RU2013134950A - Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты - Google Patents
Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013134950A RU2013134950A RU2013134950/28A RU2013134950A RU2013134950A RU 2013134950 A RU2013134950 A RU 2013134950A RU 2013134950/28 A RU2013134950/28 A RU 2013134950/28A RU 2013134950 A RU2013134950 A RU 2013134950A RU 2013134950 A RU2013134950 A RU 2013134950A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- radiation
- infrared
- visible radiation
- transparent electrode
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract 35
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title claims abstract 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-6-pyridin-3-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)borane Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)(C=2C=NC=CC=2)C1B(C1C(C=C(C)C=C1C)(C)C=1C=NC=CC=1)C1C(C)=CC(C)=CC1(C)C1=CC=CN=C1 ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 4,6-difluorophenyl Chemical group 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 claims 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- DGQPXSGKGUYXGA-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 DGQPXSGKGUYXGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims 1
- 239000011269 tar Substances 0.000 claims 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
1. Устройство преобразования с повышением частоты, имеющее структуру, из нескольких расположенных друг над другом слоев, содержащее пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой, прозрачный электрод для входа ИК-излучения, активируемый ИК-излучением слой, светодиодный (СИД) слой, и прозрачный электрод для выхода видимого излучения, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой расположен между источником ИК-излучения и светодиодным слоем, при этом пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой препятствует прохождению видимого излучения с длиной волны, испускаемой светодиодным слоем, и допускает прохождение излучения в ближней инфракрасной области в активируемый ИК-излучением слой.2. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой является композитной структурой, содержащей несколько пар чередующихся пленок из материалов с различными показателями преломления.3. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 2, в котором две чередующихся пленки содержат композитный материал на основе TaOи SiOили композитный материал на основе LiF и TeO.4. Устройство преобразования с повышением частоты по п.1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой содержит одну или несколько пленок на основе Si, CdS, InP и/или CdTe.5. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный электрод для входа ИК-излучения содержит оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродные нанотр
Claims (13)
1. Устройство преобразования с повышением частоты, имеющее структуру, из нескольких расположенных друг над другом слоев, содержащее пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой, прозрачный электрод для входа ИК-излучения, активируемый ИК-излучением слой, светодиодный (СИД) слой, и прозрачный электрод для выхода видимого излучения, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой расположен между источником ИК-излучения и светодиодным слоем, при этом пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой препятствует прохождению видимого излучения с длиной волны, испускаемой светодиодным слоем, и допускает прохождение излучения в ближней инфракрасной области в активируемый ИК-излучением слой.
2. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой является композитной структурой, содержащей несколько пар чередующихся пленок из материалов с различными показателями преломления.
3. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 2, в котором две чередующихся пленки содержат композитный материал на основе Ta2O5 и SiO2 или композитный материал на основе LiF и TeO2.
4. Устройство преобразования с повышением частоты по п.1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой содержит одну или несколько пленок на основе Si, CdS, InP и/или CdTe.
5. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный электрод для входа ИК-излучения содержит оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродные нанотрубки или серебряные нанопровода.
6. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный электрод для выхода видимого излучения содержит: оксид индия и олова (ОИО); оксид индия и цинка (ОИЦ); оксид алюминия и олова (ОАО); оксид алюминия и цинка (ОАЦ); углеродные нанотрубки; серебряные нанопровода; стопку из Mg:Ag или стопку из Mg:Ag и Alq3.
7. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 6, в котором слой Mg:Ag прозрачного электрода для выхода видимого излучения характеризуется соотношением 10:1 и толщиной менее 30 нм.
8. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 6, в котором слой Alq3 прозрачного электрода для выхода видимого излучения характеризуется толщиной менее 200 нм.
9. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором светодиодный слой содержит слой переноса электронов (СПЭ), светоизлучающий слой и слой переноса дырок (СПД).
10. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором СПЭ содержит трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), а также трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq3).
11. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором светоизлучающий слой содержит трис-(2-фенилпиридин)иридий, Ir(ppy)3, поли-[2-метокси-5-(2′-этил-гексилокси)фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq3), или бис-[(4,6-дифторфенил)пиридинат-N,C2′]пиколинат иридия (III) (FIrpic).
12. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором слой переноса дырок (СПД) содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (ТАРС), N,N′-дифенил-N,N′(2-нафтил)-(1,1,-фенил)-4,4′-диамин (NPB), а также N,N′-дифенил-N,N′-ди(м-толил)бензидин (TPD).
13. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой расположен между источником ИК-излучения и прозрачным электродом для входа ИК-излучения.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161447415P | 2011-02-28 | 2011-02-28 | |
| US61/447,415 | 2011-02-28 | ||
| PCT/US2011/056159 WO2012118528A1 (en) | 2011-02-28 | 2011-10-13 | Infrared pass visible blocker for upconversion devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013134950A true RU2013134950A (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=46758248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013134950/28A RU2013134950A (ru) | 2011-02-28 | 2011-10-13 | Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8598573B1 (ru) |
| EP (1) | EP2681775A1 (ru) |
| JP (1) | JP2014510374A (ru) |
| KR (1) | KR20140029397A (ru) |
| CN (1) | CN103460403A (ru) |
| BR (1) | BR112013021194A2 (ru) |
| CA (1) | CA2828304A1 (ru) |
| MX (1) | MX2013009893A (ru) |
| RU (1) | RU2013134950A (ru) |
| SG (1) | SG192581A1 (ru) |
| WO (1) | WO2012118528A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105320333B (zh) * | 2014-07-29 | 2018-10-23 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 有机电激发光抗扰触控面板 |
| US9948837B1 (en) * | 2017-05-01 | 2018-04-17 | Logitech Europe S.A. | Modular video camera system |
| KR101962214B1 (ko) | 2017-09-07 | 2019-03-27 | 부산대학교 산학협력단 | 업컨버전 광학 필름, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지 |
| CN111063680A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-24 | 北京大学深圳研究生院 | 一种基于交流驱动平面型显示单元的上转换器件 |
| CN112331774B (zh) * | 2020-11-04 | 2022-12-30 | 上海交通大学 | 砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备 |
| WO2023133491A1 (en) * | 2022-01-07 | 2023-07-13 | Carl Zeiss X-Ray Microscopy Inc. | Semiconductor x-ray detector with light emitting layer and method therefor |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3800156A (en) * | 1966-08-15 | 1974-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Infrared image converting device |
| US5339198A (en) * | 1992-10-16 | 1994-08-16 | The Dow Chemical Company | All-polymeric cold mirror |
| JPH06326350A (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 赤外可視変換素子 |
| JPH0758355A (ja) * | 1993-05-12 | 1995-03-03 | Optical Coating Lab Inc | Ｕｖ／ｉｒ反射太陽電池カバー |
| AU732048B2 (en) * | 1997-07-24 | 2001-04-12 | Corning Incorporated | Transparent lanthanum fluoride glass-ceramics |
| JP2001339099A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Showa Denko Kk | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、およびこれを用いた発光ダイオード |
| US20030230980A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Forrest Stephen R | Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure |
| US20040031965A1 (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-19 | Forrest Stephen R. | Organic photonic integrated circuit using an organic photodetector and a transparent organic light emitting device |
| CN1187841C (zh) * | 2002-08-29 | 2005-02-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 窄带光谱响应的量子阱红外探测器 |
| CA2447828C (en) * | 2003-10-15 | 2012-07-03 | National Research Council Of Canada | Wavelength conversion device with avalanche multiplier |
| US7326908B2 (en) * | 2004-04-19 | 2008-02-05 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
| CN1828345A (zh) * | 2005-03-04 | 2006-09-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 一种滤光装置及其制造方法 |
| US7696682B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device using Mg—Ag thin film and manufacturing method thereof |
| CN1811494A (zh) * | 2006-03-01 | 2006-08-02 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于分形结构的多通道位置独立可调滤光片 |
| EP2007132B1 (en) * | 2006-03-28 | 2013-05-08 | Kyocera Corporation | Night vision device |
| JP2008026013A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | シンチレータパネルおよび放射線検出器 |
| KR101513311B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2015-04-22 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. | 적외선 감지 및 표시를 위한 방법 및 장치 |
| KR20100018851A (ko) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | 삼성전자주식회사 | 적외선 차단 필터를 구비하는 시모스 이미지 센서 및 그제조방법 |
| US8115203B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-02-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Photoconductors for mid-/far-IR detection |
| US8445849B2 (en) * | 2009-03-18 | 2013-05-21 | Pixart Imaging Inc. | IR sensing device |
| KR101641618B1 (ko) * | 2009-08-05 | 2016-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가시광 차단 부재, 가시광 차단 부재를 포함하는 적외선 센서 및 적외선 센서를 포함하는 액정 표시 장치 |
-
2011
- 2011-10-13 JP JP2013556604A patent/JP2014510374A/ja active Pending
- 2011-10-13 KR KR1020137025493A patent/KR20140029397A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-10-13 BR BR112013021194A patent/BR112013021194A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-10-13 EP EP11859925.7A patent/EP2681775A1/en not_active Withdrawn
- 2011-10-13 WO PCT/US2011/056159 patent/WO2012118528A1/en active Application Filing
- 2011-10-13 CA CA2828304A patent/CA2828304A1/en not_active Abandoned
- 2011-10-13 CN CN2011800685412A patent/CN103460403A/zh active Pending
- 2011-10-13 SG SG2013056825A patent/SG192581A1/en unknown
- 2011-10-13 RU RU2013134950/28A patent/RU2013134950A/ru unknown
- 2011-10-13 MX MX2013009893A patent/MX2013009893A/es not_active Application Discontinuation
- 2011-10-13 US US13/272,886 patent/US8598573B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140029397A (ko) | 2014-03-10 |
| BR112013021194A2 (pt) | 2019-09-24 |
| EP2681775A1 (en) | 2014-01-08 |
| CN103460403A (zh) | 2013-12-18 |
| US8598573B1 (en) | 2013-12-03 |
| MX2013009893A (es) | 2013-10-30 |
| CA2828304A1 (en) | 2012-09-07 |
| JP2014510374A (ja) | 2014-04-24 |
| WO2012118528A1 (en) | 2012-09-07 |
| SG192581A1 (en) | 2013-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Xiang et al. | A systematic study on efficiency enhancements in phosphorescent green, red and blue microcavity organic light emitting devices | |
| JP6309449B2 (ja) | Ｃｍｏｓ画像センサー内蔵ｉｒアップコンバージョン装置を組み込んだ赤外線撮像装置 | |
| RU2013158845A (ru) | Прозрачное устройство преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение с повышением частоты | |
| Kim et al. | Organic infrared upconversion device | |
| RU2013139232A (ru) | Устройства преобразования с повышением частоты, содержащие широкополосный поглотитель | |
| EP2695214B1 (en) | Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting oled lighting and an ir sensitive photovoltaic panel | |
| RU2013134950A (ru) | Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты | |
| RU2013148837A (ru) | Способ и устройство для обеспечивающего твердотельное освещение окна с использованием, по меньшей мере, частично прозрачного органического светоизлучающего устройства с односторонним излучением | |
| RU2013139230A (ru) | Фотодетектор и устройство преобразования с повышением частоты и усилением (эп) | |
| CA2800549A1 (en) | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device | |
| WO2016206448A1 (zh) | 电致发光器件及其制作方法和驱动方法、显示装置 | |
| Shin et al. | A Comparison Study on Quantum Dots Light Emitting Diodes Using SnO 2 and TiO 2 Nanoparticles as Solution Processed Double Electron Transport Layers | |
| Kim et al. | 20.4: Distinguished Paper: Quantum‐dot Light Emitting Diodes with Charge Generation Layers | |
| KR20150114179A (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광소자 | |
| Ecton | Phosphorescent Organic Light Emitting Diodes Implementing Platinum Complexes | |
| Wrzesniewski III | Structural and optical enhancement of organic light emitting diodes | |
| AU2011360919A1 (en) | Infrared pass visible blocker for upconversion devices | |
| TW200428906A (en) | Organic electroluminescence device and organic electroluminescence panel |