CN111863906A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的指纹识别单元识别精度较低和与显示基板集成度较低的问题。本发明的一种显示基板包括:基底、位于基底上的多个显示单元、及位于相邻的显示单元之间间隙处的指纹识别单元;显示单元包括:第一薄膜晶体管和发光器件;第一薄膜晶体管的第二极与发光器件的第一极连接;指纹识别单元包括:第二薄膜晶体管和光敏器件;第二薄膜晶体管的第一极与光敏器件的第二极连接。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,具有生物识别功能的显示设备逐渐进入人们的生活。其中,指纹识别技术具有唯一性和稳定性,成为生物识别技术中应用最广泛、价格最低廉的识别技术之一。传统的屏下光学指纹技术有:准直层方案和小孔成像方案,采用在显示面板的下方设置具有准直层的指纹识别模块的方式,来实现指纹识别功能。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:目前无论是准直层方案还是小孔成像方案,均存在着指纹识别单元识别精度较低和与显示基板集成度较低的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,包括:基底、位于所述基底上的多个显示单元、及位于相邻的所述显示单元之间间隙处的指纹识别单元;
所述显示单元包括:第一薄膜晶体管和发光器件;所述第一薄膜晶体管的第二极与所述发光器件的第一极连接;
所述指纹识别单元包括:第二薄膜晶体管和光敏器件;所述第二薄膜晶体管的第一极与所述光敏器件的第二极连接。
可选地,所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;
所述本征半导体层与所述第一薄膜晶体管的有源层及所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置。
可选地,所述第二半导体层与所述第二薄膜晶体管的有源层接触;所述第二半导体层靠近所述第二薄膜晶体管的有源层的部分用作所述光敏器件的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。
可选地,所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;
所述本征半导体层与所述第一薄膜晶体管的源极、漏极及所述第二薄膜晶体管的源极、漏极同层设置。
可选地,所述光敏器件还包括:覆盖所述第一半导体层、所述本征半导体层及所述第二半导体层的透明绝缘层;
所述光敏器件的第一极通过贯穿所述透明绝缘层的第一过孔与所述第一半导体层接触,第二极通过贯穿透明绝缘层的第二过孔与所述第二半导体层接触。
可选地,所述光敏器件还包括:仅覆盖所述本征半导体层的透明绝缘层;
所述光敏器件的第一极与所述第一半导体层接触,第二极与所述第二半导体层接触。
可选地,所述显示基板还包括:覆盖所述发光器件的封装层;所述光敏器件包括位于所述封装层上依次设置的第二极、第二半导体层、本征半导体层、第一半导体层和第一极;
所述第一极包括透明电极,所述第二极包括非透明电极。
可选地,所述显示基板还包括:覆盖所述发光器件的封装层;所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;所述光敏器件还包括:位于所述本征半导体层和所述封装层之间的遮光层;
所述遮光层在所述封装层上的正投影与所述本征半导体层在所述封装层上的正投影完全重叠。
可选地。所述光敏器件的所述第二极通过贯穿所述封装层的第三过孔与所述第二薄膜晶体管的第一极连接;
所述显示基板还包括隔离柱;所述隔离柱由所述封装层覆盖且位于所述发光器件与所述第三过孔之间。
可选地所述显示基板还包括阻挡坝;
所述阻挡坝与所述隔离柱同层设置且位于所述隔离柱与所述发光器件之间。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,包括如上述提供的显示基板。
附图说明
图1为相关技术中一种显示基板的结构示意图;
图2为相关技术中另一种显示基板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的第一种显示基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种显示单元的电路结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种指纹识别单元的电路结构示意图;
图6为本发明实施例提供的第二种显示基板的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的第三种显示基板的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的第四种显示基板的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的第五种显示基板的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的第六种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
下述的显示基板中的薄膜晶体管可以为显示单元中的任意一个晶体管,在相关技术中及本发明各个实施例中以薄膜晶体管为显示单元中的驱动晶体管为例进行说明。可以理解的是,开关晶体管也可以采用与驱动晶体管同样的结构及制备方式制成,在此不再进行详述。所采用的薄膜晶体管也可以为场效应管或其他特性的相同器件,由于采用的薄膜晶体管的源极和漏极是对称的,所以其源极、漏极是没有区别的。为区分薄膜晶体管的源极和漏极,将其中一极称为第一极,另一极称为第二极,栅极称为控制极。此外按照薄膜晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型,以下实施例中是以N型晶体管进行说明的,当采用N型晶体管时,第一极为N型晶体管的源极,第二极为N型晶体管的漏极,栅极输入高电平时,源漏极导通,P型相反。可以想到的是,采用P型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的,因此也是在本发明实施例的保护范围内的。发光器件可以具体为显示单元中的有机电致发光二极管或者其他种类的发光器件,在相关技术中以及本发明各个实施例中以有机电致发光二极管为例进行说明。其中,有机电致发光二极管具有第一极和第二极,第一极为有机电致发光二极管的阳极,第二极为有机电致发光二极管的阴极。光敏器件具体可以PIN光电二极管,也可以为PN光电二极管,在相关技术中以及本发明各个实施例中以PIN光电二极管为例进行说明,PIN光电二极管具有第一极和第二极,第一极为PIN光电二极管的正极,第二极为PIN光电二极管的负极。
图1为相关技术中一种显示基板的结构示意图,如图1所示,该显示显示基板具有指纹识别功能,该显示基板包括:基底101、位于基底101上的多个显示单元102、及位于基底101与显示单元之间的指纹识别单元103,指纹识别单元103包括准直层1031和感光器件1032。通常在显示单元102上还覆盖有玻璃盖板104。显示单元102发出的光线由手指的谷和脊反射后,经过玻璃盖板104、显示单元102后进入准直层1031,准直层1031过滤掉折射和散射的光线,将准直光线照射至感光器件1032上,得到相对清晰的指纹图像,从而实现指纹识别功能。由于玻璃盖板104、显示单元102以及准直层1031的存在,感光器件1032到显示基板表面手指的距离大约为0.5毫米,光线在此路径传播其损耗较大,使得到的指纹图像不能满足指纹识别的要求,影响指纹识别的精度,同时准直层1031和感光器件1032均位于单独的膜层中,集成度较低,不利于显示基板的轻薄化。
图2为相关技术中另一种显示基板的结构示意图,如图2所示,该显示基板与图1中所示的显示基板不同的是准直层1031由带有小孔的第一薄膜层1033和第二薄膜层1034替代,中间可以填充透光材料,利用小孔成像结构将光线照射至感光器件1032上,实现指纹识别功能。
目前无论是准直层方案还是小孔成像方案,均存在着识别精度较低和与显示基板集成度较低的技术问题。为了解决相关技术中存在的上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置,下面将结合附图和具体实施方式对本发明实施例提供的显示基板及显示装置作进一步详细描述。
实施例一
图3为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图,如图3所示,该显示基板包括:基底101、位于基底101上的多个显示单元102、及位于相邻的显示单元102之间间隙处的指纹识别单元103;显示单元102包括:第一薄膜晶体管201和发光器件202;第一薄膜晶体管201的漏极与发光器件202的阳极连接;指纹识别单元103包括:第二薄膜晶体管203和光敏器件204;第二薄膜晶体管203的源极与光敏器件204的负极连接。
本发明实施例提供的显示基板中,发光器件202可以在第一薄膜晶体管201的驱动下进行发光,发光器件202发出的光线由手指的谷和脊反射后照射至光敏器件204上,光敏器件204可以将由手指的谷和脊反射的光信号转换为电流信号,并通过第二薄膜晶体管203传输。由于手指的谷和脊的折射率不同,导致谷和脊对光线的反射率也不同,从而使得谷和脊对应的光敏器件204中的电流大小不同,进而可以实现指纹识别功能。在本发明实施例中,指纹识别单元103中的第二薄膜晶体管203和光敏器件204位于相邻的显示单元102之间的间隙处,在实现指纹识别功能的同时,将指纹识别单元103与显示单元102集成,可以不增加整体显示基板的厚度,从而利于显示基板的轻薄化。再者光敏器件204与手指的谷和脊之间的距离较小,光线在此路径中传播,可以减小光线的传播距离,降低光信号的损耗,从而可以提高指纹识别的精度。
在一些实施例中,图4为本发明实施例提供的一种显示单元的电路结构示意图,如图4所示,该显示单元包括:第一开关晶体管T1、驱动晶体管T2、第一电容C1和发光器件D1。第一开关晶体管T1的栅极连接扫描线Scan,源极连接数据线Data,漏极连接第一节点N1。第一节点N1为第一开关晶体管T1的漏极、第一电容C1的一端和驱动晶体管T2的栅极的连接点。驱动晶体管T2的栅极连接第一节点,源极连接第一电源线VDD,漏极连接第一电容C1的另一端和发光器件D1的阳极。第一电容C1的一端连接第一节点N1,另一端连接驱动晶体管T2的漏极和发光器件D1的阳极。发光器件D1的阳极连接驱动晶体管T2的漏极和第一电容C1的另一端,阴极连接第二电源线VSS。其中,第一电源线VDD输入的电压大于第二电源线VSS输入的电压,二者之间具有一定的压差,在驱动晶体管T2导通时可以形成驱动电流,发光器件D1在驱动电流的驱动下发光,从而实现显示功能。
在一些实施例中,图5为本发明实施例提供的一种指纹识别单元的电路结构示意图,如图5所示,该指纹识别单元包括:第二开关晶体管T3、光敏器件D2和第二电容C2。第二开关晶体管T3的栅极连接控制信号线Gate,源极连接光敏器件D2的阴极,漏极连接读取信号线Read。光敏器件D2的正极连接第二电容C2的一端和偏置信号线Vbais。第二电容C2的一端连接偏置信号线Vbais和光敏器件D2的正极,另一端连接第二开关晶体管T3的源极和光敏器件D2的负极。光敏器件D2在光照环境下可以导通形成感应电流,并由第二电容C2存储。当第二开关晶体管T3导通时,感应电流可以通过第二开关晶体管T3传输,由于手指的谷和脊的折射率不同,导致谷和脊对光线的反射率也不同,从而使得谷和脊对应的光敏器件D2中的电流大小不同,进而可以实现指纹识别功能。
需要说明的是,在图3以及之后的显示基板的结构示意图中,第一薄膜晶体管201对应图4中的驱动晶体管T2,发光器件202对应图4中的发光器件D1,第二薄膜晶体管203对应图5中的第二开关晶体管T3,光敏器件204对应图5中的光敏器件D2。为了便于描述,在图3以及之后的显示基板的结构示意图未示出第一电容C1和第二电容C2以及各个走线等。
在一些实施例中,如图3所示,光敏器件204包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;本征半导体层位于第一半导体层和第二半导体层之间;本征半导体层与第一薄膜晶体管201的有源层及第二薄膜晶体管203的有源层同层设置。
需要说明的是,本发明实施例中的光敏器件204可以为平面型的PIN光电二极管,其中第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层,I型半导体层位于P型半导体层和N型半导体层之间。可以将采用离子注入工艺,将P型离子和N型离子进行有机硅层中,形成P型半导体层和N型半导体层。在离子注入过程中,可以将不需要进行离子注入的部位利用光刻胶进行覆盖遮挡,从而形成平面型PIN光电二极管。在本发明实施例中,平面型PIN光电二极管的I型半导体层与第一薄膜晶体管201的有源层及第二薄膜晶体管203的有源层同层设置,可以采用同一工艺形成,从而可以减小制备步骤,节约制备成本。同时,可以不增加整体显示基板的厚度,利于显示基板的轻薄化。再者平面型PIN光电二极管的I型半导体层与手指的谷和脊之间的距离较小,光线在此路径中传播,可以减小光线的传播距离,降低光信号的损耗,从而可以提高指纹识别的精度。
在一些实施例中,第二半导体层与第二薄膜晶体管203的有源层接触;第二半导体层靠近第二薄膜晶体管203的有源层的部分用作光敏器件204的负极和第二薄膜晶体管203的源极。
需要说明的是,数据线、扫描线、读取信号线、控制信号线及电源线等信号线通常均采用金属材料制成,在实际应用中,一般这些信号线的走线层与第一薄膜晶体管201的源极、漏极及第二薄膜晶体管203的源极、漏极同层设置,且采用同一工艺制备而成。平面型PIN光电二极管的P型半导体层通过贯穿其上的栅极绝缘层和层间绝缘层与走线层中的偏置信号线连接。由于N型半导体层和第二薄膜晶体管203的有源层同层设置,可以直接将N型半导体层与第二薄膜晶体管203的有源层接触,形成电连接,光敏器件204的N型半导体层靠近第二薄膜晶体管203的有源层的部分可以用作光敏器件204的负极和第二薄膜晶体管203的源极,这样可以不必采用打孔的形式制作光敏器件204的负极和第二薄膜晶体管203的源极,从而减少工艺步骤,节约制备成本。
在一些实施例中,如图6所示,光敏器件204包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;本征半导体层位于第一半导体层和第二半导体层之间;本征半导体层与第一薄膜晶体管201的源极、漏极及第二薄膜晶体管203的源极、漏极同层设置。
需要说明的是,本发明实施例中的光敏器件204可以为平面型的PIN光电二极管,其中第一半导体层为P型半导体层,第二半导体层为N型半导体层,I型半导体层位于P型半导体层和N型半导体层之间。可以将采用离子注入工艺,将P型离子和N型离子进行有机硅层中,形成P型半导体层和N型半导体层。在离子注入过程中,可以将不需要进行离子注入的部位利用光刻胶进行覆盖遮挡,从而形成平面型PIN光电二极管。在本发明实施例中,平面型PIN光电二极管的I型半导体层与第一薄膜晶体管201的源极、漏极及第二薄膜晶体管203的源极、漏极同层设置,可以采用同一工艺形成,从而可以减小制备步骤,节约制备成本。同时,可以不增加整体显示基板的厚度,利于显示基板的轻薄化。再者与上述实施例中I型半导体层与第一薄膜晶体管201的有源层及第二薄膜晶体管203的有源层同层设置相比,光敏器件204的I型半导体层更靠近手指的谷和脊,这样可以进一步减小平面型PIN光电二极管的I型半导体层与手指的谷和脊之间的距离,从而可以进一步减小光线的传播距离,降低光信号的损耗,进而可以提高指纹识别的精度。
在一些实施例中,如图7所示,光敏器件204还包括:覆盖第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层的透明绝缘层;光敏器件204的正极通过贯穿透明绝缘层的第一过孔与第一半导体层接触,负极通过贯穿透明绝缘层的第二过孔与第二半导体层接触。
需要说明的是,透明绝缘层覆盖在平面型PIN光电二极管的各个膜层上,可以保证光线可以透过并照射至I型半导体层上,并且在采用刻蚀工艺制备第一薄膜晶体管201的源极、漏极,第二薄膜晶体管203的源极、漏极时,可以防止刻蚀的对平面型PIN光电二极管的侧面造成损伤或金属残留,从而可以避免平面型PIN光电二极管的表面损伤导致光信号接收差的问题或产生较大的漏电流。平面型PIN光电二极管的正极和负极可以与源极、漏极采用同样的方式形成,并通过贯穿透明绝缘层的第一过孔和第二过孔分别与P型半导体层和N型半导体层接触形成电连接。
在一些实施例中,如图8所示,光敏器件204还包括:仅覆盖本征半导体层的透明绝缘层;光敏器件204的正极与第一半导体层接触,负极与第二半导体层接触。
需要说明的是,在制备过程中,可以将形成在平面型PIN光电二极管各个膜层上的透明绝缘层对应平面型PIN光电二极管的P型半导体层和N型半导体层的部分刻蚀,露出P型半导体层和N型半导体层,再形成正极和负极,这样不仅可以保证I型半导体层不被损坏,还可以不必采用打孔的方式将正极和负极与P型半导体层和N型半导体层分别连接,从而可以减少制备步骤,节约制备成本。
在一些实施例中,如图9所示,显示基板还包括:覆盖发光器件202的封装层104;光敏器件204包括位于封装层104上依次设置的负极、第二半导体层、本征半导体层、第一半导体层和正极;正极包括透明电极,负极包括非透明电极。
需要说明的是,本发明实施例中,光敏器件204可以为垂直型PIN光电二极管,该垂直型PIN光电二极管与上述实施例中的平面性PIN光电二极管的实现原理相同,在此不再赘述。其中,负极位于封装层104上,较正极更靠近发光器件202,负极可以采用非透明电极,正极可以采用透明电极,非透明电极可以将发光器件202直接发出的光线进行遮挡,避免对指纹的谷和脊反射的光线造成干扰,从而可以提高指纹识别的精确度。
在一些实施例中,如图10所示,显示基板还包括:覆盖发光器件202的封装层104;光敏器件204包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;本征半导体层位于第一半导体层和第二半导体层之间;光敏器件204还包括:位于本征半导体层和封装层104之间的遮光层;遮光层在封装层104上的正投影与本征半导体层在封装层104上的正投影完全重叠。
需要说明的是,本发明实施例中,光敏器件204可以为平面型PIN光电二极管,该平面型PIN光电二极管与上述实施例中的平面性PIN光电二极管的实现原理相同,在此不再赘述。其中遮光层可以将发光器件202直接发出的光线进行遮挡,避免对指纹的谷和脊反射的光线造成干扰,从而可以提高指纹识别的精确度。可以理解的是,显示基板的封装层上一般设置有触控单元,触控单元可以为自容式结构,也可以为互容式结构。在一个具体的例子中,触控单元可以为互容式结构,其包括叠层设置的第一电极和第二电极,二者之间绝缘设置。在制备过程中,如图9所示的垂直型PIN光电二极管的上下两个电极可以与触控单元中的两个电极分别同层设置,使得垂直型PIN光电二极管与触控单元集成。如图10所示的平面型PIN光电二极管的两个电极也可以与触控单元中的任意一个电极同层设置,使得平面型PIN光电二极管与触控单元集成。可以根据实际需要,选择合适的集成方式,在此不做限定。
在一些实施例中,如图9和图10所示,光敏器件204的第二极通过贯穿封装层的第三过孔与第二薄膜晶体管203的第一极连接;显示基板还包括隔离柱;隔离柱由封装层覆盖且位于发光器件202与第三过孔之间。
需要说明的是,在本发明实施例中,由于光敏器件204的各个膜层位于封装层104上,在与被封装层104覆盖的其他器件进行连接时,需要通过对封装层104打孔(例如第三过孔),隔离柱可以防止水汽等渗透至发光器件202的各个膜层中,从而可以提高信赖性,并延长发光器件202的使用寿命。可以理解的是,如图9和图10所示,在其他贯穿封装层的过孔周围也可以隔离柱,以阻止水汽的渗透,影响发光器件202的性能。在实际应用中,封装层一般采用无机材料层、有机材料层和无机材料层的三层结构形成,其具体材料在此不在一一列举。进一步需要说明的是,隔离柱可以利用显示基板中的覆盖第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管203的层间绝缘层同层材料制成,也可以利用显示基板中的覆盖第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管203的平坦化层材料制成,或者也可以采用其他膜层的材料制成。在制备过程中可以设置多余个一个隔离柱,可以将该多余的隔离柱刻蚀,从而形成上述的第三过孔,从而减少制备步骤,节约制备成本。
在一些实施例中,如图9和图10所示,显示基板还包括阻挡坝;阻挡坝与隔离柱同层设置且位于隔离柱与发光器件202之间。
需要说明的是,阻挡坝可以设置在隔离柱的周围,这样可以防止水汽由隔离柱所在的区域渗透至发光器件202的各个膜层中,从而可以提高信赖性,并延长发光器件202的使用寿命。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括如上述实施例提供的显示基板,该显示装置可以为手机、平板电脑、车载中控仪等终端设备,其实现原理与上述实施例提供的显示基板的实现原理类似,在此不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置的显示基板中,指纹识别单元中的第二薄膜晶体管和光敏器件位于相邻的显示单元之间的间隙处,在实现指纹识别功能的同时,将指纹识别单元与显示单元集成,可以不增加整体显示基板的厚度,从而利于显示基板的轻薄化。再者光敏器件与手指的谷和脊之间的距离较小,光线在此路径中传播,可以减小光线的传播距离,降低光信号的损耗,从而可以提高指纹识别的精度。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底、位于所述基底上的多个显示单元、及位于相邻的所述显示单元之间间隙处的指纹识别单元;
所述显示单元包括:第一薄膜晶体管和发光器件;所述第一薄膜晶体管的第二极与所述发光器件的第一极连接;
所述指纹识别单元包括:第二薄膜晶体管和光敏器件;所述第二薄膜晶体管的第一极与所述光敏器件的第二极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;
所述本征半导体层与所述第一薄膜晶体管的有源层及所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二半导体层与所述第二薄膜晶体管的有源层接触;所述第二半导体层靠近所述第二薄膜晶体管的有源层的部分用作所述光敏器件的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;
所述本征半导体层与所述第一薄膜晶体管的源极、漏极及所述第二薄膜晶体管的源极、漏极同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述光敏器件还包括:覆盖所述第一半导体层、所述本征半导体层及所述第二半导体层的透明绝缘层;
所述光敏器件的第一极通过贯穿所述透明绝缘层的第一过孔与所述第一半导体层接触,第二极通过贯穿透明绝缘层的第二过孔与所述第二半导体层接触。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述光敏器件还包括:仅覆盖所述本征半导体层的透明绝缘层;
所述光敏器件的第一极与所述第一半导体层接触,第二极与所述第二半导体层接触。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:覆盖所述发光器件的封装层;所述光敏器件包括位于所述封装层上依次设置的第二极、第二半导体层、本征半导体层、第一半导体层和第一极;
所述第一极包括透明电极,所述第二极包括非透明电极。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:覆盖所述发光器件的封装层;所述光敏器件包括同层设置的第一半导体层、本征半导体层及第二半导体层;所述本征半导体层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;所述光敏器件还包括:位于所述本征半导体层和所述封装层之间的遮光层;
所述遮光层在所述封装层上的正投影与所述本征半导体层在所述封装层上的正投影完全重叠。
9.根据权利要求7或8所述的显示基板,其特征在于,所述光敏器件的所述第二极通过贯穿所述封装层的第三过孔与所述第二薄膜晶体管的第一极连接;
所述显示基板还包括隔离柱;所述隔离柱由所述封装层覆盖且位于所述发光器件与所述第三过孔之间。
10.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括阻挡坝;
所述阻挡坝与所述隔离柱同层设置且位于所述隔离柱与所述发光器件之间。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的显示基板。
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