CN105304673B - 包括传感器的有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种包括像素和传感器的有机发光二极管显示器，其中，像素包括发光装置和连接至发光装置的第一薄膜晶体管；传感器包括光敏元件，其中光敏元件包括：栅电极；位于栅电极上的有源层；位于有源层上的过滤层；以及位于有源层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极连接至有源层，光敏元件和第一薄膜晶体管形成在同一基底上，并且光敏元件的栅电极和有源层二者之一与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上。

Description

包括传感器的有机发光二极管显示器
技术领域
各实施方式涉及包括传感器的有机发光二极管显示器。
背景技术
诸如有机发光二极管显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)和电泳显示器(EPD)的平板显示器(FPD)可包括显示面板，其中，该显示面板包括场生成电极和光电有源层。作为光电有源层，OLED、LCD和EPD的面板可分别包括有机发光层、液晶层和具有电荷的粒子。场生成电极可连接至诸如薄膜晶体管的开关装置以接收数据信号，并且光电有源层可将数据信号转换成光信号以显示图像。
在上述显示器之中，与液晶显示器不同，近年来已经引起注意的有机发光二极管显示器具有自发射特性并且因此不需要独立的光源，从而可降低其厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器显示出高品质的特性，例如，低功耗、高亮度和高响应速度。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此背景技术部分可包含不构成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
各实施方式涉及包括传感器的有机发光二极管显示器。
各实施方式可通过提供包括像素和传感器的有机发光二极管显示器实现，其中，像素包括发光装置和连接至发光装置的第一薄膜晶体管；传感器包括光敏元件，其中光敏元件包括：栅电极；位于栅电极上的有源层；位于有源层上的过滤层以及位于有源层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极连接至有源层，光敏元件和第一薄膜晶体管形成在同一基底上，并且光敏元件的栅电极和有源层二者之一与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上。
第一薄膜晶体管可包括：位于基底上的多晶半导体层；位于多晶半导体层上的栅电极；以及位于栅电极上的源电极和漏电极，源电极和漏电极连接至多晶半导体层，发光装置可包括：覆盖第一薄膜晶体管的源电极和漏电极且连接至第一薄膜晶体管的所述源电极和漏电极中之一的像素电极；位于所述像素电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的公用电极。
光敏元件的源电极和漏电极可与发光装置的像素电极排列在同一层上，并且可由与像素电极相同的材料形成。
过滤层和光敏元件的源电极和漏电极可排列在同一层上。
光敏元件的栅电极可与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上，并且可由与第一薄膜晶体管的栅电极相同的材料形成。
光敏元件的有源层可与第一薄膜晶体管的源电极和漏电极排列在同一层上。
光敏元件的栅电极可与多晶半导体层排列在同一层上，并且可由掺杂的多晶半导体形成。
光敏元件的有源层可与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上。
发光装置还可包括位于像素电极和有机发光层之间的红外发射层。
传感器还可包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括源电极和漏电极，第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一可连接至光敏元件的源电极和漏电极中之一。
传感器还可包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极，电容器的第一电极可以与第一薄膜晶体管的半导体层排列在同一层上并且由掺杂半导体形成，电容器的第二电极可以与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上并且由与第一薄膜晶体管的栅电极相同的材料形成。
过滤层可包括带通滤波器，带通滤波器包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯和聚酰亚胺中之一。
各实施方式可通过提供包括像素和传感器的有机发光二极管显示器实现，其中，像素包括发光装置和连接至发光装置的第一薄膜晶体管；传感器包括光敏元件，其中光敏元件包括：有源层；位于所述有源层上的栅电极；位于栅电极上的过滤层以及位于栅电极上的源电极和漏电极，源电极和漏电极连接至有源层，光敏元件和第一薄膜晶体管形成在同一基底上，以及光敏元件的有源层位于绝缘层之下，绝缘层位于第一薄膜晶体管的半导体层之下。
第一薄膜晶体管可包括位于基底上的多晶半导体层、位于多晶半导体层上的栅电极以及位于栅电极上的源电极和漏电极，源电极和漏电极连接至多晶半导体层，发光装置可包括：位于第一薄膜晶体管的源电极和漏电极上的像素电极，该像素电极连接至第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一；位于像素电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的公用电极。
光敏元件的源电极和漏电极可与发光装置的像素电极排列在同一层上，并且可由与像素电极相同的材料形成。
光敏元件的栅电极可与多晶半导体层排列在同一层上，并且可由掺杂的多晶半导体形成。
过滤层可包括带通滤波器，带通滤波器包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯和聚酰亚胺中之一。
发光装置还可包括位于像素电极和有机发光层之间的红外发射层。
传感器还可包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管包括源电极和漏电极，第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一可连接至光敏元件的源电极和漏电极中之一。
传感器还可包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极，电容器的第一电极可以与第一薄膜晶体管的半导体层排列在同一层上并且由掺杂的半导体形成，电容器的第二电极可以与第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上并且由与第一薄膜晶体管的栅电极相同的材料形成。
附图说明
参照附图，通过对示例性实施方式进行详细描述，各特征对本领域的技术人员将是显而易见的，其中：
图1示出了根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的像素和传感器的布局图；
图2示出了根据第一实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图；
图3示出了根据第一实施方式的制造方法的示意性流程图；
图4示出了根据第二实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图；
图5示出了根据第二实施方式的制造方法的示意性流程图；
图6示出了根据第三实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图；
图7示出了根据第三实施方式的制造方法的示意性流程图；
图8示出了根据第四实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图；
图9示出了根据第四实施方式的制造方法的示意性流程图；
图10示出了根据第一至第三实施方式的传感器的电路图；以及
图11示出了根据第四实施方式的传感器的电路图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述示例性实施方式。然而，它们可具体化为不同的形式并且不应被看作限于本文所述的实施方式。相反地，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并向本领域的技术人员充分地传递示例性实现。
为了说明清楚起见，在附图中层和区域的尺寸可能被夸大。在整个说明书中相同的参考数字指代相同的元件。
应理解，当例如层、膜、区域、或衬底的元件被称作在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接”在另一元件“上”时，则不存在中间元件。
图1示出了根据一个实施方式的有机发光二极管显示器中的像素和传感器的布局图。
如图1所示，本示例性实施方式的有机发光二极管显示器可包括多个单元像素PX和多个传感器SN。
单元像素PX中的每个可包括红色像素PXR、绿色像素PXG和蓝色像素PXB。单元像素PX可在行和列的方向上布置成矩阵形状。
红色像素PXR和绿色像素PXG可被设置成彼此水平邻近，蓝色像素PXB可位于红色像素PXR和绿色像素PXG下方。红色像素PXR和绿色像素PXG的宽度可以比蓝色像素PXB的宽度窄，蓝色像素PXB的宽度可对应于红色像素PXR的宽度和绿色像素PXG的宽度以及它们之间的距离之和。图1中所示的单元像素PX中的像素的布置和尺寸仅仅是示例，并且可根据示例性实施方式改变。
一个传感器SN可设置在根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的相邻的单元像素之间。传感器SN可包括光敏元件、开关装置和电容器。在图1中所示的示例性实施方式中，传感器SN示出为设置在单元像素PX的每一行处，但是根据另一示例性实施方式，传感器SN可设置在单元像素PX的每多个行处。此外，传感器SN的光敏元件可设置在某些相邻的单元像素之间的传感器区域处，传感器SN的开关装置和电容器可设置在其他某些相邻的单元像素之间的传感器区域处。
图2示出了根据第一实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图。
图2示出了一个像素(即，绿色像素PXG)和传感器SN的剖面结构。首先，将描述像素的结构。
一个像素可包括有机发光层300、设置在有机发光层300下方(例如，下面)的像素电极190和设置在有机发光层300之上(例如，覆盖有机发光层300)的公用电极270。例如，有机发光层300可位于像素电极190和公用电极270之间。在实现中，像素电极190可在每个像素中单独形成，公用电极270可在所有像素中形成为单个单元。有机发光层300可包括光电有源层，电子和空穴注入该光电有源层中并在其中复合以生成光，可通过使用每个像素生成的光的组合显示图像。
红外发射层310可设置在有机发光层300和像素电极190之间。红外发射层310可朝向显示面板的前侧(例如，朝向图2中的封装层420)发射红外线以感测目标(例如手指或触摸笔)的接触或悬停。由红外发射层310生成的红外线可由目标反射并返回传感器SN的光敏元件SPH中。在实现中，红外发射层310可设置在有机发光层300和公用电极270之间，或者可以以不与有机发光层300重叠的方式设置在像素电极190和公用电极270之间。多种其他设计也是可能的。
像素电极190可连接至薄膜晶体管(例如驱动晶体管TDR)的输出端子(漏电极175a)以接收驱动晶体管TDR的输出电流。薄膜晶体管(例如，驱动晶体管TDR)可包括半导体层150a、栅电极124a、源电极173a和漏电极175a。
一个像素可包括连接至驱动晶体管TDR的源电极173a和栅电极124a的像素电容器CPX。像素电容器CPX可包括下电容器电极155a(由掺杂的多晶半导体形成)、上电容器电极125a(例如，通过使用与栅电极124a相同的材料形成在与栅电极相同的层处或相同的层上，例如，与栅电极124a排列在同一层上)和设置在它们之间的栅绝缘层GIL(用作绝缘层)。例如，上电容器电极125a可以基本上与栅电极124a共面。在实现中，有机发光二极管显示器可包括层间绝缘层ILD 180以及彼此重叠的上电容器电极125a和电容器电极(未示出)，层间绝缘层180设置在上电容器电极125a与该电容器电极之间，或者该有机发光二极管显示器还可再包括这样一种电容器电极。在这种情况下，任何一个电容器电极均可形成在与图中所示不同的层处。
在图2中，像素示出为包括一个薄膜晶体管，但是其可包括至少两个薄膜晶体管。当包括最少数量的薄膜晶体管时，像素可包括驱动晶体管TDR和开关晶体管(未示出)。在实现中，像素还可包括用于补偿驱动晶体管TDR的晶体管、用于调整有机发光层300的发光时间的晶体管等。
将依次描述包括所述构成元件的像素区域的层结构。
下基底110可以是柔性基底，例如聚合物膜。举例来说，下基底110可以由塑料制成，例如，热塑性半晶质聚合物，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚醚酮(PEEK)；热塑性非晶态聚合物，诸如聚碳酸酯(PC)或聚乙烯磺酸酯(PES)；具有相对高的热阻的聚酰亚胺(PI)；或者多芳基化合物(PAR)。在实现中，下基底110可以是由玻璃制成的刚性基底。
缓冲层115可形成在下基底110上以帮助降低和/或防止水分、氧气等的渗透。缓冲层115可通过将无机材料沉积为单层或多层来形成，或者沉积为有机/无机混合多层来形成。尽管未示出，外涂覆层可形成在缓冲层115上以帮助保护该层。在实现中，可根据基底的种类或者工艺条件省略缓冲层115。
多晶半导体层150a和下电容器电极155a(由掺杂的多晶半导体形成)可形成在缓冲层115上。例如，多晶半导体可通过以下步骤形成，即，通过等离子体CVD方法沉积非晶硅，执行脱氢处理以将包括在非晶硅中的氢去除，和/或通过激光结晶(例如准分子激光退火)形成多晶硅状态。可使用诸如固相结晶(SPC)、超晶粒硅(SGS)结晶、金属诱导结晶(MIC)或金属诱导横向结晶(MILC)的热结晶方法作为多晶化方法以及激光结晶方法。
多晶半导体层150a可包括源区和漏区，在多晶半导体层150a中杂质掺杂在其两个边缘上。用于形成下电容器电极155a的掺杂的多晶半导体可通过高浓度掺杂而具有导体特性而非半导体特性。在用于形成多晶半导体的结晶过程中，缓冲层115还可用于阻止杂质从下基底110渗透至半导体中。
多晶半导体层150a、下电容器电极155a和暴露的缓冲层115可由栅绝缘层140覆盖。栅绝缘层140可由无机绝缘材料形成，例如，SiOx、SiNx、SiONx、Al2O3、TiO、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST(钛酸锶钡)或PZT(锆钛酸铅)。在实现中，栅绝缘层140可由单层或多层材料形成，并且可包括由例如SiNx、SiOx和/或SiONx形成的层。
栅电极124a和上电容器电极125a可形成在栅绝缘层140上。栅电极124a可与多晶半导体层150a的一部分重叠或者可覆盖多晶半导体层150a的一部分，上电容器电极125a可与下电容器电极155a重叠或者可覆盖下电容器电极155a。栅电极124a和上电容器电极125a可由导电金属(例如，Al、Cu、Mo、W、Cr或它们的合金)和/或包括透明导电材料(例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或氧化锌(ZnO))的各种导电材料形成，或者可使用导电聚合物以及金属材料。栅电极124a可具有多层结构，例如，包括由透明导电材料形成的下层和由金属形成的上层的双层结构。
层间绝缘层180可覆盖栅电极124a、上电容器电极125a和暴露的栅绝缘层140，或者可形成在栅电极124a、上电容器电极125a和暴露的栅绝缘层140上。层间绝缘层180可由有机材料和/或无机材料形成。
层间绝缘层180和栅绝缘层140可包括接触孔，多晶半导体层150a的源区和漏区通过接触孔暴露。源电极173a和漏电极175a可形成在层间绝缘层180和接触孔上。源电极173a可接触多晶半导体层150a的源区，漏电极175a可接触多晶半导体层150a的漏区。
钝化层185可形成在源电极173a、漏电极175a和层间绝缘层180上。钝化层185可由有机材料或无机材料形成。用于暴露漏电极175a的接触孔可形成在钝化层185中。像素电极190可形成在钝化层185上和接触孔中。像素电极190可通过接触孔连接至漏电极175a。
像素限定层(PDL)330可围绕像素电极190形成，并且可包括对应于像素的多个开口。像素限定层330可由诸如聚丙烯酸酯和聚酰亚胺的树脂制成。像素电极190可在未形成像素限定层330的部分处暴露，红外发射层310可设置在像素电极190上。红外发射层310可生成红外线，该红外线由目标反射，并且被引入或反射至传感器SN的光敏元件SPH中。
有机发光层300可设置在红外发射层310上。有机发光层300可包括发射层EML，并且可形成为包括空穴注射层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个的多层，以根据有机材料的种类发射不同颜色的光。
公用电极270可形成在有机发光层300和像素限定层330上。
像素电极190、有机发光层300和公用电极270可构成用于在有机发光二极管显示器中显示图像的发光装置。在这种情况下，像素电极190和公用电极270可分别用作发光装置的阳极和阴极。像素电极190和公用电极270中的至少一个可由透明导电材料形成。
例如，从有机发光层300发射的光可通过透明导电材料提供给用户的眼睛。例如，公用电极270可由透明导电材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、纳米线、碳纳米管(CNT)或石墨烯，而像素电极190可由金属形成，例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)，或者铟锡氧化物/银/铟锡氧化物(ITO/Ag/ITO)。
覆盖层410可形成在公用电极270上，封装层420可形成在覆盖层410上。覆盖层410可由无机材料或有机材料形成。在实现中，可省略覆盖层410。封装层420可封装发光装置以帮助防止水分和/或氧气从外部渗透。封装层420可包括多个封装薄膜(ETFs)。例如，封装层420可包括至少一个无机层(未示出)和至少一个有机层(未示出)，或者可通过交替地堆叠无机层和有机层来形成。无机层可以为包括金属氧化物或金属氮化物的单层或者多层。例如，无机层可包括氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)和氧化钛(TiOx)中的一种。封装层420中的暴露于外部的最高层(例如，封装层420的最外层)可由无机层形成以帮助减少和/或防止水分渗入发光装置中。有机层可由聚合物形成，并且可以为由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚乙烯(PE)或聚丙烯酸酯(PA)形成的单层或多层。
用于降低外界光的反射的极化层(未示出)可附接在封装层420上。窗口层(未示出)可附接在极化层上。
接下来将描述传感器SN的结构。与像素类似，传感器SN可形成在下基底110上。
传感器SN可包括用于感测红外线的光敏元件SPH。光敏元件SPH可包括栅电极124c、有源层150c、源电极173c和漏电极175c、以及过滤层187。在实现中，光敏元件SPH可被配置成感测具有除红外线波长之外的波长的光。
缓冲层115可形成在下基底110上，栅绝缘层140可形成在缓冲层115上。光敏元件SPH的栅电极124c可形成在栅绝缘层140上。可通过使用与一个像素的薄膜晶体管的栅电极124a相同的材料将光敏元件SPH的栅电极124c形成在与栅电极124a相同的层处或相同的层上。例如，光敏元件SPH的栅电极124c可与一个像素的薄膜晶体管的栅电极124a基本上共面。
栅电极124c可由层间绝缘层180覆盖。有源层150c可形成在层间绝缘层180上以与栅电极124c重叠或覆盖在栅电极124c上。光敏元件SPH可具有底栅结构，底栅结构来自于具有顶栅结构的一个像素的薄膜晶体管，在顶栅结构中栅电极设置在半导体层之上。例如，栅电极124c可设置在有源层150c的下方或者可位于有源层150c之下。有源层150c可由诸如锗化硅(SiGe)的硅化合物或诸如氮氧化锌(ZnON)的氧化物半导体形成。在实现中，有源层150c可由非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、微晶硅等形成。在实现中，有源层150c可包括使有源层150c能够作为光传感器的材料。
钝化层185可形成在有源层150c上。接触孔可形成在钝化层185中以暴露有源层150c的相对的边缘。过滤层187可形成在钝化层185上以与有源层150c重叠。在实现中，源电极173c和漏电极175c可形成在钝化层185上，并且可通过接触孔分别接触有源层150c的相对的边缘。
例如，过滤层187可以是允许红外线单独通过的红外带通滤波器(IR BPF)。当光敏元件为红外传感器时，红外传感器不仅可以对红外线作出反应而且可以对可见光线作出反应，因此引入红外传感器中的可见光线可引起传感器的误动作。因此，可通过形成带通滤波器优化有源层150c的灵敏度，该带通滤波器只允许红外线(具有约800nm或更大的波长范围)被引入有源层150c中，并且阻止可见光线(具有从约300nm至约800nm的波长范围)引入有源层150c或阻止有源层150c上的可见光线的引入。
过滤层187可包括有机材料，例如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚酰亚胺(PI)。过滤层187可包括有机材料，该有机材料包含阻止颜料、非晶硅、非晶锗、非晶锗化合物、非晶硅锗和微晶硅。在实现中，过滤层187可包括具有红外带通滤波器的特性的适当的材料。
可通过使用与发光装置的像素电极190相同的材料将源电极173c和漏电极175c设置在与像素电极190相同的层处或相同的层上(例如，与像素电极190排列在相同的层上)。例如，源电极173c和漏电极175c可基本上与像素电极190共面(例如，如图2中所示，源电极173c和漏电极175c的水平平面部分可基本上与像素电极190的水平平面部分共面)。
像素限定层330可覆盖源电极173c和漏电极175c以及过滤层187，或者可位于源电极173c和漏电极175c以及过滤层187上，发光装置的公用电极270可形成在像素限定层330上以沿其延伸。覆盖层410可形成在公用电极270上，封装层420可形成在覆盖层410上。在实现中，与像素区域类似，极化层和窗口层可附接在封装层420上。
传感器SN还可包括开关晶体管TSW，开关晶体管TSW连接至光敏元件SPH以传输来自光敏元件SPH的信号。开关晶体管TSW可包括多晶半导体层150b、栅电极124b以及源电极173b和漏电极175b。开关晶体管TSW可与光敏元件SPH相邻，或者可与光敏元件SPH分开设置以通过使用导线连接至光敏元件SPH。
开关晶体管TSW可与一个像素的驱动晶体管TDR具有相同的结构。例如，多晶半导体层150b可形成在缓冲层115上，缓冲层115形成在下基底110上。栅电极124b可形成在栅绝缘层140上，栅绝缘层140形成在多晶半导体层150b上。源电极173b和漏电极175b可形成在层间绝缘层180上并且可通过在层间绝缘层180和栅绝缘层140中形成的接触孔分别接触多晶半导体层150b的源区和漏区。当形成一个像素的驱动晶体管TDR时可同时形成具有该结构的开关晶体管TSW。
与此同时，光敏元件SPH的漏电极175c可通过在钝化层185中形成的接触孔连接至开关晶体管TSW的源电极173b。在实现中，可通过使用附加的连接线将光敏元件SPH的漏电极175c电连接至开关晶体管TSW的源电极173b。
传感器SN还可包括电容器CSN。传感器SN的电容器CSN可由如掺杂的多晶半导体的下电容器电极155b、上电容器电极125b(通过使用与栅电极124c相同的材料形成在与栅电极124c相同的层处)以及插入下电容器电极155b和上电容器电极125b之间的栅绝缘层140形成。电容器CSN的一个电极可电连接至光敏元件SPH的源电极173c，电容器CSN的另一电极可电连接至光敏元件SPH的漏电极175c和开关晶体管TSW的源电极173b。当形成一个像素的电容器CPX时可同时形成传感器SN的电容器CSN。
接下来，将参照图2和图3描述包括传感器的有机发光二极管显示器的主要部分的制造方法。
图3示出了根据第一实施方式的制造方法的示意性流程图。
首先，可在下基底110上形成缓冲层115。然后，可通过形成非晶硅层然后执行脱氢过程、结晶过程和光刻过程来形成驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b以及电容器CPX的下电容器电极155a和电容器CSN的下电容器电极155b。
在形成栅绝缘层140之后，可在栅绝缘层140上形成驱动晶体管TDR的栅电极124a和开关晶体管TSW的栅电极124b、光敏元件SPH的栅电极124c以及电容器CPX的上电容器电极125a和电容器CSN的上电容器电极125b。然后，可利用杂质对驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b的源区和漏区，以及电容器CPX的下电容器电极155a和电容器CSN的下电容器电极155b进行掺杂。在实现中，可在上电容器电极125a和125b形成之前执行下电容器电极155a和155b的掺杂。
在形成层间绝缘层180且在层间绝缘层180中形成接触孔之后，可形成源电极173a和173b以及漏电极175a和175b(其分别接触驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b的源区和漏区)。接下来，可形成光敏元件SPH的有源层150c。
然后，可形成钝化层185，并且可形成过滤层187。接下来，可形成用于暴露驱动晶体管TDR的漏电极175a、光敏元件的有源层150c的相对的边缘以及开关晶体管TSW的源电极173b的接触孔，并且可在钝化层185上形成驱动晶体管TDR的像素电极190以及光敏元件SPH的源电极173c和漏电极175c。在这种情况下，光敏元件SPH的漏电极175c可连接至开关晶体管TSW的源电极173b。
在实现中，过滤层187和钝化层185可由相同的有机材料(例如，聚酰亚胺)的组形成，并且可通过使用一个掩模执行过滤层187的图案化以及钝化层185中的接触孔的形成。
可形成像素限定层330(用于暴露像素电极190)，并且可在像素电极190上形成红外发射层310和有机发光层300。接下来，可形成公用电极270(有机发光层300和像素限定层330由该公用电极270覆盖)。
接下来，可形成覆盖层410、封装层420、极化层等。
根据本实施方式，可在形成薄膜晶体管的多晶半导体层150a和150b之后形成光敏元件SPH的有源层150c，因此有源层150c几乎不受用于形成多晶半导体的脱氢过程和结晶过程的影响。因此，可防止光敏元件SPH的有源层150c由于高温过程的退化。
将参照图4和图5描述第二实施方式。
图4示出了根据第二实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图，以及图5示出了根据第二实施方式的制造方法的示意性流程图。
根据第二实施方式的一个像素的结构可以与第一实施方式的结构相同。根据第二实施方式的传感器SN的开关晶体管TSW也可以与第一实施方式的开关晶体管TSW相同。然而，根据第二实施方式的光敏元件SPH在栅电极和有源层的位置以及栅电极的形成材料方面与第一实施方式不同。在下文中，将基于与第一实施方式的差异对第二实施方式进行描述，并且文中未提到的第二实施方式的元件可以与第一实施方式的元件相同。
对于光敏元件SPH，栅电极124d可形成在缓冲层115上，其中，缓冲层115形成在下基底110上。栅电极124d可设置在与下电容器电极155a和155b以及驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b相同的层处或相同的层上，并且可由掺杂的多晶半导体形成以具有与下电容器电极155a和155b类似的导体特性。例如，栅电极124d可基本上与下电容器电极155a和155b以及驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b共面。
栅绝缘层140可形成在栅电极124d上，与栅电极124d重叠或覆盖栅电极124d的有源层150d可形成在栅绝缘层140上。因此，有源层150d可设置在与上电容器电极125a和125b以及驱动晶体管TDR的栅电极124a和开关晶体管TSW的栅电极124b相同的层处或相同的层上。例如，有源层150d可与上电容器电极125a和125b以及驱动晶体管TDR的栅电极124a和开关晶体管TSW的栅电极124b基本上共面。与第一实施方式中类似，有源层150d可由硅、硅化合物、氧化物半导体等形成。
层间绝缘层180可形成在有源层150d上，钝化层185可形成在层间绝缘层180上。可在钝化层185和层间绝缘层180中形成接触孔(用于暴露有源层150d的相对的边缘)。过滤层187可形成在钝化层185上以与有源层150d重叠或者覆盖有源层150d。过滤层187可以是具有阻止引入可见光线并允许红外线单独通过过滤层187的特性的红外带通滤波器。
在实现中，源电极173d和漏电极175d可形成在钝化层185上，并且可通过接触孔分别接触有源层150d的相对的边缘。漏电极175d可通过形成在钝化层185中的接触孔连接至开关晶体管TSW的源电极173b。可通过使用与像素电极190相同的材料将源电极173d和漏电极175d设置在与像素电极190相同的层处或相同的层上。例如，源电极173d和漏电极175d可以与像素电极190基本上共面。
根据第二实施方式的有机发光二极管显示器可在光敏元件SPH的有源层150d和栅电极124d方面与第一实施方式不同，因此第二实施方式也可以在制造方法方面与第一实施方式稍有不同。例如，在缓冲层115形成在下基底110上之后，当形成多晶半导体层150a和150b以及下电容器电极155a和155b时可形成栅电极124d。有源层150d可在栅电极124a和124b以及上电容器电极125a和125b形成在栅绝缘层140上之后并且在层间绝缘层180形成之前形成。在实现中，可在栅绝缘层140形成之后并且栅电极124a和124b以及上电容器电极125a和125b形成之前形成有源层150d。层间绝缘层180和钝化层185可形成在有源层150d上，并且可能需要形成延伸通过层间绝缘层180和钝化层185的接触孔以使源电极173d和漏电极175d与有源层150d接触。
与第一实施方式类似，可在形成薄膜晶体管的多晶半导体层150a和150b之后形成光敏元件SPH的有源层150d。因此，有源层150d可几乎不受用于形成多晶半导体的脱氢过程和结晶过程的影响。
将参照图6和图7描述第三实施方式。
图6示出了根据第三实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图，以及图7示出了根据第三实施方式的制造方法的示意性流程图。
根据第三实施方式的一个像素的结构可以与第一实施方式的结构相同，以及根据第三实施方式的传感器SN的开关晶体管TSW和电容器CSN可以与第一实施方式的传感器SN的开关晶体管TSW和电容器CSN相同。根据第三实施方式，还可在缓冲层115和栅绝缘层140之间形成传感器绝缘层(SIL)130。传感器绝缘层130可由无机材料形成，并且可形成为单层或多层。
根据本实施方式的光敏元件SPH可在有源层的位置和栅电极的形成材料方面与第一实施方式的光敏元件SPH不同。将基于与第一实施方式的差异对第三实施方式进行描述，并且文中未提到的第三实施方式的元件可以与第一实施方式的元件相同。
缓冲层115可形成在下基底110上，光敏元件SPH的有源层150e可形成在缓冲层115上。传感器绝缘层130可形成在有源层150e上，(光敏元件SPH的)栅电极124e、(驱动晶体管TDR和开关晶体管TSW的)多晶半导体层150a和150b以及下电容器电极155a和155b可形成在传感器绝缘层130上的相同的层处或相同的层上。例如，栅电极124e可基本上与(驱动晶体管TDR和开关晶体管TSW的)多晶半导体层150a和150b以及下电容器电极155a和155b共面。栅电极124e以及下电容器电极155a和155b可由掺杂的多晶半导体形成以具有导体特性。
栅绝缘层140、层间绝缘层180和钝化层185可依次形成在栅电极124e上，过滤层187可形成在钝化层185上以与栅电极124e和有源层150e重叠或者覆盖栅电极124e和有源层150e。(用于暴露有源层150e的相对边缘的)接触孔可形成在钝化层185、层间绝缘层180、栅绝缘层140和传感器绝缘层130中。源电极173e和漏电极175e可形成在钝化层185上，并且可通过接触孔分别接触有源层150e的相对的边缘。漏电极175e可通过形成在钝化层185中的接触孔连接至开关晶体管TSW的源电极173b。可通过使用与像素电极190相同的材料将源电极173e和漏电极175e设置在与像素电极190相同的层处或相同的层上。例如，源电极173e和漏电极175e可与像素电极190基本上共面(例如，如图6所示，源电极173e和漏电极175e的水平平面部分可与像素电极190的水平平面部分基本上共面)。
根据第三实施方式的光敏元件可具有顶栅结构，在顶栅结构中，栅电极124e设置在有源层150e之上或者覆盖有源层150e。然而，可通过使用掺杂的半导体光学透明地形成栅电极124e，通过过滤层187的光可通过栅电极124e被引入有源层150e中。
将对根据本实施方式的制造方法进行描述。可在缓冲层115形成在下基底110上之后执行用于形成光敏元件SPH的有源层150e的步骤。然后，可形成传感器绝缘层130以使有源层150e与栅电极124e绝缘，其中栅电极124e与有源层150e重叠或者覆盖有源层150e。接下来，可形成多晶半导体层150a和150b、下电容器电极155a和155b以及栅电极124e。
接下来，可形成栅绝缘层140，然后可形成驱动晶体管TDR的栅电极124a和开关晶体管TSW的栅电极124b以及电容器CPX的上电极125a和电容器CSN的上电极125b。接下来，可形成层间绝缘层180和接触孔，然后可形成驱动晶体管TDR的源电极173a和漏电极175a以及开关晶体管TSW的源电极173b和漏电极175b。根据本实施方式的后续步骤可以与第一实施方式的步骤相同。然而，有源层150e可设置在传感器绝缘层130的下方，并且可形成用于使源电极173e和漏电极175e与有源层150e接触的接触孔以延伸通过钝化层185、层间绝缘层180、栅绝缘层140和传感器绝缘层130。
将参照图8和图9描述第四实施方式。
图8示出了根据第四实施方式的、沿图1中线A-A获取的有机发光二极管显示器的剖视图，以及图9示出了根据第四实施方式的制造方法的示意性流程图。
根据第四实施方式的一个像素的结构可以与第一实施方式的结构相同，并且根据第四实施方式的传感器SN的开关晶体管TSW和电容器CSN可以与第一实施方式的传感器SN的开关晶体管TSW和电容器CSN相同。然而，根据第一实施方式的有机发光二极管显示器的光敏元件SPH具有晶体管结构，而根据第四实施方式的有机发光二极管显示器的光敏元件SPH具有二极管结构。因此，本实施方式的光敏元件SPH可以不包括栅电极，并且有源层150f的相对的边缘可分别掺杂有n型杂质和p型杂质。因此，有源层150f可包括本征半导体区域以及分别设置在有源层150f两端的n型半导体区域和p型半导体区域。有源层150f可由硅、硅化合物、氧化物半导体等形成。
第一电极173f和第二电极175f(形成在钝化层185上的相同的层处或相同的层上)可通过形成为延伸通过钝化层185、层间绝缘层180和栅绝缘层140的接触孔分别连接至n型半导体区域和p型半导体区域。第二电极175f可通过形成在钝化层185上的接触孔连接至开关晶体管TSW的源电极173b。
在本实施方式的制造方法中，在缓冲层115形成在下基底110上之后，当驱动晶体管TDR的多晶半导体层150a和开关晶体管TSW的多晶半导体层150b以及电容器CPX的下电容器电极155a和电容器CSN的下电容器电极155b形成时，可形成光敏元件SPH的有源层150f。然而，有源层150f的相对的边缘可分别由不同类型的杂质掺杂，并且可执行两次离子掺杂过程。
在下文中，将参照图10和图11描述包括光敏元件SPH、开关晶体管TSW和电容器CSN的传感器的电路以及其操作。
图10示出了根据第一至第三实施方式的传感器的电路图，以及图11示出了根据第四实施方式的传感器的电路图。
参照图10，开关晶体管TSW的栅电极可连接至扫描线Si，开关晶体管TSW的漏电极可连接至读出线Rj。在节点“A”处，开关晶体管TSW的源电极可连接至光敏元件SPH的漏电极和电容器CSN的第一电极。光敏元件SPH的源电极可连接至电容器CSN的第二电极，并且偏置电压VB可施加于栅电极。在实现中，施加于光敏元件SPH的栅电极的偏置电压VB可施加于电容器CSN的第二电极和光敏元件SPH的源电极，或者具有不同幅值的偏置可施加于电容器CSN的第二电极和光敏元件SPH的源电极。
当通过光敏元件SPH的过滤层将光(例如红外线)引入有源层中时，可生成电流。生成的电流可用于对电容器CSN充电。当开关晶体管TSW根据通过扫描线Si输入的控制信号导通时，根据电容器CSN充电的电荷量而改变的信号可通过开关晶体管TSW和连接至信号处理器(未示出)的读出线Rj传输至信号处理器(未示出)。然后，信号处理器可基于接收的信号确定目标是否被触摸，触摸在哪个位置执行等。在实现中，目标是否被触摸、触摸在哪个位置处执行等的确定可通过下述步骤执行，即，在节点A处利用基准电压对电容器CSN充电，然后读出节点A的电压，其中，节点A的电压根据基于引入光敏元件SPH中的光强度的、通过光敏元件SPH排出的电荷量而改变。与此同时，可通过对光敏元件SPH的栅电极施加偏置电压VB控制适当的泄漏电平。
参照图11，开关晶体管TSW的栅电极可连接至扫描线Si，开关晶体管TSW的漏电极可连接至读出线Rj。在节点“A”处，开关晶体管TSW的源电极可连接至光敏元件SPH的阳极电极和电容器CSN的第一电极。光敏元件SPH的阴极电极可连接至电容器CSN的第二电极。光敏元件SPH的阳极电极和阴极电极的连接方向可以改变。
根据第四实施方式的传感器的操作可以与上面描述的操作基本上相同。但是，可以不设置栅电极，并且可以不执行栅偏置。因此，传感器的操作可能受外磁场的影响。
作为总结和回顾，可通过使用塑料基底可弯曲地制造有机发光二极管显示器，并且有机发光二极管显示器可包括用于感测触摸的触摸功能。例如，在柔性有机发光二极管显示器中，可堆叠薄膜封装层来代替由例如玻璃的材料制成的封装层以保护内部元件。这在形成用于感测触摸等的传感器中可能存在困难。用于感测红外线等的光传感器可用作用于感测目标存在、触摸、位置、形状等的传感器。
根据实施方式的有机发光二极管显示器可包括传感器。例如，传感器的元件可形成在其上形成有像素的薄膜晶体管的下基底上。例如，在柔性有机发光二极管显示器(在其中可能难以包括附加的上基底)中的下基底上形成传感器的元件可能是有用的。此外，这种嵌入式传感器可通过向典型的有机发光二极管显示器的制造过程仅增加一片用于光敏元件的有源层的掩模而形成。
在实现中，可在形成薄膜晶体管的多晶半导体层之后形成光敏元件的有源层，有源层可以不受高温过程(例如脱氢过程和结晶过程)的影响，从而防止有源层在制造过程中退化。
此外，有机发光二极管显示器可以是自发射型显示装置，与液晶显示器不同，其可以不需要在光敏元件的下方形成用于阻止从显示面板的后表面发射的光的层。
本文中已经公开了示例性实施方式，并且尽管采用了具体术语，但是这些术语仅仅被使用和被解释成通用和描述性含义，而不是用于限制的目的。除非另有明确指示，否则在某些情况下正如本领域的普通技术人员将随着本申请的提交而明确的，结合特定实施方式而描述的特征、特性和/或元件可被单独使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件结合使用。相应地，本领域的技术人员应理解，在不背离如所述权利要求书中记载的本发明的精神和范围的情况下可在形式和细节上进行多种修改。
<符号说明>
110：下基底
115：缓冲层
124a、124b、124c、124d、124e：栅电极
125a、125b：上电容器电极
130：传感器绝缘层
140：栅绝缘层
145：层间绝缘层
150a、150b：多晶半导体层
150c、150d、150e、150f：有源层
155a、155b：下电容器电极
173a、173b、173c、173d、173e：源电极
173f：第一电极
175a、175b、175c、175d、175e：漏电极
175f：第二电极
180：层间绝缘层
185：钝化层
187：过滤层
190：像素电极
270：公用电极
300：有机发光层
310：红外发射层
330：像素限定层
410：覆盖层
420：封装层
CPX：像素电容器
CSN：传感器电容器
SPH：光敏元件
TDR：驱动晶体管
TSW：开关晶体管

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
像素，其包括发光装置和连接至所述发光装置的第一薄膜晶体管；以及
传感器，其包括光敏元件，
其中：
所述光敏元件包括：
栅电极；
有源层，位于所述栅电极上；
过滤层，位于所述有源层上；以及
源电极和漏电极，位于所述有源层上，所述源电极和所述漏电极连接至所述有源层，
所述光敏元件和所述第一薄膜晶体管形成在同一基底上，以及
所述光敏元件的所述栅电极和所述有源层之一与所述第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上，且所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的多晶半导体层排列在不同层上。
2.根据权利要求1中所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述第一薄膜晶体管包括：
所述多晶半导体层，位于所述基底上；
所述栅电极，位于所述多晶半导体层上；以及
源电极和漏电极，位于所述栅电极上，并连接至所述多晶半导体层，以及
所述发光装置包括：
像素电极，覆盖所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极并连接至所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一；
有机发光层，位于所述像素电极上；以及
公用电极，位于所述有机发光层上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极：
与所述发光装置的所述像素电极排列在同一层上，并且
由与所述像素电极相同的材料形成。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述过滤层与所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极排列在同一层上。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述栅电极：
与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上，并且
由与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极排列在同一层上。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述栅电极：
与所述多晶半导体层排列在同一层上，并且
由掺杂的多晶半导体形成。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上。
9.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述发光装置还包括位于所述像素电极和所述有机发光层之间的红外发射层。
10.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述传感器还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及
所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一连接至所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极中之一。
11.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述传感器还包括电容器，所述电容器包括第一电极和第二电极，
所述电容器的所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的所述多晶半导体层排列在同一层上并且由掺杂半导体形成，以及
所述电容器的所述第二电极与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上并且由与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料形成。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述过滤层包括带通滤波器，所述带通滤波器包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯和聚酰亚胺中之一。
13.一种有机发光二极管显示器，包括：
像素，其包括发光装置和连接至所述发光装置的第一薄膜晶体管；以及
传感器，其包括光敏元件，
其中：
所述光敏元件包括：
有源层；
栅电极，位于所述有源层上，所述栅电极由掺杂的多晶半导体形成；
过滤层，位于所述栅电极上；以及
源电极和漏电极，位于所述栅电极上，所述源电极和漏电极连接至所述有源层，所述光敏元件和所述第一薄膜晶体管形成在同一基底上，以及
所述光敏元件的所述有源层位于绝缘层之下，所述绝缘层位于所述第一薄膜晶体管的半导体层之下。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述第一薄膜晶体管包括：
所述半导体层，位于所述基底上，所述半导体层为多晶半导体层；
栅电极，位于所述多晶半导体层上；以及
源电极和漏电极，位于所述栅电极上，并连接至所述多晶半导体层，以及
所述发光装置包括：
像素电极，位于所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极上，所述像素电极连接至所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一；
有机发光层，位于所述像素电极上；以及
公用电极，位于所述有机发光层上。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极：
与所述发光装置的所述像素电极排列在同一层上，并且
由与所述像素电极相同的材料形成。
16.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述光敏元件的所述栅电极与所述多晶半导体层排列在同一层上。
17.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述过滤层包括带通滤波器，所述带通滤波器包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯和聚酰亚胺中之一。
18.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述发光装置还包括位于所述像素电极和所述有机发光层之间的红外发射层。
19.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述传感器还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及
所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一连接至所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极中之一。
20.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述传感器还包括电容器，所述电容器包括第一电极和第二电极，
所述电容器的所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的所述半导体层排列在同一层上并且由掺杂半导体形成，以及
所述电容器的所述第二电极与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上并且由与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料形成。
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104009067A (zh) * 2014-06-16 2014-08-27 信利（惠州）智能显示有限公司 集成触控功能的有机发光二极管显示装置及其制作方法
KR102417266B1 (ko) * 2015-01-27 2022-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 접촉 감지 방법
KR102556023B1 (ko) * 2016-02-26 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 감광성 박막 소자 및 이를 포함하는 생체 정보 감지 장치
KR102646280B1 (ko) * 2016-05-27 2024-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102586938B1 (ko) 2016-09-05 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102650012B1 (ko) * 2016-09-07 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018045034A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180051692A (ko) * 2016-11-07 2018-05-17 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10943082B2 (en) * 2016-11-28 2021-03-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102541552B1 (ko) * 2016-11-30 2023-06-07 엘지디스플레이 주식회사 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기발광표시패널과 유기발광표시장치
CN106505090B (zh) * 2016-12-27 2024-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、显示装置及制作方法
KR102599536B1 (ko) * 2017-01-26 2023-11-08 삼성전자 주식회사 생체 센서를 갖는 전자 장치
KR102350624B1 (ko) * 2017-03-08 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR102463734B1 (ko) 2017-03-08 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN106952928B (zh) * 2017-03-30 2018-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft背板的制作方法及tft背板
KR102673640B1 (ko) 2017-07-04 2024-06-10 삼성전자주식회사 근적외선 유기 광 센서가 임베디드된 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
CN109244089B (zh) * 2017-07-10 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种感测基板及其制作方法、显示装置
US11222931B2 (en) 2017-07-28 2022-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US10930709B2 (en) 2017-10-03 2021-02-23 Lockheed Martin Corporation Stacked transparent pixel structures for image sensors
KR102629437B1 (ko) 2017-10-26 2024-01-24 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그를 포함하는 유기발광표시장치
US10510812B2 (en) * 2017-11-09 2019-12-17 Lockheed Martin Corporation Display-integrated infrared emitter and sensor structures
US11315990B2 (en) * 2017-12-15 2022-04-26 Boe Technology Group Co., Ltd. AMOLED display panel having image scanning function
US10838250B2 (en) 2018-02-07 2020-11-17 Lockheed Martin Corporation Display assemblies with electronically emulated transparency
US10652529B2 (en) 2018-02-07 2020-05-12 Lockheed Martin Corporation In-layer Signal processing
US10979699B2 (en) 2018-02-07 2021-04-13 Lockheed Martin Corporation Plenoptic cellular imaging system
US10690910B2 (en) 2018-02-07 2020-06-23 Lockheed Martin Corporation Plenoptic cellular vision correction
US10594951B2 (en) 2018-02-07 2020-03-17 Lockheed Martin Corporation Distributed multi-aperture camera array
US11616941B2 (en) 2018-02-07 2023-03-28 Lockheed Martin Corporation Direct camera-to-display system
US10951883B2 (en) 2018-02-07 2021-03-16 Lockheed Martin Corporation Distributed multi-screen array for high density display
KR102509439B1 (ko) * 2018-03-06 2023-03-13 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 표시 장치
CN110349981B (zh) * 2018-04-02 2022-11-18 上海耕岩智能科技有限公司 一种显示屏集成红外像素的光侦测装置
US10878214B2 (en) * 2018-04-09 2020-12-29 Electronics And Telecommunications Research Institute Complex biometric sensor including color conversion layer
CN108376688A (zh) * 2018-04-28 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
US11871641B2 (en) 2018-07-27 2024-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN109346498B (zh) * 2018-09-18 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN109326634B (zh) * 2018-09-30 2020-11-06 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI701823B (zh) * 2018-10-01 2020-08-11 力晶積成電子製造股份有限公司 影像感測器及其製造方法
US20200111815A1 (en) * 2018-10-09 2020-04-09 Innolux Corporation Display device
US10866413B2 (en) 2018-12-03 2020-12-15 Lockheed Martin Corporation Eccentric incident luminance pupil tracking
KR20210106475A (ko) * 2018-12-21 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스, 발광 장치, 발광 모듈, 조명 장치, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TW202036954A (zh) 2018-12-28 2020-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置、照明裝置、顯示裝置、模組及電子機器
CN109728050A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN109801569B (zh) * 2019-03-28 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN109962091B (zh) * 2019-03-29 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
US10698201B1 (en) 2019-04-02 2020-06-30 Lockheed Martin Corporation Plenoptic cellular axis redirection
CN110190094B (zh) * 2019-05-22 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
CN110137184B (zh) 2019-05-27 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN110972507B (zh) * 2019-06-11 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN110286796B (zh) 2019-06-27 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板
US11469261B2 (en) 2019-08-20 2022-10-11 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
TW202119380A (zh) * 2019-11-08 2021-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組及電子裝置
CN110867473B (zh) * 2019-11-26 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN113544855B (zh) * 2020-02-13 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
US10957248B1 (en) * 2020-04-12 2021-03-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and mobile terminal
CN111863906A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
TW202213837A (zh) * 2020-09-11 2022-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組及電子裝置
CN112259583B (zh) * 2020-10-15 2024-04-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光控显示装置
CN112420618B (zh) * 2020-11-17 2024-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN112882602A (zh) * 2021-02-09 2021-06-01 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
WO2022219455A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
CN113178470B (zh) * 2021-04-25 2024-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备显示面板的方法和显示装置
TWI798767B (zh) * 2021-07-25 2023-04-11 袁知賢 光電轉換元件及其製作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1319831A (zh) * 2000-01-31 2001-10-31 株式会社半导体能源研究所 附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000330090A (ja) * 1999-05-17 2000-11-30 Ind Technol Res Inst インテグレーテッド・イメージセンサー及びｌｃｄのアクティブマトリクスアレイ及びその半導体装置の構造
JP4651785B2 (ja) * 1999-07-23 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7718234B2 (en) * 2002-12-09 2010-05-18 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display and method for manufacturing same
US7379136B2 (en) * 2003-12-29 2008-05-27 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2006128342A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Canon Inc 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法
JP2007102026A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
CN102082189B (zh) * 2006-04-28 2012-11-28 株式会社半导体能源研究所 光电转换元件和光电转换元件制造方法
KR20080088696A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR100916321B1 (ko) 2007-12-17 2009-09-11 한국전자통신연구원 유기 발광 다이오드 터치스크린 장치 및 그 제조 방법
TWI420678B (zh) * 2008-11-27 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 光感測元件陣列基板
TWI464887B (zh) * 2008-12-25 2014-12-11 Au Optronics Corp 光電池元件及顯示面板
US20120104530A1 (en) * 2009-06-16 2012-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for display panel, and display device
KR101036498B1 (ko) 2009-06-17 2011-05-24 한양대학교 산학협력단 터치스크린 내장형 전자영동 표시장치
TWI433310B (zh) * 2009-07-02 2014-04-01 Au Optronics Corp 有機發光二極體顯示裝置
KR101641618B1 (ko) 2009-08-05 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 가시광 차단 부재, 가시광 차단 부재를 포함하는 적외선 센서 및 적외선 센서를 포함하는 액정 표시 장치
CN102473792A (zh) * 2009-08-19 2012-05-23 夏普株式会社 光传感器、半导体器件和液晶面板
CN102473716A (zh) * 2009-08-20 2012-05-23 夏普株式会社 光传感器、半导体器件和液晶面板
CN101635276A (zh) * 2009-08-26 2010-01-27 友达光电股份有限公司 有机发光二极管触控面板及其制作方法
JP2012230132A (ja) * 2009-09-09 2012-11-22 Sharp Corp 光センサおよび表示装置
EP2486596A4 (en) * 2009-10-09 2013-08-28 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2011052271A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 シャープ株式会社 光センサ、半導体装置、及び液晶パネル
US8686480B2 (en) 2010-04-16 2014-04-01 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
KR101790161B1 (ko) 2010-08-09 2017-10-26 삼성디스플레이 주식회사 광 센서, 광 센서의 제조 방법, 및 광 센서를 포함하는 액정 표시 장치
JP2012094720A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Sony Corp 固体撮像装置、半導体装置、固体撮像装置の製造方法、半導体装置の製造方法、及び電子機器
KR101819980B1 (ko) * 2011-09-09 2018-01-19 삼성전자주식회사 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치
US8815723B2 (en) * 2011-09-30 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Process for enhancing image quality of backside illuminated image sensor
TWI465979B (zh) * 2012-04-16 2014-12-21 Au Optronics Corp 觸控面板
US9564478B2 (en) * 2013-08-26 2017-02-07 Apple Inc. Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors
CN103500745B (zh) * 2013-09-25 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
US9704888B2 (en) * 2014-01-08 2017-07-11 Apple Inc. Display circuitry with reduced metal routing resistance

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1319831A (zh) * 2000-01-31 2001-10-31 株式会社半导体能源研究所 附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置

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