CN112736121A - 一种oled显示面板及oled显示装置 - Google Patents

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CN112736121A CN202011613602.6A CN202011613602A CN112736121A CN 112736121 A CN112736121 A CN 112736121A CN 202011613602 A CN202011613602 A CN 202011613602A CN 112736121 A CN112736121 A CN 112736121A
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Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板和OLED显示装置,包括:发光功能层,用于发光;驱动电路层,与发光功能层层叠设置,驱动电路层包括多个薄膜晶体管单元和至少一个感光单元;感光单元包括多个感光器件,感光器件用于接收发光功能层发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号;控制器,用于接收感光器件发出的电信号,当感光单元中将反射光转换为电信号的感光器件的数量大于或等于阈值数量时,控制器控制OLED显示面板发生触控。本申请通过感光器件来实现光学触控,提高了OLED显示面板的触控可靠性;同时,设置感光器件的阈值数量,当感光单元中将反射光转换为电信号的感光器件数量大于或等于阈值数量时发生触控,进一步提高触控可靠性。

Description

一种OLED显示面板及OLED显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及OLED显示装置。
背景技术
目前,集成触控功能的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板成为当下高端智能产品追求采用的热点。近年来,人们追求越来越轻薄化的用户式体验,内嵌式触控显示面板由于其制程上的独特优势,受到各大面板厂家青睐,已演化为未来触控技术的主要发展方向。
现有的内嵌式触控显示面板中实现触控的方式主要有两种:一种为电容式触控,即:在显示面板中设置触控扫描线和触控感应线,但由于显示面板上有一层阴极金属电极是整面覆盖的,此结构恰好对内嵌式触控显示面板中触控传感器的触控扫描线和触控感应线起到了信号屏蔽效果起到了信号屏蔽效果,导致触控可靠性不高;另一种为光学式触控,光学式触控较电容式触控更灵敏,但容易发生误触控,导致触控可靠性不高。
因此,急需寻求一种OLED显示面板及OLED显示装置解决现有技术中存在的将触控性能集成到OLED显示面板上时,OLED显示面板的触控可靠性不高的技术问题。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及OLED显示装置,旨在解决现有技术存在的将触控性能集成到OLED显示面板上时,OLED显示面板的触控可靠性不高的技术问题。
第一方面,本申请提供一种OLED显示面板,包括:
发光功能层,所述发光功能层用于发光;
驱动电路层,与所述发光功能层层叠设置,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管单元和至少一个感光单元;所述感光单元包括多个感光器件,所述感光器件用于接收所述发光功能层发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号;
控制器,所述控制器电连接于每一感光器件,用于接收所述感光器件发出的电信号,当所述感光单元中将反射光转换为电信号的所述感光器件的数量大于或等于阈值数量时,所述控制器控制OLED显示面板发生触控。
在本申请一些实现方式中,所述发光功能层包括与所述多个薄膜晶体管单元一一对应的多个像素区,所述感光器件与所述像素区一一对应。
在本申请一些实现方式中,所述薄膜晶体管单元包括:
基板;
第一半导体层,设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧;
第一绝缘层,设置于所述第一半导体层远离所述基板的一侧;
栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧;
第二绝缘层,设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
源漏极金属层,设置于所述第二绝缘层远离所述栅极层的一侧,所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述第一半导体层电连接;
第三绝缘层,设置于所述源极漏极金属层远离所述第二绝缘层的一侧。
在本申请一些实现方式中,所述栅极层包括:
第一栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述第一半导体层的一侧;
层间介质层,设置于所述第一栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
第二栅极层,设置于所述层间介质层远离所述第一栅极层的一侧。
在本申请一些实现方式中,所述感光器件包括:第二半导体层和金属电极层,所述金属电极层设置在所述第二半导体层靠近所述发光功能层的一侧,所述金属电极层通过第三过孔和第四过孔与所述第二半导体层电连接,所述金属电极层形成所述感光器件的第一电极和第二电极。
在本申请一些实现方式中,所述第二半导体层和所述第一半导体层同层设置;所述金属电极层和所述第二栅极层同层设置。
在本申请一些实现方式中,所述第二半导体层和所述第一半导体层同层设置;所述金属电极层和所述源漏极金属层同层设置。
在本申请一些实现方式中,所述第一半导体层与所述第二半导体层的材料均为低温多晶硅;所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括:位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域两侧的掺杂区域。
在本申请一些实现方式中,所述发光功能层包括:
阳极层,所述阳极层通过第五过孔与所述驱动电路层电连接;
有机发光层,设置于所述阳极层远离所述驱动电路层的一侧;
像素定义层,设置于所述有机发光层远离所述阳极层的一侧,所述像素定义层形成与所述多个薄膜晶体管单元一一对应的多个像素区;
阴极层,设置于所述像素定义层远离所述有机发光层的一侧;
封装层,设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧。
第二方面,本申请还提供了一种OLED显示装置,包括上述任一实现方式中的OLED显示面板。
本申请通过将用于接收发光功能层发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号的多个感光器件集成于驱动电路层中,通过将感光器件接收到的反射光光通量的变化转换为不同大小的电信号,来实现光学触控,相比于现有技术中需要设置触控扫描线和触控感应线的电容式触控,其不受阴极金属电极的影响,提高了OLED显示面板的触控可靠性;同时,本申请通过设置由多个感光器件组成的感光单元,并设置感光器件的阈值数量,当感光单元中将发射光转换为电信号的感光器件的数量大于或等于阈值数量时,才发生触控,避免发生误触控,进一步提高触控可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的光学触控的触控原理示意图。
图中部件标识如下:
OLED显示面板1 发光功能层10
驱动电路层20 薄膜晶体管单元21
感光单元22 感光器件221
像素区101 基板210
第一半导体层220 第一绝缘层230
栅极层240 第二绝缘层250
源漏极金属层260 第三绝缘层270
第一栅极层241 层间介质层242
第二栅极层243 第二半导体层280
金属电极层290 未掺杂区域222
掺杂区域223 第一过孔201
第二过孔202 第三过孔203
第四过孔204 阳极层110
有机发光层120 像素定义层130
阴极层140 封装层150
第五过孔102
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此,本发明并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种OLED显示面板及OLED显示装置。以下进行详细说明。
如图1和图2所示,本发明实施例提供了一种OLED显示面板1,该OLED显示面板1包括:
发光功能层10,发光功能层10用于发光;
驱动电路层20,与发光功能层10层叠设置,驱动电路层20包括多个薄膜晶体管单元21和至少一个感光单元22,;感光单元22包括多个感光器件221,感光器件221用于接收发光功能层10发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号;
控制器(图中未示出),控制器电连接于每一感光器件221,用于接收感光器件221发出的电信号,当感光单元22中将反射光转换为电信号的感光器件221的数量大于或等于阈值数量时,控制器控制OLED显示面板1发生触控。
本发明实施例通过将用于接收发光功能层10发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号的多个感光器件221集成于驱动电路层20中,通过将感光器件221接收到的反射光光通量的变化转换为不同大小的电信号,来实现光学触控,相比于现有技术中需要设置触控扫描线和触控感应线的电容式触控,其不受阴极金属电极的影响,提高了OLED显示面板1的触控可靠性;同时,本申请通过设置由多个感光器件221组成的感光单元22,并设置感光器件221的阈值数量,当感光单元22中将发射光转换为电信号的感光器件221的数量大于或等于阈值数量时,才发生触控,避免发生误触控,进一步提高触控可靠性。
如图2所示,OLED显示慢板1发生触控的原理为:OLED显示面板1包括多个感光单元22,感光单元22包括多个感光器件221,当手指或其他外物位于OLED显示面板1上方时,会引起感光器件221接收到的发射光的光通量发生变化,感光器件221会将光通量视为变化转换为电信号,当光通量发生变化的感光器件221的数量大于阈值数量时,发生触控。
具体地,OLED显示面板1包括感光单元22,每一感光单元22包括4个感光器件221,感光器件221的阈值数量为3,则当每一感光单元22中的3个或4个感光器件221的光通量发生变化时,这一感光单元22发生触控。
需要说明的是:每一感光单元22中的感光器件221的数量和阈值数量均可根据触控精度进行调整,在此不作限定。
在本发明的实施例中,如图1所示,发光功能层10包括与多个薄膜晶体管单元21一一对应的多个像素区101,感光器件221与像素区101一一对应。
通过设置感光器件221与像素区101一一对应,实现在每个像素区101均存在一个感光器件221,因此,可提高OLED显示面板1的触控分辨精度,具体地,当感光器件221与像素区101一一对应时,OLED显示面板1的触控分辨精度可达到30μm的级别以上。并且,当OLED显示面板1用于识别指纹时,随着触控分辨精度的提高,指纹中的峰和谷识别更准确,进一步提高指纹识别的精度。
需要理解的是:感光器件221与像素区101的对应关系可根据实际应用的需求进行调整,例如:一个感光器件221可对应两个或两个以上的像素区101。
具体地,如图1所示,薄膜晶体管单元21包括:
基板210,基板210可为玻璃基板或柔性基板,柔性基板可为聚酰亚胺(Polyimide,PI)基板。
第一半导体层220,设置于基板210靠近发光功能层10的一侧;第一半导体层220的材料为低温多晶硅;第一半导体层220包括:位于中部的未掺杂区域222以及位于未掺杂区域222两侧的掺杂区域223,第一半导体层220可采用曝光显影蚀刻工艺图案化形成,且两侧的掺杂区域223分别为p型掺杂和n型掺杂。
第一绝缘层230,设置于第一半导体层220远离基板210的一侧;第一绝缘层230为栅极绝缘层,设置于第一半导体层220上及基板210上方。第一绝缘层230可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于第一半导体层220以及基板210上。
栅极层240,设置于第一绝缘层230远离半导体层220的一侧;栅极层240形成薄膜晶体管单元21的栅极,栅极层240的材料可为钼(Mo),栅极层240可采用曝光显影蚀刻工艺图案化形成
第二绝缘层250,设置于栅极层240远离第一绝缘层230的一侧;第二绝缘层250可为层间介质层,设置于栅极层240及第一绝缘层230上;第二绝缘层250可以为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积于栅极层240及第一绝缘层230上。
源漏极金属层260,设置于第二绝缘层250远离栅极层240的一侧,源漏极金属层260通过第一过孔201和第二过孔202与第一半导体层220电连接;源漏极金属层260可采用曝光显影蚀刻工艺进行图案化形成源极和漏极的图案。
第三绝缘层270,设置于源极漏极金属层260远离第二绝缘层250的一侧。第三绝缘层270为平坦层,设置于源漏极金属层260及第二绝缘层250上。第三绝缘层270可为氮化硅层或者二氧化硅层,采用化学气相工艺沉积形成。
需要说明的是:基板210和第一半导体层220之间还可设置缓冲层或其他膜层或其他膜层结构。
进一步地,如图1所示,栅极层240包括:
第一栅极层241,设置于第一绝缘层230远离第一半导体层220的一侧;
层间介质层242,设置于第一栅极层241远离第一绝缘层230的一侧;
第二栅极层243,设置于层间介质层242远离第一栅极层241的一侧。
其中,第一过孔201和第二过孔202依次穿过第一绝缘层230,第二绝缘层250和层间介质层242,将源漏极金属层260与第一半导体层220电连接。
进一步地,如图1所示,感光器件221包括:第二半导体层280和金属电极层290,金属电极层290设置在第二半导体层280靠近发光功能层10的一侧,金属电极层290通过第三过孔203和第四过孔204与第二半导体层280电连接,金属电极层290形成感光器件221的第一电极和第二电极。
其中,第二半导体层280的材料为低温多晶硅,第二半导体层280包括:位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域两侧的掺杂区域,且两侧的掺杂区域分别为p型掺杂和n型掺杂。即:第二半导体层280和第一半导体层220材料相同,通过上述设置,可实现第一半导体层220和第二半导体层280的互换,无需单独制作第二半导体层280,简化制程,降低成本。
进一步地,如图1所示,在本发明的实施例中,第二半导体层280和第一半导体层220同层设置;金属电极层290和第二栅极层243同层设置。
在本发明的另外一些实施例中,第二半导体层280和第一半导体层220同层设置;金属电极层290和源漏极金属层260同层设置。
通过上述设置,可在制作第一半导体层220的同时,制作第二半导体层280,在制作第二栅极层243或源漏极金属层260的同时,制作金属电极层290,简化制程,并且减小OLED显示面板1的厚度。
进一步地,如图1所示,发光功能层10包括:
阳极层110,阳极层110通过第五过孔102与驱动电路层20电连接;具体地,阳极层110通过第五过孔102与源漏极金属层260电连接;
有机发光层120,设置于阳极层110远离驱动电路层20的一侧;有机发光层120包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子隔离层、发光层层、空穴隔离层、电子传输层、电子注入层等膜层结构;
像素定义层130,设置于有机发光层120远离阳极层110的一侧,像素定义层130形成与多个薄膜晶体管单元21一一对应的多个像素区101;
阴极层140,设置于像素定义层130远离有机发光层120的一侧;阴极层140可采用透明导电金属制成,例如氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium ZincOxide,IZO)等;
封装层150,设置于阴极层140远离像素定义层130的一侧。封装层150用于隔绝氧气和水封等,保护OLED显示面板1。
在本发明的实施例中,还提供了一种OLED显示装置,OLED显示装置包括上述任一实施例中的OLED显示面板1。
综上所述,本发明实施例通过将用于接收发光功能层10发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号的多个感光器件221集成于驱动电路层20中,通过将感光器件221接收到的反射光光通量的变化转换为不同大小的电信号,来实现光学触控,相比于现有技术中需要设置触控扫描线和触控感应线的电容式触控,其不受阴极金属电极的影响,提高了OLED显示面板1的触控可靠性;同时,本申请通过设置由多个感光器件221组成的感光单元22,并设置感光器件221的阈值数量,当感光单元22中将发射光转换为电信号的感光器件221的数量大于或等于阈值数量时,才发生触控,避免发生误触控,进一步提高触控可靠性。进一步地,通过设置OLED显示面板1的膜层结构,简化制程,降低成本。
以上对本发明所提供的OLED显示面板及OLED显示装置进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本发明的核心思想,而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明,但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
发光功能层,所述发光功能层用于发光;
驱动电路层,与所述发光功能层层叠设置,所述驱动电路层包括多个薄膜晶体管单元和至少一个感光单元;所述感光单元包括多个感光器件,所述感光器件用于接收所述发光功能层发出的光线被反射后的反射光,并将发射光转换为电信号;
控制器,所述控制器电连接于每一感光器件,用于接收所述感光器件发出的电信号,当所述感光单元中将反射光转换为电信号的所述感光器件的数量大于或等于阈值数量时,所述控制器控制OLED显示面板发生触控。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括与所述多个薄膜晶体管单元一一对应的多个像素区,所述感光器件与所述像素区一一对应。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管单元包括:
基板;
第一半导体层,设置于所述基板靠近所述发光功能层的一侧;
第一绝缘层,设置于所述第一半导体层远离所述基板的一侧;
栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述半导体层的一侧;
第二绝缘层,设置于所述栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
源漏极金属层,设置于所述第二绝缘层远离所述栅极层的一侧,所述源漏极金属层通过第一过孔和第二过孔与所述第一半导体层电连接;
第三绝缘层,设置于所述源极漏极金属层远离所述第二绝缘层的一侧。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述栅极层包括:
第一栅极层,设置于所述第一绝缘层远离所述第一半导体层的一侧;
层间介质层,设置于所述第一栅极层远离所述第一绝缘层的一侧;
第二栅极层,设置于所述层间介质层远离所述第一栅极层的一侧。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述感光器件包括:第二半导体层和金属电极层,所述金属电极层设置在所述第二半导体层靠近所述发光功能层的一侧,所述金属电极层通过第三过孔和第四过孔与所述第二半导体层电连接,所述金属电极层形成所述感光器件的第一电极和第二电极。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二半导体层和所述第一半导体层同层设置;所述金属电极层和所述第二栅极层同层设置。
7.根据权利要求5述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二半导体层和所述第一半导体层同层设置;所述金属电极层和所述源漏极金属层同层设置。
8.根据权利要求5述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一半导体层与所述第二半导体层的材料均为低温多晶硅;所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括:位于中部的未掺杂区域以及位于未掺杂区域两侧的掺杂区域。
9.根据权利要求1述的OLED显示面板,其特征在于,所述发光功能层包括:
阳极层,所述阳极层通过第五过孔与所述驱动电路层电连接;
有机发光层,设置于所述阳极层远离所述驱动电路层的一侧;
像素定义层,设置于所述有机发光层远离所述阳极层的一侧,所述像素定义层形成与所述多个薄膜晶体管单元一一对应的多个像素区;
阴极层,设置于所述像素定义层远离所述有机发光层的一侧;
封装层,设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧。
10.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的OLED显示面板。
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