検知素子１
の空間分解能100μｍより十分良く、補正によって空間
分解能が劣化することはない。この実施例では、例え
ば、△lmm変動すると、次式により、方位変動量△α
（度）を計算でき、この角度値で補正することもでき
る。
△α＝tan-1（△l/50） ……（１） この実施例において、発光ダイオードの代わりに、気
体レーザや半導体レーザなどのレーザ光源を用いること
もできる。また、どちらの場合も、発光を一定周波数で
変調し、その周波数成分を中心に信号処理することで、
S/Nを向上させることも可能である。
体レーザや半導体レーザなどのレーザ光源を用いること
もできる。また、どちらの場合も、発光を一定周波数で
変調し、その周波数成分を中心に信号処理することで、
S/Nを向上させることも可能である。
次に、第２図を参照しながら本発明の第２実施例につ
いて説明する。本実施例の説明においては、第１実施例
と異なる部分について説明する。第２図は、第２実施例
の焦電形赤外検知装置の構成を示す側面図である。
いて説明する。本実施例の説明においては、第１実施例
と異なる部分について説明する。第２図は、第２実施例
の焦電形赤外検知装置の構成を示す側面図である。
第１実施例と異なる点は、防震支持部４に赤外集光系
７を含めた組立品として設置し、焦電形赤外検知素子１
と赤外集光系７との相対的位置関係は変動しないように
したことである。この場合、組立品全体の傾きが視野方
位に影響を与えるので、構体６に、第２図に示す通り反
射ミラー９を設置し、このミラー面の傾きで角度変動を
計測する。具体的には、防震支持部４を保持している基
盤８にレーザ光源３′とアレイ光センサ２を設置して、
反射ミラー９からの反射光をアレイ光センサ２で受け、
検出位置のずれ△lmmから反射ミラー９の傾き変動△α
を算出することになる。この実施例の場合は、反射ミラ
ー９とアレイ光センサ２間の距離ｄは なる関係式が成り立つ。
７を含めた組立品として設置し、焦電形赤外検知素子１
と赤外集光系７との相対的位置関係は変動しないように
したことである。この場合、組立品全体の傾きが視野方
位に影響を与えるので、構体６に、第２図に示す通り反
射ミラー９を設置し、このミラー面の傾きで角度変動を
計測する。具体的には、防震支持部４を保持している基
盤８にレーザ光源３′とアレイ光センサ２を設置して、
反射ミラー９からの反射光をアレイ光センサ２で受け、
検出位置のずれ△lmmから反射ミラー９の傾き変動△α
を算出することになる。この実施例の場合は、反射ミラ
ー９とアレイ光センサ２間の距離ｄは なる関係式が成り立つ。
従って、ｄが長いと角度分解能が良くなるが、装置の
大きさも考慮して通常は、赤外集光系７の焦点距離相当
にする。本実施例では50mmとした。
大きさも考慮して通常は、赤外集光系７の焦点距離相当
にする。本実施例では50mmとした。
また、この実施例において、レーザ光源３′を半導体
レーザあるいは集光系付の発光ダイオードにし発光を一
定周波数で強度変調し、その周波数成分を中心に信号処
理することでS/Nを向上させることができる。
レーザあるいは集光系付の発光ダイオードにし発光を一
定周波数で強度変調し、その周波数成分を中心に信号処
理することでS/Nを向上させることができる。
なお、発光ダイオードを用いる場合、集光系を用いて
アレイ光センサ２上のスポットを微小化するわけである
が、この第２の実施例では、（２）式から明らかなよう
に、ｄがある程度長いことが必要で、上記実施例の様に
ｄ＝50mmの場合、発光ダイオード直前に集光系を設置す
ると、アレイ光センサ２までの光路は約100mmであり、
像倍率が大きく、発光ダイオードの発光源面積を極端に
小さくしなければならず、実用的でない。具体的で述べ
ると、焦電形赤外検知素子１と同じ分解能とすると、0.
1mmのスポットに絞り込むことが必要で、発光ダイオー
ドと集光系間が、通常設計より長めにして10mmとして
も、発光源の直径Dsは となり、かなり微細な発光源が必要で困難な設計とな
る。
アレイ光センサ２上のスポットを微小化するわけである
が、この第２の実施例では、（２）式から明らかなよう
に、ｄがある程度長いことが必要で、上記実施例の様に
ｄ＝50mmの場合、発光ダイオード直前に集光系を設置す
ると、アレイ光センサ２までの光路は約100mmであり、
像倍率が大きく、発光ダイオードの発光源面積を極端に
小さくしなければならず、実用的でない。具体的で述べ
ると、焦電形赤外検知素子１と同じ分解能とすると、0.
1mmのスポットに絞り込むことが必要で、発光ダイオー
ドと集光系間が、通常設計より長めにして10mmとして
も、発光源の直径Dsは となり、かなり微細な発光源が必要で困難な設計とな
る。
そこで、集光系を光源と反射ミラー９間で、可能なか
ぎり反射ミラー９に近づけることが必要である。但し、
反射ミラー９から反射されて、アレイ光センサ２へ向う
反射光が、集光系でけられないよう、ある程度、入反射
光と反射ミラー９とが垂直から傾いてしることが必要に
なる。
ぎり反射ミラー９に近づけることが必要である。但し、
反射ミラー９から反射されて、アレイ光センサ２へ向う
反射光が、集光系でけられないよう、ある程度、入反射
光と反射ミラー９とが垂直から傾いてしることが必要に
なる。
集光系の位置を光源と反射ミラーの中央点に設置すれ
ば となり、実現容易になる。
ば となり、実現容易になる。
次に、第３の実施例として、第１の実施例と第２の実
施例を組み合せた焦電形赤外検知装置を実施した。第３
図にその構成を示す。第１図と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。第１図に示した構成における構
体６を防震支持部４′を介して基盤８に取付ける。基盤
８の構体６との対向面にはアレイ光センサ２′およびレ
ーザ光源３′が形成され、構体６に設けられた反射ミラ
ー９によりレーザ光源３′からのレーザ光を反射させて
アレイ光センサ２′で検知させる。
施例を組み合せた焦電形赤外検知装置を実施した。第３
図にその構成を示す。第１図と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。第１図に示した構成における構
体６を防震支持部４′を介して基盤８に取付ける。基盤
８の構体６との対向面にはアレイ光センサ２′およびレ
ーザ光源３′が形成され、構体６に設けられた反射ミラ
ー９によりレーザ光源３′からのレーザ光を反射させて
アレイ光センサ２′で検知させる。
この場合、防震支持部は２重にほどこされたことにな
り、圧電雑音の低減効果が著しい。しかも、視野変動
も、２重に補正されるので、実施例１あるいは２の場合
とほゞ同等の精度で、目標高温部の位置を計測できる。
り、圧電雑音の低減効果が著しい。しかも、視野変動
も、２重に補正されるので、実施例１あるいは２の場合
とほゞ同等の精度で、目標高温部の位置を計測できる。
以上の各実施例において、反射、基準光の方位変動量
の1/2が、赤外検知装置の方位の変動として補正するこ
とになる。いずれの場合も、焦電形アレイ赤外検知器の
位置信号に補正データとして加えられることになる。
の1/2が、赤外検知装置の方位の変動として補正するこ
とになる。いずれの場合も、焦電形アレイ赤外検知器の
位置信号に補正データとして加えられることになる。
発明の効果 以上のように本発明は、構体あるいは基盤に位置ある
いは方位の基準となる光源を設置し、この基準光を検出
できるアレイ光センサで、赤外検知素子の位置あるいは
赤外検知装置の視野方位の変動を検出し、これにより視
野方位データの変動を補正し、飛躍的な精度向上を実現
することができる。
いは方位の基準となる光源を設置し、この基準光を検出
できるアレイ光センサで、赤外検知素子の位置あるいは
赤外検知装置の視野方位の変動を検出し、これにより視
野方位データの変動を補正し、飛躍的な精度向上を実現
することができる。
また、本発明により、防震支持部が、機械的振動以外
の影響、例えば、温度変化による変形を受けても、その
影響を補正することができ、広くその効果を期待でき
る。
の影響、例えば、温度変化による変形を受けても、その
影響を補正することができ、広くその効果を期待でき
る。
第１図は本発明の第１実施例における焦電形赤外検知装
置の側面図、第２図は本発明の第２実施例における焦電
形赤外検知装置の側面図、第３図は本発明の第３実施例
における焦電形赤外検知装置の側面図、第４図および第
５図は各々従来の焦電形赤外検知器の側面図である。 １……焦電形赤外検知素子、2,2′……アレイ光セン
サ、３……発光ダイオード、３′……レーザ光源、4,
4′……防震支持部、５……赤外検知器ケース、６……
構体、７……赤外集光系、８……基盤、９……反射ミラ
ー。
置の側面図、第２図は本発明の第２実施例における焦電
形赤外検知装置の側面図、第３図は本発明の第３実施例
における焦電形赤外検知装置の側面図、第４図および第
５図は各々従来の焦電形赤外検知器の側面図である。 １……焦電形赤外検知素子、2,2′……アレイ光セン
サ、３……発光ダイオード、３′……レーザ光源、4,
4′……防震支持部、５……赤外検知器ケース、６……
構体、７……赤外集光系、８……基盤、９……反射ミラ
ー。
フロントページの続き (72)発明者 西田 芳彦 岐阜県各務原市川崎町１番地 川崎重工業 株式会社岐阜工場内 (72)発明者 中村 邦雄 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−241490（ＪＰ，Ａ) 実公 昭48−25494（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (12)
- 【請求項１】焦電形赤外検知器と、前記焦電形赤外検知
器に入射赤外光を集光させる赤外集光系と、前記焦電形
赤外検知器と同一面上に配されたアレイ光センサと、前
記焦電形赤外検知器とアレイ光センサと防震支持体を介
して支持する支持構体と、前記アレイ光センサに対向し
て前記支持構体に設けられた光源とを具備したことを特
徴とする赤外検知装置。 - 【請求項２】光源からの光を一定の周波数で強度変調し
た請求項１記載の赤外検知装置。 - 【請求項３】光源がレーザ光源である請求項１記載の赤
外検知装置。 - 【請求項４】レーザ光源が半導体レーザである請求項３
記載の赤外検知装置。 - 【請求項５】光源が発光ダイオードと集光系より成る請
求項１記載の赤外検知装置。 - 【請求項６】焦電形赤外検知器と、前記焦電形赤外検知
器に入射赤外光を集光させる赤外集光系と、前記焦電形
赤外検知器および赤外集光系を支持する支持構体と、前
記支持構体を防震支持体を介して支持する基盤と、前記
支持構体に設けられた反射ミラーと、前記反射ミラーに
対向して前記基盤の一面に配された光源およびアレイ光
センサとを具備したことを特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項７】光源からの光を一定を周波数で強度変調し
た請求項６記載の赤外検知装置。 - 【請求項８】光源がレーザ光源である請求項６記載の赤
外検知装置。 - 【請求項９】レーザ光源が半導体レーザである請求項８
記載の赤外検知装置。 - 【請求項１０】光源が発光ダイオードと集光系により成
る請求項６記載の赤外検知装置。 - 【請求項１１】焦電形赤外検知器と、前記焦電形赤外検
知器に入射赤外光を集光させる赤外集光系と、前記焦電
形赤外検知器と同一面上に配されたアレイ状の第１の光
センサと、前記焦電形赤外検知器と第１の光センサを第
１の防震支持体を介して支持する支持構体と、前記第１
の光センサに対向して前記支持構体に設けられた第１の
光源と、前記支持構体を第２の防震支持体を介して支持
する基盤と、前記支持構体に設けられた反射ミラーと、
前記反射ミラーに対向して前記基盤の一面に配された第
２の光源およびアレイ状の第２の光センサとを具備した
ことを特徴とする赤外検知装置。 - 【請求項１２】第１および第２の光源からの光を一定の
周波数で強度変調した請求項11記載の赤外検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33831990A JPH087096B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 赤外検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33831990A JPH087096B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 赤外検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204333A JPH04204333A (ja) | 1992-07-24 |
| JPH087096B2 true JPH087096B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=18317021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33831990A Expired - Lifetime JPH087096B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 赤外検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087096B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011066396A3 (en) * | 2009-11-24 | 2011-09-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1990
- 1990-11-30 JP JP33831990A patent/JPH087096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011066396A3 (en) * | 2009-11-24 | 2011-09-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04204333A (ja) | 1992-07-24 |
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