JP2011242638A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】受光素子を用いて有機ＥＬ素子の出力調整を行うことができる最適な駆動回路を備えた有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子と、電源線と、駆動トランジスタと、データ線と、を含む複数の画素と、外光のみを受光する第一受光素子と、画素内に配置され、外光と有機ＥＬ素子から発光された光を受光する第二受光素子と、を備え、第一受光素子の出力、第二受光素子の出力およびデータ線から供給されるデータ電圧に基づいて駆動トランジスタのゲート電極の電位が決定されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、受光素子を備えた有機ＥＬ表示装置に係り、特に受光素子を用いて有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）の発光を制御する有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層を含む有機化合物層が挟持され、有機化合物層に電流を流すと、各電極からの電子および正孔（ホール）の注入により励起子が生成され、この励起子が基底状態に戻る際に光を放出する特性を利用する。また有機ＥＬ表示装置は、複数の有機ＥＬ素子を、例えばマトリクス状に配置したディスプレイであり、基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の駆動回路を備えている。

有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の劣化やＴＦＴ基板の特性ばらつきによる輝度ばらつきを低減するために、同一基板上に受光素子を設けて、この受光素子の出力により輝度ばらつきを低減する技術が提案されている。特許文献１には、基板側面にＰＩＮダイオードを設けることで、輝度ばらつきの低減が実現されている。また特許文献２では、フォトダイオードを遮光膜で覆い、受光素子に入る外光の影響を排除する技術が提案されている。

特開２００４−０９３６４８号公報 特開２００３−１７３８６９号公報

ところで、特許文献１の技術では、ＰＩＮダイオードに入る外光の影響を無視できないという問題がある。また特許文献２の技術では、新たに遮光膜を作製する必要があり、遮光膜を作製するのはプロセス負荷が大きく、受光素子を配置する場所も制限されるという問題がある。

そこで、本発明の目的は、受光素子を用いて有機ＥＬ素子の輝度ばらつきの低減を行うことができる最適な駆動回路を備えた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明は、有機ＥＬ素子と、電源線と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記電源線から前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、を含む複数の画素と、
外光のみを受光する第一受光素子と、
前記画素内に配置され、外光と前記有機ＥＬ素子から発光された光を受光する第二受光素子と、を備え、
前記第一受光素子の出力、前記第二受光素子の出力および前記データ線から供給されるデータ電圧に基づいて前記駆動トランジスタのゲート電極の電位が決定されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供するものである。

本発明によれば、第二受光素子により各画素の輝度ばらつきを低減することができ、また第一受光素子で外光の影響をフィードバックすることにより輝度ばらつきを低減する際における外光の影響を除くことができる。したがって、受光素子を用いて有機ＥＬ素子の輝度ばらつきの低減を行うことができる最適な駆動回路を備えた有機ＥＬ表示装置を実現できるという優れた効果を奏する。

第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素内における回路図である。 第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の積層構造を示す断面図である。 ＭＩＳ型光センサ特性の測定系及び測定結果を示す説明図である。 ＭＩＳ型光センサによる輝度ばらつきの低減の動作を示す説明図である。 第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の画素内における回路図である。 第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は下記実施形態に限定されない。また、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。

〔第１の実施形態〕
まず図１を参照して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を構成する駆動回路について説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置が備える複数の画素の、各画素内における回路図である。

図１において、３は選択トランジスタであり、選択トランジスタ３のゲート電極は選択線４１に電気的に接続され、選択トランジスタ３のドレイン電極はデータ線４２に電気的に接続されている。４は駆動トランジスタであり、駆動トランジスタ４のゲート電極の電位に応じた電流を有機ＥＬ素子５に供給する。駆動トランジスタ４のゲート電極は選択トランジスタ３のソース電極に電気的に接続されている。図１では選択トランジスタ３と駆動トランジスタ４は共にｎ型であるが、ｐ型でも良い。選択トランジスタ３がｐ型の場合には、選択トランジスタ３のソース電極をデータ線４２に電気的に接続し、選択トランジスタ３のドレイン電極を駆動トランジスタ４のゲート電極に電気的に接続する。また、選択トランジスタ３と駆動トランジスタ４のうち一方がｎ型で、他方がｐ型であっても良い。

また、４３は有機ＥＬ素子５に駆動電流を供給する電源線であり、電源線４３とＧＮＤ線（接地線）４４との間に、有機ＥＬ素子５と駆動トランジスタ４が直列に電気的に接続されている。なお、有機ＥＬ素子５と駆動トランジスタ４の間に発光期間を制御するトランジスタが直列に電気的に接続されていてもよい。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置には、外光のみを受光する第一受光素子１と、外光及び有機ＥＬ素子５から発光された光を受光する第二受光素子２とが設けられている。すなわち、第一受光素子１には外光のみが、第二受光素子２には外光と有機ＥＬ素子５の発光が入射するようになっている。第一受光素子１の出力、第二受光素子２の出力及び選択トランジスタ３を通ってくるデータ線４２からのデータ電圧に基づいて駆動トランジスタ４のゲート電極の電位が決定される。本実施形態における第一受光素子１及び第二受光素子２は、例えばＭＩＳ型光センサにより形成され、データ保持容量も兼ねている。なお、ＭＩＳ型光センサとは、金属（Ｍｅｔａｌ）−絶縁体（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）−半導体（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の構造を有する光センサをいう。

ＭＩＳ型光センサ２の一方の端子は駆動トランジスタ４のゲート電極に電気的に接続され、ＭＩＳ型光センサ２の他方の端子はＧＮＤ線４４に電気的に接続されている。ＧＮＤ線４４によって、ＭＩＳ型光センサ２の他方の端子は一定電位に固定されている。

ＭＩＳ型光センサ１の一方の端子は駆動トランジスタ４のゲート電極に電気的に接続され、ＭＩＳ型光センサ１の他方の端子は電源線４３に電気的に接続されている。電源線４３によって、ＭＩＳ型光センサ１の他方の端子はＭＩＳ型光センサ２の他方の端子とは異なる一定電位に固定されている。

表示装置の駆動時には、まず選択線４１に順次、選択トランジスタ３をオンまたはオフする２値の電位が印加される。選択線４１に選択トランジスタ３をオンする電位が印加された画素には、データ線４２を通して画像データに応じたデータ電圧が印加され、そのデータ電圧が駆動トランジスタ４のゲート電極に保持される。

駆動トランジスタ４のゲート電極の電位Ｖ１はＭＩＳ型光センサ１及びＭＩＳ型光センサ２の出力の差分と、データ線４２からのデータ電圧と、により決定される。また、Ｖ１により駆動トランジスタ４のソース・ドレイン間に流れる電流が決定され、有機ＥＬ素子５の発光が制御される。すなわち、Ｖ１により有機ＥＬ素子５の輝度ばらつきが低減される。

次に図３を参照して、保持容量を兼ねるＭＩＳ型光センサが光を受光してＭＩＳ型光センサの２つの電極間の電圧が減少する作用を説明する。図３は、ＭＩＳ型光センサ特性の測定系及び測定結果を示す説明図である。

図３（ａ）の測定系において、ＭＩＳ型光センサに予め所望の電荷量、例えば１０Ｖを保持させておく。そして、ＭＩＳ型光センサに強度の異なる光（１Ｌｘ、０．１Ｌｘ、０．０１Ｌｘ）を受光させて、ＭＩＳ型光センサの２つの電極間の電圧を電圧計にて検出する。

図３（ｂ）は、上記測定系において、ＭＩＳ型光センサの２つの電極間の電圧の測定結果を示している。この測定結果によれば、入射光が強いほど急激にＭＩＳ型光センサの２つの電極間の電圧が降下することが分かる。つまりＭＩＳ型光センサは、入射する光の強度に応じて２つの電極間の電位差を小さくするという特性を有する。これは、ＭＩＳ型光センサにある半導体層にて、光を受光して電荷（電子と正孔）が生成されることに起因する。

ここで図１の回路において、電源線４３とＧＮＤ線４４は固定電位であり、電位関係として電源線電圧＞Ｖ１＞ＧＮＤの関係が常に成り立っているとする。この場合、上記のＭＩＳ型光センサの特性により、ＭＩＳ型光センサ１に外光が入射すると、電源線とＶ１の電位差は縮まり、Ｖ１の電位は上昇する。逆に、ＭＩＳ型光センサ２に外光と有機ＥＬ素子の発光が入射すると、Ｖ１とＧＮＤの電位差は縮まり、Ｖ１の電位は下降する。

次に図４を参照して、ＭＩＳ型光センサによる輝度ばらつきの低減の動作について説明する。図４はＭＩＳ型光センサによる輝度ばらつきの低減の動作を示す説明図であり、通常画素と、有機ＥＬ素子の劣化等により同じデータ電圧でも通常画素よりも弱く発光する劣化画素とを比較したものである。

まず簡易化のため、ＭＩＳ型光センサ１によるＶ１の変化を無視して考えてみる。人間の目は発光期間中の発光強度積算値を輝度として認識する。また、発光期間が十分短く、発光強度の変化率が十分小さければ、発光期間中の発光強度変化は認識できない。

ＭＩＳ型光センサなしの場合は、それぞれの画素の発光強度は発光期間中一様なので、初期の発光強度差が発光期間分積算されて、人間の目に輝度差として認識される。

これに対し、ＭＩＳ型光センサをデータ保持容量としている図１の回路では、画素の発光は発光期間中に一様ではなくなる。すなわち、発光期間に入り有機ＥＬ素子の発光を受けたＭＩＳ型光センサ２は、上記図３（ｂ）のように発光強度に応じて蓄積しているデータ電圧を降下させる。初期の発光強度が弱い劣化画素は、通常画素に比べてゆっくり発光強度を低下させていくので、二つの画素の輝度差である発光期間中の発光強度積算値の差は、ＭＩＳ型光センサなしの場合と比べて大幅に減少する。

しかし、ここで外光の影響を無視することはできない。ＭＩＳ型光センサ２には有機ＥＬ素子の発光の他に外光も入射する。つまり、ＭＩＳ型光センサ２は外光分もＶ１の電位を下降させる。ここで、ＭＩＳ型光センサ１の効果を考えると、ＭＩＳ型光センサ１には外光しか入射しないようになっており、外光に応じてＶ１の電位を上昇させる。この効果により、ＭＩＳ型光センサ１とＭＩＳ型光センサ２とが等価な素子であるならば、ＭＩＳ型光センサ２によるＶ１の電位降下分のうち、外光による電位降下はＭＩＳ型光センサ１による電位上昇と打ち消し合う。その結果、Ｖ１の電位変化分は有機ＥＬ素子の発光のみにより決定され、外光の影響を受けない輝度ばらつきの低減が可能となる。

以上より、外光の影響を完全に排除した輝度ばらつきの低減を行うためには、２つの受光素子を等価なセンサとするのが良い。ここで、等価なセンサとは、センサの単位面積当たりに入射する等しい照度の光により、等量の出力をするセンサのことである。ＭＩＳ型光センサにおいて等価とは、ＭＩＳ型光センサの２つの電極間の電圧変化量が等しいことをいう。

次に図２を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動回路の一部を含む積層構造について説明する。図２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の積層構造を示す断面図である。なお、図面では、説明の都合上、各層を認識可能な大きさで表しており、図面の縮尺は実際とは異なっている。

本実施形態で例示する有機ＥＬ表示装置は、基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、表示装置の利用者は光取り出し側から観察することになる。また図２では、左から駆動トランジスタ、ＭＩＳ型光センサ２、ＭＩＳ型光センサ１の積層領域を示している。

図２において、１１は基板であり、例えばガラス、石英、セラミック等の絶縁性を有する基材によって形成されるが、これらに限定されない。

１２は基板１１上に成膜されパターニングされた金属層（第一電極層）であり、駆動トランジスタの第一電極層とＭＩＳ型光センサ１、２の第一電極層とを兼ねている。第一電極層１２は、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒあるいはそれらの合金、それらの積層構造体から形成されるが、これらに限定されない。

１３は第一電極層１２上に成膜された第一絶縁層で、駆動トランジスタの第一絶縁層とＭＩＳ型光センサ１、２の第一絶縁層とを兼ねている。第一絶縁層１３は、例えばＳｉＯ_xやＳｉＮ_xまたはそれらの積層膜から形成されるが、これらに限定されない。

１４は第一絶縁層１３上に成膜され、パターニングされた非晶質シリコン層であり、駆動トランジスタの活性層とＭＩＳ型光センサ１、２の光吸収層とを兼ねている。非晶質シリコン層１４の膜厚は、例えば５０〜３００ｎｍ程度が好ましい。

１５は非晶質シリコン層１４上に成膜され、パターニングされた不純物含有半導体層であり、駆動トランジスタのオーミックコンタクト層とＭＩＳ型光センサ１、２のオーミックコンタクト層とを兼ねている。不純物含有半導体層１５は、例えばｎ型非単結晶性シリコン層（ｎ⁺Ｓｉ）により形成されるが、これに限定されない。

１６は不純物含有半導体層１５上に成膜され、パターニングされた金属層（第二電極層）であり、駆動トランジスタの第二電極層とＭＩＳ型光センサ１、２の第二電極層とを兼ねている。第二電極層１６は、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇあるいはそれらの合金、それらの積層構造体で形成されるが、これらに限定されない。この第二電極層１６は反射電極としても機能する。すなわち、有機ＥＬ素子から発せられた光をＭＩＳ型光センサ２上の第二電極層１６で反射して上部から光を取り出す。反射されなかった光の一部は第二電極層１６を透過してＭＩＳ型光センサ２の非晶質シリコン層１４によって吸収される。第二電極層１６の反射率は電極層の材料と膜厚によって異なるが、上述したように、反射されなかった光の一部を透過してＭＩＳ型光センサ２の非晶質シリコン層１４に吸収させる必要がある。第二電極層１６としてＡｌＳｉを例に挙げると、膜厚１００ｎｍで反射率は８５％程なので、第二電極層１６の膜厚は５０〜２００ｎｍ程度が好ましい。また、ＭＩＳ型光センサ１では、第二電極層１６は全面を覆うのではなく、不純物含有半導体層１５の一部が露出するようにパターニングする。この構成により、外光に対して、ＭＩＳ型光センサ１とＭＩＳ型光センサ２は等価の関係にすることができる。具体的には、後述の有機パッシベーション層１９を透過してＭＩＳ型光センサ１で受光され、生成される電荷量と、有機化合物層２０を透過してＭＩＳ型光センサ２で受光され、生成される電荷量を等しくすることができる。

１７は第二電極層１６上に成膜され、パターニングされた絶縁層であり、駆動トランジスタの第二絶縁層となっている。第二絶縁層１７は、例えばＳｉＯ_xやＳｉＮ_xまたはそれらの積層膜から形成されるが、これらに限定されない。

１８は第二絶縁層１７上に成膜され、パターニングされた透明電極層であり、コンタクトホールを通じて駆動トランジスタの第二電極層１６と接続され、有機ＥＬ素子のアノード電極層となっている。透明電極層１８は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の光透過性が高い金属酸化物導電層によって形成されるが、これらに限定されない。なお、本発明において光透過性が高いとは、有機ＥＬ素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長における透過率が５０％以上１００％以下であることをいう。

１９は透明電極層１８上に成膜され、パターニングされた有機パッシベーション層である。有機パッシベーション層１９は、例えばアクリルやポリイミドなど合成樹脂によって形成されるが、これらに限定されない。

２０は、有機パッシベーション層１９上に成膜された有機化合物層である。有機化合物層２０は、少なくとも発光層を備え、必要に応じて正孔輸送層や電子輸送層などの電荷輸送層を備える。有機化合物層を構成する層は、公知材料を用いて、抵抗加熱蒸着法やスピンコート法などの従来の方法を用いて形成することができる。また、カラー表示ディスプレイを構成する場合、発光層は例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），Ｂ（青）に対応する材料を用いて形成される。

２１はカソード電極層であり、透明電極層１８と同様に、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の光透過性が高い金属酸化物導電層によって形成されるが、これらに限定されない。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置の積層構成によれば、第一受光素子で外光の影響をフィードバックすることにより第二受光素子による外光の影響を除いた輝度ばらつきの低減が可能になる。さらに、第一受光素子で受光した外光の影響を画素内で直接フィードバックでき、外部に補正回路等を作製する必要がなく、外光の影響を排除することが可能になる。

また、受光素子が保持容量を兼ねているので、回路構成が簡単になり、発光面積を広くすることができる。さらに、駆動トランジスタを作製するプロセスで同時にＭＩＳ型光センサを作製することが可能である。そして、第二電極層と配線層を共有することにより、これら２層を別々に作製するよりも工程数を少なくできる。またさらに、ＭＩＳ型光センサに非晶質シリコンを用いることにより、高感度な受光素子を作製することができる。

加えて、ＭＩＳ型光センサは平坦な構造体であるため平坦化層を成膜することなく有機ＥＬ素子を配置でき、第二電極層の透過光を利用することにより、ＭＩＳ型光センサ２に無理なく有機ＥＬ素子の発光を入射させることができる。また、発光領域と同等以上の面積の受光素子が作製可能で、受光感度を十分にとることができる。これにより、発光面積を犠牲にすることなく画素毎に受光素子を配置することが可能である。

また、有機化合物層はＭＩＳ型光センサ２の上部にのみ成膜することで、平面的に分離されているＭＩＳ型光センサ１には有機化合物層の発光は入射しない。これにより遮光膜等を別途作製することなく、ＭＩＳ型光センサ１には外光のみを、ＭＩＳ型光センサ２には外光と有機ＥＬ素子の発光を入射させることが可能である。

〔第２の実施形態〕
次に、図５を参照して、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動回路について説明する。図５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置が備える複数の画素の、各画素内における回路図である。

第１の実施形態では受光素子としてＭＩＳ型光センサを採用したが、第２の実施形態では各受光素子３１、３２としてフォトダイオードを採用している。

図５に示すように、フォトダイオード３１、３２は、図１のＭＩＳ型光センサ１、２とそれぞれ同じ位置に配置されている。外光の影響を完全に排除した輝度ばらつきの低減を行うためには、フォトダイオード３１、３２は等価なフォトダイオードとするのが良い。また、図５の駆動回路では、フォトダイオード３２は保持容量（コンデンサ）３３と並列に電気的に接続されている。これはフォトダイオードが保持容量を兼ねないからである。第一受光素子、第二受光素子、保持容量を除く画素内の構成は第１の実施形態と同じである。また、有機化合物層はＭＩＳ型光センサ２の上部にのみ成膜するのが好ましい。

図５ではフォトダイオード３１、３２は共に逆接続になっているので、暗時では電流が流れない。フォトダイオード３２に発光層からの光と外光が入射すると、吸収された光に応じた電流がフォトダイオード３２を通りＶ１からＧＮＤに流れ、Ｖ１は降下する。フォトダイオード３１に外光が入射すると、吸収された光に応じた電流がフォトダイオード３１を通り電源線からＶ１へ流れ、Ｖ１は上昇する。これによりＶ１の電位変化分のうち外光による変化分はフォトダイオード３１とフォトダイオード３２が打ち消し合い、Ｖ１は有機ＥＬ素子の発光でのみ決定され、外光の影響を打ち消すことができる。

なお、図５において、Ｖ１は駆動トランジスタ４のゲート電極と保持容量３３の接続部の電位として表されているが、第一受光素子３１と第二受光素子３２の接続部の電位と同じ電位である。

図５の駆動回路を備えた本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏するが、保持容量３３をフォトダイオード３２と並列に電気的に接続する必要がある。

〔第３の実施形態〕
次に、図６を参照して、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置について説明する。図６は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。

図６に示すように、本実施形態では、外光のみを受光する第一受光素子１を画素外に配置している。具体的には、第一受光素子１は表示領域５１の外に配置されている。第一受光素子を除く画素内の構成は第１の実施形態と同じである。また、有機化合物層はＭＩＳ型光センサ２の上部にのみ成膜するのが好ましい。

図６において、外光レベル判定部５２で判別された第一受光素子１の外光レベルは、演算部５４で入力部５３から供給された元の画像データと合成され、予め外光分明るくした画像データとして各画素に送られる。各画素の駆動トランジスタのゲート電極には、元の画像データと第一受光素子の出力を演算処理した後の画像データに応じた電圧がデータ線から供給される。すなわち、第一受光素子１での外光による電圧変化量だけ上乗せされたデータ電圧が各画素の駆動トランジスタのゲート電極に供給される。各画素では、第二受光素子２により、外光と有機ＥＬ素子の発光による電圧変化量だけデータ電圧が落とされるが、データ電圧は外光分だけ予め上乗せされているため、最終的に有機ＥＬ素子の発光分の輝度ばらつきが低減可能となる。このように、駆動トランジスタのゲート電極の電位は、演算処理後の画像データに応じた電圧と、第二受光素子２の出力と、により決定される。なお、図６中の５５は走査回路である。また、第一受光素子および第二受光素子には、フォトダイオードを採用し、第二受光素子と並列に保持容量を設けても構わない。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置によれば、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏するが、外光のみを受光する第一受光素子１を画素外に配置しているので、各画素に対して第一受光素子１を共用することができる。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これらは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。

上記実施形態では、本発明を基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、基板側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用することもできる。

以下に、実施例を示して、本発明に係る有機ＥＬ表示装置をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

〔実施例１〕
実施例１では、図１の駆動回路で図２の積層構造の有機ＥＬ表示装置を作製した。図２に示すように、ガラス基板１１上に、Ｍｏを５０ｎｍで成膜し、続けてＡｌを２００ｎｍで成膜し、ウェットエッチングを用いて第一電極層１２を形成した。

次に、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮ_xを３００ｎｍで成膜し、続けて非晶質シリコンを２００ｎｍで成膜し、さらに続けてｎ⁺Ｓｉを３０ｎｍで成膜した。そして、ドライエッチングにより非晶質シリコン層とｎ⁺Ｓｉ層の分離を行った。

次に、ＡｌＳｉを１００ｎｍ成膜し、ウェットエッチングにより第二電極層１６を形成した。そして、駆動トランジスタのｎ⁺Ｓｉ層をドライエッチングし、非晶質シリコン層１４と不純物含有半導体層１５を形成した。

続いて、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮ_x層を５００ｎｍ成膜して、ドライエッチングにより第二絶縁層１７を形成した。

次に、ＩＴＯを３０ｎｍ成膜し、第二絶縁層１７のスルーホールを通して駆動トランジスタの第二電極層１６と電気的に接続させ、ウェットエッチングにより透明電極層１８を形成した。

次に、ポリイミドを２μｍ塗布し、露光によりパターニングを行い、有機パッシベーション層１９を形成した。

最後に、メタルマスクを用いて有機化合物層２０とカソード電極層２１を蒸着し、有機ＥＬ表示装置（パネル）を作製した。

このようにして作製したパネルを点灯観察した結果、Ｖ１の電位変化のうち外光による変化分はＭＩＳ型光センサ１とＭＩＳ型光センサ２が打ち消し合い、画素内の凹凸による輝度ムラがなく、また有機ＥＬ素子の輝度が周囲の明るさによらず一定であった。

〔実施例２〕
実施例２では、図５の駆動回路を備えた有機ＥＬ表示装置を既存のプロセスを用いて作製した。すなわち、実施例２では受光素子としてフォトダイオード３１、３２を採用し、フォトダイオード３２はコンデンサ３３と並列に電気的に接続されている。

この駆動回路を用いて有機ＥＬ表示装置（パネル）を作製したところ、Ｖ１の電位変化分のうち外光による変化分はフォトダイオード３１とフォトダイオード３２が打ち消し合い、実施例１と同様に良好な効果が得られた。

１、３１：第一受光素子、２、３２：第二受光素子、４：駆動トランジスタ、５：有機ＥＬ素子、２０：有機化合物層、４２：データ線、４３：電源線、４４：接地線

Claims (6)

1. 有機ＥＬ素子と、電源線と、ゲート電極の電位に応じた電流を前記電源線から前記有機ＥＬ素子に供給する駆動トランジスタと、画像データに応じたデータ電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に供給するデータ線と、を含む複数の画素と、
   外光のみを受光する第一受光素子と、
   前記画素内に配置され、外光と前記有機ＥＬ素子から発光された光を受光する第二受光素子と、
   を備え、
   前記第一受光素子の出力、前記第二受光素子の出力および前記データ線から供給されるデータ電圧に基づいて前記駆動トランジスタのゲート電極の電位が決定されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第一受光素子は前記画素内に配置されており、
   前記第一受光素子および前記第二受光素子の一方の端子は共に前記駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
   前記駆動トランジスタのゲート電極の電位は、前記第一受光素子および前記第二受光素子の出力の差分と、前記データ線から供給されるデータ電圧と、により決定されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第一受光素子は前記画素外に配置されており、
   前記データ線から供給されるデータ電圧は、画像データと前記第一受光素子の出力を演算処理した後の画像データに応じた電圧であり、
   前記第二受光素子の一方の端子は前記駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
   前記駆動トランジスタのゲート電極の電位は、前記演算処理後の画像データに応じた電圧と、前記第二受光素子の出力と、により決定されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第二受光素子の上に、前記有機ＥＬ素子の有機化合物層が積層されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記第一受光素子および前記第二受光素子はＭＩＳ型光センサであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第一受光素子および前記第二受光素子はフォトダイオードであり、前記第二受光素子は保持容量と並列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。

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