TWI602286B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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金起旭
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Description

有機發光二極體顯示器
本發明是有關於一種有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器是透過有機發光二極體來顯示影像的一種自體發光顯示器裝置。
不像液晶顯示器，有機發光二極體顯示器不需要額外的光源，因此可以減少其厚度及重量。除此之外，因為有機發光二極體顯示器具有高品質的特性，像是低功率消耗、高亮度、及高反應速度，有機發光二極體顯示器適合行動電子裝置的使用。
這樣的有機發光二極體顯示器可以分類為頂部發光型態及底部發光型態，且底部發光型態相對於頂部發光型態而言具有較穩定的二極體，但底部發光型態具有低於頂部發光型態的孔徑比。
底部發光型態使用包含電晶體、電容、及電線的區域做為光發射區域。在這些元件中，只有當電容具有預先決定的電容量時，電容才可以維持框架的訊號資料並被補償，因此減少佔據大面積的電容的尺寸是很困難的。
除此之外，使電容變薄會導致短路的缺陷率及程序分布增加。
於上述之技術領域中所揭露之資訊僅用於提升前述技術領域背景的了解，因此可能包含非所屬領域中具有通常知識者已了解之先前技術資訊。
為了提供在不改變電容的尺寸及形狀的情況下提升孔徑比的有機發光二極體顯示器，本發明已被發展。
除此之外，有機發光二極體顯示器可以改良光的發光效率，其係透過一個簡單的結構來實現一個共振效應。
根據本發明的例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含：基板；第一訊號線，係設置於基板之上；第二訊號線，係與第一訊號線相交；薄膜電晶體，係連接至第一訊號線及第二訊號線；像素電極，係連接至薄膜電晶體之汲極電極；發光層，係形成於像素電極之上；共用電極，係形成於發光層之上，且係由反射材料所形成；以及電容，係重疊像素電極。
電容可以包含第一電容電極及第二電容電極，兩者相對於介電材料彼此重疊，且第一電容電極及第二電容電極的至少其一可以由透明導電材料所形成。
像素電極可以由透明導電材料所形成。
第一電容電極可以連接至薄膜電晶體的半導體層，且第二電容電極可以連接至薄膜電晶體的閘極電極。
根據另外一個例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含複數個像素。每一個像素包含連接至薄膜電晶體之電容及由薄膜電晶體 所控制的發光單元，且發光單元包含複數個子發光單元。複數個子發光單元的至少其一可以設置於電容中。
複數個子發光單元中的每一個子發光單元可以包含：像素電極；發光層，係形成於像素電極之上；及共用電極，係形成於發光層之上。
電容可以包含第一電容電極及第二電容電極，係相對於介電材料彼此重疊，且位於電容中的像素電極可以設置於電容的邊界線之內。
第一電容電極及第二電容電極的至少其一可以由透明導電材料所形成。
第一電容電極可以由與薄膜電晶體的半導體層相同的材料所形成。
像素電極可以由透明材料所形成，且該共用電極可以由反射材料所形成。
有機發光二極體顯示器可以更包含半透明層，係重疊至少一個像素電極。
根據另一個例示性實施例之有機發光二極體顯示器包含：基板；第一訊號線，係設置於基板之上；第二訊號線，係與第一訊號線相交；薄膜電晶體，係連接至第一訊號線及第二訊號線；第一像素電極，係電性連接至薄膜電晶體；第二像素電極，係電性連接至第一像素電極；發光層，係形成於第一像素電極及第二像素電極之上；以及共用電極，係形成於發光層之上。
有機發光二極體顯示器更包含電性連接至薄膜電晶體的電容，且第二像素電極可以設置於該電容之上。
第二像素電極可以設置於第一或第二電容電極的邊界線之內。
第一電容電極可以連接至薄膜電晶體的半導體層，且第二電容電極可以連接至薄膜電晶體的閘極電極。
第二電容電極可以由透明導電材料所形成。
第一像素電極及該第二像素電極可以由透明導電材料所形成。
第一像素電極及該第二像素電極可以經由接觸孔洞連接至彼此。
第一像素電極可以設置於與薄膜電晶體的閘極電極相同的一層。
第一像素電極及該第二像素電極可以設置於相同的一層。
有機發光二極體顯示器可以更包含設置於第一像素電極與基板之間的半透明層。
共用電極可以由反射材料所形成。
根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器形成子發光單元，以致於有機發光二極體顯示器的發光效率可以被提升。
除此之外，如同例示性實施例，透過形成子發光單元，有機發光二極體顯示器的發光效率可以在沒有增加像素尺寸的情況之下提升。
除此之外，在沒有改變為了形成子像素單元的電容的尺寸或形狀的情況之下，可以獲得足夠數量的電容值。
65‧‧‧開口
70‧‧‧有機發光二極體
711、713、715‧‧‧像素電極
720‧‧‧有機發光層
730‧‧‧共用電極
80‧‧‧電容
81、82、83‧‧‧接觸孔洞
111‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
121‧‧‧閘極線
135a‧‧‧第一半導體層
135b‧‧‧第二半導體層
1355‧‧‧通道區域
1356‧‧‧源極區域
1357‧‧‧汲極區域
138‧‧‧第一電容電極
140‧‧‧閘極絕緣層
155a‧‧‧第一閘極電極
155b‧‧‧第二閘極電極
1551、1553‧‧‧金屬層
158‧‧‧第二電容電極
160‧‧‧層間絕緣層
166‧‧‧源極接觸孔洞
167‧‧‧汲極接觸孔洞
171‧‧‧資料線
172‧‧‧常數電壓線
176a‧‧‧第一源極電極
176b‧‧‧第二源極電極
177a‧‧‧第一汲極電極
177b‧‧‧第二汲極電極
180‧‧‧輔助層間絕緣層
190‧‧‧像素定義層
195、197‧‧‧開口
222‧‧‧半透明層
CL‧‧‧電容線
DL‧‧‧資料線
EL‧‧‧發光單元
EL1、EL2‧‧‧子發光單元
GL‧‧‧閘極線
PE‧‧‧像素
Q1‧‧‧第一薄膜電晶體
Q2‧‧‧第二薄膜電晶體
VDD‧‧‧共用電源線
III-III、IV-IV、VII-VII、X-X‧‧‧線段
本發明之更完整評價及及其許多優點因藉由參閱下列詳細說明並結合附圖而其變得更好理解而將立刻變得顯而易見，其中相似參考符號代表相同或相似元件，其中：第1圖係為根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之電路圖。
第2圖係為根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖。
第3圖係為第2圖中沿著III-III線段之截面圖。
第4圖係為第2圖中沿著IV-IV線段之截面圖。
第5圖係為根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之截面圖。
第6圖係為根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖。
第7圖係為第6圖中沿著VII-VII線段之截面圖。
第8圖係為根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之截面圖。
第9圖係為根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖。
第10圖係為第9圖中沿著X-X線段之截面圖。
本發明將參照顯示本發明之例示性實施例的附圖更詳細地描述如下。如同技術領域中具有通常知識者所理解的是，在不偏離本發明之精神與範疇下，被描述的實施例可以用多種不同的方式修改。
圖式及描述內容應被視為描述性質，而非限制性質。於本說明書中相同的參考標號指定相同的元件。為了描述上的方便與較佳的理解，顯示於圖中的元件尺寸及厚度是選擇性地決定，且本發明不受限於顯示於圖式中之例子。
將被了解的是，當一個元件像是一個層、薄膜、區域、或是基板被指為在另一個元件「之上(on)」時，他可以是直接地位於另一個元件之上，或是可以存在介於兩者之間的元件。除此之外，於後續之說明書與申請專利範圍中，當一個元件被描述為與另一個元件「耦合(coupled)」時，該元件可以是「直接地耦合(directly coupled)」至另一個元件或是經由第三個元件「電性地耦合(electrically coupled)」至另一個元件。
第1圖為根據本發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之電路圖。
參考第1圖，有機發光二極體顯示器的像素PE根據本發明的第一例示性實施例具有兩電晶體搭配一電容的結構，其具有機發光二極體70、兩個薄膜電晶體Q1及Q2、以及一個電容80。然而，本例示性實施例並不限於此。有機發光二極體顯示器可以多樣化地建構以致於三個 或更多個薄膜電晶體及兩個或更多個電容可以透過一條分離的電線設置於一個像素PE中。額外的薄膜電晶體及電容形成補償電路。
補償電路改良形成於每一個像素PE的有機發光二極體70的一致性，並預防影像品質的偏差。補償電路包含兩個至八個薄膜電晶體。
有機發光二極體70包含陽極，係為電洞注入電極、陰極，係為電子注入電極、以及有機發光層，係設置於陽極與陰極之間。
在第一例示性實施例中，像素PE包含第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2。
第一薄膜電晶體Q1及第二薄膜電晶體Q2分別包含閘極電極、半導體層、源極電極、以及汲極電極。除此之外，第一及第二薄膜電晶體Q1及Q2的其中之一的半導體層分別包含摻有雜質的多晶矽。也就是說，第一及第二薄膜電晶體Q1及Q2的其中之一分別是多晶矽薄膜電晶體。
第1圖描述第一訊號線、第二訊號線、第三訊號線、及第四訊號線，且多種的訊號可以輸入至每一條訊號線，且可以施加閘極訊號、常數電壓、資料訊號、及電容電壓。為了較佳的理解及描述上的方便，第一訊號線係指為閘極線GL，第二訊號線係指為共用電源線VDD，第三訊號線係指為資料線DL，且第四訊號線係指為電容線CL。電容線CL可以因其必要性而省略。
資料線DL連接至第一薄膜電晶體Q1的源極電極，且閘極線GL連接至第一薄膜電晶體Q1的閘極電極。除此之外，第一薄膜電晶體 Q1的汲極電極經由電容80連接至電容線CL。節點形成於第一薄膜電晶體Q1的汲極電極與電容80之間，也因此第二薄膜電晶體Q2的閘極電極連接至此節點。除此之外，共同電源線VDD連接至第二薄膜電晶體Q2的源極電極，且有機發光元件70的陽極連接至第二薄膜電晶體Q2的汲極電極。
第一薄膜電晶體Q1係用做為一個開關以選擇用來發光的像素PE。第一薄膜電晶體Q1是持續地開啟，且因此電容80是被充電的，且在這個例子中被充電的電荷數量與由訊號線DL施加的電壓成正比。除此之外，當第一薄膜電晶體Q1是在關閉的狀態時，電壓增加訊號透過框架循環輸入至電容CL，伴隨著經由電容線CL施加的電壓，增加第二薄膜電晶體Q2的閘極相對於儲存在電容80內的電位。當閘極電位超過臨界電壓時，開啟第二薄膜電晶體Q2。接著，施加於共同電源線VDD的電壓經由第二薄膜電晶體Q2施加於有機發光元件70，且有機發光元件70發出光線。
第1圖中的有機發光二極體顯示器將參照第2圖至第4圖更詳細地描述。
第2圖為根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖，第3圖為第2圖中沿著III-III線段之截面圖，且第4圖為第2圖中沿著IV-IV線段之截面圖。
參考第2圖至第4圖，有機發光二極體顯示器根據第一例示性實施例包含基板111、以及緩衝層120，係形成於基板111之上(見第3圖及第4圖)。
基板111可以是由玻璃、石英、陶瓷、或塑膠所形成的絕緣材料，亦可是由不鏽鋼所形成的金屬基板。
緩衝層120可以具有矽的氮化物的一個單層結構，或是矽的氮化物與二氧化矽的雙層結構。緩衝層120具有預防非必要的元件像是不純的元素或溼氣侵入目標的作用，並同時使其表面平坦化。
分別由多晶矽所形成的第一及第二半導體層135a及135b，及第一電容電極138皆形成於緩衝層120之上(見第3圖及第4圖)。
第一半導體層135a及第二半導體層135b之每一被切割成通道區域1355、源極區域1356、及汲極區域1357。源極區域1356及汲極區域1357皆形成於通道區域1355的兩邊。第一及第二半導體層135a及135b的通道區域皆為沒有摻雜雜質的多晶矽，也就是本質半導體。第一及第二半導體135a及135b分別對應的源極區域1356及汲極區域1357皆為摻雜導電雜質的多晶矽，也就是摻雜的半導體。
第一電容電極138可以透過導電雜質摻雜。
摻雜於源極區域1356、汲極區域1357、及第一電容電極138的雜質可以是p型態雜質及n型態雜質的其中一種。
閘極絕緣層140形成於第一半導體層135a、第二半導體層135b、及第一電容電極138之上。
閘極絕緣層140可以是包含矽酸乙酯(tetra ethyl ortho silicate,TEOS)、氮化矽、及氧化矽的至少其一的單一層或是複數層。
像素電極711、閘極線121、第二閘極電極155b、及第二電容電極158形成於閘極絕緣層140之上(見第2圖至第4圖)。
閘極線121朝著水平方向延伸並傳遞閘極訊號，且包含由閘極線121朝向第一半導體層135a突出的第一閘極電極155a(見第2圖)。
第一閘極電極155a及第二閘極電極155b分別重疊通道區域1355(見第3圖及第4圖)。
第一閘極電極155a及第二閘極電極155b由較低的金屬層1551及較高的金屬層1553所形成。較低的金屬層1551由透明導電材料像是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、及其類似物所形成，且較高的金屬層1553可以由鎢、鋁、或是其合金的複數層的單一層所形成。
第二電容電極158重疊第一電容電極138，並連接至第二閘極電極155b(見第2圖及第4圖)。第二電容電極158可以由與第一閘極電極155a的較低的金屬層1551相同的材料所形成。
使用閘極絕緣層140做為介電材料，第一電容電極138及第二電容電極158形成電容80。
第一像素電極711由與第一閘極電極155a的較低的金屬層1551相同的透明導電材料所形成。第2圖至第4圖中的第一像素電極711可以連接至第1圖的第二薄膜電晶體Q2的汲極電極，且因此成為有機發光元件的陽極。
第一像素電極711以及閘極電極155a及155b可經由相同的製程所形成，且在這個情形中，第一像素電極711可以設置於低於源極電極或汲極電極的位置。
層間絕緣層160(見第3圖及第4圖)形成於閘極線121(見第2圖)及第二閘極電極155b(見第4圖)之上。如同閘極絕緣層140，層間絕緣層160可以由矽酸乙酯、氮化矽、或氧化矽所形成。
暴露第一像素電極711的開口65形成於層間絕緣層160中。分別暴露源極區域1356及汲極區域1357的源極接觸孔洞166及汲極接觸孔洞167形成於層間絕緣層160中及閘極絕緣層140中(見第3圖)。
資料線171包含第一源極電極176a，而常數電壓線172包含第二源極電極176b。第一汲極電極177a、第二汲極電極177b、及第2圖中的第二像素電極713皆形成於第3圖的層間絕緣層160之上。
資料線171傳遞資料訊號並朝向與閘極線121相交的方向延伸(見第2圖)。
常數電壓線172傳遞常數電壓，並朝向與資料線171相同的方向延伸，且與資料線171分離(見第2圖)。
第一源極電極176a由資料線171朝向第一半導體層135a的方向突出，且第二源極電極176b由常數電壓線172朝向第二半導體層135b的方向突出。第一源極電極176a及第二源極電極176b皆透過源極接觸孔洞167連接至源極區域1356(見第2圖至第4圖)。
第一汲極電極177a面對第一源極電極176a(見第3圖)，第二汲極電極177b面對第二源極電極176b(見第4圖)，且第一汲極電極177a及第二汲極電極177b皆經由汲極接觸孔洞167分別連接至汲極區域1357(見第3圖及第4圖)。
第一汲極電極177a沿著閘極線121的方向延伸，並透過接觸孔洞81電性地連接至第二閘極電極155b(見第2圖)。
第二汲極電極177b透過接觸孔洞82電性地連接至第一像素電極711(見第2圖)。
如同第一像素電極711，第二像素電極713由透明導電材料所形成。然而，第二像素電極713可以由透明導電材料所形成。資料線171、常數電壓線172、第一汲極電極177a、及第二汲極電極177b可以形成於透明導電材料及不透光的金屬材料的雙層結構中(未顯示)，其係透過以透明導電材料及低電阻金屬的雙層形成第二像素電極713，接著移除第二像素電極713的低電阻金屬來達成(見第2圖)。
第二像素電極713透過接觸孔洞83電性地連接至第一像素電極711，也因此成為有機發光元件的陽極(見第2圖)。
像素定義層190形成於第一源極電極176a、第二源極電極176b、第一汲極電極177a、及第二汲極電極177b之上(見第3圖及第4圖)。
像素定義層190包含暴露第一像素電極711及第二像素電極713的開口195及197(見第3圖)。可以形成像素定義層190以包含合成樹脂(resin)像是聚丙烯酸鈉(polyacrylates)或是聚醯亞胺(polyimides)以及二氧化矽為基底的非有機材料。
有機發光層720形成於像素定義層190的開口195及開口197之上(見第3圖)。
有機發光層720以複數層形成，包含發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、及電子注入層的一或更多層。
如果有機發光層720包含他們的全部，電子注入層是設置於像素電極711及像素電極713之上(第3圖)，且電子傳輸層、有機發光層、電洞傳輸層、及電洞注入層是依序地堆疊於其上。
共用電極730形成於像素定義層190及有機發光層720之上(第3圖)。
共用電極730可以由包含反射材料的反射層所形成、或由半透明層所形成。
形成反射層及半透明層的反射材料可以是鎂、銀、金、鈣、鋰、鉻、及鋁、或是其合金的至少其一。反射層及半透明層由反射材料的厚度所決定，且半透明層的厚度可以少於200奈米。當厚度減少時光的穿透率會增加，但當厚度太薄時電阻會增加。
第3圖的共用電極730變成有機發光元件70的陰極。第一像素電極711、第二像素電極713、有機發光層720、以及共用電極730形成第3圖的有機發光元件70。在有機發光元件70中發射光線的發光單元包含複數個子發光單元，且複數個子發光單元包含，舉例來說，對應至第一像素電極711的子發光單元及對應至第二像素電極713的子發光單元。在例示性實施例中，第一像素電極711及第二像素電極713係例示地描述。在包括複數個電容的有機發光二極體顯示器中，每一個電容可以包含子發光單元。
如同例示性實施例中，當第二像素電極713重疊電容且接著形成光發射層時，不僅子發光單元EL1透過第一像素電極711所形成， 還有子發光單元EL2透過第二像素電極713所形成，以致於有機發光二極體顯示器的孔徑比增加。
在例示性實施例中，設置至少一個子發光單元與電容電極重疊，以致於為了形成第二像素電極713的像素的尺寸的增加可以是非必要的。除此之外，由於為了形成第二像素電極713的電容的尺寸或厚度的變化是非必要的，電容值沒有減少。
第5圖為根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之截面圖。
第5圖的有機發光二極體顯示器幾乎是相同於第1圖至第4圖的有機發光二極體顯示器，因此只有不同的部份會被詳細描述。
第5圖的有機發光二極體顯示器包含基板111、緩衝層120，係形成於該基板111之上、第一半導體層135a及第二半導體層(未顯示)，係形成於該緩衝層120之上、第一電容電極138、閘極絕緣層140，係形成於第一半導體層135a、第二半導體、及第一電容電極138之上、第一閘極電極155a、第二閘極電極(未顯示)、第二電容電極158及第一像素電極711，係形成於閘極絕緣層140之上、以及層間絕緣層160，具有開口65，係形成於第一像素電極711、第一閘極電極155a、第二閘極電極、及第二電容電極158之上。
除此之外，第一汲極電極177a、第二汲極電極(未顯示)、資料線(未顯示)、以及常數電壓線(未顯示)皆形成於層間絕緣層160之上，且輔助層間絕緣層180形成於第一汲極電極177a、第二汲極電極、資 料線、及常數電壓線之上。第二像素電極713係形成於輔助層間絕緣層180之上。
於本發明的例示性實施例中，當輔助層間絕緣層180形成時，汲極電極、資料線、及常數電壓線被輔助層間絕緣層180覆蓋，以致於當開口64及接觸孔洞83形成時他們可以免於因暴露而造成的傷害。
第二像素電極713係透過接觸孔洞83電性連接至第一像素電極711。
包含開口195及開口197的像素定義層190形成於第二像素電極713之上，且開口195及開口197分別暴露第一像素電極711及第二像素電極713。
除此之外，發光層720形成於第一像素電極711及第二像素電極713之上，且共用電極730形成於發光層720之上。
第6圖為根據本發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖。第7圖為第6圖沿著VII-VII線段之截面圖。第8圖為根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之截面圖。
於上述之例示性實施例中，第一像素電極711及第二像素電極713係分別形成且透過接觸孔洞電性地連接至彼此。
然而，在第6圖及第7圖的有機發光二極體顯示器中，第一及第二像素電極可以形成於相同的一層。
也就是說，在第1圖及第2圖的有機發光二極體顯示器中，像素電極711於資料線、常數電壓線、第一汲極電極、及第二汲極電極形 成之前形成。然而，在第6圖及第7圖的有機發光二極體顯示器中，資料線、常數電壓線、第一汲極電極、及第二汲極電極先形成，接著透過形成透明導電層及分布此透明導電層，第一及第二像素電極711及713可以分別地同時形成。
相對應地，不像第1圖中及第2圖的第一及第二像素電極，第6圖及第7圖的有機發光二極體顯示器的第一像素電極及第二像素電極可以在沒有經由接觸孔洞的情形下電性地連接至彼此。
同時地，如第8圖所示，第一像素電極711及第二像素電極713可以形成於輔助層間絕緣層180之上。
如第8圖所示，不像第1圖至第7圖的例示性實施例，當第一像素電極711及第二像素電極713形成於輔助層間絕緣層180之上時，可以減少兩個子發光單元的色彩路徑差以致於可以增加色彩重現性。
除此之外，有機發光二極體顯示器可以更包含半透明層222如第8圖所示。
半透明層222可以由與第一閘極電極155a及第二閘極電極(未顯示)的較低金屬層1551相同的材料所形成。除此之外，半透明層222可以透過控制不透明的金屬的厚度來形成以致於半透明層222是薄的。
在例示性實施例中，當第8圖中的半透明層222形成於第6圖中的子發光單元EL1中時，透過半透明層與共用電極730的光反射特性，半透明層222做為實現共振效應的金屬鏡。也就是說，由有機發光層720所產生的光被共用電極730所反射，並接著透過第一像素電極711發射至外部以致於影像可以被實現，且由有機發光層720所產生的一部份的 光透過第一像素電極711被反射至共用電極730。因此，由有機發光層720所產生的光被部分地捕捉及共振於第一像素電極711與共用電極730之間，並接著被發射至輸出端，因而實現共振效果。
除此之外，子發光單元EL2包含第二像素電極，藉由第二電容電極158可以獲得與子發光單元EL1包含第一像素電極相同的共振效果。
第9圖為根據本發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素之佈局圖，且第10圖為第9圖沿著X-X線段之截面圖。
如第9圖及第10圖所示，有機發光二極體顯示器包含基板111、緩衝層120，係形成於基板111之上、第一半導體層135a及第二半導體層(未顯示)，係形成於緩衝層120之上、第一電容電極138、第一閘極絕緣層140，係形成於第一半導體層135a、第二半導體層、及第一電容電極138之上、第一閘極電極155a、第二閘極電極(未顯示)、第二電容電極158，係形成於閘極絕緣層140之上、以及層間絕緣層160，係形成於第二閘極電極、第二電容電極158、及第一閘極電極155a之上，並包含開口65。
除此之外，第一汲極電極177a、第二汲極電極177b、資料線(未顯示)、以及常數電壓線(未顯示)形成於層間絕緣層160之上，且輔助層間絕緣層180形成於第一汲極電極177a、第二汲極電極177b、資料線、及常數電壓線之上。像素電極715形成於輔助層間絕緣層180之上，且像素電極715係經由接觸孔洞82電性地連接至第二汲極電極177b。
像素定義層190，包含暴露像素電極715的開口195，係形成於像素電極715之上。發光層720形成於被開口195暴露的像素電極715之上，且共用電極730形成於發光層720之上。
如同已述的內容，不像第1圖至第8圖的例示性實施例，第9圖及第10圖的有機發光二極體顯示器可以包含發光單元EL。在這個例子中，形成有機發光單元EL來重疊電容80以致於有機發光二極體顯示器的孔徑比可以增加。
除此之外，在沒有形成額外的半透明層的情況下，可以期待來自於電容的電極的共振效果，或是可以透過額外地形成半透明層於第8圖所示的像素電極之下以誘發此共振效果。
儘管本發明已與實際的例示性實施例一同描述，應被了解的是本發明不限於已揭露之實施例，相反地，本發明意指覆蓋於下述申請專利範圍之精神與範疇中的多種改變與等效設置。
81、82、83‧‧‧接觸孔洞
121‧‧‧閘極線
135a‧‧‧第一半導體層
135b‧‧‧第二半導體層
138‧‧‧第一電容電極
155a‧‧‧第一閘極電極
155b‧‧‧第二閘極電極
158‧‧‧第二電容電極
166‧‧‧源極接觸孔洞
167‧‧‧汲極接觸孔洞
171‧‧‧資料線
172‧‧‧常數電壓線
176a‧‧‧第一源極電極
176b‧‧‧第二源極電極
177a‧‧‧第一汲極電極
177b‧‧‧第二汲極電極
195、197‧‧‧開口
711、713‧‧‧像素電極
EL1、EL2‧‧‧子發光單元
III-III、IV-IV‧‧‧線段

Claims (23)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；一第一訊號線，係設置於該基板之上；一第二訊號線，係與該第一訊號線相交；一薄膜電晶體，係連接至該第一訊號線及該第二訊號線；一第一像素電極及一第二像素電極，係連接至該薄膜電晶體之一汲極電極；一第一發光層，係形成於該第一像素電極之上，及一第二發光層，係形成於該第二像素電極上；一共用電極，係形成於該第一發光層以及該第二發光層之上，並包含一反射材料；以及一電容，係重疊該第二像素電極以及該第二發光層。
  2. 如請求項1所述之有機發光二極體顯示器，其中該電容包含一第一電容電極及一第二電容電極，係相對於一介電材料彼此重疊；以及其中該第一電容電極及該第二電容電極之至少其一係由一透明導電材料所形成。
  3. 如請求項2所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素電極以及該第二像素電極係由一透明導電材料所形成。
  4. 如請求項2所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容電極連接至該薄膜電晶體之一半導體層，且該第二電容電極連接 至該薄膜電晶體之一閘極電極。
  5. 一種有機發光二極體顯示器，係包含複數個像素，其中每一該像素包含：一電容，係連接至一薄膜電晶體；以及一發光單元，係透過該薄膜電晶體控制；其中該發光單元包含複數個子發光單元；其中至少一該複數個子發光單元與該電容重疊，並且至少另一該複數個子發光單元沒有與該電容重疊。
  6. 如請求項5所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個子發光單元之至少其一係設置於該電容中。
  7. 如請求項6所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個子發光單元的每一個係包含：一像素電極；一發光層，係形成於該像素電極之上；以及一共用電極，係形成於該發光層之上。
  8. 如請求項7所述之有機發光二極體顯示器，其中該電容包含一第一電容電極及一第二電容電極，係相對一介電材料彼此重疊，且其中於該電容上設置之該像素電極係設置於該電容之一邊界線之內。
  9. 如請求項8所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容電極及該第二電容電極之至少其一係由一透明導電材料所形成。
  10. 如請求項9所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容電 極係由與該薄膜電晶體之一半導體層之一相同材料所形成。
  11. 如請求項7所述之有機發光二極體顯示器，其中該像素電極係由一透明材料所形成，且該共用電極係由一反射材料所形成。
  12. 如請求項5所述之有機發光二極體顯示器，更包含一半透明層，係重疊至少一像素電極。
  13. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一基板；一第一訊號線，係設置於該基板之上；一第二訊號線，係與該第一訊號線相交；一薄膜電晶體，係連接至該第一訊號線及該第二訊號線；一第一像素電極，係電性連接至該薄膜電晶體；一第二像素電極，係電性連接至該第一像素電極；一第一發光層，係形成於該第一像素電極之上，及一第二發光層，係形成於該第二像素電極上；一共用電極，係形成於該第一發光層以及該第二發光層之上；以及一電容，係與該第二像素電極以及該第二發光層重疊。
  14. 如請求項13所述之有機發光二極體顯示器，其中該電容，係電性連接至該薄膜電晶體；其中該第二像素電極係設置於該電容之上。
  15. 如請求項14所述之有機發光二極體顯示器，其中該電容包含相對於一介電材料彼此重疊的一第一電容電極以及一第二電容 電極，該第二像素電極係設置於在該第一電容電極及該第二電容電極之其中之一之一邊界線之內的該第一電容電極及該第二電容電極上。
  16. 如請求項15所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電容電極係連接至該薄膜電晶體之一半導體層，且該第二電容電極係連接至該薄膜電晶體之一閘極電極。
  17. 如請求項16所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二電容電極係由一透明導電材料所形成。
  18. 如請求項13所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素電極及該第二像素電極係由一透明導電材料所形成。
  19. 如請求項18所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素電極及該第二像素電極係經由一接觸孔洞連接至彼此。
  20. 如請求項19所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素電極係設置於與該薄膜電晶體之一閘極電極所設置之一相同層中。
  21. 如請求項18所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素電極及該第二像素電極係設置於一相同層中。
  22. 如請求項21所述之有機發光二極體顯示器，更包含一半透明層，係設置於該第一像素電極與該基板之間。
  23. 如請求項13所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電極係由一反射材料所形成。
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