CN103493199B - 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置 - Google Patents

用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103493199B
CN103493199B CN201280017264.7A CN201280017264A CN103493199B CN 103493199 B CN103493199 B CN 103493199B CN 201280017264 A CN201280017264 A CN 201280017264A CN 103493199 B CN103493199 B CN 103493199B
Authority
CN
China
Prior art keywords
photovoltaic cell
wavelength
solar panels
methods according
photovoltaic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280017264.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103493199A (zh
Inventor
弗兰基·索
金渡泳
布哈本德拉·K·普拉丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Florida Research Foundation Inc
Nanoholdings LLC
Original Assignee
University of Florida Research Foundation Inc
Nanoholdings LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Florida Research Foundation Inc, Nanoholdings LLC filed Critical University of Florida Research Foundation Inc
Publication of CN103493199A publication Critical patent/CN103493199A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103493199B publication Critical patent/CN103493199B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035227—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/078—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/601—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic radiation-sensitive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Abstract

本发明的实施方案涉及太阳能板、制造太阳能板的方法以及使用太阳能板来捕集和储存太阳能的方法。太阳能板的一个实施方案可以包括对可见光敏感的光伏电池和对具有大于0.7μm的波长的光敏感的红外光伏电池。

Description

用于将红外（IR）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年4月5日提交的美国临时申请第61/472,071号的优先权，该临时申请的全部内容（包括任何图、表或附图）都通过引用合并到本文中。
背景技术
光伏电池被认为是帮助解决当今世界能源紧缺的可再生能源的重要来源。已经开发了各种光伏电池技术，并且薄膜光伏电池如铜铟镓硒（CIGS）和CdTe，由于其适合于大面积生产已经引起关注。虽然这些薄膜光伏技术已经报道了在可见光波长下由大于90%的外部量子效率产生的功率转换效率为约20%，但是这些薄膜光伏电池对具有1μm以上的波长的辐射不具有敏感性。
发明内容
本发明的实施方案涉及新型且有利的太阳能板，以及制造太阳能板的方法和使用太阳能板的方法。与常规的光伏电池相比，太阳能板和使用太阳能板的方法可以有利地从光子的更宽光谱中捕集和储存太阳能。
在一个实施方案中，太阳能板可以包括：第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；以及第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
在本发明的另一实施方案中，制造太阳能板的方法可以包括：形成第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；形成第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。该方法还可以包括使第一光伏电池与第二光伏电池结合。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
在另一实施方案中，捕集和储存太阳能的方法可以包括：布置太阳能板使得阳光入射到太阳能板上，其中太阳能板包括：第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；以及第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
附图说明
图1A示出了本发明的实施方案的短路电流密度（Jsc）功率转换效率（PCE）的理论最大值。
图1B示出了具有各种尺寸的PbS纳米晶体的吸光度谱，并且插图示出了具有1.3μm峰值波长的50nm厚的PbSe量子点膜的吸收系数谱和TEM图像。
图2A示出了根据本发明的实施方案的太阳能板的横截面图。
图2B示出了根据本发明的另一实施方案的太阳能板的横截面图。
具体实施方式
当本文中使用术语“在……上”或“在……之上”时，当指的是层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构可以直接在另一个层或结构上，或者也可以存在插入的层、区域、图案或结构。当本文中使用术语“在……下/下方”或“在……之下”时，当指的是层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构可以直接在其它层或结构下，或者也可以存在插入的层、区域、图案或结构。当本文中使用术语“直接在……上”时，当指的是层、区域、图案或结构时，应该理解为层、区域、图案或结构直接在另一个层或结构上，不存在插入的层、区域、图案或结构。
当本文中术语“约”与数值结合使用时，应该理解为值可以在该值的95%至该值的105%的范围内，即该值可以为所修饰的值的+/-5%。例如，“约1kg”意指从0.95kg至1.05kg。
当本文中术语“敏感”与描述对一定种类的光或对具有给定值或在给定范围内的波长的光子敏感的光伏电池结合使用时，应该理解为光伏电池能够吸收光伏电池敏感的光并且生成载流子。当本文中术语“不敏感”或“非敏感”与描述对一定种类光或对具有给定值或在给定范围内的波长的光子不敏感或非敏感的光伏电池结合使用时，应该理解为光伏电池不能够吸收光伏电池不敏感的光并且不能从吸收的光生成载流子。
应该理解，对于“透明”，是指被陈述为对物体是透明的光的至少一部分可以穿过物体而不被吸收或反射。
本发明的实施方案涉及新型且有利的太阳能板，以及制造太阳能板的方法和使用太阳能板的方法。与常规光伏电池相比，太阳能板和使用太阳能板的方法可以有利地从光子的更宽光谱捕集和储存太阳能。
在一个实施方案中，太阳能板可以包括：第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；和第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且使得第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
在本发明的另一实施方案中，制造太阳能板的方法可以包括：形成第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；以及形成第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。该方法还可以包括使第一光伏电池与第二光伏电池结合。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
在另一实施方案中，捕集且储存太阳能的方法可以包括布置太阳能板使得阳光入射到太阳能板上，其中太阳能板包括：第一光伏电池，其中第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中第一一个或多个波长在第一波长范围内；和第二光伏电池，其中第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中第二一个或多个波长在第二波长范围内，使得第二一个或多个波长中的至少之一不在第一波长范围内，并且第一一个或多个波长中的至少之一不在第二波长范围内。第二一个或多个波长中的至少之一可以大于1μm。在另一实施方案中，第二一个或多个波长中的至少之一可以为至少700nm。
本发明的实施方案涉及用于提供通过将IR光伏电池集成到光伏电池上来提供从太阳光谱中的可见范围直至红外范围中捕获光子的新型太阳能板结构的方法和装置。虽然太阳光谱在从350nm至2500nm的范围内，但是常规薄膜光伏电池对超过1μm的红外不具有敏感性。也就是说，相关技术的光伏电池对大于1μm的波长不敏感，并且不能从这样的光子中捕集和/或储存能量。如在现有技术中已知的，光谱的可见范围从380nm至750nm，380nm和750nm包括在内。
参照图1A，根据本发明的一个实施方案的太阳能板可以导致增加的功率转换效率（PCE）。图1A示出了作为入射光的波长（nm）的函数的光谱辐射照度（W/m2nm）。对于对具有在从约400nm至约850nm的范围内的波长的光敏感的有机光伏电池（例如，包括CdTe），如果将在从约400nm至约850nm的范围内的所有光子转换为载流子，则Jsc为29.1mA/cm2，并且如果VOC为0.85V而且填充因子（FF）为80%，则PCE为20%。对于包含PbS量子点并且对具有在从约700nm至约2000nm的范围内的波长的光敏感的IR光伏电池，如果将在从约700nm至约2000nm的范围内的所有光子转换为载流子，则Jsc为44.0mA/cm2，并且如果VOC为0.5V而且FF为80%，则PCE为17.6%。对于包括PbS量子点并且对具有在从约850nm至约2000nm的范围内的波长的光敏感的IR光伏电池，如果将在从约850nm至约2000nm的范围内的所有光子转换为载流子，则Jsc为33.4mA/cm2，并且如果VOC为0.5V而且FF为80%，则PCE为13.4%。
使用溶液可加工的纳米晶体（例如，PbS或PbSe纳米晶体）的红外光电探测器已经在要求美国临时专利申请系列第61/416,630号（2010年11月23号提交）的优先权的美国专利申请系列第13/272,995号（2011年10月13号提交）中描述，两者的全部公开内容通过引用合并本文中。这样的IR光电探测器已经被证明适合于大面积生产。在本发明的实施方案中，IR光伏电池可以具有与在要求美国临时专利申请系列第61/416,630号的优先权的美国专利申请系列第13/272,995号中所描述的红外光电探测器的结构类似的结构、和/或与在美国临时专利申请系列第61/416,630号中所描述的红外光电探测器的结构类似的结构。此外，参照图1B，其示出了PbSe量子点的吸光度，PbSe量子点具有红外敏感性。
当将IR光伏电池集成到光伏电池（如常规薄膜光伏电池）上时，可以实现高效率光伏板。本发明的实施方案涉及用于通过将IR光伏电池集成到光伏电池（如常规薄膜光伏电池）上来捕获大部分的太阳光谱的新型光伏板。在一些实施方案中，光伏板可以捕获整个太阳光谱。
参照图2A，在本发明的实施方案中，太阳能板10可以包括光伏电池40和IR光伏电池50。光伏电池40可以为例如薄膜光伏电池，并且可以包括碲化镉（CdTe）、铜铟镓硒（CIGS）、非晶硅（α-Si）和/或多晶硅（多晶Si），但是实施方案不限于此。在许多实施方案中，光电池40对具有大于1μm的波长的光子不敏感。例如，光伏电池40可以对在可见范围内的光子敏感。在一个实施方案中，光电池40可以对具有从约400nm至约850nm的波长的光子敏感。
IR光伏电池50对具有大于1μm的波长的光子敏感。在一个实施方案中，IR光伏电池50对具有最高为2500nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池50对最高为约2000nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池50对最高为2000nm的波长的光子敏感。在又一实施方案中，IR光伏电池50对具有从约850nm至约2000nm的范围内的波长的光子敏感。
应该理解，在本说明书中并且在所附权利要求中，当光伏电池40或IR光伏电池50被描述为对具有给定值的波长、在给定范围内的波长或至少一定值的波长的光子敏感时，如果没有明确说明，则其不排除光伏电池40或IR光伏电池50对具有不同于给定值的波长、在给定范围之外的波长或小于一定值的波长的光子敏感。也就是说，在本说明书中和在所附权利要求中，当光伏电池40或IR光伏电池50被描述为对具有给定值的波长、在给定范围内的波长或至少一定值的波长的光子敏感时，除非明确说明光伏电池40或IR光伏电池50只对具有所说明的值或在所说明的范围内的光子敏感，或者光伏电池40或IR光伏电池50对具有给定值、在给定范围之内或大于一定值的光子不敏感，否则光伏电池40或IR光伏电池50至少对这些光子敏感，并且对具有不同于给定值的波长、在给定的范围之外的波长或小于一定值的波长的光子可以敏感或也可以不敏感。
在各种实施方案中，IR光伏电池50可以对具有以下值（所有值以μm为单位）中的至少任意值的波长的光子敏感：0.20、0.21、0.22、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.28、0.29、0.30、0.31、0.32、0.33、0.34、0.35、0.36、0.37、0.38、0.39、0.40、0.41、0.42、0.43、0.44、0.45、0.46、0.47、0.48、0.49、0.50、0.51、0.52、0.53、0.54、0.55、0.56、0.57、0.58、0.59、0.60、0.61、0.62、0.63、0.64、0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.76、0.77、0.78、0.79、0.80、0.81、0.82、0.83、0.84、0.85、0.86、0.87、0.88、0.89、0.90、0.91、0.92、0.93、0.94、0.95、0.96、0.97、098、0.99、1.00、1.01、1.02、1.03、1.04、1.05、1.06、1.07、1.08、1.09、1.10、1.11、1.12、1.13、1.14、1.15、1.16、1.17、1.18、1.19、1.20、1.21、1.22、1.23、1.24、1.25、1.26、1.27、1.28、1.29、1.30、1.31、1.32、1.33、1.34.1.35、1.36、1.37、1.38、1.39、1.40、1.41、1.42、1.43、1.44、1.45、1.46、1.47、1.48、1.49、1.50、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55、1.56、1.57、1.58,1.59、1.60、1.61、1.62、1.63、1.64、1.65、1.66、1.67、1.68、1.69、1.70、1.71、1.72、1.73、1.74、1.75、1.76、1.77、1.78、1.79、1.80、1.81、1.82、1.83、1.84、1.85、1.86、1.87、1.88、1.89、1.90、1.91、1.92、1.93、1.94、1.95、1.96、1.97、1.98或1.99（即，IR光伏电池50可以对具有至少0.20μm、至少0.21μm、……、至少1.99μm的波长的光子敏感）。在另一实施方案中，IR光伏电池50可以只对具有以下值（所有值以μm为单位）中的至少任何值的波长的光子敏感，同时对具有小于该值的波长的任何光子不敏感：0.20、0.21、0.22、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.28、0.29、0.30、0.31、0.32、0.33、0.34、0.35、0.36、0.37、0.38、0.39、0.40、0.41、0.42、0.43、0.44、0.45、0.46、0.47、0.48、0.49、0.50、0.51、0.52、0.53、0.54、0.55、0.56、0.57、0.58、0.59、0.60、0.61、0.62、0.63、0.64、0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.76、0.77、0.78、0.79、0.80、0.81、0.82、0.83、0.84、0.85、0.86、0.87、0.88、0.89、0.90、0.91、0.92、0.93、0.94、0.95、0.96、0.97、098、0.99、1.00、1.01、1.02、1.03、1.04、1.05、1.06、1.07、1.08、1.09、1.10、1.11、1.12、1.13、1.14.1.15.1.16、1.17、1.18、1.19、1.20、1.21、1.22、1.23.1.24.1.25、1.26、1.27、1.28、1.29、1.30、1.31、1.32、1.33、1.34、1.35、1.36、1.37、1.38、1.39、1.40、1.41、1.42、1.43、1.44、1.45、1.46、1.47、1.48、1.49、1.50、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55、1.56、1.57、1.58,1.59、1.60、1.61、1.62、1.63、1.64、1.65、1.66、1.67、1.68、1.69、1.70、1.71、1.72、1.73、1.74、1.75、1.76、1.77、1.78、1.79、1.80、1.81、1.82、1.83、1.84、1.85、1.86、1.87、1.88、1.89、1.90、1.91、1.92、1.93、1.94、1.95、1.96、1.97、1.98或1.99（即，IR光伏电池50可以只对具有至少0.20μm、至少0.21μm、……、至少1.99μm的波长的光子敏感；同时对分别具有小于0.20μm、0.21μm、……、1.99μm的波长的任何光子不敏感。）在优选实施方案中，IR光伏电池50对具有大于1微米的波长的光子敏感。在另一优选实施方案中，IR光伏电池50对具有至少0.70微米的波长的光子敏感。在又一优选实施方案中，IR光伏电池50对具有至少0.85微米的波长的光子敏感。
在一些实施方案中，IR光伏电池50可以包括包含量子点的IR敏感层。量子点可以为例如PbS量子点或PbSe量子点，但是实施方案不限于此。
在许多实施方案中，太阳能板10可以包括在光伏电池40和/或IR光伏电池50的一侧或两侧上的电极30。在一个实施方案中，光伏电池40和IR光伏电池50的两侧包括透明阳极和透明阴极。每个电极层30可以是本领域中已知的任意透明电极，例如包括氧化铟锡（ITO）、碳纳米管（CNT）、氧化铟锌（IZO）、银纳米线以及镁:银/Alq3（Mg:Ag/Alq3）堆叠层的层。每个电极层30可以包括含有除本文所明确列出那些以外的透明导电氧化物（TCO）的TCO。在具体实施方案中，一个或多个透明电极层可以为Mg:Ag/Alq3堆叠层使得Mg:Ag层具有10:1（Mg:Ag）的比例。Mg:Ag层可以具有小于30nm的厚度，并且Alq3层可以具有从0nm至200nm的厚度。每个电极层30可以对光谱的可见区域中的光的至少一部分透明。每个电极层30可以对在光谱的红外区域中的光的至少一部分，优选为所有的光透明。在一些实施方案中，每个电极层30可以对光谱的可见区域中的光的至少一部分，优选为所有的光透明，并且对光谱的红外区域中的光的至少一部分，优选为所有的光透明。在实施方案中，太阳能板10可以包括在光伏电池40与IR光伏电池50之间的玻璃衬底60。例如，可以在玻璃衬底60上制造IR光伏电池50，然后使玻璃衬底60结合到也可以包括玻璃衬底60的光伏电池40上。
参考图2B，在另一实施方案中，太阳能板10可以使用在光伏电池40与IR光伏电池50之间布置氩气的结构，使得从光伏电池40出来的光在进入IR光伏电池50之前穿过氩气。具体实施方案使用容纳氩气的室70。光伏电池40和IR光伏电池50二者可以部分或整体布置在室70的内部和/或可以形成为室70的一部分。例如，光伏电池40和IR光伏电池50均可以任选地包括玻璃衬底60，光伏电池40的玻璃衬底60可以用作室70的顶部或底部，同时IR光伏电池50的玻璃衬底60也用作室70的顶部或底部。根据本发明的具体实施方案的太阳能板10可以配置成使得入射阳光20入射到光伏电池40和IR光伏电池50二者上并且阳光20的至少一部分由光伏电池40吸收并且阳光20的至少一部分由IR光伏电池50吸收。这样的构造如图2A和图2B所示，其中阳光20在穿过（任选地）玻璃衬底60（在图2A中）或氩气（在图2B中）之后入射到光伏电池40上并且入射到IR光伏电池50上。
尽管在图2A和图2B中标记的电极层30是透明的，但是实施方案不限于此。也就是，每个电极层30可以对可见光的至少一部分透明和/或对IR光的至少一部分透明，而可以对可见光的至少一部分不透明和/或对IR光的至少一部分不透明。
在一个实施方案中，光伏电池40的顶部电极30可以是阳极或阴极，并且对可见光的至少一部分和IR光的至少一部分透明。光伏电池40的底部电极30可以是阳极或阴极，并且对IR光的至少一部分透明并且可以对可见光的至少一部分透明。IR光伏电池50的顶部电极30可以是阳极或阴极，并且对IR光的至少一部分透明且可以对可见光的至少一部分透明。IR光伏电池50的顶部电极30可以是阳极或阴极，并且可以对IR光的至少一部分透明，并且可以对可见光的至少一部分透明。
在一些实施方案中，太阳能板10可以以“倒置”模式操作，使得光入射到IR光伏电池50的底部电极30上。在具体实施方案中，IR光伏电池50的底部电极30可以是阳极或阴极，并且对可见光的至少一部分和IR光的至少一部分透明。IR光伏电池50的顶部电极30可以是阳极或阴极，并且对可见光的至少一部分透明且可以对IR光的至少一部分透明。光伏电池40的底部电极30可以是阳极或阴极，并且对可见光的至少一部分透明并且可以对IR光的至少一部分透明。光伏电池40的顶部电极30可以是阳极或阴极，并且可以对IR光的至少一部分透明并且可以对可见光的至少一部分。
在许多实施方案中，太阳能板10可以配置成使得入射到光伏电池40的输入表面上的穿过光伏电池40并且从第一光伏电池40的输入表面出来的光入射到IR光伏电池50的输入表面上并且进入IR光伏电池50。在另一实施方案中，太阳能板10可以配置成使得入射到IR光伏电池50的输入表面上的穿过IR光伏电池50并且从IR光伏电池50的输出表面出来的光入射到光伏电池40的输入表面上并且进入光伏电池40。
在本发明的一个实施方案中，捕集且储存太阳能的方法可以包括布置太阳能板使得阳光入射到太阳能板上，其中太阳能板包括：光伏电池，其中光伏电池对具有在可见范围内的波长的光子敏感；和红外光伏电池，其中红外光伏电池对具有大于1μm的波长的光子敏感。太阳能板可以是在本文中如参照图2A和图2B所描述的。在许多实施方案中，光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。例如，光伏电池可以对在可见范围内的光子敏感。在一个实施方案中，光伏电池可以对具有从约400nm至约850nm的波长的光子敏感。
在许多实施方案中，入射到光伏电池40的输入表面上的光可以穿过光伏电池40并且从第一光伏电池40的输出表面出来，然后可以入射到IR光伏电池50的输入表面上并且进入IR光伏电池50。在另一实施方案中，入射到IR光伏电池50的输入表面上的光可以穿过IR光伏电池50并且从IR光伏电池50的输出表面出来，然后可以入射到光伏电池40的输入表面上并且进入光伏电池40。
太阳能板的IR光伏电池可以至少对具有大于例如1μm的波长的光子敏感。在一个实施方案中，IR光伏电池对具有最高为2500nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池对具有最高为约2000nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池对具有最高为约2000nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池对具有最高为2000nm的波长的光子敏感。在又一实施方案中，IR光伏电池对具有在从约850nm至约2000nm的范围内的波长的光子敏感。
在一些实施方案中，IR光伏电池可以包括包含量子点的IR敏感层。量子点可以为例如PbS量子点或PbSe量子点，但是实施方案不限于此。
本发明的太阳能板可以配置成使得入射阳光入射到光伏电池和IR光伏电池二者上并且阳光的至少一部分由光伏电池吸收并且阳光的至少一部分由IR光伏电池吸收。
本发明也涉及形成太阳能板的方法。在一个实施方案中，制造太阳能板的方法可以包括：形成光伏电池，其中光伏电池对具有在可见范围内的波长的光子敏感；形成红外光伏电池，其中红外光伏电池对具有大于1μm的波长的光子敏感；以及结合光伏电池和红外光伏电池。
光伏电池和IR光伏电池可以如在本文中参考图2A和图2B所描述的。在许多实施方案中，光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。例如，光伏电池可以对在可见范围内的光子敏感，而对具有大于1μm的波长的光子不敏感。在一个实施方案中，光伏电池可以对具有从约400nm至约850nm的波长的光子敏感，而对具有小于约400nm或大于约850nm的波长的光子不敏感。
太阳能板的IR光伏电池可以至少对具有大于例如1μm的波长的光子敏感。在一个实施方案中，IR光伏电池对具有最高为2500nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池对最高为约2000nm的波长的光子敏感。在另一实施方案中，IR光伏电池对最高为2000nm的波长的光子敏感。在又一实施方案中，IR光伏电池对具有从约850nm至约2000nm的范围内的波长的光子敏感。
在一些实施方案中，IR光伏电池可以包括包含量子点的IR敏感层。量子点可以为例如PbS量子点或PbSe量子点，但是实施方案不限于此。
根据本发明的形成太阳能板的方法可以执行为使得太阳能板配置成使得入射阳光入射到光伏电池和IR光伏电池二者上（也就是，阳光的至少一部分由光伏电池吸收并且阳光的至少一部分由IR光伏电池吸收）。
在许多实施中，形成太阳能板的方法可以执行为使得入射到光伏电池40的输入表面上的光可以穿过光伏电池40并且从第一光伏电池40的输出表面出来，然后可以入射到IR光伏电池50的输入表面上并且进入IR光伏电池50。在另一实施方案中，形成太阳能板的方法可以执行为使得入射到IR光伏电池50的输入表面上的光可以穿过IR光伏电池50并且从IR光伏电池50的输出表面出来，然后可以入射到光伏电池40的输入表面上并且进入光伏电池40。
在一个实施方案中，形成太阳能板的方法可以包括：在玻璃衬底上制造IR光伏电池，然后将玻璃衬底与光伏电池结合。该方法还可以包括：在玻璃衬底上形成光伏电池，使得IR光伏电池的玻璃衬底与光伏电池的玻璃衬底结合。
在另一实施方案中，将可以IR光伏电池涂覆在光学透明塑料膜上，并且然后将光学透明塑料膜层叠到光伏电池上。
在又一实施方案中，形成太阳能板的方法可以包括形成利用如下结构的太阳能板：在光伏电池与IR光伏电池之间布置气体（例如，氩气），使得从光伏电池出来的光在进入IR光伏电池之前穿过气体。气体可以为例如氩气，但是实施方案不限于此。具体实施方案可以包括形成容纳气体（例如，氩气）的室。光伏电池40和IR光伏电池50二者可以部分或整体布置在室70的内部和/或可以形成为室70的一部分。在一些实施方案中，可以在玻璃衬底上制造IR光伏电池，可以在分开的玻璃衬底上制造光伏电池，可以形成室的壁，然后可以使IR光伏电池和光伏电池与室壁接触使得玻璃衬底形成为室的顶部和底部，如图2B所示。
IR光电探测器的制造在之前参考的要求美国临时专利申请系列第61/416,630号（2010年11月23号提交）的优先权的美国专利申请系列第13/272,995号（2011年10月13号提交）中描述，和/或在美国临时专利申请系列第61/416,630号（2010年11月23号提交）中描述，并且现在将再次详细地描述。
要求美国临时专利申请系列第61/416,630号（2010年11月23号提交）的优先权的美国专利申请系列第13/272,995号（2011年10月13号提交）、和/或美国临时专利申请系列第61/416,630号（2010年11月23号提交）描述了用于用作传感器使用和用于在上转换器件中使用的具有高探测灵敏度的红外光电探测器。当暗电流为主要的噪声因素时，探测灵敏度可以表示为以下等式（1）。
D*=R/(2qJd)1/2 （1）
其中R为响应度，Jd为暗电流密度，并且q为元电荷（1.6×10-19C）。为了获得具有最佳探测灵敏度的光电探测器，需要非常低的暗电流密度。根据本发明的实施方案的光电探测器包括具有深的最高被占用分子轨道（HOMO）的空穴阻挡层（HBL）以及具有高的最低空余分子轨道（LUMO）的电子阻挡层（EBL），其中将EBL置于IR光敏层的阳极面对表面上并且将HBL置于IR光敏层的阴极面对表面上。层的厚度可以在从约20nm到约500nm的范围内，并且其中电极之间的总间距小于5μm。根据本发明的实施方案的IR光电探测器在小于5V的施加电压下提供高探测灵敏度。
IR光敏层可以为包含有机或有机金属的材料或无机材料。该材料可以完全吸收IR的延伸超出近IR（700nm至1400nm）的大部分，例如延伸到最高达1800nm、2000nm、2500nm或更大的波长。示例性的包含有机或有机金属的材料包括：二萘嵌苯-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-双酐（PCTDA）、酞菁锡（II）（SnPc）、SnPc:C60、氯铝酞菁（AlPcCl）、AlPcCl:C60、钛氧基酞菁（TiOPc）、以及TiOPc:C60。用作光敏层使用的无机材料包括：PbSe量子点（QD）、PbS QD、PbSe薄膜、PbS薄膜、InAs、InGaAs、Si、Ge以及GaAs。
HBL可以为包括以下但不限于包含有机或有机金属的材料：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、p-双（三苯基甲硅烷基）苯（UGH2）、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（Bphen）、三（8-羟基喹啉）铝（Alq3）、3,5’-N,N’-联咔唑-苯（mCP）、C60以及三[3-（3-吡啶）-基]硼烷（3TPYMB）。可替代地，HBL可以为包括但不限于ZnO或TiO2的薄膜或纳米颗粒的无机材料。
EBL可以为有机材料，例如但不限于：聚（9,9-二辛酯-芴-共-N-（4-丁基苯基）二苯胺）（TFB）、1,1-双[二-4-甲苯基氨基]苯基环己烷（TAPC）、N,N’-二苯基-N,N’（2-萘基）-（1,1’-二苯基）-4,4’二胺（NPB）、N,N’-二苯基-N,N’-二（m-甲苯基）联苯胺（TPD）、聚-N,N’-双4-丁基苯基-N,N’-双-苯基联苯胺（聚TPD）、或聚苯乙烯-N,N-二苯基-N,N-双（4-n-丁基苯基）-（1,10-二苯基）-4,4-二胺-全氟环丁烷（PS-TPD-PFCB）。
光电探测器被制备为不具有阻挡层、具有作为EBL的聚TPD并且具有作为HBL的ZnO纳米颗粒，并且分别用聚TPD和ZnO纳米颗粒作为EBL和HBL，其中IR光敏层包括PbSe纳米晶体。对于从无阻挡层的光电探测器到具有EBL和HBL的光电探测器，光电探测器的暗电流-电压（J-V）曲线下降了大于3个数量级。具有两者阻挡层的光电探测器对于IR以及小于950nm的可见波长示出大于1011Jones的探测灵敏度。
也构造了不具有阻挡层并且具有EBL和HBL层的无机纳米颗粒光电探测器。光电探测器包括各种HBL（BCP、C60或ZnO）、EBL（TFB或聚TPD），以及包含PbSe量子点的IR光敏层。尽管降低的数量有差别，但是位于包含PbSe掺杂的光电探测器上的EBL和HBL的布置导致在低施加电压下的暗电流的显著降低。
本文提及或引用的所有专利、专利申请、临时申请以及出版物的全部内容（包括所有图和表）在它们不与本说明书的明确教导相矛盾的程度上并入本文。
应该理解，本文所描述的实施例和实施方案仅为了说明性目的，本领域的普通技术人员会想到各种修改或变化方案，并且这些修改和变化方案包括在本申请的精神和范围之内。

Claims (66)

1.一种太阳能板，包括：
包括透明阳极和透明阴极的第一光伏电池，其中所述第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中所述第一一个或多个波长在第一波长范围内；以及
包括透明阳极和透明阴极的第二光伏电池，其中所述第二光伏电池还包括包含量子点的红外敏感材料层，其中所述第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中所述第二一个或多个波长在第二波长范围内，
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一不在所述第一波长范围内；
其中所述第一一个或多个波长中的至少之一不在所述第二波长范围内；以及
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一为至少0.7μm。
2.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述太阳能板配置成使得入射到所述第一光伏电池的输入表面上的穿过所述第一光伏电池并且从所述第一光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第二光伏电池的输入表面上并且进入所述第二光伏电池。
3.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述量子点为PbS量子点或PbSe量子点。
4.根据权利要求1所述的太阳能板，还包括：氩气，其中所述第一光伏电池和所述第二光伏电池布置成使得穿过所述第一光伏电池的光的至少一部分在进入所述第二光伏电池之前穿过所述氩气。
5.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第二光伏电池对具有从850nm至2000nm的波长的光子敏感。
6.根据权利要求5所述的太阳能板，其中所述第二光伏电池对具有小于850nm的波长的光子不敏感。
7.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池对具有从400nm至850nm的波长的光子敏感。
8.根据权利要求7所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池对具有大于850nm的波长的光子不敏感。
9.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
10.根据权利要求2所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
11.根据权利要求3所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
12.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层。
13.根据权利要求12所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的镁：银层的厚度小于30nm，并且其中所述镁：银层具有镁比银为10∶1的组成比。
14.根据权利要求12所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的Alq3层的厚度为从0nm至200nm。
15.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明。
16.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述太阳能板配置成使得入射到所述第二光伏电池的输入表面上的穿过所述第二光伏电池并且从所述第二光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第一光伏电池的输入表面上并且进入所述第一光伏电池。
17.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池为薄膜光伏电池。
18.根据权利要求17所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
19.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
20.根据权利要求2所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池为薄膜光伏电池。
21.根据权利要求3所述的太阳能板，其中所述第一光伏电池为薄膜光伏电池。
22.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于1μm。
23.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至1μm的范围内。
24.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于0.85μm。
25.根据权利要求1所述的太阳能板，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至0.85μm的范围内。
26.一种制造太阳能板的方法，包括：
形成第一光伏电池，其中形成所述第一光伏电池包括形成透明阳极和透明阴极，其中所述第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，以及其中所述第一一个或多个波长在第一波长范围内；
形成第二光伏电池，其中形成所述第二光伏电池包括形成透明阳极、透明阴极，以及包含量子点的红外敏感材料层，其中所述第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，以及其中所述第二一个或多个波长在第二波长范围内；以及
使所述第一光伏电池和所述第二光伏电池耦接，
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一不在所述第一波长范围内；
其中所述第一一个或多个波长中的至少之一不在所述第二波长范围内；以及
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一为至少0.7μm。
27.根据权利要求26所述的方法，其中入射到所述第一光伏电池的输入表面上的穿过所述第一光伏电池并且从所述第一光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第二光伏电池的输入表面上并且进入所述第二光伏电池。
28.根据权利要求26所述的方法，还包括：
将所述第二光伏电池涂覆在光学透明塑料膜上；以及
将所述光学透明塑料膜层叠在所述第一光伏电池上。
29.根据权利要求26所述的方法，还包括：
在玻璃衬底上形成所述第二光伏电池；以及
使所述玻璃衬底与所述第一光伏电池耦接。
30.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一光伏电池是薄膜光伏电池，并且其中形成所述第二光伏电池包括将所述第二光伏电池直接形成在所述第一光伏电池上。
31.根据权利要求26所述的方法，其中所述量子点为PbS量子点或PbSe量子点。
32.根据权利要求26所述的方法，其中所述第二光伏电池对具有从850nm至2000nm的波长的光子敏感。
33.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
34.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
35.根据权利要求28所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
36.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
37.根据权利要求26所述的方法，其中入射到所述第二光伏电池的输入表面上的穿过所述第二光伏电池并且从所述第二光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第一光伏电池的输入表面上并且进入所述第一光伏电池。
38.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
39.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
40.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层。
41.根据权利要求40所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的镁：银层的厚度小于30nm，并且其中所述镁：银层具有镁比银为10∶1的组成比。
42.根据权利要求40所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的Alq3层的厚度为从0nm至200nm。
43.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明。
44.根据权利要求26所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于1μm。
45.根据权利要求26所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至1μm的范围内。
46.根据权利要求26所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于0.85μm。
47.根据权利要求26所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至0.85μm的范围内。
48.一种捕集和储存太阳能的方法，包括：
布置太阳能板以使得阳光入射到所述太阳能板上，其中所述太阳能板包括：
包括透明阳极和透明阴极的第一光伏电池，其中所述第一光伏电池对具有第一一个或多个波长的光子敏感，其中所述第一一个或多个波长在第一波长范围内；以及
包括透明阳极和透明阴极的第二光伏电池，其中所述第二光伏电池还包括包含量子点的红外敏感材料层，其中所述第二光伏电池对具有第二一个或多个波长的光子敏感，其中所述第二一个或多个波长在第二波长范围内，
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一不在所述第一波长范围内；
其中所述第一一个或多个波长中的至少之一不在所述第二波长范围内；以及
其中所述第二一个或多个波长中的至少之一为至少0.7μm。
49.根据权利要求48所述的方法，其中入射到所述第一光伏电池的输入表面上的穿过所述第一光伏电池并且从所述第一光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第二光伏电池的输入表面上并且进入所述第二光伏电池。
50.根据权利要求48所述的方法，其中所述量子点为PbS量子点或PbSe量子点。
51.根据权利要求48所述的方法，其中所述第二光伏电池对具有从850nm至2000nm的波长的光子敏感。
52.根据权利要求48所述的方法，其中入射到所述第二光伏电池的输入表面上的穿过所述第二光伏电池并且从所述第二光伏电池的输出表面出来的光入射到所述第一光伏电池的输入表面上并且进入所述第一光伏电池。
53.根据权利要求48所述的方法，其中所述第一光伏电池为薄膜光伏电池。
54.根据权利要求48所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
55.根据权利要求49所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
56.根据权利要求53所述的方法，其中所述第一光伏电池对具有大于1μm的波长的光子不敏感。
57.根据权利要求53所述的方法，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
58.根据权利要求48所述的方法，其中所述第一光伏电池包括选自CIGS、CdTe、α-Si和多晶Si中的至少一种材料。
59.根据权利要求48所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极包括选自以下材料中的至少一种材料：氧化铟锡、碳纳米管、氧化铟锌、银纳米线以及镁：银/Alq3堆叠层。
60.根据权利要求59所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的镁：银层的厚度小于30nm，并且其中所述镁：银层具有镁比银为10∶1的组成比。
61.根据权利要求59所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极或所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极中的至少一种包括镁：银/Alq3堆叠层，并且其中所述镁：银/Alq3堆叠层中的Alq3层的厚度为从0nm至200nm。
62.根据权利要求48所述的方法，其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阳极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明，并且其中所述第一光伏电池和/或所述第二光伏电池的透明阴极对可见光的至少一部分和红外光的至少一部分透明。
63.根据权利要求48所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于1μm。
64.根据权利要求48所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至1μm的范围内。
65.根据权利要求48所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一大于0.85μm。
66.根据权利要求48所述的方法，其中所述第二一个或多个波长中的至少之一在从0.7μm至0.85μm的范围内。
CN201280017264.7A 2011-04-05 2012-04-03 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置 Expired - Fee Related CN103493199B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161472071P 2011-04-05 2011-04-05
US61/472,071 2011-04-05
PCT/US2012/031988 WO2012138651A2 (en) 2011-04-05 2012-04-03 Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103493199A CN103493199A (zh) 2014-01-01
CN103493199B true CN103493199B (zh) 2016-11-23

Family

ID=46969772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280017264.7A Expired - Fee Related CN103493199B (zh) 2011-04-05 2012-04-03 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20140060613A1 (zh)
EP (1) EP2695205A4 (zh)
JP (2) JP2014511041A (zh)
KR (1) KR102058255B1 (zh)
CN (1) CN103493199B (zh)
AU (1) AU2012240386A1 (zh)
BR (1) BR112013025596A2 (zh)
CA (1) CA2832129A1 (zh)
MX (1) MX2013011598A (zh)
RU (1) RU2013148840A (zh)
SG (1) SG193600A1 (zh)
WO (1) WO2012138651A2 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG175565A1 (en) 2006-09-29 2011-11-28 Univ Florida Method and apparatus for infrared detection and display
JP5778261B2 (ja) 2010-05-24 2015-09-16 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション，インク．Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｆｌｏｒｉｄａ Ｒｅｓｅａｔｃｈ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ，Ｉｎｃ． 赤外光アップコンバージョンデバイス上に電荷遮断層を設けるための方法および装置
KR101970022B1 (ko) 2011-04-05 2019-08-13 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. 적어도 부분적으로 투명한 일면 발광 ｏｌｅｄ 조명 및 ｉｒ 감지 광전지 패널을 갖는 창을 제공하기 위한 방법 및 장치
EP2695205A4 (en) * 2011-04-05 2014-10-08 Univ Florida METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATING INFRARED PHOTOVOLTAIC CELL (IR) ON THIN-FILM PHOTOVOLTAIC CELL
RU2014102650A (ru) 2011-06-30 2015-08-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Усиливающий инфракрасный фотодетектор и его применение для обнаружения ик-излучения
JP6147860B2 (ja) 2012-09-27 2017-06-14 ロディア オペレーションズＲｈｏｄｉａ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｓ 銀ナノ構造を作製するための方法及び同方法に有用なコポリマー
EP3161955A4 (en) * 2014-06-27 2018-03-28 The Administrators Of The Tulane Educational Fund Infrared transmissive concentrated photovoltaics for coupling solar electric energy conversion to solar thermal energy utilization
KR20180018660A (ko) 2015-06-11 2018-02-21 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인코포레이티드 단분산, ir-흡수 나노입자, 및 관련 방법 및 장치
WO2017172841A1 (en) 2016-03-28 2017-10-05 The Administrators Of The Tulane Educational Fund Transmissive concentrated photovoltaic module with cooling system
US10017384B1 (en) 2017-01-06 2018-07-10 Nanoclear Technologies Inc. Property control of multifunctional surfaces
US10121919B2 (en) 2017-01-06 2018-11-06 Nanoclear Technologies Inc. Control of surface properties by deposition of particle monolayers
US10319868B2 (en) 2017-01-06 2019-06-11 Nanoclear Technologies Inc. Methods and systems to boost efficiency of solar cells
DE102017209498A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensorbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
JP6782211B2 (ja) 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
US11929703B2 (en) * 2021-03-10 2024-03-12 Atomos Nuclear and Space Corporation System and method for converting and transmitting energy

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0848433A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS High efficiency multi-junction solar cells
TW200847449A (en) * 2006-12-06 2008-12-01 Solexant Corp Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
CN101872793A (zh) * 2010-07-02 2010-10-27 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58215081A (ja) * 1982-06-08 1983-12-14 Mitsui Toatsu Chem Inc アモルフアスシリコン太陽電池
JPS6030163A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池モジユ−ル
JP2717583B2 (ja) * 1988-11-04 1998-02-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
US5270092A (en) * 1991-08-08 1993-12-14 The Regents, University Of California Gas filled panel insulation
JPH07122762A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Asahi Chem Ind Co Ltd 薄膜光起電力装置
US5811834A (en) * 1996-01-29 1998-09-22 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
JPH10242493A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池
EP1048084A4 (en) * 1998-08-19 2001-05-09 Univ Princeton ORGANIC OPTOELECTRONIC LIGHT SENSITIVE DEVICE
US6828045B1 (en) * 2003-06-13 2004-12-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element and production method thereof
US7119359B2 (en) * 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US20040222306A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Anthony Fajarillo Methods, systems and apparatus for displaying bonsai trees
EP1513171A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-09 Sony International (Europe) GmbH Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production
CN100477289C (zh) * 2004-01-20 2009-04-08 瑟雷姆技术公司 具有外延生长量子点材料的太阳能电池
JP2005277113A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 積層型太陽電池モジュール
US8115093B2 (en) * 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
CN101133499B (zh) * 2005-03-04 2010-06-16 松下电工株式会社 多层有机太阳能电池
JP2009527108A (ja) * 2006-02-13 2009-07-23 ソレクサント・コーポレイション ナノ構造層を備える光起電装置
US20080121271A1 (en) * 2006-05-03 2008-05-29 Rochester Institute Of Technology Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof
ATE498203T1 (de) * 2007-07-23 2011-02-15 Basf Se Photovoltaische tandem-zelle
SG186643A1 (en) * 2007-12-13 2013-01-30 Technion Res & Dev Foundation Photovoltaic cells comprising group iv-vi semiconductor core-shell nanocrystals
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
JP2010067802A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Seiko Epson Corp 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
JP2010087205A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kaneka Corp 多接合型薄膜光電変換装置
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
GB0909818D0 (en) * 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
WO2010142575A2 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Tandem solar cell integrated in a double insulating glass window for building integrated photovoltaic applications
US9666818B2 (en) * 2009-09-18 2017-05-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Tandem-type organic photoelectric conversion element and solar battery
EP2695205A4 (en) * 2011-04-05 2014-10-08 Univ Florida METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATING INFRARED PHOTOVOLTAIC CELL (IR) ON THIN-FILM PHOTOVOLTAIC CELL

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0848433A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS High efficiency multi-junction solar cells
TW200847449A (en) * 2006-12-06 2008-12-01 Solexant Corp Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
CN101872793A (zh) * 2010-07-02 2010-10-27 福建钧石能源有限公司 叠层太阳能电池及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG193600A1 (en) 2013-10-30
US20140060613A1 (en) 2014-03-06
CA2832129A1 (en) 2012-10-11
JP2014511041A (ja) 2014-05-01
JP2018082194A (ja) 2018-05-24
CN103493199A (zh) 2014-01-01
EP2695205A2 (en) 2014-02-12
WO2012138651A2 (en) 2012-10-11
WO2012138651A3 (en) 2012-12-27
MX2013011598A (es) 2013-12-16
BR112013025596A2 (pt) 2016-12-27
AU2012240386A1 (en) 2013-11-07
WO2012138651A8 (en) 2013-10-17
RU2013148840A (ru) 2015-05-10
KR102058255B1 (ko) 2019-12-20
KR20140049518A (ko) 2014-04-25
EP2695205A4 (en) 2014-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103493199B (zh) 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置
JP6327488B2 (ja) 電子／正孔励起阻止層を用いた有機太陽電池の開路電圧の向上
CN100426529C (zh) 有机光生伏打器件
CN101351904B (zh) 使用超薄敏感层的有机光伏单元
TW479373B (en) Organic photosensitive optoelectronic device
CN100431173C (zh) 具有激子阻挡层的有机光敏光电器件
TWI566450B (zh) 用於控制光伏打裝置中光活性層之磊晶生長之材料
US6580027B2 (en) Solar cells using fullerenes
CN103460429B (zh) 用于提供具有至少部分透明的单侧发射oled照明和ir敏感光伏板的窗的方法和装置
US20100043861A1 (en) Organic photovoltaic devices
TW201031041A (en) Inverted organic photosensitive devices
CN104937736A (zh) 整合有溶液和真空沉积的活性层的多结有机光伏器件
US20100116337A1 (en) Tandem Module Photovoltaic Devices Including An Organic Module

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161123

Termination date: 20200403

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee