RU2013148840A - Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент - Google Patents
Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013148840A RU2013148840A RU2013148840/28A RU2013148840A RU2013148840A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A RU 2013148840/28 A RU2013148840/28 A RU 2013148840/28A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A RU 2013148840 A RU2013148840 A RU 2013148840A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silver
- magnesium
- photovoltaic cell
- alg
- photovoltaic
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 61
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 26
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 66
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 54
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 54
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 54
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 54
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 54
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 13
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims 12
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 8
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035227—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/078—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
- H10K30/57—Photovoltaic [PV] devices comprising multiple junctions, e.g. tandem PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/601—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic radiation-sensitive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
1. Панель солнечных элементов, содержащая:первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн; ивторой фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; ипо меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.2. Панель солнечных элементов по п.1, выполненная таким образом, чтобы свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входил во второй фотоэлектрический элемент.3. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.4. Панель солнечных элементов по п.3, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.5. Панель солнечных элементов по п.2, в которой второй фо
Claims (101)
1. Панель солнечных элементов, содержащая:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
2. Панель солнечных элементов по п.1, выполненная таким образом, чтобы свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входил во второй фотоэлектрический элемент.
3. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
4. Панель солнечных элементов по п.3, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
5. Панель солнечных элементов по п.2, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
6. Панель солнечных элементов по п.5, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
7. Панель солнечных элементов по п.1, дополнительно содержащая газообразный аргон, причем первый фотоэлектрический элемент и второй фотоэлектрический элемент расположены так, чтобы, по меньшей мере, часть света, проходящего через первый фотоэлектрический элемент, проходила через газообразный аргон перед попаданием во второй фотоэлектрический элемент.
8. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 850 до приблизительно 2000 нм.
9. Панель солнечных элементов по п.8, в которой второй фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 850 нм.
10. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 400 до 850 нм.
11. Панель солнечных элементов по п.10, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 850 нм.
12. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
13. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
14. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
15. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
16. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
17. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
18. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
19. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
20. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
21. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
22. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
23. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
24. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
25. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
26. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
27. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
28. Панель солнечных элементов по п.1, в которой панель солнечных элементов сконфигурирована так, чтобы свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входил в первый фотоэлектрический элемент.
29. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
30. Панель солнечных элементов по п.29, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
31. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
32. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
33. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
34. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
35. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
36. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
37. Способ изготовления панели солнечных элементов, предусматривающий:
формирование первого фотоэлектрического элемента, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн;
формирование второго фотоэлектрического элемента, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длины волн; и
соединение первого фотоэлектрического элемента и второго фотоэлектрического элемента,
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
38. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
39. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
нанесение в виде покрытия второго фотоэлектрического элемента на оптически чистую пластмассовую пленку; и
наслоение оптически чистой пластмассовой пленки на первый фотоэлектрический элемент.
40. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
формирование второго фотоэлектрического элемента на стеклянной подложке; и
соединение стеклянной подложки с первым фотоэлектрическим элементом.
41. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом, причем формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование второго фотоэлектрического элемента непосредственно на первом фотоэлектрическом элементе.
42. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
43. Способ по п.42, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
44. Способ по п.38, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
45. Способ по п.44, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
46. Способ по п.41, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
47. Способ по п.46, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
48. Способ по п.37, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
49. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
50. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
51. Способ по п.38, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
52. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
53. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
54. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
55. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
56. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
57. Способ по п.56, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
58. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
59. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
60. Способ по п.56, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
61. Способ по п.37, в котором формирование первого фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
62. Способ по п.61, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
63. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
64. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
65. Способ по п.61, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
66. Способ захвата и сохранения солнечной энергии, предусматривающий:
расположение панели солнечных элементов таким образом, чтобы солнечный свет падал на панель солнечных элементов, причем панель солнечных элементов содержит:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длин волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
67. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
68. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
69. Способ по п.68, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
70. Способ по п.67, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
71. Способ по п.70, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
72. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
73. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
74. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
75. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
76. Способ по п.67, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
77. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
78. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
79. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
80. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
81. Способ по п.80, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
82. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
83. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
84. Способ по п.80, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
85. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
86. Способ по п.85, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg3.
87. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
88. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg3, причем слой Alg3, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg3, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
89. Способ по п.85, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
90. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 1 мкм.
91. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
92. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
93. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
94. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
95. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
96. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
97. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
98. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн ябольше 0,85 мкм.
99. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
100. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
101. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161472071P | 2011-04-05 | 2011-04-05 | |
US61/472,071 | 2011-04-05 | ||
PCT/US2012/031988 WO2012138651A2 (en) | 2011-04-05 | 2012-04-03 | Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013148840A true RU2013148840A (ru) | 2015-05-10 |
Family
ID=46969772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013148840/28A RU2013148840A (ru) | 2011-04-05 | 2012-04-03 | Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140060613A1 (ru) |
EP (1) | EP2695205A4 (ru) |
JP (2) | JP2014511041A (ru) |
KR (1) | KR102058255B1 (ru) |
CN (1) | CN103493199B (ru) |
AU (1) | AU2012240386A1 (ru) |
BR (1) | BR112013025596A2 (ru) |
CA (1) | CA2832129A1 (ru) |
MX (1) | MX2013011598A (ru) |
RU (1) | RU2013148840A (ru) |
SG (1) | SG193600A1 (ru) |
WO (1) | WO2012138651A2 (ru) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2064746A2 (en) | 2006-09-29 | 2009-06-03 | University of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
CA2800549A1 (en) | 2010-05-24 | 2011-12-01 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
JP2014511041A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-05-01 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド | 赤外線(ir)光電池を薄膜光電池上に集積する方法及び装置 |
RU2013147701A (ru) | 2011-04-05 | 2015-05-10 | Юниверсити Оф Флорида Ресеч Фаундейшен Инк. | Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель |
KR102059208B1 (ko) | 2011-06-30 | 2020-02-07 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인코포레이티드 | 이득을 갖는 적외선을 검출하는 방법 및 장치 |
WO2014052887A2 (en) | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Rhodia Operations | Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process |
WO2015200927A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | The Administrators Of The Tulane Eductional Fund | Infrared transmissive concentrated photovoltaics for coupling solar electric energy conversion to solar thermal energy utilization |
CN107636431A (zh) | 2015-06-11 | 2018-01-26 | 佛罗里达大学研究基金会有限公司 | 单分散ir 吸收纳米颗粒以及相关方法和装置 |
WO2017172841A1 (en) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | The Administrators Of The Tulane Educational Fund | Transmissive concentrated photovoltaic module with cooling system |
US10017384B1 (en) | 2017-01-06 | 2018-07-10 | Nanoclear Technologies Inc. | Property control of multifunctional surfaces |
US10319868B2 (en) * | 2017-01-06 | 2019-06-11 | Nanoclear Technologies Inc. | Methods and systems to boost efficiency of solar cells |
US10121919B2 (en) | 2017-01-06 | 2018-11-06 | Nanoclear Technologies Inc. | Control of surface properties by deposition of particle monolayers |
DE102017209498A1 (de) | 2017-06-06 | 2018-12-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Sensorbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP6782211B2 (ja) | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
WO2022192570A1 (en) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Atomos Nuclear and Space Corporation | System and method for converting and transmitting energy |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215081A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | アモルフアスシリコン太陽電池 |
JPS6030163A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池モジユ−ル |
JP2717583B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1998-02-18 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
US5270092A (en) * | 1991-08-08 | 1993-12-14 | The Regents, University Of California | Gas filled panel insulation |
JPH07122762A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光起電力装置 |
US5811834A (en) * | 1996-01-29 | 1998-09-22 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted |
US5853497A (en) * | 1996-12-12 | 1998-12-29 | Hughes Electronics Corporation | High efficiency multi-junction solar cells |
JPH10242493A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池 |
TW479373B (en) * | 1998-08-19 | 2002-03-11 | Univ Princeton | Organic photosensitive optoelectronic device |
US6828045B1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and production method thereof |
US7119359B2 (en) * | 2002-12-05 | 2006-10-10 | Research Foundation Of The City University Of New York | Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures |
US20040222306A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-11 | Anthony Fajarillo | Methods, systems and apparatus for displaying bonsai trees |
EP1513171A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-09 | Sony International (Europe) GmbH | Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production |
BRPI0506541A (pt) * | 2004-01-20 | 2007-02-27 | Cyrium Technologies Inc | célula solar com material de ponto quántico epitaxialmente crescido |
JP2005277113A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型太陽電池モジュール |
US8115093B2 (en) * | 2005-02-15 | 2012-02-14 | General Electric Company | Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same |
KR20070110049A (ko) * | 2005-03-04 | 2007-11-15 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 적층형 유기태양전지 |
WO2007095386A2 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Solexant Corporation | Photovoltaic device with nanostructured layers |
US20080121271A1 (en) * | 2006-05-03 | 2008-05-29 | Rochester Institute Of Technology | Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof |
EP2089910A4 (en) * | 2006-12-06 | 2012-12-26 | Solexant Corp | NANO-PHOTOVOLTAIC ARRANGEMENT WITH IMPROVED QUANTITY EFFICIENCY |
WO2009013282A1 (de) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Basf Se | Photovoltaische tandem-zelle |
WO2009074993A2 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Technion Research And Development Foundation Ltd | Photovoltaic cells comprising group iv-vi semiconductor core-shell nanocrystals |
US20100059097A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Mcdonald Mark | Bifacial multijunction solar cell |
JP2010067802A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Seiko Epson Corp | 光電変換装置、電子機器、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
JP2010087205A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Kaneka Corp | 多接合型薄膜光電変換装置 |
US8563850B2 (en) * | 2009-03-16 | 2013-10-22 | Stion Corporation | Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration |
GB0909818D0 (en) * | 2009-06-08 | 2009-07-22 | Isis Innovation | Device |
WO2010142575A2 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Oerlikon Solar Ag, Trübbach | Tandem solar cell integrated in a double insulating glass window for building integrated photovoltaic applications |
WO2011033974A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | タンデム型有機光電変換素子、および太陽電池 |
CN101872793B (zh) * | 2010-07-02 | 2013-06-05 | 福建钧石能源有限公司 | 叠层太阳能电池及其制造方法 |
JP2014511041A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-05-01 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド | 赤外線(ir)光電池を薄膜光電池上に集積する方法及び装置 |
-
2012
- 2012-04-03 JP JP2014503908A patent/JP2014511041A/ja active Pending
- 2012-04-03 EP EP12767466.1A patent/EP2695205A4/en not_active Withdrawn
- 2012-04-03 CA CA2832129A patent/CA2832129A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-03 US US14/009,945 patent/US20140060613A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-03 KR KR1020137028990A patent/KR102058255B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-03 AU AU2012240386A patent/AU2012240386A1/en not_active Abandoned
- 2012-04-03 SG SG2013071568A patent/SG193600A1/en unknown
- 2012-04-03 BR BR112013025596A patent/BR112013025596A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-04-03 CN CN201280017264.7A patent/CN103493199B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-03 RU RU2013148840/28A patent/RU2013148840A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-04-03 MX MX2013011598A patent/MX2013011598A/es not_active Application Discontinuation
- 2012-04-03 WO PCT/US2012/031988 patent/WO2012138651A2/en active Application Filing
-
2017
- 2017-12-22 JP JP2017245995A patent/JP2018082194A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103493199A (zh) | 2014-01-01 |
BR112013025596A2 (pt) | 2016-12-27 |
JP2014511041A (ja) | 2014-05-01 |
AU2012240386A1 (en) | 2013-11-07 |
US20140060613A1 (en) | 2014-03-06 |
WO2012138651A2 (en) | 2012-10-11 |
SG193600A1 (en) | 2013-10-30 |
EP2695205A2 (en) | 2014-02-12 |
WO2012138651A8 (en) | 2013-10-17 |
EP2695205A4 (en) | 2014-10-08 |
CA2832129A1 (en) | 2012-10-11 |
JP2018082194A (ja) | 2018-05-24 |
WO2012138651A3 (en) | 2012-12-27 |
MX2013011598A (es) | 2013-12-16 |
KR20140049518A (ko) | 2014-04-25 |
CN103493199B (zh) | 2016-11-23 |
KR102058255B1 (ko) | 2019-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013148840A (ru) | Способ и устройство для интегрирования инфракрасного (ик) фотоэлектрического элемента на тонкопленочный фотоэлектрический элемент | |
Zhang et al. | Self-powered dual-color UV–green photodetectors based on SnO2 millimeter wire and microwires/CsPbBr3 particle heterojunctions | |
Pulli et al. | Transparent photovoltaic technologies: Current trends towards upscaling | |
Zheng et al. | Scalable-production, self-powered TiO2 nanowell–organic hybrid UV photodetectors with tunable performances | |
Ma et al. | Boosted photocurrent in ferroelectric BaTiO3 materials via two dimensional planar-structured contact configurations | |
Inamdar et al. | ZnO based visible–blind UV photodetector by spray pyrolysis | |
Patel et al. | Reactive sputtering growth of Co3O4 thin films for all metal oxide device: a semitransparent and self-powered ultraviolet photodetector | |
US20120073641A1 (en) | Solar cell apparatus having the transparent conducting layer with the structure as a plurality of nano-level well-arranged arrays | |
Li et al. | Pyro-phototronic effect enhanced self-powered photodetector | |
Jin et al. | High-performance free-standing flexible photodetectors based on sulfur-hyperdoped ultrathin silicon | |
CN107534066A (zh) | 具有中间光学滤波器的机械堆叠串列光伏电池 | |
Lee et al. | Current status and perspective of colored photovoltaic modules | |
Chen et al. | Photoelectrical and low-frequency noise characteristics of ZnO nanorod photodetectors prepared on flexible substrate | |
JP2011129925A (ja) | 半導体ナノ結晶を用いた太陽電池モジュール | |
Mohammadi et al. | High performance n-ZnO/p-metal-oxides UV detector grown in low-temperature aqueous solution bath | |
CN101533868A (zh) | 一种异质pn结型日盲紫外探测器 | |
Kumar et al. | Transparent and all oxide-based highly responsive nn heterojunction broadband photodetector | |
Lee et al. | RGB-colored Cu (In, Ga)(S, Se) 2 thin-film solar cells with minimal efficiency loss using narrow-bandwidth stopband nano-multilayered filters | |
Kim et al. | Highly transparent bidirectional transparent photovoltaics for on-site power generators | |
Ghosh et al. | All‐Oxide Transparent Photodetector Array for Ultrafast Response through Self‐Powered Excitonic Photovoltage Operation | |
Bhat et al. | Flexible ultraviolet photosensors based on p-NiO/n-Zn (1− x) Sn (x) O heterojunction with an ZnO interfacial layer that works in self regime mode | |
FR2956775A1 (fr) | Modules photovoltaiques pour serre agricole et procede de fabrication de tels modules | |
US20180158971A1 (en) | Transparent photoelectric element and method for fabricating the same | |
WO2022088204A1 (zh) | 一种紫外-可见-近红外硅基光电探测器及其制备方法 | |
Kathalingam et al. | Effect of indium on photovoltaic property of n-ZnO/p-Si heterojunction device prepared using solution-synthesized ZnO nanowire film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20150406 |