RU2013158845A - Прозрачное устройство преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение с повышением частоты - Google Patents
Прозрачное устройство преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение с повышением частоты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013158845A RU2013158845A RU2013158845/28A RU2013158845A RU2013158845A RU 2013158845 A RU2013158845 A RU 2013158845A RU 2013158845/28 A RU2013158845/28 A RU 2013158845/28A RU 2013158845 A RU2013158845 A RU 2013158845A RU 2013158845 A RU2013158845 A RU 2013158845A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- layered structure
- conversion device
- transparent
- visible radiation
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- -1 Bphen Chemical compound 0.000 claims abstract 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract 2
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-6-pyridin-3-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)borane Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)(C=2C=NC=CC=2)C1B(C1C(C=C(C)C=C1C)(C)C=1C=NC=CC=1)C1C(C)=CC(C)=CC1(C)C1=CC=CN=C1 ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- DGQPXSGKGUYXGA-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-phenylpyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 DGQPXSGKGUYXGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N tin(ii) phthalocyanine Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Sn]N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
1. Прозрачное устройство преобразования с повышением частоты, содержащее многоуровневую слоистую структуру, содержащую: прозрачный анод; по меньшей мере один блокирующий дырки слой; активируемый инфракрасным излучением слой; по меньшей мере один обеспечивающий транспорт дырок слой; светоизлучающий слой; по меньшей мере один слой переноса электронов и прозрачный катод.2. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором многоуровневая слоистая структура характеризуется толщиной менее одного микрона.3. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором многоуровневая слоистая структура выполнена с возможностью по меньшей мере 20 процентного пропускания видимого излучения через многоуровневую слоистую структуру.4. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный анод или прозрачный катод на поверхности входа падающего инфракрасного излучения в многоуровневую слоистую структуру характеризуются пропусканием инфракрасного излучения, составляющим по меньшей мере 50%, причем поверхность для выхода видимого излучения из многоуровневой слоистой структуры характеризуется пропусканием видимого излучения, составляющим по меньшей мере 50%.5. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный анод включает в себя оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродные нанотрубки или серебряные нанопровода.6. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором блокирующий дырки слой включает в себя TiO, ZnO, BCP, Bphen, 3TPYMB или UGH2.7. Устройство преобразования с повышение
Claims (16)
1. Прозрачное устройство преобразования с повышением частоты, содержащее многоуровневую слоистую структуру, содержащую: прозрачный анод; по меньшей мере один блокирующий дырки слой; активируемый инфракрасным излучением слой; по меньшей мере один обеспечивающий транспорт дырок слой; светоизлучающий слой; по меньшей мере один слой переноса электронов и прозрачный катод.
2. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором многоуровневая слоистая структура характеризуется толщиной менее одного микрона.
3. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором многоуровневая слоистая структура выполнена с возможностью по меньшей мере 20 процентного пропускания видимого излучения через многоуровневую слоистую структуру.
4. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный анод или прозрачный катод на поверхности входа падающего инфракрасного излучения в многоуровневую слоистую структуру характеризуются пропусканием инфракрасного излучения, составляющим по меньшей мере 50%, причем поверхность для выхода видимого излучения из многоуровневой слоистой структуры характеризуется пропусканием видимого излучения, составляющим по меньшей мере 50%.
5. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный анод включает в себя оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродные нанотрубки или серебряные нанопровода.
6. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором блокирующий дырки слой включает в себя TiO2, ZnO, BCP, Bphen, 3TPYMB или UGH2.
7. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором активируемый инфракрасным излучением слой включает в себя КП PbSe, КП PbS, пленку на основе PbSe, пленку на основе PbS, пленку на основе InAs, пленку на основе InGaAs, пленку на основе Si, пленку на основе Ge, пленку на основе GaAs, перилен-3,4,9,10-тетракарбон-3,4,9,10-диангидрид (PTCDA), фталоцианин (SnPc) олова(II), SnPc:C60, фталоцианинхлорид алюминия (AlPcCl), AlPcCl:C60, фталоцианин титанила (TiOPc) или TiOPc:C60.
8. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором обеспечивающий транспорт дырок слой содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (TAPC), N,N′-дифенил-N,N′(2-нафтил)-(1,1′-фенил)-4,4′-диамин (NPB) или N,N′-дифенил-N,N′-ди(м-толил)бензидин (TPD).
9. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором светоизлучающий слой содержит трис-(2-фенилпиридин)иридий, Ir(ppy)3, поли-[2-метокси, 5-(2′-этилгексилокси)фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq3) или бис-[(4,6-дифторфенил)пиридинат-N,C2′]пиколинат иридия(III) (FIrpic).
10. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором слой переноса электронов содержит трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BCP), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen) или трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq3).
11. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный катод содержит слой, включающий Mg и Ag в отношении 10:1, толщиной менее 30 нм.
12. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, дополнительно содержащее антиотражательный слой.
13. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 11, в котором антиотражательный слой содержит слой Alq3 толщиной менее 200 нм.
14. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, дополнительно содержащее пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой.
15. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 13, в котором пропускающий инфракрасное излучение и блокирующий видимое излучение слой содержит несколько чередующихся слоев на основе материалов, характеризующихся различными показателями преломления.
16. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 14, в котором материалы включают в себя Ta2O5 и SiO2, причем каждый из от 2 до 80 чередующихся слоев характеризуется толщиной от 10 до 100 нм.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161493696P | 2011-06-06 | 2011-06-06 | |
| US61/493,696 | 2011-06-06 | ||
| PCT/US2012/040981 WO2012170457A2 (en) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Transparent infrared-to-visible up-conversion device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013158845A true RU2013158845A (ru) | 2015-07-20 |
Family
ID=47296704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013158845/28A RU2013158845A (ru) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Прозрачное устройство преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение с повышением частоты |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9437835B2 (ru) |
| EP (1) | EP2718991A4 (ru) |
| JP (1) | JP2014529090A (ru) |
| KR (1) | KR20140048193A (ru) |
| CN (1) | CN103597624A (ru) |
| AU (1) | AU2012268323A1 (ru) |
| BR (1) | BR112013031160A2 (ru) |
| CA (1) | CA2837742A1 (ru) |
| MX (1) | MX2013014316A (ru) |
| RU (1) | RU2013158845A (ru) |
| SG (1) | SG194905A1 (ru) |
| WO (1) | WO2012170457A2 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101558348B (zh) | 2006-09-29 | 2013-03-06 | 佛罗里达大学研究基金公司 | 用于红外检测和显示的方法和设备 |
| EP2577747B1 (en) | 2010-05-24 | 2018-10-17 | University of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| WO2013000163A1 (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 顶发射柔性有机电致发光器件及其制备方法 |
| US20140110693A1 (en) * | 2011-06-30 | 2014-04-24 | Mingjie Zhou | Top-emitting organic electroluminescent device and manufacturing method thereof |
| MX2013015214A (es) | 2011-06-30 | 2014-03-21 | Nanoholdings Llc | Metodo y aparato para detectar radiacion infrarroja con ganancia. |
| EP2948984A4 (en) * | 2013-01-25 | 2016-08-24 | Univ Florida | Novel IR IMAGE SENSOR WITH A SOLUTION-PROCESSED PBS LIGHT DETECTOR |
| CN103971629A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 胜华科技股份有限公司 | 有机电致发光显示器 |
| KR102149937B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2020-09-01 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 및 이미지 센서 |
| CN104576968A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| WO2017039774A2 (en) | 2015-06-11 | 2017-03-09 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
| CN105261713B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-09-29 | 云南大学 | 一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法 |
| KR102650330B1 (ko) * | 2016-08-24 | 2024-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN106876435B (zh) * | 2017-03-03 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法 |
| JP7245611B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2023-03-24 | 三星電子株式会社 | 近赤外線有機光センサが組み込まれた有機発光ダイオードパネル及びこれを含む表示装置 |
| CN109309102A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | Tcl集团股份有限公司 | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 |
| CN110197860B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-05-28 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途 |
| WO2024097872A2 (en) * | 2022-11-02 | 2024-05-10 | Regents Of The University Of Minnesota | Films and devices for photon upconversion of infrared light |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| KR20010040487A (ko) * | 1998-02-02 | 2001-05-15 | 유니액스 코포레이션 | Ｘ-ｙ 번지지정 가능한 전기 마이크로스위치 어레이 및이를 사용한 센서 매트릭스 |
| JP2003083809A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。 |
| CN1498049A (zh) | 2002-10-09 | 2004-05-19 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改善电压稳定性的级联有机电致发光器件 |
| JP2005266537A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 赤外線透過フィルタ及び該赤外線透過フィルタを具備する赤外線投光器 |
| US7300731B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-11-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Spatially-doped charge transport layers |
| JP2006259124A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Kawai Optical Co Ltd | コールドミラー |
| US20060246315A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Begley William J | Phosphorescent oled with mixed electron transport materials |
| CN100424897C (zh) | 2005-09-28 | 2008-10-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 氮化镓基红外-可见波长转换探测器 |
| CN101421664B (zh) * | 2006-03-02 | 2011-08-31 | 化合物光子学公司 | 光寻址空间光调制器以及方法 |
| EP2380221A2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-10-26 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Transparent organic light emitting diode |
| JP2010182633A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 |
| DE102009018647A1 (de) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| US8796699B2 (en) * | 2009-11-24 | 2014-08-05 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| EP2577747B1 (en) * | 2010-05-24 | 2018-10-17 | University of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
-
2012
- 2012-06-06 JP JP2014514569A patent/JP2014529090A/ja active Pending
- 2012-06-06 CN CN201280027199.6A patent/CN103597624A/zh active Pending
- 2012-06-06 KR KR1020147000226A patent/KR20140048193A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 RU RU2013158845/28A patent/RU2013158845A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 EP EP12797397.2A patent/EP2718991A4/en not_active Withdrawn
- 2012-06-06 MX MX2013014316A patent/MX2013014316A/es not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 WO PCT/US2012/040981 patent/WO2012170457A2/en active Application Filing
- 2012-06-06 BR BR112013031160A patent/BR112013031160A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-06-06 CA CA2837742A patent/CA2837742A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 US US14/124,158 patent/US9437835B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-06 AU AU2012268323A patent/AU2012268323A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 SG SG2013083530A patent/SG194905A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2718991A4 (en) | 2015-05-13 |
| US20140175410A1 (en) | 2014-06-26 |
| MX2013014316A (es) | 2014-01-23 |
| CA2837742A1 (en) | 2012-12-13 |
| AU2012268323A1 (en) | 2014-01-16 |
| SG194905A1 (en) | 2013-12-30 |
| US9437835B2 (en) | 2016-09-06 |
| JP2014529090A (ja) | 2014-10-30 |
| KR20140048193A (ko) | 2014-04-23 |
| WO2012170457A2 (en) | 2012-12-13 |
| EP2718991A2 (en) | 2014-04-16 |
| BR112013031160A2 (pt) | 2017-02-07 |
| CN103597624A (zh) | 2014-02-19 |
| WO2012170457A3 (en) | 2013-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013158845A (ru) | Прозрачное устройство преобразования инфракрасного излучения в видимое излучение с повышением частоты | |
| RU2013158842A (ru) | Инфракрасное устройство отображения, объединяющее устройство преобразования инфракрасного излучения с повышением частоты с датчиком изображения на кмоп-структуре | |
| US9190458B2 (en) | Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting OLED lighting and an IR sensitive photovoltaic panel | |
| US8716701B2 (en) | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device | |
| US20140060613A1 (en) | Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell | |
| RU2013134950A (ru) | Пропускающая инфракрасное излучение и блокирующая видимое излучение система для устройств преобразования с повышением частоты |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20150608 |