RU2013147701A - Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель - Google Patents

Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель Download PDF

Info

Publication number
RU2013147701A
RU2013147701A RU2013147701/28A RU2013147701A RU2013147701A RU 2013147701 A RU2013147701 A RU 2013147701A RU 2013147701/28 A RU2013147701/28 A RU 2013147701/28A RU 2013147701 A RU2013147701 A RU 2013147701A RU 2013147701 A RU2013147701 A RU 2013147701A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
organic light
layer
emitting device
alq
photoelectric element
Prior art date
Application number
RU2013147701/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Франки СО
До Юнг КИМ
Бабендра К. ПРАДХАН
Original Assignee
Юниверсити Оф Флорида Ресеч Фаундейшен Инк.
Нанохолингс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Юниверсити Оф Флорида Ресеч Фаундейшен Инк., Нанохолингс, Инк. filed Critical Юниверсити Оф Флорида Ресеч Фаундейшен Инк.
Publication of RU2013147701A publication Critical patent/RU2013147701A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S9/00—Lighting devices with a built-in power supply; Systems employing lighting devices with a built-in power supply
    • F21S9/02—Lighting devices with a built-in power supply; Systems employing lighting devices with a built-in power supply the power supply being a battery or accumulator
    • F21S9/03—Lighting devices with a built-in power supply; Systems employing lighting devices with a built-in power supply the power supply being a battery or accumulator rechargeable by exposure to light
    • F21S9/037—Lighting devices with a built-in power supply; Systems employing lighting devices with a built-in power supply the power supply being a battery or accumulator rechargeable by exposure to light the solar unit and the lighting unit being located within or on the same housing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V33/00—Structural combinations of lighting devices with other articles, not otherwise provided for
    • F21V33/006—General building constructions or finishing work for buildings, e.g. roofs, gutters, stairs or floors; Garden equipment; Sunshades or parasols
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Устройство, содержащее:органическое светоизлучающее устройство ифотоэлектрический элемент, причем фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими длинами волн, причем одна или несколько длин волн находятся в диапазоне длины волны фотоэлектрического элемента и по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 0,70 мкм,причем органическое светоизлучающее устройство содержит:органический светоизлучающий слой;зеркало;анодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем анодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света; икатодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света,причем органический светодиодный слой расположен между анодным электродом органического светоизлучающего устройства и катодным электродом органического светоизлучающего устройства, и зеркало расположено таким образом, чтобы один из анодного электрода органического светоизлучающего устройства и катодного электрода органического светоизлучающего устройства располагался между зеркалом и органическим светоизлучающим слоем, изеркало отражает первый диапазон длины волн видимого света, причем по меньшей мере первая часть видимого света, излучаемого органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длиной волны в пределах первого диапазона длины волн видимого света, и зеркало пропускает второй диапазон длины волн видимого света, причем органический светодиодный слой не излуча

Claims (104)

1. Устройство, содержащее:
органическое светоизлучающее устройство и
фотоэлектрический элемент, причем фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими длинами волн, причем одна или несколько длин волн находятся в диапазоне длины волны фотоэлектрического элемента и по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 0,70 мкм,
причем органическое светоизлучающее устройство содержит:
органический светоизлучающий слой;
зеркало;
анодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем анодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света; и
катодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света,
причем органический светодиодный слой расположен между анодным электродом органического светоизлучающего устройства и катодным электродом органического светоизлучающего устройства, и зеркало расположено таким образом, чтобы один из анодного электрода органического светоизлучающего устройства и катодного электрода органического светоизлучающего устройства располагался между зеркалом и органическим светоизлучающим слоем, и
зеркало отражает первый диапазон длины волн видимого света, причем по меньшей мере первая часть видимого света, излучаемого органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длиной волны в пределах первого диапазона длины волн видимого света, и зеркало пропускает второй диапазон длины волн видимого света, причем органический светодиодный слой не излучает свет, характеризующийся длинами волн, по меньшей мере, в части второго диапазона длины волн видимого света.
2. Устройство по п. 1, выполненное таким образом, чтобы по меньшей мере часть света, падающего на входную поверхность фотоэлектрического элемента, которая проходит через фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода фотоэлектрического элемента, падала на входную поверхность органического светоизлучающего устройства, а затем проходила через органическое светоизлучающее устройство.
3. Устройство по п. 1, в котором фотоэлектрический элемент расположен непосредственно на органическом светоизлучающем устройстве так, что фотоэлектрический элемент находится в непосредственном контакте с органическим светоизлучающим устройством.
4. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее по меньшей мере одну оптически чистую пластмассовую пленку, расположенную межу фотоэлектрическим элементом и органическим светоизлучающим устройством.
5. Устройство по п. 4, в котором фотоэлектрический элемент выполнен по меньшей мере на одной оптически чистой пластмассовой пленке и объединен с ней.
6. Устройство по п. 4, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено по меньшей мере на одной оптически чистой пластмассовой пленке и объединено с ней.
7. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее по меньшей мере одну стеклянную подложку, расположенную межу фотоэлектрическим элементом и органическим светоизлучающим устройством.
8. Устройство по п. 7, в котором фотоэлектрический элемент выполнен по меньшей мере на одной стеклянной подложке и объединен с ней.
9. Устройство по п. 7, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено по меньшей мере на одной стеклянной подложке и объединено с ней.
10. Устройство по п. 1, в котором видимый свет, излучаемый органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длинами волн в первом диапазоне длины волн видимого света, причем органический светоизлучающий слой не излучает света, характеризующегося длинами волн во втором диапазоне длины волн видимого света.
11. Устройство по п. 1, в котором зеркало включает в себя диэлектрическое наборное зеркало.
12. Устройство по п. 11, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит слой Ta2O5 и слой SiO2.
13. Устройство по п. 12, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит чередующиеся слои Ta2O5 и SiO2, причем каждый слой Ta2O5 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм, и каждый слой SiO2 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм.
14. Устройство по п. 13, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит N слоев Ta2O, причем количество слоев SiO2 находится в диапазоне от N-1 до N+1, и N находится в диапазоне от 1 до 40.
15. Устройство по п. 1, в котором органическое светоизлучающее устройство дополнительно содержит обеспечивающий транспорт дырок слой и слой переноса электронов.
16. Устройство по п. 1, в котором органический светоизлучающий слой содержит Ir(ppy)3, MEH-PPV, Alq3 или Flrpic.
17. Устройство по п. 15, в котором обеспечивающий транспорт дырок слой содержит NPB, ТАРС, TFB или TPD.
18. Устройство по п. 15, в котором слой переноса электронов содержит ВСР, Bphen, 3TPYMB или Alq3.
19. Устройство по п. 1, в котором анодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3 (Mg:Ag/Alq3), причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя Mg:Ag/Alq3.
20. Устройство по п. 19, в котором катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит наборной слой Mg:Ag/Alq3, причем слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм, Mg и Ag присутствуют в отношении 10:1 (Mg:Ag); и слой Alq3 характеризуется толщиной от 0 нм до 200 нм.
21. Устройство по п. 1, в котором анодный электрод органического светоизлучающего устройства расположен между зеркалом и органическим светоизлучающим слоем.
22. Устройство по п. 1, в котором катодный электрод органического светоизлучающего устройства расположен между зеркалом и органическим светоизлучающим слоем.
23. Устройство по п. 1, в котором органическое светоизлучающее устройство дополнительно содержит:
стеклянную подложку;
обеспечивающий транспорт дырок слой, расположенный на анодном электроде органического светоизлучающего устройства;
причем зеркало включает в себя диэлектрическое наборное зеркало, причем диэлектрическое наборное зеркало расположено на стеклянной подложке, и диэлектрическое наборное зеркало содержит чередующиеся слои Ta2O5 и SiO2;
причем анодный электрод органического светоизлучающего устройства расположен на диэлектрическом наборном зеркале, и анодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит оксид индия и цинка;
причем органический светоизлучающий слой расположен на обеспечивающем транспорт дырок слое; и
причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства расположен на органическом светоизлучающем слое, где катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит наборной слой Mg:Ag/Alq3, причем слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм, Mg и Ag присутствуют в отношении 10:1 (Mg:Ag); и слой Alq3 характеризуется толщиной от 0 нм до 200 нм.
24. Устройство по п. 1, в котором фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
25. Устройство по п. 24, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
26. Устройство по п.1, в котором фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 700 нм до приблизительно 2000 нм.
27. Устройство по п. 26, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 700 нм.
28. Устройство по п. 1, в котором фотоэлектрический элемент содержит анодный электрод фотоэлектрического элемента и катодный электрод фотоэлектрического элемента.
29. Устройство по п. 28, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3.
30. Устройство по п. 29, в котором по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрод фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой магний:серебро, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний:серебро характеризуется отношением состава 10:1 (магний:серебро).
31. Устройство по п. 29, в котором по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрода фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой Alq3, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
32. Устройство по п. 28, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света.
33. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, является больше 1 мкм.
34. Устройство по п. 33, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 1 мкм.
35. Устройство по п. 33, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,70 мкм.
36. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, больше 0,85 мкм.
37. Устройство по п. 36, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 0,85 мкм.
38. Устройство по п. 36, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,85 мкм.
39. Способ изготовления устройства, предусматривающий:
формирование фотоэлектрического элемента, причем фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими длинами волн, причем одна или несколько длин волн находятся в диапазоне длины волн фотоэлектрического элемента и по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 0,70 мкм;
формирование органического светоизлучающего устройства; и
соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства,
причем формирование органического светоизлучающего устройства предусматривает:
формирование зеркала;
формирование анодного электрода органического светоизлучающего устройства на зеркале, причем анодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света;
формирование органического светоизлучающего слоя на анодном электроде органического светоизлучающего устройства; и
формирование катодного электрода органического светоизлучающего устройства на органическом светоизлучающем слое, причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света;
причем зеркало отражает первый диапазон длин волн видимого света, причем по меньшей мере первая часть видимого света, излучаемого органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длиной волны в пределах первого диапазона длины волн видимого света, и зеркало пропускает второй диапазон длины волн видимого света, причем органический светодиодный слой не излучает свет, характеризующийся длинами волн по меньшей мере в части второго диапазона длины волн видимого света.
40. Способ по п. 39, выполняемый таким образом, чтобы по меньшей мере часть света, падающего на входную поверхность фотоэлектрического элемента, которая проходит через фотоэлектрический элемент и выходит из выходной поверхности фотоэлектрического элемента, падала на входную поверхность органического светоизлучающего устройства, а затем проходила через органическое светоизлучающее устройство.
41. Способ по п. 39, в котором фотоэлектрический элемент расположен непосредственно на органическом светоизлучающем устройстве так, что фотоэлектрический элемент находится в непосредственном контакте с органическим светоизлучающим устройством.
42. Способ по п. 39, в котором формирование фотоэлектрического элемента предусматривает формирование фотоэлектрического элемента на оптически чистой пластмассовой пленке, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение оптически чистой пластмассовой пленки фотоэлектрического элемента к органическому светоизлучающему устройству.
43. Способ по п. 42, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено на оптически чистой пластмассовой пленке и объединено с ней, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение оптически чистой пластмассовой пленки фотоэлектрического элемента к оптически чистой пластмассовой пленке органического светоизлучающего устройства.
44. Способ по п. 39, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено на оптически чистой пластмассовой пленке и объединено с ней, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение фотоэлектрического элемента к оптически чистой пластмассовой пленке органического светоизлучающего устройства.
45. Способ по п. 39, в котором формирование фотоэлектрического элемента предусматривает формирование фотоэлектрического элемента на стеклянной подложке, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение стеклянной подложки фотоэлектрического элемента к органическому светоизлучающему устройству.
46. Способ по п. 45, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено на стеклянной подложке и объединено с ней, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение стеклянной подложки фотоэлектрического элемента к стеклянной подложке органического светоизлучающего устройства.
47. Способ по п. 39, в котором органическое светоизлучающее устройство выполнено на стеклянной подложке и объединено с ней, причем соединение фотоэлектрического элемента и органического светоизлучающего устройства предусматривает присоединение фотоэлектрического элемента к стеклянной подложке органического светоизлучающего устройства.
48. Способ по п. 39, в котором видимый свет, излучаемый органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длинами волн в первом диапазоне длин волн видимого света, причем органический светоизлучающий слой не излучает света, характеризующегося длинами волн во втором диапазоне длин волн видимого света.
49. Способ по п. 39, в котором зеркало включает в себя диэлектрическое наборное зеркало.
50. Способ по п. 49, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит слой Ta2O5 и слой SiO2.
51. Способ по п. 50, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит чередующиеся слои Ta2O5 и SiO2, причем каждый слой Ta2O5 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм, и каждый слой SiO2 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм.
52. Способ по п. 51, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит N слоев Ta2O, причем количество слоев SiO2 находится в диапазоне от N-1 до N+1, и N находится в диапазоне от 1 до 40.
53. Способ по п. 39, в котором формирование органического светоизлучающего устройства дополнительно предусматривает:
формирование обеспечивающего транспорт дырок слоя на анодном электроде органического светоизлучающего устройства перед формированием органического светоизлучающего слоя и
формирование слоя переноса электронов.
54. Способ по п. 39, в котором органический светоизлучающий слой содержит Ir(ppy)3, MEH-PPV, Alq3 или Flrpic.
55. Способ по п. 53, в котором обеспечивающий транспорт дырок слой содержит NPB, ТАРС, TFB или TPD.
56. Способ по п. 53, в котором слой переноса электронов содержит ВСР, Bphen, 3TPYMB или Alq3.
57. Способ по п. 39, в котором анодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магния:серебра/Alq3 (Mg:Ag/Alq3), причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя Mg:Ag/Alq3.
58. Способ по п. 57, в котором катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит наборной слой Mg:Ag/Alq3, причем слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм, Mg и Ag присутствуют в отношении 10:1 (Mg:Ag); и слой Alq3 характеризуется толщиной от 0 нм до 200 нм.
59. Способ по п. 39, в котором фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
60. Способ по п. 59, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
61. Способ по п. 39, в котором фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 700 нм до приблизительно 2000 нм.
62. Способ по п. 26, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 700 нм.
63. Способ по п. 39, в котором фотоэлектрический элемент содержит анодный электрод фотоэлектрического элемента и катодный электрод фотоэлектрического элемента.
64. Способ по п. 63, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3.
65. Способ по п. 64, в которой по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрода фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой магний:серебро, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний:серебро характеризуется отношением состава 10:1 (магний:серебро).
66. Способ по п. 64, в котором по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрода фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой Alq3, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
67. Способ по п. 63, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света.
68. Способ по п. 39, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, больше 1 мкм.
69. Способ по п. 68, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 1 мкм.
70. Способ по п. 68, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,70 мкм.
71. Способ по п. 39, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, больше 0,85 мкм.
72. Способ по п. 71, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 0,85 мкм.
73. Способ по п. 71, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,85 мкм.
74. Способ освещения области, предусматривающий обеспечение устройства, содержащего:
органическое светоизлучающее устройство и
фотоэлектрический элемент, причем фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими длинами волн, причем одна или несколько длин волн находятся в диапазоне длин волн фотоэлектрического элемента, и по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 0,70 мкм; и при этом органическое светоизлучающее устройство содержит:
органический светоизлучающий слой;
зеркало;
анодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем анодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света; и
катодный электрод органического светоизлучающего устройства, причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства является прозрачным для видимого света,
причем органический светодиодный слой расположен между анодным электродом органического светоизлучающего устройства и катодным электродом органического светоизлучающего устройства, и зеркало расположено таким образом, чтобы один из анодного электрода органического светоизлучающего устройства и катодного электрода органического светоизлучающего устройства располагался между зеркалом и органическим светоизлучающим слоем, и
зеркало отражает первый диапазон длины волн видимого света, причем по меньшей мере первая часть видимого света, излучаемого органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длиной волны в пределах первого диапазона длины волн видимого света, и зеркало пропускает второй диапазон длины волн видимого света, причем органический светодиодный слой не излучает свет, характеризующийся длинами волн, по меньшей мере в части второго диапазона длины волн видимого света.
75. Способ по п. 74, в котором устройство выполнено таким образом, что по меньшей мере часть света, падающего на входную поверхность фотоэлектрического элемента, которая проходит через фотоэлектрический элемент и выходит из выходной поверхности фотоэлектрического элемента, падала на входную поверхность органического светоизлучающего устройства, а затем проходила через органическое светоизлучающее устройство.
76. Способ по п. 74, в котором фотоэлектрический элемент расположен непосредственно на органическом светоизлучающем устройстве так, что фотоэлектрический элемент находится в непосредственном контакте с органическим светоизлучающим устройством.
77. Способ по п. 74, в котором устройство дополнительно содержит по меньшей мере одну оптически чистую пластмассовую пленку, расположенную между фотоэлектрическим элементом и органическим светоизлучающим устройством.
78. Способ по п. 74, в котором устройство дополнительно содержит по меньшей мере одну стеклянную подложку, расположенную межу фотоэлектрическим элементом и органическим светоизлучающим устройством.
79. Способ по п. 74, в котором видимый свет, излучаемый органическим светоизлучающим слоем, характеризуется длинами волн в первом диапазоне длин волн видимого света, причем органический светоизлучающий слой не излучает света, характеризующегося длинами волн во втором диапазоне длин волн видимого света.
80. Способ по п. 74, в котором зеркало включает в себя диэлектрическое наборное зеркало.
81. Способ по п. 80, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит слой Ta2O5 и слой SiO2.
82. Способ по п. 81, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит чередующиеся слои Ta2O5 и SiO2, причем каждый слой Ta2O5 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм, и каждый слой SiO2 характеризуется толщиной от приблизительно 10 нм до приблизительно 100 нм.
83. Способ по п. 82, в котором диэлектрическое наборное зеркало содержит N слоев Ta2O, причем количество слоев SiO2 находится в диапазоне от N-1 до N+1, и N находится в диапазоне от 1 до 40.
84. Способ по п. 74, в котором органическое светоизлучающее устройство дополнительно содержит обеспечивающий транспорт дырок слой и слой переноса электронов.
85. Способ по п. 74, в котором органический светоизлучающий слой содержит Ir(ppy)3, MEH-PPV, Alq3 или Flrpic.
86. Способ по п. 84, в котором обеспечивающий транспорт дырок слой содержит NPB, ТАРС, TFB или TPD.
87. Способ по п. 84, в котором слой переноса электронов содержит ВСР, Bphen, 3TPYMB или Alq3.
88. Способ по п. 74, в котором анодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3 (Mg:Ag/Alq3), причем катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя Mg:Ag/Alq3.
89. Способ по п. 88, в котором катодный электрод органического светоизлучающего устройства содержит наборной слой Mg:Ag/Alq3, причем слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм, Mg и Ag присутствуют в отношении 10:1 (Mg:Ag); и слой Alq3 характеризуется толщиной от 0 нм до 200 нм.
90. Способ по п. 74, в котором фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
91. Способ по п. 90, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
92. Способ по п. 74, в котором фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 700 нм до приблизительно 2000 нм.
93. Способ по п. 92, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 700 нм.
94. Способ по п. 74, в котором фотоэлектрический элемент содержит анодный электрод фотоэлектрического элемента и катодный электрод фотоэлектрического элемента.
95. Способ по п. 94, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний:серебро/Alq3.
96. Способ по п. 95, в котором по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрода фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой магний:серебро, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний:серебро характеризуется отношением состава 10:1 (магний:серебро).
97. Способ по п. 95, в котором по меньшей мере один из анодного электрода фотоэлектрического элемента или катодного электрода фотоэлектрического элемента содержит наборной слой магний:серебро/Alq3, причем слой Alq3, входящий в состав наборного слоя магний:серебро/Alq3, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
98. Способ по п. 94, в котором анодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света, причем катодный электрод фотоэлектрического элемента является прозрачным по меньшей мере для части видимого света, а также по меньшей мере для части инфракрасного света.
99. Способ по п. 74, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, больше 1 мкм.
100. Способ по п. 99, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 1 мкм.
101. Способ по п. 99, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,70 мкм.
102. Способ по п. 74, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, больше 0,85 мкм.
103. Способ по п. 102, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн, к которым чувствителен фотоэлектрический элемент, находится в диапазоне от 0,70 мкм до 0,85 мкм.
104. Способ по п. 102, в котором фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 0,85 мкм.
RU2013147701/28A 2011-04-05 2012-04-03 Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель RU2013147701A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161472079P 2011-04-05 2011-04-05
US61/472,079 2011-04-05
PCT/US2012/032002 WO2012138658A2 (en) 2011-04-05 2012-04-03 Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting oled lighting and an ir sensitive photovoltaic panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013147701A true RU2013147701A (ru) 2015-05-10

Family

ID=46969775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013147701/28A RU2013147701A (ru) 2011-04-05 2012-04-03 Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9190458B2 (ru)
EP (1) EP2695214B1 (ru)
JP (1) JP6108557B2 (ru)
KR (1) KR101970022B1 (ru)
CN (1) CN103460429B (ru)
AU (1) AU2012240349A1 (ru)
CA (1) CA2832078A1 (ru)
MX (1) MX2013011599A (ru)
RU (1) RU2013147701A (ru)
SG (1) SG193602A1 (ru)
WO (1) WO2012138658A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2886404A1 (en) 2012-09-27 2014-04-03 Rhodia Operations Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process
US10608184B2 (en) * 2012-12-03 2020-03-31 The University Of Akron Organic polymer photo device with broadband response and increased photo-responsitivity
DE102013016158B4 (de) * 2013-09-30 2016-02-18 Futuredynamics Gmbh Flächenelement zum Leuchten und Heizen
EP3164564A1 (en) * 2014-07-02 2017-05-10 Philips Lighting Holding B.V. A window system including lighting and solar energy collection
KR101763258B1 (ko) * 2014-07-16 2017-08-03 순천향대학교 산학협력단 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102244074B1 (ko) * 2014-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 조명장치 및 그 제조방법
ES2836849T3 (es) 2014-11-21 2021-06-28 Nokia Technologies Oy Un aparato, procedimiento y programa de ordenador para identificar rasgos biométricos
CN104576968A (zh) * 2015-02-10 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置
JP7093988B2 (ja) * 2016-01-21 2022-07-01 公立大学法人公立諏訪東京理科大学 透過型薄膜太陽電池
EP4006994A1 (en) * 2020-11-26 2022-06-01 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Optoelectronic device
CN112490265B (zh) * 2020-11-27 2022-08-02 电子科技大学 一种上转换低开启电压红外探测-发光器件及其制备方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122762A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Asahi Chem Ind Co Ltd 薄膜光起電力装置
US5853497A (en) 1996-12-12 1998-12-29 Hughes Electronics Corporation High efficiency multi-junction solar cells
JPH1115079A (ja) * 1997-06-23 1999-01-22 Seiko Epson Corp 表示装置
US6879618B2 (en) * 2001-04-11 2005-04-12 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity
JP2003109775A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Sony Corp 有機電界発光素子
US20040185195A1 (en) 2002-08-06 2004-09-23 Anderson Christopher C. Laminated glass and structural glass with integrated lighting, sensors and electronics
US7119359B2 (en) 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US20050233168A1 (en) 2004-04-16 2005-10-20 Magno John N Method of aligning an OLED and device made
US8115093B2 (en) 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
EP1701395B1 (de) 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
EP1727221B1 (de) 2005-05-27 2010-04-14 Novaled AG Transparente organische Leuchtdiode
WO2007047779A1 (en) 2005-10-14 2007-04-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for light emission utilizing an oled with a microcavity
US20080121271A1 (en) 2006-05-03 2008-05-29 Rochester Institute Of Technology Multi-junction, photovoltaic devices with nanostructured spectral enhancements and methods thereof
JP2010500715A (ja) * 2006-08-08 2010-01-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積デバイス
EP1903610A3 (de) 2006-09-21 2012-03-28 OPTREX EUROPE GmbH OLED-Anzeige
WO2008140601A1 (en) 2006-12-06 2008-11-20 Solexant Corporation Nanophotovoltaic device with improved quantum efficiency
WO2009009695A1 (en) * 2007-07-10 2009-01-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. Top-emission organic light-emitting devices with microlens arrays
KR101479803B1 (ko) 2007-07-23 2015-01-06 바스프 에스이 광전 탠덤 전지
GB2452737B (en) 2007-09-12 2011-09-14 Roger Seaman Light emitting and/or receiving apparatus
SG186643A1 (en) * 2007-12-13 2013-01-30 Technion Res & Dev Foundation Photovoltaic cells comprising group iv-vi semiconductor core-shell nanocrystals
WO2010033518A1 (en) 2008-09-16 2010-03-25 Plextronics, Inc. Integrated organic photovoltaic and light emitting diode device
CN102197508B (zh) * 2008-10-21 2017-06-23 Oled工厂有限责任公司 透明oled器件
US8563850B2 (en) 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
KR101156429B1 (ko) * 2009-06-01 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
JP5390941B2 (ja) * 2009-06-03 2014-01-15 日本航空電子工業株式会社 可視光ミラー、可視光発振ガスレーザ、及びリングレーザジャイロ
CN102484121A (zh) * 2009-09-01 2012-05-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有电源的照明设备
JP2011065927A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp 発光装置
KR101098374B1 (ko) 2009-09-22 2011-12-23 금호전기주식회사 태양전지를 이용한 조명장치
CN103493199B (zh) 2011-04-05 2016-11-23 佛罗里达大学研究基金会有限公司 用于将红外（ir）光伏电池集成在薄膜光伏电池上的方法和装置
RU2013148837A (ru) 2011-04-05 2015-05-10 Юниверсити Оф Флорида Рисеч Фаундэйшн, Инк. Способ и устройство для обеспечивающего твердотельное освещение окна с использованием, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением

Also Published As

Publication number Publication date
US20140070191A1 (en) 2014-03-13
WO2012138658A8 (en) 2012-12-13
US9190458B2 (en) 2015-11-17
WO2012138658A3 (en) 2013-01-31
SG193602A1 (en) 2013-10-30
CN103460429B (zh) 2016-03-02
JP6108557B2 (ja) 2017-04-05
KR20140027215A (ko) 2014-03-06
MX2013011599A (es) 2013-12-16
CN103460429A (zh) 2013-12-18
JP2014514710A (ja) 2014-06-19
EP2695214A2 (en) 2014-02-12
EP2695214B1 (en) 2017-12-20
CA2832078A1 (en) 2012-10-11
EP2695214A4 (en) 2014-08-27
KR101970022B1 (ko) 2019-08-13
WO2012138658A2 (en) 2012-10-11
AU2012240349A1 (en) 2013-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013147701A (ru) Способ и устройство для обеспечения окна, содержащего устройство освещения на основе, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением и чувствительную к ик-излучению фотоэлектрическую панель
RU2013148837A (ru) Способ и устройство для обеспечивающего твердотельное освещение окна с использованием, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением
JP5769724B2 (ja) 赤外線放射を感知する方法および装置
KR102031996B1 (ko) Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스
US9960373B2 (en) Substrate for photoelectric device and photoelectric device comprising same
US9437835B2 (en) Transparent infrared-to-visible up-conversion device
WO2013187119A1 (ja) 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
CN108878667A (zh) 发光器件及其制作方法、电子装置
RU2013134950A (ru) Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты
JP2005156871A (ja) 露光光源
JP6387828B2 (ja) 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置
WO2017141748A1 (ja) 有機ｅｌ素子、並びに照明装置、面状光源及び表示装置
TW200412824A (en) Organic electroluminescence display device and the fabricating method
GB2548161A (en) Light-emitting device and luminaire
JP2008258058A (ja) 有機ｅｌ素子及び光配線モジュール
TW200529693A (en) Full color organic electroluminescence device with double layer emission pixel

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150406