JP2012230132A - 光センサおよび表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光センサ付き液晶表示装置において、光検出素子へのノイズ光が低減し、S/N比を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、画素回路が設けられる第1の基板100と、第1の基板100と液晶層30を挟んで対向する第2の基板101と、第1の基板100に設けられる光検出素子17と、光検出素子17と液晶層30との間に設けられ、光検出素子17が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタ18とを備える。
【選択図】図4B
【解決手段】液晶表示装置は、画素回路が設けられる第1の基板100と、第1の基板100と液晶層30を挟んで対向する第2の基板101と、第1の基板100に設けられる光検出素子17と、光検出素子17と液晶層30との間に設けられ、光検出素子17が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタ18とを備える。
【選択図】図4B
Description
本発明は、フォトダイオードまたはフォトトランジスタ等の光検出素子を有する光センサおよび光センサ付きの表示装置に関する。
従来、例えばフォトダイオード等の光検出素子を画素内に備えたことにより、外光の明るさを検出したり、ディスプレイに近接した物体の画像を取り込んだりすることが可能な、光センサ付き表示装置が提案されている。このような光センサ付き表示装置は、例えば、バックライトからディスプレイへ向けて光を出射し、この出射光のうちディスプレイに接触または近接している指などの検出対象体で反射した光を、光センサで検出する構成のものがある。例えば、従来技術として、バックライトが非可視光領域の光を発する光源と、可視光領域の光を発する光源とを含む構成のセンサ付き表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このセンサ付き表示装置では、可視光領域の光が表示面から表示光として出射され、表示面から出射され検出対象物体で反射した非可視光領域の光が受光素子により受光される。これにより、表示状態の影響や周囲の状況などに影響を軽減することができる。
しかしながら、上記従来のセンサ付き表示装置では、非可視光領域の光を選択的に透過させる選択透過フィルタはCF基板に、受光セル(センサ)はTFT基板に設けられる。そのため、例えば、CF基板とTFT基板との貼りあわせ工程の際に、位置合わせ誤差によりセンサと選択透過フィルタとがずれやすくなる。このずれによる隙間から外光などノイズ光がセンサへ入射する。また、センサと選択透過フィルタの間には液晶層などが存在するため、内部反射光などがノイズ光となってセンサへ入射する。このようなノイズ光により、S/N比が低くなる。
ゆえに、本発明は、光検出素子へのノイズ光が低減し、S/N比を向上させることができる、光センサ付き液晶表示装置を提供することを目的とする。
。
本願開示の液晶表示装置は、画素回路が設けられる第1の基板と、前記第1の基板と液晶層を挟んで対向する第2の基板と、前記第1の基板に設けられる光検出素子と、前記光検出素子と前記液晶層との間に設けられ、前記光検出素子が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタとを備える。
本願開示の液晶表示装置は、画素回路が設けられる第1の基板と、前記第1の基板と液晶層を挟んで対向する第2の基板と、前記第1の基板に設けられる光検出素子と、前記光検出素子と前記液晶層との間に設けられ、前記光検出素子が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタとを備える。
上記構成のように、光検出素子と液晶層との間に、信号光帯域外の帯域の光をカットする検出光フィルタを設けることで、光検出素子と検出光フィルタとの間の距離を小さくすることができる。そのため、光検出素子へのノイズ光が低減し、S/N比を向上させることができる。
前記液晶表示装置において、前記信号光帯域の光を出射する発光体を有するバックライトが、前記第1の基板の前記液晶層とは反対側に設けられ、前記光検出措置と前記バックライトとの間には、バックライトの光が直接前記光検出素子へ到達するのを遮る遮蔽部が設けられる対応とすることができる。これにより、バックライトから出射された光の反射光を、光検出素子で検出することが可能になる。
前記液晶表示装置において、前記信号光帯域の光を出射する発光体と、当該信号光帯域とは異なる帯域の表示のための光を出射する発光体とを有するバックライトが、前記第1の基板の前記液晶層とは反対側に設けられ、前記光検出措置と前記バックライトとの間には、バックライトの光が直接前記光検出素子へ到達するのを遮る遮蔽部が設けられる態様とすることができる。これにより、バックライトから出射された表示のための光の影響を受けずに、バックライトから出射された信号光帯域の反射光を光検出素子で検出することができる。
前記第1の基板にカラーフィルタがさらに設けられてもよい。
前記信号光帯域は、赤外線の帯域に含まれている態様とすることできる。
本願に開示の液晶表示装置の製造方法は、第1の基板に画素回路および光検出素子を形成する工程と、前記第1の基板に、前記光検出素子を覆うように、前記光検出素子が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタを形成する工程と、前記検出光フィルタが形成された前記第1の基板と、第2の基板とを対向して貼りあわせ、前記第1の基板と前記第2の基板との間に液晶を封入する工程とを含む。
上記製造方法によれば、画素回路および光検出素子が形成された第1の基板に検出光フィルタを形成するので、工程を複雑にすることなく、光検出フィルタを形成することができる。また、第1の基板と第2の基板の貼りあわせ工程において、光検出フィルタと光検出素子との位置合わせをする必要がないので、製造効率が向上する。
前記第1の基板に前記検出光フィルタを形成する工程において、カラーフィルタも形成してもよい。このように、検出光フィルタを形成する工程において、カラーフィルタも形成することで、効率よく液晶表示装置を製造することができる。
本発明によれば、光検出素子へのノイズ光が低減し、S/N比を向上させることができる。
以下、本発明のより具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明にかかる表示装置を液晶表示装置として実施する場合の構成例を示したものである。なお、本発明にかかる表示装置は、光センサを有することにより、画面に近接する物体を検知して入力操作を行うタッチパネル付き表示装置や、表示機能と撮像機能とを具備した双方向通信用表示装置等としての利用が想定される。
また、以下で参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明にかかる表示装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
[第1の実施形態]
最初に、図1および図2を参照しながら、本発明の第1の実施形態にかかる液晶表示装置が備えるTFT基板の構成について説明する。
最初に、図1および図2を参照しながら、本発明の第1の実施形態にかかる液晶表示装置が備えるTFT基板の構成について説明する。
[TFT基板の構成]
図1は、第1の実施形態にかかる液晶表示装置が備えるTFT基板100の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、TFT基板100は、ガラス基板上に、画素領域1、ディスプレイゲートドライバ2、ディスプレイソースドライバ3、センサカラム(column)ドライバ4、センサロウ(row)ドライバ5、バッファアンプ6、FPCコネクタ7を少なくとも備えている。また、画素領域1内の光センサ(後述)で取り込まれた画像信号を処理するための信号処理回路8が、前記FPCコネクタ7とFPC9とを介して、TFT基板100に接続されている。
図1は、第1の実施形態にかかる液晶表示装置が備えるTFT基板100の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、TFT基板100は、ガラス基板上に、画素領域1、ディスプレイゲートドライバ2、ディスプレイソースドライバ3、センサカラム(column)ドライバ4、センサロウ(row)ドライバ5、バッファアンプ6、FPCコネクタ7を少なくとも備えている。また、画素領域1内の光センサ(後述)で取り込まれた画像信号を処理するための信号処理回路8が、前記FPCコネクタ7とFPC9とを介して、TFT基板100に接続されている。
画素領域1は、画像を表示するための複数の画素を含む画素回路が形成された領域である。本実施形態では、画素回路における各画素内には、画像を取り込むための光センサが設けられている。画素回路は、m本のゲート線G1〜Gmによりディスプレイゲートドライバ2と接続され、3n本のソース線Sr1〜Srn、Sg1〜Sgn、Sb1〜Sbnによりディスプレイソースドライバ3と接続される。また、画素回路は、m本のリセット信号線RS1〜RSmおよびm本の読み出し信号線RW1〜RWmによりセンサロウドライバ5と接続され、n本のセンサ出力線SS1〜SSnによりセンサカラムドライバ4と接続されている。
なお、TFT基板100上の上記の構成部材は、半導体プロセスによってガラス基板上にモノリシックに形成することも可能である。あるいは、上記の構成部材のうちのアンプやドライバ類を、例えばCOG(Chip On Glass)技術等によってガラス基板上に実装した構成としても良い。あるいは、図1においてTFT基板100上に示した上記の構成部材の少なくとも一部が、FPC9上に実装されてもよい。TFT基板100は、全面に対向電極が形成された対向基板(図示せず)と貼り合わされ、その間隙に液晶材料が封入される。
TFT基板100の背面にはバックライト10が設けられる。バックライト10は、白色光(可視光)を出射する白色LED(Light Emitting Diode)11および赤外光(赤外線)を出射する赤外LED12を備える。本実施形態では、一例として、赤外LEDは、光センサの信号光帯域の光を出射する発光体として用いられる。白色LEDは、表示のための光を出射する発光体として用いられる。なお、バックライトの発光体は、上記例に限られない。例えば、可視光の発光体として、赤色LED、緑色LEDおよび青色LEDの組み合わせを用いることができる。また、LEDに代えて冷陰極管(CCFL:Cold Cathod Fluorescent Lamp)を用いることもできる。
[表示回路の構成]
図2は、TFT基板100の画素領域1における画素と光センサとの配置を示す等価回路図である。図2の例では、1つの画素が、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の絵素によって形成され、この3絵素で構成される1つの画素内に、1つの光センサが設けられている。画素領域1は、m行×n列のマトリクス状に配置された画素と、同じくm行×n列のマトリクス状に配置された光センサとを有する。なお、上述のとおり、絵素数は、m×3nである。
図2は、TFT基板100の画素領域1における画素と光センサとの配置を示す等価回路図である。図2の例では、1つの画素が、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の絵素によって形成され、この3絵素で構成される1つの画素内に、1つの光センサが設けられている。画素領域1は、m行×n列のマトリクス状に配置された画素と、同じくm行×n列のマトリクス状に配置された光センサとを有する。なお、上述のとおり、絵素数は、m×3nである。
このため、図2に示すように、画素領域1は、画素用の配線として、マトリクス状に配置されたゲート線Gおよびソース線Sr、Sg、Sbを有している。ゲート線Gは、ディスプレイゲートドライバ2に接続されている。ソース線SLは、ディスプレイソースドライバ3に接続されている。なお、ゲート線Gは、画素領域1内にm行設けられている。以下、個々のゲート線Gを区別して説明する必要がある場合は、Gi(i=1〜M)のように表記する。一方、ソース線Sr、Sg、Sbは、上述のとおり、1つの画素内の3絵素にそれぞれ画像データを供給するために、1画素につき3本ずつ設けられている。ソース線Sr、Sg、Sbを個々に区別して説明する必要がある場合は、Srj,Sgj,Sbj(j=1〜N)のように表記する。
ゲート線Gとソース線Sr、Sg、Sbとの交点には、画素用のスイッチング素子として、薄膜トランジスタ(TFT)M1が設けられている。なお、図2では、赤色、緑色、青色のそれぞれの絵素に設けられている薄膜トランジスタM1を、M1r,M1g,M1bと表記している。薄膜トランジスタM1のゲート電極はゲート線Gへ、ソース電極はソース線Sへ、ドレイン電極は図示しない画素電極へ、それぞれ接続されている。これにより、図2に示すように、薄膜トランジスタM1のドレイン電極と対向電極(VCOM)との間に液晶容量CLCが形成される。また、ドレイン電極とTFTCOMとの間に補助容量CLSが形成されている。
図2において、1本のゲート線Giと1本のソース線Srjとの交点に接続された薄膜トランジスタM1rによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように赤色のカラーフィルタが設けられ、ソース線Srjを介してディスプレイソースドライバ3から赤色の画像データが供給されることにより、赤色の絵素として機能する。また、ゲート線Giとソース線Sgjとの交点に接続された薄膜トランジスタM1gによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように緑色のカラーフィルタが設けられ、ソース線Sgjを介してディスプレイソースドライバ3から緑色の画像データが供給されることにより、緑色の絵素として機能する。さらに、ゲート線Giとソース線Sbjとの交点に接続された薄膜トランジスタM1bによって駆動される絵素は、この絵素に対応するように青色のカラーフィルタが設けられ、ソース線Sbjを介してディスプレイソースドライバ3から青色の画像データが供給されることにより、青色の絵素として機能する。
なお、図2の例では、光センサは、画素領域1において、1画素(3絵素)に1つの割合で設けられている。ただし、画素と光センサの配置割合は、この例のみに限定されず、任意である。例えば、1絵素につき1つの光センサが配置されていても良いし、複数画素に対して1つの光センサが配置された構成であっても良い。
[光センサ回路の構成]
光センサは、図2に示すように、光検出素子の一例であるフォトダイオードD1、およびスイッチング素子の一例であるトランジスタM2を備える。フォトダイオードD1のアノードには、リセット信号を供給するリセット信号線RSが接続され、フォトダイオードD1のカソードには、トランジスタM2のゲートが接続される。ここでは、フォトダイオードD1とトランジスタM2のゲートとを結ぶ配線上のノードを蓄積ノードINTと表記している。蓄積ノードINTにはさらにキャパシタC1の一方の電極が接続される。キャパシタC1の他方の電極は、読み出し信号を供給する読み出し信号線RWに接続される。トランジスタM2のドレインは配線VDDに接続され、ソースは配線OUTに接続されている。配線VDDは、定電圧VDDを光センサへ供給する配線であり、配線OUTは、光センサの出力信号を出力する出力配線の一例である。
光センサは、図2に示すように、光検出素子の一例であるフォトダイオードD1、およびスイッチング素子の一例であるトランジスタM2を備える。フォトダイオードD1のアノードには、リセット信号を供給するリセット信号線RSが接続され、フォトダイオードD1のカソードには、トランジスタM2のゲートが接続される。ここでは、フォトダイオードD1とトランジスタM2のゲートとを結ぶ配線上のノードを蓄積ノードINTと表記している。蓄積ノードINTにはさらにキャパシタC1の一方の電極が接続される。キャパシタC1の他方の電極は、読み出し信号を供給する読み出し信号線RWに接続される。トランジスタM2のドレインは配線VDDに接続され、ソースは配線OUTに接続されている。配線VDDは、定電圧VDDを光センサへ供給する配線であり、配線OUTは、光センサの出力信号を出力する出力配線の一例である。
図2に示す回路構成においては、リセット信号線RSからリセット信号が供給され、蓄積ノードINTの電位VINTが初期化される。リセット信号供給後にフォトダイオードD1は逆バイアスとなる。読み出し信号線RWからキャパシタC1を介して蓄積ノードINTへ読み出し信号が供給されると、蓄積ノードINTの電位VINTが、突き上げられ、トランジスタM2が導通状態となって、蓄積ノードINTの電位VINTに応じた出力信号が配線OUTへ出力される。ここでは、リセット信号供給の終わりから、読み出し信号供給の始まりまでの期間(積分期間)に、フォトダイオードD1に、受光量に応じた電流が流れ、この電流に応じた電荷がキャパシタC1に蓄積される。そのため、読み出し信号供給時には、蓄積ノードINTの電位VINTは、フォトダイオードD1に流れた電流に応じて変化する。蓄積ノードINTの電位VINTに応じた出力信号が配線OUTへ出力されるので、出力信号は、フォトダイオードD1の受光量を反映したものになる。なお、センサ回路は、上記例に限られない。
図2に示す例では、ソース線Srが、センサカラムドライバ4から定電圧VDDを光センサへ供給するための配線VDDを兼ねている。また、ソース線Sgが、センサ出力用の配線OUTを兼ねている。リセット信号線RSおよび読み出し信号線RWは、センサロウドライバ5に接続されている。これらのリセット信号線RSおよび読み出し信号線RWは1行毎に設けられているので、以降、各配線を区別する必要がある場合は、RSiまたはRWi(i=1〜M)のように表記する。
センサロウドライバ5は、所定の時間間隔trowで、図2に示したリセット信号線RSiおよび読み出し信号線RWiを順次選択していく。これにより、画素領域1において信号電荷を読み出すべき光センサの行(row)が順次選択される。
なお、図2に示すように、配線OUTの端部には、トランジスタM3のドレインが接続されている。トランジスタM3は、例えば、絶縁ゲート型電界効果トランジスタとすることができる。このトランジスタM3のドレインには、出力配線SOUTが接続され、トランジスタM3のドレインの電位VSOUTが、光センサからの出力信号としてセンサカラムドライバ4へ出力される。トランジスタM3のソースは、配線VSSに接続されている。トランジスタM3のゲートは、参照電圧配線VBを介して、参照電圧電源(図示せず)に接続されている。
[動作例]
図3は、液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。図3に示す例では、垂直同期信号VSYNCは、1フレーム時間ごとにハイレベルになる。1フレーム時間は表示期間とセンシング期間に分割される。センス信号SCは、表示期間かセンシング期間か示す信号であり、表示期間ではローレベルになり、センシング期間ではハイレベルになる。
図3は、液晶表示装置のタイミングチャートの一例を示す図である。図3に示す例では、垂直同期信号VSYNCは、1フレーム時間ごとにハイレベルになる。1フレーム時間は表示期間とセンシング期間に分割される。センス信号SCは、表示期間かセンシング期間か示す信号であり、表示期間ではローレベルになり、センシング期間ではハイレベルになる。
表示期間では、ディスプレイソースドライバ3からソース線Sr、Sg、Sbに表示データの信号が供給される。表示期間において、ディスプレイゲートドライバ2は、ゲート線G1〜Gmの電圧を順次ハイレベルにする。ゲート線Giの電圧がハイレベルである間、ソース線Sr1〜Srn、Sg1〜Sgn、Sb1〜Sbnには、ゲート線Giに接続された3n個の絵素それぞれの階調(画素値)に対応する電圧が印加される。
センシング期間では、ソース線Sg1〜Sgnには定電圧VDDが印加される。センシング期間において、センサロウドライバ5は、所定の時間間隔trowで、リセット信号線RSiおよび読み出し信号線RWiの行を順次選択していく。選択された行のリセット信号線RSiと読み出し信号線RWiには、それぞれ、リセット信号と読み出し信号が印加される。ソース線Sb1〜Sbnには、選択された行の読み出し信号線RWiに接続されたn個の光センサで検出された光量に応じた電圧が出力される。
[液晶表示装置の構造例]
図4Aは、本実施形態にかかる液晶表示装置の画素領域1における1画素分の領域の上面図である。図4Bは、図4AのX2−X’2線断面図、図4Cは、図4AのY2−Y’2線断面図である。図4Bおよび図4Cに示すように、本実施形態の液晶表示装置は、液晶パネル103と、バックライト10を備える。液晶パネル103は、画素回路が設けられる第1の基板(TFT基板100)と、カラーフィルタ23g、23b、23rが設けられる第2の基板(対向基板101)とが、液晶層30を挟んで対向して配置される構造を有する。本実施形態では、液晶パネル103の2面のうち対向基板101側の面が表面になり、TFT基板100側の面が背面になる。バックライト10は、液晶パネル103の背面側に設けられる。また、液晶パネル103の背面および表面には偏光板13a、13bがそれぞれ設けられる。
図4Aは、本実施形態にかかる液晶表示装置の画素領域1における1画素分の領域の上面図である。図4Bは、図4AのX2−X’2線断面図、図4Cは、図4AのY2−Y’2線断面図である。図4Bおよび図4Cに示すように、本実施形態の液晶表示装置は、液晶パネル103と、バックライト10を備える。液晶パネル103は、画素回路が設けられる第1の基板(TFT基板100)と、カラーフィルタ23g、23b、23rが設けられる第2の基板(対向基板101)とが、液晶層30を挟んで対向して配置される構造を有する。本実施形態では、液晶パネル103の2面のうち対向基板101側の面が表面になり、TFT基板100側の面が背面になる。バックライト10は、液晶パネル103の背面側に設けられる。また、液晶パネル103の背面および表面には偏光板13a、13bがそれぞれ設けられる。
対向基板101では、ガラス基板14aの液晶層30側の面に、カラーフィルタ23g、23b、23rおよびブラックマトリクス22を含む層が形成される。この層を覆うように、対向電極21および配向膜20bが形成される。
TFT基板100では、ガラス基板14aの各絵素23g、23b、23rに対応する位置に、光センサを含む画素回路が形成される。具体的には、ガラス基板14a上に設けられた遮光層16と、遮光層16上に設けられたフォトダイオード17により光センサが形成される。遮光層16は、バックライト10からの出射光が直接にフォトダイオード17の動作に影響を与えることを防止するために設けられる遮蔽部の一例である。ガラス基板14a上には、さらに、画素回路を構成するTFT M1、ゲート線G、ソース線Sが形成される。
フォトダイオード17と、液晶層30との間には、赤外域以外の光を吸収する赤外光透過フィルタ18が設けられる。赤外光透過フィルタ18は、ガラス基板14a上に形成された光センサを覆うように形成される。赤外光透過フィルタ18は、カラーフィルタ23g、23b、23rと同様の樹脂フィルタを用いることができる。例えば、アクリル樹脂やポリミイド樹脂等のベース樹脂に、顔料やカーボンを分散させたネガ型の感光性レジストで、赤外光透過フィルタ18やカラーフィルタを形成することができる。
赤外光透過フィルタ18の上には、TFT M1とコンタクトホールを介して接続された画素電極19が設けられる。画素電極19の上には配向膜20aが設けられる。
赤外光透過フィルタ18は、光検出素子(ここではフォトダイオード17)が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタの一例である。すなわち、光センサを覆うように設けられた赤外光透過フィルタ18により、フォトダイオード17へのノイズ光の入射が抑制される。赤外光透過フィルタ18は、フォトダイオード17と、液晶層30との間に設けられるので、対向基板101側に赤外光透過フィルタ18を設ける場合に比べて、ノイズ光の入射の抑制効果が高くなる。また、図4A〜図4Cに示す例では、赤外光透過フィルタ18は、例えば、赤色の絵素、青色の絵素および緑色の絵素それぞれに対応しても設けられる3つのフォトダイオード17を、1つの膜で一体的に覆うように形成される。これにより、さらに効率よくノイズ光の入射を抑制することができる。
[光センサ部の構造例]
図5Aは、フォトダイオード17を含む光センサの部分を拡大した上面透視図である。図5Bは、図5BのA−A’線断面図である。フォトダイオード17は、遮光膜16を被覆する絶縁膜である下地膜31の上に形成され、遮光膜16に対して電気的に絶縁されているシリコン膜により形成される。シリコン膜には、面方向に沿って順に、n型の半導体領域(n層)17n、真性半導体領域(i層)17i及びp型の半導体領域(p層)17pが設けられている。
図5Aは、フォトダイオード17を含む光センサの部分を拡大した上面透視図である。図5Bは、図5BのA−A’線断面図である。フォトダイオード17は、遮光膜16を被覆する絶縁膜である下地膜31の上に形成され、遮光膜16に対して電気的に絶縁されているシリコン膜により形成される。シリコン膜には、面方向に沿って順に、n型の半導体領域(n層)17n、真性半導体領域(i層)17i及びp型の半導体領域(p層)17pが設けられている。
フォトダイオード17を覆うようにゲート絶縁膜32が設けられ、ゲート絶縁膜32上にはTFTのゲート電極と同じ層の配線36が形成される。さらに、配線36を覆うようにゲート絶縁膜32の上に層間絶縁膜33が設けられる。層間絶縁膜33の上にはTFTのソース電極と同じ層の配線35が設けられる。フォトダイオード17のp層17pは、コンタクトホール37を介して層間絶縁膜33上の配線35に接続され、配線35は、さらなるコンタクトホール37を介して、ゲート絶縁膜32上の配線36に接続されている。n層17nは、同じ層の配線34に接続される。
[製造方法]
次に、本実施形態にかかる液晶表示装置の製造方法について、説明する。TFT基板100の製造工程においては、まず、基板材の一例であるマザーガラス上において複数の液晶表示パネルとなる領域それぞれに、画素回路を形成する電極、TFT、フォトダイオードが形成される。
次に、本実施形態にかかる液晶表示装置の製造方法について、説明する。TFT基板100の製造工程においては、まず、基板材の一例であるマザーガラス上において複数の液晶表示パネルとなる領域それぞれに、画素回路を形成する電極、TFT、フォトダイオードが形成される。
ここで、図5Aおよび図5Bに示す光センサの部分の製造工程を説明する。初めに、ガラス基板14aに金属膜をスパッタにより成膜することで遮光層16を形成する。次に、SiO2の下地膜31をCVDで形成する。次に、フォトダイオード17を形成するための半導体層をCVDにて成膜し、p層17p、n層17nおよびi層17iおよび配線34を形成する。次に、ゲート絶縁膜32をCVDにて形成した後、金属膜をスパッタにより成膜し、TFTのゲート電極と同じ層に配線36を形成する。次に、層間絶縁膜33をCVDにて形成した後、コンタクトホール37を形成する。コンタクトホール37を覆うように金属膜をスパッタにて成膜することにより、TFTのソース電極と同じ層の配線35を形成する。そして、赤外光透過フィルタ18を、レジスト塗布、露光、現像およびベークにより形成する。
対向基板101の製造工程においては、例えば、透明なマザーガラス上に、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、対向電極、配向膜等が形成される。カラーフィルタとしては、例えば、複数の液晶表示パネルの表示領域ごと、赤、緑、青の3色のフィルタ層が形成される。
このようにして形成されたTFT基板100と、対向基板101とをシールを介して貼り合わせ、液晶を封入することにより、液晶表示パネル103が作製される。液晶パネル103の背面にバックライト10が取り付けられる。
[効果の説明、その他]
図6は、赤外光透過フィルタを対向基板側に設けた液晶表示装置の構成例を示す断面図である。図6に示す構成においては、対向基板201側のカラーフィルタ83rと同じ層に、赤外光透過フィルタ88が形成されている。図6に示す構成では、赤外光透過フィルタ88がフォトダイオード17に対応する位置に配置されるように、対向基板201とTFT基板200の位置合わせがなされる。
図6は、赤外光透過フィルタを対向基板側に設けた液晶表示装置の構成例を示す断面図である。図6に示す構成においては、対向基板201側のカラーフィルタ83rと同じ層に、赤外光透過フィルタ88が形成されている。図6に示す構成では、赤外光透過フィルタ88がフォトダイオード17に対応する位置に配置されるように、対向基板201とTFT基板200の位置合わせがなされる。
図6に示す例では、実線矢印X1で示されるように、バックライト10から出射した赤外光は、液晶パネル表面から出て検出対象物Kで反射し、赤外光透過フィルタ88を通ってフォトダイオード17へ入射する。この入射光は、フォトダイオードにとって信号光となる。一方、図6において点線矢印Y1に示すように、カラーフィルタ83rが設けられた画素開口部より入射した外光がフォトダイオード17に入射する場合がある。この外光は、フォトダイオード17にとってノイズ成分となる。TFT基板200と対向基板201との貼り合わせ工程における位置合わせの誤差により、フォトダイオード17と赤外光透過フィルタ88との位置がずれるとノイズ光がさらに増える。また、TFT基板200と対向基板201間には液晶層30など隙間が存在するため、例えば、図6の点線矢印Y2に示すように、画素開口部から入射した外光またはバックライト10から入射した光は、内部で反射しフォトダイオード17に達する場合がある。このような光もフォトダイオード17にとってノイズ光となる。
図7は、本実施形態にかかる液晶表示装置における光線の例を説明するための図である。一例として実線矢印X2に示すように、バックライト10の赤外LED12から出射した赤外光は、液晶パネル103の表面から外部へ出る。このとき、指などの検出対象物Kが液晶パネル103表面または表面付近にあると、赤外光は検出対象物Kで反射し、ガラス基板14b、液晶層30および赤外光透過フィルタ18等を通ってフォトダイオード17へ入射する。この入射光は、フォトダイオード17(光センサ)にとって信号光となる。光センサには、バックライト光に含まれる赤外光のみが入射する。そのため、光センサは、赤外光による検出対象物Kの反射像を検知することができる。
図7に示すように、赤外光透過フィルタ18を、フォトダイオード17と液晶層30との間に、フォトダイオード17を覆うように設けることにより、ノイズ光となる外光(例えば点線矢印Y1で示す光)や内部反射光(例えば点線矢印Y2で示す光)が赤外光透過フィルタ18によりカットされる。また、位置合わせにずれが生じても、赤外光透過フィルタ18により漏れ光がカットされるのでノイズ光は増えにくい。例えば、赤外光透過フィルタが光センサの直上からずれて隙間ができ、この隙間から入射した外光などがノイズ光となってフォトダイオード17に達するという現象を抑えることができる。その結果、フォトダイオード17の、S/N比が向上する。すなわち、TFT基板100と対向基板101との貼り合わせの際の位置合わせ誤差によるフォトダイオード17のS/N比の低下を抑制することができる。
また、図7に示す例では、カラーフィルタ上に赤外光透過フィルタを設けるための開口部(光センサ用開口部)を設けなくてもよいため、画素開口率(液晶パネルの透過率)が向上する。さらに、この光センサ開口部がないので、光センサ用開口部からのモレ光が低減され、液晶パネルのコントラストが向上する。
また、赤外光透過フィルタ18と光センサとの間の無駄な隙間を無くすことが可能となる。これにより、内部反射光などの光センサへのノイズ光が低減し、S/N比が向上する。
なお、上記図7に示した例では、バックライト10から出射して検出対象物Kで反射した光を検出する場合を説明したが、検出対象物の検出方法はこれに限られない。例えば、外光が赤外光(光センサの信号光)を含む環境下(例えば、屋外やハロゲンランプの光を受ける状況)で、外光に含まれる赤外光により、検出対象物Kを検出することも可能である。この場合、検出対象物が液晶表示パネル103の表面付近にあると、液晶パネルの表面に入射する外光が遮られる。すなわち、光センサを用いて、外光に含まれる赤外光による検出対象物の影像を検知することができる。例えば、フォトダイオード17の受光量を基に、検出対象物の有無を判定することができる。
上記のバックライトの反射光を光センサで検知する方法と、外光を検知する方法の両方を併用することも可能である。例えば、外光が赤外光を含むときに、バックライト10を消灯した状態では、外光により検出対象物の影像を検知し、外光が赤外光を含まないときに、バックライト10を点灯した状態で、バックライトの赤外光による反射像を検知することができる。
[赤外光透過フィルタとセンサの関係]
図8Aは、本実施形態に用いる光センサの感度の波長特性の一例を示すグラフである。このように、光センサは、全波長域に感度を持つため、センサ用に設けた光源の波長以外の波長域の光(例えば、外光、太陽光など)がノイズとなる。そのため、本実施形態では、赤外光透過フィルタ18(検出光フィルタの一例)を用いて、光センサが検出するべき信号光帯域の外の帯域の光、すなわち、ノイズとなる波長域の光をカットしている。また、本実施形態は、一例として、光センサが検出するべき信号光帯域が赤外光の領域である場合について説明しているが、信号光帯域は赤外光に限られない。
図8Aは、本実施形態に用いる光センサの感度の波長特性の一例を示すグラフである。このように、光センサは、全波長域に感度を持つため、センサ用に設けた光源の波長以外の波長域の光(例えば、外光、太陽光など)がノイズとなる。そのため、本実施形態では、赤外光透過フィルタ18(検出光フィルタの一例)を用いて、光センサが検出するべき信号光帯域の外の帯域の光、すなわち、ノイズとなる波長域の光をカットしている。また、本実施形態は、一例として、光センサが検出するべき信号光帯域が赤外光の領域である場合について説明しているが、信号光帯域は赤外光に限られない。
バックライトの反射光を光センサが検出する方法を用いる場合は、信号光領域は、光センサ用の光源の出射光の波長によって決まる。そのため、例えば、図8Aに示すように、赤外光の領域の感度がその周辺の波長領域より高くなる光センサを用いる場合には、光センサ用の光源に赤外光領域の光を出射するものを用いることが好ましい。これにより、信号光領域を、光センサの感度のよい領域に設定することができる。図8Bは、本実施形態に用いる赤外LEDから出射される光の波長特性の一例を示すグラフである。
また、検出光フィルタは、光センサ用光源の光を透過し、それ以外の波長の光をカットすることが好ましい。図8Cは、本実施形態に用いる赤外光透過フィルタのフィルタ特性の一例を示すグラフである。図8Cに示すフィルタ特性のフィルタは、例えば、光センサ用光源が赤外光を出射する場合に、好ましく用いられる。
[赤外LED]
次に、以下、赤外LED12を含むバックライト10の詳細を説明する。上述したように、光センサへの光入射経路上には赤外光透過フィルタ18が設けられている。そこで、赤外LED12には、赤外光透過フィルタ18を透過する波長域の赤外光を出射するものを使用する。例えば、赤外LED12には、シリコンの基礎吸収端波長(約1100nm)よりも短い波長の赤外光を出射するものを使用する。このような赤外LEDを使用することにより、画素回路1と光センサを多結晶シリコンで形成した場合に、赤外LED12から出射された赤外光を光センサで検知することができる。
次に、以下、赤外LED12を含むバックライト10の詳細を説明する。上述したように、光センサへの光入射経路上には赤外光透過フィルタ18が設けられている。そこで、赤外LED12には、赤外光透過フィルタ18を透過する波長域の赤外光を出射するものを使用する。例えば、赤外LED12には、シリコンの基礎吸収端波長(約1100nm)よりも短い波長の赤外光を出射するものを使用する。このような赤外LEDを使用することにより、画素回路1と光センサを多結晶シリコンで形成した場合に、赤外LED12から出射された赤外光を光センサで検知することができる。
また、赤外LEDとして、大気の吸収スペクトルにピーク波長を持つ赤外光を出射するものを使用してもよく、より好ましくは、860nm以上勝つ960nm以下の範囲にピーク波長を持つ赤外光を出射するものを使用してもよい。図8Dは、一般的な太陽光のスペクトルを示す図である。大気の吸収スペクトルとは、太陽光が大気によって減衰するスペクトルのことをいい、具体的には、800nmを減衰ピークとした780nmから820nmまでの波長域や、920nmを減衰ピークとした860nmから960nmまでの波長域などをいう。この波長域では、太陽光は、窒素分子や酸素分子を主成分とした空気およびエアロゾルによる散乱減衰や、水蒸気、その他オゾン、酸素分子、二酸化炭素による吸収によって減衰する。
太陽光は、上記大気の吸収により大気中を通過する間に減衰し、地表面では大気圏外よりも弱くなる。特に、860nmから960nmまでの波長域の赤外光は、大気中の水蒸気に吸収されて大幅に減衰する。このように太陽光が弱い波長域の赤外光を出射する赤外LED12を使用した場合、当該赤外光の波長域を通過帯域とする帯域通過フィルタを光センサへの光入射経路上に設ければ、スキャン画像が太陽光から受ける影響を小さくして、高い精度でタッチ位置を検出することができる。
図9〜図13は、それぞれ、バックライト10の第1から第5の構成例を示す図である。図9〜図13に示すバックライト10a〜10eでは、導光板64または74の一方の面に2枚のレンズシート61、62および拡散シート63が設けられ、他方の面には反射シート65または72が設けられている。
図9および図10に示すバックライト10a、10bでは、白色LED11を1次元状に配置したフレキシブルプリント基板66が導光板64の側面に設けられ、赤外光源が導光板64の反射シート65を設けた面側に設けられている。バックライト10aでは、赤外光源として、赤外LED5を2次元状上に配置した回路基板67が設けられている。バックライト10bでは、赤外光源は、導光板68、赤外LED12を1次元状に配置したフレキシブルプリント基板69(導光板68の側面に設けられる)、および、反射シート70を含む。反射シート65には赤外光を透過し可視光を反射するもの(例えば、ポリエステル系樹脂で形成された反射シート)を使用することができる。反射シート70には赤外光を反射するものを使用することができる。このように可視光を出射するバックライトに赤外光源を追加することにより、例えば、既存の可視光バックライトをそのまま用いて、可視光と赤外光の両方を出射するバックライト10を構成することができる。
図11に示すバックライト10cでは、白色LED11と赤外LED12が1つの線上に交互に並んで配置されたフレキシブルプリント基板71が、導光板64の側面に設けられている。反射シート72には、可視光と赤外光の両方を反射するものを使用することができる。このように導光板64の側面に沿って白色LED11と赤外LED12とを混在して配置することにより、白色LED11のみのバックライトと同様の構造を維持しながらも、可視光と赤外光の両方を出射するバックライト10を構成することができる。
図12に示すバックライト10dでは、白色LED11と赤外LED12を同一の樹脂パッケージ75内に一緒に封入したものを1つの線上に並べて配置したフレキシブルプリント基板73が、導光板64の側面に設けられている。このように白色LED11と赤外LED12を1つの樹脂パッケージ75内に封入することにより、狭いスペースに多灯数LED発光体を効率よく配置することができる。なお、1つの樹脂パッケージ75内に白色LED11と赤外LED12を1個ずつ封入してもよく、複数個ずつ封入してもよい。
図13に示すバックライト10eでは、白色LED11を1次元状に配置したフレキシブルプリント基板66が導光板74の一方の側面に設けられ、赤外LED12を1次元状に配
置したフレキシブルプリント基板69が、導光板74の対向する他方の側面に設けられている。図14は、バックライト10eの断面図である。導光板74は、一方の側面から入射した白色光と反対側の側面から入射した赤外光とが伝搬するように加工される。このように導光板74の対向する2つの側面に沿って白色LED11と赤外LED12をそれぞれ配置することにより、2種類のLEDで同じ導光板を使用し、他のバックライト部材も共有することができる。
置したフレキシブルプリント基板69が、導光板74の対向する他方の側面に設けられている。図14は、バックライト10eの断面図である。導光板74は、一方の側面から入射した白色光と反対側の側面から入射した赤外光とが伝搬するように加工される。このように導光板74の対向する2つの側面に沿って白色LED11と赤外LED12をそれぞれ配置することにより、2種類のLEDで同じ導光板を使用し、他のバックライト部材も共有することができる。
[第2の実施形態]
図15は、第2の実施形態にかかる液晶表示装置の断面図である。図15に示す液晶表示装置は、図1に示す構成に対して、不要赤外光域用カットフィルタ18aが、赤外光透過フィルタ18に重ねられて、さらに設けられた構成である。不要赤外光域用カットフィルタ18aは、赤外光透過フィルタ18の透過領域のうち、光センサにとって不要な領域の光をカットするフィルタである。赤外光透過フィルタ18に、不要赤外光域用カットフィルタ18aを重ねて追加することで、光センサー用に設定した波長以外のノイズとなる波長域をさらに除去しS/N比を向上させることができる。
図15は、第2の実施形態にかかる液晶表示装置の断面図である。図15に示す液晶表示装置は、図1に示す構成に対して、不要赤外光域用カットフィルタ18aが、赤外光透過フィルタ18に重ねられて、さらに設けられた構成である。不要赤外光域用カットフィルタ18aは、赤外光透過フィルタ18の透過領域のうち、光センサにとって不要な領域の光をカットするフィルタである。赤外光透過フィルタ18に、不要赤外光域用カットフィルタ18aを重ねて追加することで、光センサー用に設定した波長以外のノイズとなる波長域をさらに除去しS/N比を向上させることができる。
図15においては、不要赤外光域用カットフィルタ18aが赤外光透過フィルタ18の下に設けられる構成であるが、積層の順は入れ替わってもよい。赤外光透過フィルタ18と不要赤外光域用カットフィルタ18aの積層工程は順番が入れ替わってもよい。また、不要赤外光域用カットフィルタはさらに複数重ねられてもよい。
図16は、赤外光透過フィルタ18と不要赤外光域用カットフィルタ18aの通過特性の一例を示すグラフである。図16に示すグラフにおいて、点線f2は、赤外光透過フィルタ18の特性と示し、実線f1は、例では、不要赤外光域用カットフィルタ18aの特性を示す。例えば、光センサのための光源が、860nm以上960nm以下の範囲にピーク波長を持つ赤外光を出射する光源(例えば、赤外LED)であった場合、図16に示すグラフのような特性を持つ赤外光透過フィルタ18と不要赤外光域用カットフィルタ18aの組み合わせを用いることが好適である。
このように、ハイパスフィルタとして機能するフィルタと、ローパスフィルタとして機能するフィルタとを組み合わせて検出光フィルタを形成することにより、光センサ用の光源の波長が含まれる範囲を透過させ、それ以外の範囲の波長をカットするフィルタを構成することができる。
[第3の実施形態]
図17Aは、第3の実施形態にかかる液晶表示装置の画素領域1における1画素分の領域の上面図である。図17Bは、図17AのX3−X’3線断面図、図17Cは、図17AのY3−Y’3線断面図である。上記第1の実施形態においては、カラーフィルタが対向基板101側に設けられたのに対して、本実施形態では、カラーフィルタがTFT基板101a側に設けられる。図17A〜図17Cに示すように、TFT基板100aでは、ガラス基板14a上に設けられた遮光層16と、遮光層16上に設けられたフォトダイオード17により光センサが形成される。ガラス基板14a上には、さらに、画素回路を構成するTFT M1、ゲート線G、ソース線Sが形成される。フォトダイオード17を覆うように、赤外光透過フィルタ18が設けられる。赤外光透過フィルタ18に被さるように、緑色のカラーフィルタ23g、青色のカラーフィルタ23b、赤色のカラーフィルタ23rが設けられる。各カラーフィルタ23g、23b、23rは、それぞれ各絵素23g、23b、23rに対応する位置に形成される。カラーフィルタ23g、23b、23rの上には、それぞれ画素電極19が設けられる。
図17Aは、第3の実施形態にかかる液晶表示装置の画素領域1における1画素分の領域の上面図である。図17Bは、図17AのX3−X’3線断面図、図17Cは、図17AのY3−Y’3線断面図である。上記第1の実施形態においては、カラーフィルタが対向基板101側に設けられたのに対して、本実施形態では、カラーフィルタがTFT基板101a側に設けられる。図17A〜図17Cに示すように、TFT基板100aでは、ガラス基板14a上に設けられた遮光層16と、遮光層16上に設けられたフォトダイオード17により光センサが形成される。ガラス基板14a上には、さらに、画素回路を構成するTFT M1、ゲート線G、ソース線Sが形成される。フォトダイオード17を覆うように、赤外光透過フィルタ18が設けられる。赤外光透過フィルタ18に被さるように、緑色のカラーフィルタ23g、青色のカラーフィルタ23b、赤色のカラーフィルタ23rが設けられる。各カラーフィルタ23g、23b、23rは、それぞれ各絵素23g、23b、23rに対応する位置に形成される。カラーフィルタ23g、23b、23rの上には、それぞれ画素電極19が設けられる。
本実施形態によれば、TFT基板100a側にカラーフィルタを設けるので、ブラックマトリクスが不要となるか、あるいは、ブラックマトリクスを縮小できるため、開口率が向上する。
また、本実施形態においても、上記第1および第2の実施形態と同様に、赤外光透過フィルタ18が光センサ直上に形成されるので、画素開口部より外光が入射し内部反射を起こして、光センサのノイズ成分となることを抑えることができる。また、赤外光透過フィルタ18と光センサ間の無駄な隙間を無くすことが可能となる。これにより、内部反射光などの光センサーへのノイズ光が低減し、S/N比が向上する。
さらに、カラーフィルタ23g、23g、23rおよび赤外光透過フィルタ18を対向基板側に設ける構成だと、赤外光透過フィルタ18が画素開口部の一部を占める構成となるが、本実施形態では、赤外光透過フィルタ18を設けるための開口部が不要となるため、画素開口率(液晶パネルの透過率)が向上する。さらに、光センサー用開口部も不要なので、そのような開口部からのモレ光が低減され、液晶パネルのコントラストが向上することができる。
また、対向基板101aとTFT基板100aの貼り合わせ工程の際に発生していたカラーフィルタの位置合わせ誤差をなくすことができる。その結果、赤外光透過フィルタ18の位置が、光センサ直上からずれることにより外光などのノイズ光が入射するという問題がなくなり、S/N比が向上する。
赤外光透過フィルタ18とカラーフィルタ23g、23b、23rは共に、顔料やカーボンをベース樹脂に分散させたネガ型の感光性レジストにより形成される。製造工程においては、赤外光透過フィルタ18およびカラーフィルタ23g、23b、23rの両方ともTFT基板100aの製造工程において形成される。そのため、製造効率が高くなる。
上記の実施形態では、光検出素子は、フォトダイオードに限られず、例えば、フォトトランジスタ等を光検出素子として用いることができる。
本発明は、TFT基板の画素領域内にセンサ回路を有する表示装置として、産業上利用可能である。
1 画素領域
2 ディスプレイゲートドライバ
3 ディスプレイソースドライバ
4 センサカラムドライバ
5 センサロウドライバ
6 バッファアンプ
7 コネクタ
8 信号処理回路
100 TFT基板
101 対向基板
LS 遮光膜
M1 薄膜トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 pチャネルトランジスタ
2 ディスプレイゲートドライバ
3 ディスプレイソースドライバ
4 センサカラムドライバ
5 センサロウドライバ
6 バッファアンプ
7 コネクタ
8 信号処理回路
100 TFT基板
101 対向基板
LS 遮光膜
M1 薄膜トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 pチャネルトランジスタ
Claims (7)
- 画素回路が設けられる第1の基板と、
前記第1の基板と液晶層を挟んで対向する第2の基板と、
前記第1の基板に設けられる光検出素子と、
前記光検出素子と前記液晶層との間に設けられ、前記光検出素子が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタと、を備える液晶表示装置。 - 前記信号光帯域の光を出射する発光体を有するバックライトが、前記第1の基板の前記液晶層とは反対側に設けられ、
前記光検出措置と前記バックライトとの間には、バックライトの光が直接前記光検出素子へ到達するのを遮る遮蔽部が設けられる、請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記信号光帯域の光を出射する発光体と、当該信号光帯域とは異なる帯域の表示のための光を出射する発光体とを有するバックライトが、前記第1の基板の前記液晶層とは反対側に設けられ、
前記光検出措置と前記バックライトとの間には、バックライトの光が直接前記光検出素子へ到達するのを遮る遮蔽部が設けられる、請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1の基板にカラーフィルタがさらに設けられる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記信号光帯域は、赤外線の帯域に含まれていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板に画素回路および光検出素子を形成する工程と、
前記第1の基板に、前記光検出素子を覆うように、前記光検出素子が検出するべき信号光帯域の外の帯域の光をカットする検出光フィルタを形成する工程と、
前記検出光フィルタが形成された前記第1の基板と、第2の基板とを対向して貼りあわせ、前記第1の基板と前記第2の基板との間に液晶を封入する工程とを含む、液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1の基板に前記検出光フィルタを形成する工程において、カラーフィルタも前記第1の基板に形成する、請求項6に記載の液晶表示装置の製造方法。
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