RU2012144219A - Композиция для электроосаждения металла, содержащая выравнивающую добавку - Google Patents

Композиция для электроосаждения металла, содержащая выравнивающую добавку Download PDF

Info

Publication number
RU2012144219A
RU2012144219A RU2012144219/05A RU2012144219A RU2012144219A RU 2012144219 A RU2012144219 A RU 2012144219A RU 2012144219/05 A RU2012144219/05 A RU 2012144219/05A RU 2012144219 A RU2012144219 A RU 2012144219A RU 2012144219 A RU2012144219 A RU 2012144219A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition according
methyl
ethanediyl
pentanediyl
butanediyl
Prior art date
Application number
RU2012144219/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2574251C2 (ru
Inventor
Корнелия РЕГЕР-ГЕПФЕРТ
Роман Бенедикт РЭТЕР
Марко АРНОЛЬД
Шарлотте ЭМНЕТ
Дитер Майер
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2012144219A publication Critical patent/RU2012144219A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2574251C2 publication Critical patent/RU2574251C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/02Polyamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02Polyamines
    • C08G73/0206Polyalkylene(poly)amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • C25D7/123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

1. Композиция, содержащая источник ионов металла и по меньшей мере одну добавку, содержащую полиалкилениминовую основную цепь, где указанная полиалкилениминовая основная цепь имеет молекулярную массу Mот 300 г/моль до 1000000 г/моль, где N атомы водорода в основной цепи замещены полиоксиалкиленовым радикалом, и где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 1,5 до 10 на N-H единицу.2. Композиция по п.1, где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 2 до 8 на N-H единицу.3. Композиция по п.1, где по меньшей мере одна добавка является полиалкиленимином формулы L1или его производными, получаемыми протонированием или кватернизацией, гдеR выбирается из линейного С-Салкандиила, разветвленного С-Салкандиила и их смесей,Аявляется продолжением полиалкилениминовой основной цепи путем разветвления,Авыбирается из алкила, алкенила, алкинила, алкарила и их смесей,Еявляется полиоксиалкиленовой единицей, имеющей формулу -(RO)R,R, независимо для каждого n, выбирается из этандиила, 1,2-пропандиила, (2-гидроксиметил) этандиила, 1,2-бутандиила, 2,3-бутандиила, 2-метил-1,2-пропандиила (изобутилена), 1-пентандиила, 2,3-пентандиила, 2-метил-1,2-бутандиила, 3-метил-1,2-бутандиила, 2,3-гександиила, 3,4-гександиила, 2-метил-1,2-пентандиила, 2-этил-1,2-бутандиила, 3-метил-1,2-пентандиила, 1,2-декандиила, 4-метил-1,2-пентандиила и (2-фенил)этандиила и их смесей,Rкаждый независимо является водородом, алкилом, алкенилом, алкинилом, алкарилом, арилом и их смесями,р является числом от 1,5 до 10,q, n, m, о являются целыми числами, и (q+n+m+о) равно от 10 до 24000.4. Композиция по п.3, где R выбирается и

Claims (17)

1. Композиция, содержащая источник ионов металла и по меньшей мере одну добавку, содержащую полиалкилениминовую основную цепь, где указанная полиалкилениминовая основная цепь имеет молекулярную массу Mw от 300 г/моль до 1000000 г/моль, где N атомы водорода в основной цепи замещены полиоксиалкиленовым радикалом, и где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 1,5 до 10 на N-H единицу.
2. Композиция по п.1, где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 2 до 8 на N-H единицу.
3. Композиция по п.1, где по меньшей мере одна добавка является полиалкиленимином формулы L1
Figure 00000001
или его производными, получаемыми протонированием или кватернизацией, где
R выбирается из линейного С26 алкандиила, разветвленного С36 алкандиила и их смесей,
А1 является продолжением полиалкилениминовой основной цепи путем разветвления,
А2 выбирается из алкила, алкенила, алкинила, алкарила и их смесей,
Е1 является полиоксиалкиленовой единицей, имеющей формулу -(R1O)pR2,
R1, независимо для каждого n, выбирается из этандиила, 1,2-пропандиила, (2-гидроксиметил) этандиила, 1,2-бутандиила, 2,3-бутандиила, 2-метил-1,2-пропандиила (изобутилена), 1-пентандиила, 2,3-пентандиила, 2-метил-1,2-бутандиила, 3-метил-1,2-бутандиила, 2,3-гександиила, 3,4-гександиила, 2-метил-1,2-пентандиила, 2-этил-1,2-бутандиила, 3-метил-1,2-пентандиила, 1,2-декандиила, 4-метил-1,2-пентандиила и (2-фенил)этандиила и их смесей,
R2 каждый независимо является водородом, алкилом, алкенилом, алкинилом, алкарилом, арилом и их смесями,
р является числом от 1,5 до 10,
q, n, m, о являются целыми числами, и (q+n+m+о) равно от 10 до 24000.
4. Композиция по п.3, где R выбирается из этандиила или комбинации этандиила и 1,2-пропандиила.
5. Композиция по п.3, где R1 выбирается из этандиила или комбинации этандиила и 1,2-пропандиила.
6. Композиция по п.3, где R2 является водородом.
7. Композиция по п.3, где р равно от 2 до 5, предпочтительно 2-3.
8. Композиция по п.3, где q+n+m+о равно от 15 до 10000, предпочтительно от 20 до 5000.
9. Композиция по п.3, где q+n+m+о равно от 25 до 65 или от 1000 до 1800.
10. Композиция по п.3, где о равно 0.
11. Композиция по п.1, где ионы металла содержат ион меди.
12. Композиция по п.1, дополнительно содержащая один или более усиливающих агентов.
13. Композиция по любому из пп.1-12, дополнительно содержащая один или более подавляющих агентов.
14. Применение добавки, определенной в любом из пп.1-13, в электролитической ванне для осаждения слоев, содержащих металл.
15. Способ осаждения слоя металла на подложку посредством
a) взаимодействия электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-13, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
16. Способ по п.15, где подложка содержит элементы микрометрового или субмикрометрового размера, и осаждение проводят для заполнения элементов микрометрового или субмикрометрового размера.
17. Способ по п.16, где элементы микрометрового или субмикрометрового размера имеют размер от 1 до 1000 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
RU2012144219/05A 2010-03-18 2011-03-17 Композиция для электроосаждения металла, содержащая выравнивающую добавку RU2574251C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US31505110P 2010-03-18 2010-03-18
EP10156915 2010-03-18
EP10156915.0 2010-03-18
US61/315,051 2010-03-18
PCT/EP2011/054077 WO2011113908A1 (en) 2010-03-18 2011-03-17 Composition for metal electroplating comprising leveling agent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012144219A true RU2012144219A (ru) 2014-04-27
RU2574251C2 RU2574251C2 (ru) 2016-02-10

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
TWI567251B (zh) 2017-01-21
TWI500823B (zh) 2015-09-21
SG183821A1 (en) 2012-10-30
EP2547731B1 (en) 2014-07-30
EP2547731A1 (en) 2013-01-23
IL221655A (en) 2015-10-29
KR101780085B1 (ko) 2017-09-20
TW201534770A (zh) 2015-09-16
TW201139750A (en) 2011-11-16
WO2011113908A1 (en) 2011-09-22
JP2013522468A (ja) 2013-06-13
US9834677B2 (en) 2017-12-05
CN102803389B (zh) 2016-07-06
MY156690A (en) 2016-03-15
JP5955785B2 (ja) 2016-07-20
KR20130049183A (ko) 2013-05-13
US20130020203A1 (en) 2013-01-24
CN102803389A (zh) 2012-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015121797A (ru) Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент
RU2012157535A (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент
RU2013133648A (ru) Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент
RU2011129439A (ru) Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент
RU2011144618A (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности
ES2555140T3 (es) Método para metalizar con cobre
KR101522543B1 (ko) 구리 도금조 제제
CN102365396B (zh) 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物
TWI391536B (zh) 銅電鍍製程
JP6276363B2 (ja) 酸性銅電気めっき浴から基板上のビア内へ銅を電気めっきする方法
JP2020502370A5 (ru)
JP2008519908A5 (ru)
RU2012107133A (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности
TW200424330A (en) Reverse pulse plating composition and method
JP2013525514A5 (ru)
US10501860B2 (en) Method and apparatus for electroplating a metal onto a substrate
WO2007130710B1 (en) Copper electrodeposition in microelectronics
CN102803389A (zh) 包含流平剂的金属电镀用组合物
US8679317B2 (en) Copper electroplating bath
US20120132530A1 (en) Tin plating solution
US20140238868A1 (en) Electroplating bath
JP2012172195A (ja) 銅電解液
JP2016518530A5 (ru)
US20150376807A1 (en) Plating method
Yang et al. Design and achievement of a complete bottom-up electroless copper filling for sub-micrometer trenches