MX2013014316A - Dispositivo transparente de conversion ascendente de luz infrarroja a visible. - Google Patents
Dispositivo transparente de conversion ascendente de luz infrarroja a visible.Info
- Publication number
- MX2013014316A MX2013014316A MX2013014316A MX2013014316A MX2013014316A MX 2013014316 A MX2013014316 A MX 2013014316A MX 2013014316 A MX2013014316 A MX 2013014316A MX 2013014316 A MX2013014316 A MX 2013014316A MX 2013014316 A MX2013014316 A MX 2013014316A
- Authority
- MX
- Mexico
- Prior art keywords
- layer
- light
- further characterized
- conversion device
- visible light
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 16
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 aluminum-tin oxide Chemical compound 0.000 claims description 9
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 9
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(4-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DETFWTCLAIIJRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[2-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RIKNNBBGYSDYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 claims description 3
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-6-pyridin-3-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)borane Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)(C=2C=NC=CC=2)C1B(C1C(C=C(C)C=C1C)(C)C=1C=NC=CC=1)C1C(C)=CC(C)=CC1(C)C1=CC=CN=C1 ZMKRXXDBXFWSQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical compound [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N tin(ii) phthalocyanine Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Sn]N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
- H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Algunas modalidades de la invención están dirigidas a un dispositivo transparente que tienen dos electrodos transparentes; en algunas modalidades de la invención, el dispositivo de conversión ascendente incluye una pila de capas procedentes de un sustrato transparente que incluye un ánodo, una capa bloqueadora de agujeros, una capa sensibilizadora de luz IR, una capa transportadora a través de agujeros, una capa emisora de luz, una capa transportadora de electrones, un cátodo y una capa antirreflectante; en una modalidad de la invención, el dispositivo de conversión ascendente incluye una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible.
Description
DISPOSITIVO TRANSPARENTE DE CONVERSIÓN ASCENDENTE DE LUZ
INFRARROJA A VISIBLE
REFERENCIA CRUZADA A SOLICITUD RELACIONADA
La presente solicitud reclama el beneficio de la Solicitud Provisional de E.U.A. No. serie 61/493,696, presentada el Lunes, 06 de Junio de 2011 , que incorpora la presente para referencia en su totalidad, incluyendo cualesquiera figuras, cuadros o dibujos.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN
Recientemente, los dispositivos de conversión ascendente de luz han atraído una gran cantidad de interés de investigación debido a sus aplicaciones potenciales en la visión nocturna, telemetría y seguridad, así como inspecciones de obleas semiconductoras. Los dispositivos de conversión ascendente de cercano a infrarrojo (NIR) estuvieron basados principalmente en la estructura de heterounión de semiconductores inorgánicos, en donde una sección fotodetectora y una luminescente están en serie. La fabricación de dispositivos infrarrojos de conversión ascendente de luz IR a visible a base de semiconductores de compuestos inorgánicos es un desafio a causa de la divergencia reticular entre los dos tipos de materiales semiconductores usados como fotodetectores y diodos emisores de luz LED.
Debido al alto costo de los dispositivos inorgánicos cultivados epitaxiales, se han restringido los dispositivos inorgánicos a la fabricación de aplicaciones de área pequeña.
Otros dispositivos de conversión ascendente tienden a exhibir eficiencias que son por lo general muy bajas. Por ejemplo, un dispositivo de conversión ascendente de NIR a luz que integra un LED con un fotodetector basado en semiconductor ha exhibido una eficiencia de conversión externa máxima de tan sólo 0.048 (4.8%) P/P. Más recientemente, un dispositivo de conversión ascendente híbrido orgánico/inorgánico, en el cual un fotodetector de InGaAs/lnP acoplado a un diodo emisor de luz orgánico (OLED), ha desplegado una eficiencia de conversión externa de 0.7% P/P. Los dispositivos de conversión ascendente inorgánicos e híbridos actuales son caros de fabricar y los procesos usados para fabricar estos dispositivos no son compatibles con aplicaciones de área grande. Se están haciendo esfuerzos por lograr dispositivos de conversión de bajo costo con un alto nivel de eficiencia en la conversión, alta sensibilidad, alta ganancia y alta fidelidad de imagen. Además, un dispositivo en el que la irradiación IR entra de una cara y la luz sale exclusivamente de una segunda cara es conveniente para muchas aplicaciones, tales como aplicaciones de visión nocturna.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN
Algunas modalidades de la invención están dirigidas a dispositivos transparentes de conversión que tienen una estructura de capas apiladas. La capa incluye un ánodo transparente, por lo menos una capa bloqueadora de agujeros, una capa sensibilizadora de luz IR, por lo menos una capa transportadora a través de agujeros, una capa emisora de luz, por lo menos una capa transportadora de electrones y un cátodo transparente. La estructura de capas apiladas puede ser inferior a una miera de grosor. Los ánodos pueden ser elegidos de cualquier material, incluyendo: óxido de indio-estaño (ITO), óxido de indio-cinc (IZO), óxido de aluminio-estaño (ATO), óxido de aluminio-cinc (AZO); nanotubos de carbono; o nanoalambres de plata. Las capas bloqueadoras de agujeros se pueden elegir de cualquier material apropiado, incluyendo: Ti02; ZnO; BCP; Bphen; 3TPYMB; o UGH2. La capa sensibilizadora de luz IR puede ser de cualquier material apropiado, incluyendo: QD (puntos cuánticos) de PbSe; QD de PbS; película de PbSe; película de PbS; película de InAs; película de InGaAs; película de Si; película de Ge; película de GaAs; 3,4,9, 0-dianhídrido perileno-3,4,9, 10-tetracarboxílico (PTCDA); ftalocíanina de estaño (II) (SnPc); SnPc:C6o; cloruro de ftalocíanina de aluminio (AIPcCI); AIPcCI:C6o¡ ftalocíanina de titanilo (TiOPc); o TiOPc:C6o- La capa transportadora a través de agujeros puede ser de cualquier material apropiado, incluyendo. 1, 1-bis[(di-4-tolilamino)fenil]ciclohexano (TAPC); N,N'-difenil-N,N,(2-naftil)-(1 , 1'-fenil)-4,4'-
diamina (NPB); y N,N'-difenil-N,N'-di(m-tolil) bencidina(TPD). La capa emisora de luz puede ser de cualquier capa material apropiado, incluyendo: tris-(2-fenilpiridina)iridio; lr(ppy)3; poli-[2-metoxi-5-(2'-etil-hexiloxi)fenilenvinileno] (MEH-PPV); /ris-(8-hidroxiquinolina)aluminio (Alq3); o £>/'s-[(4,6-di-fluorofenil)-piridinato-N,C2*]picolinato de iridio (III) (Flrpic). La capa transportadora de electrones puede ser de cualquier material apropiado, incluyendo: tris[3-(3-piridil)-mesitilo]borano (3TPYMB); 2,9-dimetil-4,7-difenil-1 , 10-fenantrolina (BCP); 4,7-difenil-1 , 10-fenantrolina (BPhen); y tris-(8-hidroxiquinolina)aluminio (Alq3). El cátodo puede ser óxido de indio-estaño (ITO), óxido de indio-cinc (IZO), óxido de aluminio-estaño (ATO), óxido de aluminio-cinc (AZO), nanotubo de carbono, nanoalambre de plata, una capa de Mg:AI, o cualquier conductor transparente apropiado.
En una modalidad de la invención, el dispositivo de conversión ascendente comprende una capa antirreflectante. En una modalidad, la capa antirreflectante puede ser una capa de Alq3 con un grosor menor a 200 nm. En otra modalidad de la invención, el dispositivo de conversión ascendente comprende además una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible. La capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible puede comprender una pluralidad de capas alternadas de materiales que tengan diferentes índices de refracción, tales como capas alternadas de Ta205 y S1O2.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS
La figura 1 es un diagrama esquemático de un dispositivo de conversión ascendente reflectante de luz infrarroja (IR).
La figura 2 es un diagrama esquemático de un dispositivo transparente de conversión ascendente de luz IR que tiene un par de electrodos transparentes de acuerdo con una modalidad de la invención.
La figura 3 es un diagrama esquemático de un dispositivo transparente de conversión ascendente de luz IR, de acuerdo con una modalidad de la invención, en el cual la luz visible emitida sale de dos superficies del dispositivo.
La figura 4 es un diagrama esquemático de un dispositivo transparente de conversión ascendente de luz IR que incluye una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible para restringir la emisión de luz visible a una sola cara de salida del dispositivo apilado de acuerdo con una modalidad de la invención.
La figura 5 muestra los espectros visibles de cátodos que tienen Mg:Ag a 10:1 con y sin capas antirreflectantes que indican la capa antirreflectante para diferentes composiciones.
La figura 6 es un diagrama esquemático de un dispositivo transparente de conversión ascendente de luz IR a manera de ejemplo que incluye una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible, de acuerdo con una modalidad de la invención.
La figura 7 es una gráfica de luminiscencia para diferentes voltajes aplicados para el dispositivo de conversión ascendente de luz IR de la figura 6.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN
Algunas modalidades de la invención están dirigidas a dispositivos transparentes de conversión ascendente de luz IR a luz visible que tienen dos electrodos que son transparentes a la luz visible, también indicada como luz visible en el presente documento. En una modalidad de la invención, la se restringe salida de la luz visible generada para que irradie de la superficie, donde entra la radiación IR, también conocida como IR en el presente documento, aunque la luz visible puede entrar desde la superficie, o cara, donde entra la luz IR. En la figura 1 se muestra un típico dispositivo reflectante de conversión ascendente, donde entra la fuente de IR y la luz visible sale de la superficie de entrada de luz IR. En la figura 2 se muestra un dispositivo transparente de conversión ascendente, de acuerdo con una modalidad de la invención, donde una capa sensible a la luz IR, situada en uno de los lados de un electrodo, genera un portador de carga, ya sea de electrones o a través de agujeros, que bajo el accionamiento del dispositivo se dirige a una capa emisora de luz en donde el portador se combina con su portador complementario de carga para generar luz visible. Como se muestra en la figura 2, el dispositivo de conversión ascendente está construido con dos
electrodos transparentes y la luz visible, ya sea la que entra o la generada dentro del dispositivo, se transmite a través de la cara opuesta de la superficie de entrada de luz IR del dispositivo. Sin embargo, como se muestra en la figura 3, la luz generada por la capa emisora de luz se irradia en todas las direcciones a partir de la capa emisora de luz, incluido la cara de entrada de luz IR del dispositivo. Para lograr una alta transparencia, todo el dispositivo de conversión ascendente es delgado, comprendiendo una serie de capas, donde las capas combinadas, con la excepción del sustrato que soporta el dispositivo y cualquier capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible, tiene un grosor menor a una miera, por ejemplo menor a 0.5 mieras de grosor. El sustrato puede ser, por ejemplo, un material de vidrio o polimérico que sea altamente transmisor de luz IR y luz visible, y se puede utilizar un segundo sustrato en la cara opuesta al primer sustrato de soporte del dispositivo de conversión ascendente de luz IR.
En algunas modalidades de la invención, la capa sensibilizadora de luz IR puede ser una capa amplia sensibilizadora de luz IR de absorción que comprenda QD mixtos de PbSe o QD mixtos de PbS. En otras modalidades de la invención, la capa sensibilizadora de luz IR comprende una capa delgada continua de: PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge o GaAs. En otras modalidades de la invención, la capa sensibilizadora de luz IR es un material orgánico u organometálico que comprende, sin limitación, material tal como: 3,4,9, 0-dianhidrido perileno-3,4,9, 10-tetracarboxílico (PTCDA), ftalocianina
de estaño (II) (SnPc), SnPc:C6o, cloruro de ftalocianina de aluminio (AIPcCI), AIPcCI:C60, ftalocianina de titanilo (TiOPc), y TiOPc:C60.
En una modalidad de la invención, la capa emisora de luz es una capa emisora de luz orgánica que comprende fec-tr¡s(2-fenilpiridina)iridio (lr(ppy)3), que emite luz verde a 515 nm. Otros materiales emisores de luz que se pueden emplear en modalidades de la invención incluyen, sin limitación: poli-[2-metoxi, 5-(2'-etil-hexiloxi)fenilenvinileno](MEH-PPV), trís-(8-hidroxiquinolina)aluminio (Alq3), y t>/s-[(4,6-di-fluorofenil)-pir¡d¡nato-N,C2']picolinato de iridio (III) (Flrpic).
En modalidades de la invención, una capa transportadora de electrones (ETL) está situada entre la capa emisora de luz y el cátodo. La ETL comprende tris[3-(3-piridil)-mesitil]borano (3TPYMB), 2,9-dimetil-4,7-difenil-1 , 10-fenantrolina (BCP), 4,7-difenil-1 , 10-fenantrolina (BPhen), tris-(8-hidroxquinolina)aluminio (Alq3) u otro material apropiado.
En modalidades de la invención, una capa transportadora a través de agujeros (HTL), que está situada entre la capa emisora de luz y la capa sensibilizadora de luz IR, comprende 1 ,1 -bis[(d¡-4-tolilamino)fenil]ciclohexano (TAPC), N,N'-difenil-N,N,(2-alfa-naftil))-(1 , 1 ,-fenil)-4,4'-diamina (NPB), N,N'-difenil-N,N'-di(m-tolil)bencidina (TPD) o cualquier otro material apropiado.
En modalidades de la invención, una capa bloqueadora de agujeros (HBL) se encuentra entre el ánodo y la capa sensibilizadora de luz IR. La HBL puede ser una HBL inorgánica que comprenda ZnO, Ti02 o
cualquier otro material inorgánico apropiado. La HBL puede ser una HBL orgánica que comprenda, por ejemplo, 2,9-dimetil-4,7-difenil-1 ,10-fenantrolina (BCP), p-bis(triphenylsilyl)benceno (UGH2), 4,7-difenil-1 ,10-fenantrolina (BPhen), tris-(8-hidroxiquinolina)aluminio (Alq3), 3,5'-N,N'-dicarbazol-benceno (mCP), C60, o tris[3-(3-piridil)-mesitilo]borano (3TPYMB).
Los electrodos transparentes que se pueden emplear en la superficie de entrada de luz IR, la cual se muestra como el ánodo en la figura 3 o la figura 4, incluyen, sin limitación, óxido de indio-estaño (ITO), óxido de indio-cinc (IZO), óxido de aluminio-estaño (ATO), óxido de aluminio-cinc (AZO), películas de nanotubo de carbono o nanoalambres de plata. Los electrodos transparentes que se pueden emplear en la superficie de salida de luz visible, mostrada como el cátodo en la figura 3 o la figura 4, incluyen, sin limitación, óxido de indio-estaño (ITO), óxido de indio-cinc (IZO), óxido de aluminio-estaño (ATO), óxido de aluminio-cinc (AZO), nanotubo de carbono, nanoalambre de plata o una capa de Mg:AI. En una modalidad de la invención, se utiliza una capa apilada de Mg:Ag a 10:1 con un grosor menor a 20 nm como electrodo transparente. En una modalidad de la invención, un capa antirreflectante puede estar situada en la superficie exterior del electrodo transparente en la superficie de salida de luz visible. Por ejemplo, una capa de Alq3 puede ser una capa antirreflectante que permita una buena transparencia cuando la capa de Alq3 es menor a 100 nm de grosor. Alternativamente, la capa antirreflectante puede ser un óxido de metal, tal como M0O3, de aproximadamente 50 nm de grosor o menos. En una
modalidad de la invención, el electrodo de la superficie salida de luz visible comprende una capa de Mg:AI a 10:1 de aproximadamente 10 nm y una capa de Alq3 de 50 nm está situada en el electrodo. Tal como se muestra en la figura 5, diferentes cátodos que tienen grosores diferentes de capas de Mg:Ag a 10: 1 , con diferente grosor de capas antirreflectantes, ilustran la ventaja de la capa antirreflectante. Como se indica en la figura 5, el cátodo puede ser más grueso cuando está presente la capa antirreflectante y se produce excelente transparencia para cátodos delgados que tienen capas antirreflectantes hasta de aproximadamente 50 nm de grosor.
En la figura 4 se muestra un dispositivo de conversión ascendente de acuerdo con una modalidad de la invención, donde, mediante la inclusión de una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible entre la cara de entrada de luz IR y la capa de LED, el dispositivo se vuelve luz visible opaca en la cara de entrada de luz IR. La capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible absorbe y/o refleja luz visible internamente en lugar de permitir la pérdida de luz visible a través de la cara de entrada de luz IR, permitiendo al mismo tiempo que la radiación IR pase a través de la capa, como se muestra en la figura 4. El electrodo más cercano a la cara de entrada de luz IR debe ser transparente a la luz IR en alto grado, por lo menos con el 50% transmitancia, y el electrodo más cercano a la cara de detección de luz visible debe ser transparente a la luz visible en alto grado, y por lo menos el 50% de transmitancia sobre el intervalo de longitudes de onda a los cuales se emite la luz visible desde el LED. En algunas modalidades de la
invención que no tienen capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible, el dispositivo tiene por lo menos 20% de transmitancia de luz a través de toda la pila de capas. Cuando la capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible tiene una superficie reflectante, es posible un aumento de la proporción de luz visible dirigida a la cara de salida de luz del dispositivo, con respecto a un dispositivo que no tenga capa o una capa no reflectante (absorbente de luz) que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible. Las superficies del dispositivo de conversión ascendente perpendiculares a las capas apiladas pueden ser cubiertas con un revestimiento opaco o de lo contrario adosadas a una superficie opaca que sea una superficie absorbente y/o reflectante, de manera que no se pierda luz visible a través de los lados del dispositivo. La posición de la capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible, como se muestra en la figura 4, puede estar situado como una capa entre el sustrato y el ánodo. La capa también puede estar situada en la superficie del sustrato opuesto al ánodo, o bien, cuando ambas capas tienen las propiedades electrónicas de actuar como capa de interconexión o como capa activa en el dispositivo, la capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible puede estar situada entre cualesquier capas del dispositivo en el lado de entrada de luz IR del LED empleado en el dispositivo.
La capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible usada en el dispositivo de conversión ascendente, de acuerdo con una modalidad de la invención, puede emplear una capa de varias pilas dieléctricas. La capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible comprende una pila de películas
dieléctricas con películas alternadas que tienen diferentes índices de refracción, una de alto índice de refracción y las otras de menor índice de refracción. Una capa ejemplar que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible es un material mixto de 2 a 80 capas alternadas de Ta205 (Rl = 2.1 ) y SiO2 (Rl ¦= 1.45) que tienen de 10 a 100 nm de grosor.
Métodos y materiales
Un dispositivo ejemplar de conversión ascendente de acuerdo con una modalidad de la invención se muestra en la figura 6. El dispositivo tiene un sustrato de vidrio en el cual se encuentra un espejo que bloquea la luz IR pero deja pasar la luz visible de 14 capas alternadas de Ta205 y S¡O2 que son de aproximadamente 70 nm de grosor en promedio y un ánodo transparente de ITO de aproximadamente 100 nm de grosor. En el ánodo está depositada una película de 30 nm de ZnO como HBL y una capa de 100 nm de grosor de QD de PBSE como capa sensibílizadora de luz IR. La capa sensibilizadora de luz IR está separada de una capa emisora de luz CBP de lrppy3 al 7% de 30 nm de grosor por un HTL de 45 nm de TAPC. La capa emisora de luz está separada, por un ETL mixto de 20 nm de 3TPYMB y 25 nm de Bphen, de un cátodo de Mg:Ag a 10:1 de 10 nm, con una capa antirreflectante de 50 nm de Alq 3 en la superficie opuesta del cátodo. El dispositivo de conversión ascendente de la figura 6 casi no exhibe luminiscencia en la oscuridad, pero de un umbral de 5 V a 15 V experimenta un aumento de 100 veces de luminiscencia, como se muestra en la figura 7.
Todas las patentes, solicitudes de patente, solicitudes provisionales y publicaciones referidas o citadas en la presente son incorporadas para referencia en su totalidad, incluyendo todas las figuras y cuadros, hasta el alcance en que éstos no sean inconsistentes con las enseñanzas explícitas de esta solicitud.
Debe entenderse que los ejemplos y las modalidades en el presente documento descritas son únicamente para propósitos ilustrativos y que se sugerirán varias modificaciones o cambios en vista de los mismos a los expertos en la técnica y se incluirán en la esencia y ámbito de esta solicitud.
Claims (16)
1. - El dispositivo de conversión ascendente de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque el cátodo transparente comprende una capa de Mg:Ag a 10:1 con un grosor menor a 30 nm. 12 - El dispositivo de conversión ascendente de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque comprende adicionalmente una capa antirreflectante. 13.- El dispositivo de conversión ascendente de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque la capa antirreflectante comprende una capa de Alq3 que tiene un grosor menor a 200 nm. 14 - El dispositivo de conversión ascendente de conformidad con la reivindicación 1 , caracterizado además porque comprende adicionalmente una capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible. 15.- El dispositivo de conversión ascendente de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque la capa que bloquea luz IR pero deja pasar luz visible comprende una pluralidad de capas alternadas de materiales que tienen diferentes índices de refracción. 16.- El dispositivo de conversión ascendente de de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado además porque los materiales comprenden Ta205 y SiO2 y en donde cada una de las 2 a 80 de la capas alternadas son de 10 a 100 nm de grosor.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161493696P | 2011-06-06 | 2011-06-06 | |
| PCT/US2012/040981 WO2012170457A2 (en) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Transparent infrared-to-visible up-conversion device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MX2013014316A true MX2013014316A (es) | 2014-01-23 |
Family
ID=47296704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MX2013014316A MX2013014316A (es) | 2011-06-06 | 2012-06-06 | Dispositivo transparente de conversion ascendente de luz infrarroja a visible. |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9437835B2 (es) |
| EP (1) | EP2718991A4 (es) |
| JP (1) | JP2014529090A (es) |
| KR (1) | KR20140048193A (es) |
| CN (1) | CN103597624A (es) |
| AU (1) | AU2012268323A1 (es) |
| BR (1) | BR112013031160A2 (es) |
| CA (1) | CA2837742A1 (es) |
| MX (1) | MX2013014316A (es) |
| RU (1) | RU2013158845A (es) |
| SG (1) | SG194905A1 (es) |
| WO (1) | WO2012170457A2 (es) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10700141B2 (en) | 2006-09-29 | 2020-06-30 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for infrared detection and display |
| US8716701B2 (en) | 2010-05-24 | 2014-05-06 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
| US20140124768A1 (en) * | 2011-06-30 | 2014-05-08 | Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd | Top-emitting flexible organic light emission diode device and preparation method thereof |
| WO2013000164A1 (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法 |
| WO2013003850A2 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | University Of Florida Researchfoundation, Inc. | A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain |
| CN103971629A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-06 | 胜华科技股份有限公司 | 有机电致发光显示器 |
| KR20150109450A (ko) * | 2013-01-25 | 2015-10-01 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. | 용액 처리된 pbs 광검출기를 이용한 신규 ir 이미지 센서 |
| KR102149937B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2020-09-01 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 및 이미지 센서 |
| CN104576968A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
| US10749058B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-08-18 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
| CN105261713B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-09-29 | 云南大学 | 一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法 |
| KR102650330B1 (ko) * | 2016-08-24 | 2024-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN106876435B (zh) * | 2017-03-03 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法 |
| CN109216421B (zh) * | 2017-07-04 | 2023-10-24 | 三星电子株式会社 | 有机发光二极管面板和包括其的显示装置 |
| CN109309102A (zh) * | 2017-07-26 | 2019-02-05 | Tcl集团股份有限公司 | 光转换的器件及其制备方法、红外成像设备 |
| CN110197860B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-05-28 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种上转换光发射光电晶体管及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
| CN1206752C (zh) * | 1998-02-02 | 2005-06-15 | 杜邦显示器股份有限公司 | 具有电微开关的传感器阵列及其驱动方法 |
| JP2003083809A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外可視変換部材及び赤外線検出装置。 |
| CN1498049A (zh) * | 2002-10-09 | 2004-05-19 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改善电压稳定性的级联有机电致发光器件 |
| JP2005266537A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Stanley Electric Co Ltd | 赤外線透過フィルタ及び該赤外線透過フィルタを具備する赤外線投光器 |
| US7300731B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-11-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Spatially-doped charge transport layers |
| JP2006259124A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Kawai Optical Co Ltd | コールドミラー |
| US20060246315A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Begley William J | Phosphorescent oled with mixed electron transport materials |
| CN100424897C (zh) | 2005-09-28 | 2008-10-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 氮化镓基红外-可见波长转换探测器 |
| US7440157B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-10-21 | Fury Technologies Corporation | Optically addressed spatial light modulator and method |
| WO2010070563A2 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Transparent organic light emitting diode |
| JP2010182633A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器 |
| DE102009018647A1 (de) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| CA2781432A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for sensing infrared radiation |
| US8716701B2 (en) * | 2010-05-24 | 2014-05-06 | Nanoholdings, Llc | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device |
-
2012
- 2012-06-06 KR KR1020147000226A patent/KR20140048193A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 AU AU2012268323A patent/AU2012268323A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 CN CN201280027199.6A patent/CN103597624A/zh active Pending
- 2012-06-06 WO PCT/US2012/040981 patent/WO2012170457A2/en active Application Filing
- 2012-06-06 BR BR112013031160A patent/BR112013031160A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2012-06-06 US US14/124,158 patent/US9437835B2/en active Active
- 2012-06-06 EP EP12797397.2A patent/EP2718991A4/en not_active Withdrawn
- 2012-06-06 MX MX2013014316A patent/MX2013014316A/es not_active Application Discontinuation
- 2012-06-06 CA CA2837742A patent/CA2837742A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-06 SG SG2013083530A patent/SG194905A1/en unknown
- 2012-06-06 JP JP2014514569A patent/JP2014529090A/ja active Pending
- 2012-06-06 RU RU2013158845/28A patent/RU2013158845A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014529090A (ja) | 2014-10-30 |
| AU2012268323A1 (en) | 2014-01-16 |
| WO2012170457A3 (en) | 2013-03-07 |
| US9437835B2 (en) | 2016-09-06 |
| RU2013158845A (ru) | 2015-07-20 |
| US20140175410A1 (en) | 2014-06-26 |
| BR112013031160A2 (pt) | 2017-02-07 |
| EP2718991A2 (en) | 2014-04-16 |
| SG194905A1 (en) | 2013-12-30 |
| KR20140048193A (ko) | 2014-04-23 |
| WO2012170457A2 (en) | 2012-12-13 |
| CA2837742A1 (en) | 2012-12-13 |
| EP2718991A4 (en) | 2015-05-13 |
| CN103597624A (zh) | 2014-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9437835B2 (en) | Transparent infrared-to-visible up-conversion device | |
| KR102031996B1 (ko) | Cmos 이미지 센서를 갖는 ir 업 컨버전 디바이스를 집적한 적외선 이미징 디바이스 | |
| US9190458B2 (en) | Method and apparatus for providing a window with an at least partially transparent one side emitting OLED lighting and an IR sensitive photovoltaic panel | |
| KR102059208B1 (ko) | 이득을 갖는 적외선을 검출하는 방법 및 장치 | |
| US9997571B2 (en) | Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device | |
| US20140061617A1 (en) | Method and apparatus for integrating an infrared (hr) pholovoltaic cell on a thin photovoltaic cell | |
| US8598573B1 (en) | Infrared pass visible blocker for upconversion devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA | Abandonment or withdrawal |