RU2012107133A - Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности - Google Patents
Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012107133A RU2012107133A RU2012107133/02A RU2012107133A RU2012107133A RU 2012107133 A RU2012107133 A RU 2012107133A RU 2012107133/02 A RU2012107133/02 A RU 2012107133/02A RU 2012107133 A RU2012107133 A RU 2012107133A RU 2012107133 A RU2012107133 A RU 2012107133A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- condensate
- polyalcohol
- composition according
- composition
- integer
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims abstract 20
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N glycerol group Chemical group OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник ионов меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакцииa) соединения конденсата многоатомного спирта, полученного из по меньшей мере одного полиспирта формулы (I)путем конденсации, сb) по меньшей мере одним алкиленоксидомс формированием конденсата многоатомного спирта, содержащего полиоксиалкиленовые боковые цепи,где m представляет собой целое число от 3 до 6, и X представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 2 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.2. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта представляет собой гомоконденсат полиспирта или соконденсат двух или более полиспиртов, причем указанный конденсат полиспирта содержит от 2 до 50 звеньев полиспирта.3. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта выбирается из конденсатов глицерина, конденсатов пентаэритрита и их смесей.4. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта выбирается из соединений формул,где Y представляет собой n-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 1 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным,а представляет собой целое число от 2 до 50,b может иметь одинаковое или различное значение для каждого полимерного участка n и представляет собой целое число от 1 до 30,с представляет собой целое число от 2 до 3,n представляет собой целое число от 1 до 6.5. Композиция по п.1, где алкиленоксид выбирается из этиленоксида, пропиленоксида, бутиленоксида или их смесей.6. Композиция по п.1, где полиоксиалкиленовые боковые цепи п�
Claims (15)
1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник ионов меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции
a) соединения конденсата многоатомного спирта, полученного из по меньшей мере одного полиспирта формулы (I)
путем конденсации, с
b) по меньшей мере одним алкиленоксидом
с формированием конденсата многоатомного спирта, содержащего полиоксиалкиленовые боковые цепи,
где m представляет собой целое число от 3 до 6, и X представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 2 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.
2. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта представляет собой гомоконденсат полиспирта или соконденсат двух или более полиспиртов, причем указанный конденсат полиспирта содержит от 2 до 50 звеньев полиспирта.
3. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта выбирается из конденсатов глицерина, конденсатов пентаэритрита и их смесей.
4. Композиция по п.1, где конденсат полиспирта выбирается из соединений формул
где Y представляет собой n-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 1 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным,
а представляет собой целое число от 2 до 50,
b может иметь одинаковое или различное значение для каждого полимерного участка n и представляет собой целое число от 1 до 30,
с представляет собой целое число от 2 до 3,
n представляет собой целое число от 1 до 6.
5. Композиция по п.1, где алкиленоксид выбирается из этиленоксида, пропиленоксида, бутиленоксида или их смесей.
6. Композиция по п.1, где полиоксиалкиленовые боковые цепи представляют собой сополимеры этиленоксида с пропиленоксидом и/или бутиленоксидом.
7. Композиция по п.6, где содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и еще одного С3-С4 алкиленоксида составляет от 10 до 50 мас.%.
8. Композиция по п.6, где полиоксиалкиленовые боковые цепи представляют собой случайные сополимеры по меньшей мере двух алкиленоксидов.
9. Композиция по п.1, где молекулярная масса Mw добавки составляет от 3000 до 10000 г/моль.
10. Композиция по любому из пп.1-9, кроме того, содержащая один или более ускоряющих агентов.
11. Композиция по любому из пп.1-9, кроме того, содержащая один или более выравнивающих агентов.
12. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нм или менее.
13. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
а) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, с подложкой
и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового и/или субмикрометрового размера.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22980309P | 2009-07-30 | 2009-07-30 | |
| US61/229,803 | 2009-07-30 | ||
| PCT/EP2010/060276 WO2011012462A2 (en) | 2009-07-30 | 2010-07-16 | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012107133A true RU2012107133A (ru) | 2013-09-10 |
| RU2539897C2 RU2539897C2 (ru) | 2015-01-27 |
Family
ID=43425023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012107133/02A RU2539897C2 (ru) | 2009-07-30 | 2010-07-16 | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9869029B2 (ru) |
| EP (1) | EP2459778B1 (ru) |
| JP (1) | JP5714581B2 (ru) |
| KR (1) | KR101752018B1 (ru) |
| CN (1) | CN102597329B (ru) |
| IL (1) | IL217536A (ru) |
| MY (1) | MY157126A (ru) |
| RU (1) | RU2539897C2 (ru) |
| SG (2) | SG10201404394QA (ru) |
| TW (1) | TWI487813B (ru) |
| WO (1) | WO2011012462A2 (ru) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102471910B (zh) * | 2009-07-30 | 2016-01-20 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于无孔隙亚微观特征填充的包含抑制剂的金属电镀组合物 |
| US8790426B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-07-29 | Basf Se | Quaternized terpolymer |
| RU2013133648A (ru) | 2010-12-21 | 2015-01-27 | Басф Се | Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент |
| MY161354A (en) * | 2011-02-22 | 2017-04-14 | Basf Se | Polymers on the basis of glycerol carbonate and an alcohol |
| CN103380165B (zh) * | 2011-02-22 | 2016-10-12 | 巴斯夫欧洲公司 | 基于碳酸甘油酯的聚合物 |
| EP2530102A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-05 | Basf Se | Additive and composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias |
| SG10201604395TA (en) | 2011-06-01 | 2016-07-28 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias and interconnect features |
| US20130133243A1 (en) | 2011-06-28 | 2013-05-30 | Basf Se | Quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants |
| CN104797633B (zh) | 2012-11-09 | 2018-04-24 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于金属电镀的包含调平剂的组合物 |
| CN105142386B (zh) * | 2013-03-13 | 2020-06-23 | 巴斯夫欧洲公司 | 有效增加土壤中水分保留的保湿剂组合物和及其鉴定 |
| PL406197A1 (pl) * | 2013-11-22 | 2015-05-25 | Inphotech Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Sposób łączenia włókien światłowodowych pokrytych warstwą przewodzącą z elementami metalowymi |
| KR102312018B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2021-10-13 | 아베니 | 전기화학적 불활성 양이온을 함유하는 구리 전착 배쓰 |
| US9617648B2 (en) * | 2015-03-04 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias |
| KR102566586B1 (ko) * | 2016-07-18 | 2023-08-16 | 바스프 에스이 | 보이드 없는 서브미크론 피쳐 충전을 위한 첨가제를 포함하는 코발트 도금용 조성물 |
| EP3559317A1 (en) * | 2016-12-20 | 2019-10-30 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filling |
| KR102641595B1 (ko) | 2017-09-04 | 2024-02-27 | 바스프 에스이 | 평탄화 제제를 포함하는 금속 전기 도금용 조성물 |
| JP2021503560A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-12 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ | レベリング剤を含んだコバルト電気メッキ用組成物 |
| EP3775325B1 (en) * | 2018-03-29 | 2024-08-28 | Basf Se | Composition for tin-silver alloy electroplating comprising a complexing agent |
| US10529622B1 (en) | 2018-07-10 | 2020-01-07 | International Business Machines Corporation | Void-free metallic interconnect structures with self-formed diffusion barrier layers |
| KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| WO2021058334A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| KR20220164496A (ko) | 2020-04-03 | 2022-12-13 | 바스프 에스이 | 폴리아미노아미드 유형 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| EP3922662A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| US11384446B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-07-12 | Macdermid Enthone Inc. | Compositions and methods for the electrodeposition of nanotwinned copper |
| CN118043502A (zh) | 2021-10-01 | 2024-05-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
| WO2024008562A1 (en) | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Basf Se | Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition |
| WO2024132828A1 (en) | 2022-12-19 | 2024-06-27 | Basf Se | A composition for copper nanotwin electrodeposition |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2441555A (en) | 1943-10-12 | 1948-05-18 | Heyden Chemical Corp | Mixed esters of polyhydric alcohols |
| GB602591A (en) | 1945-02-12 | 1948-05-31 | Du Pont | Improvements in or relating to the electro-deposition of metals |
| US3956079A (en) * | 1972-12-14 | 1976-05-11 | M & T Chemicals Inc. | Electrodeposition of copper |
| US4505839A (en) | 1981-05-18 | 1985-03-19 | Petrolite Corporation | Polyalkanolamines |
| US4376685A (en) * | 1981-06-24 | 1983-03-15 | M&T Chemicals Inc. | Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives |
| SU1055781A1 (ru) * | 1982-03-22 | 1983-11-23 | Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени технологический институт целлюлозно-бумажной промышленности | Водный электролит блест щего меднени |
| US4487853A (en) * | 1983-12-27 | 1984-12-11 | Basf Wyandotte Corporation | Low ethylene oxide/high primary hydroxyl content polyether-ester polyols and polyurethane foams based thereon |
| JPS62182295A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-08-10 | Daiwa Tokushu Kk | 銅メツキ浴組成物 |
| DE4003243A1 (de) | 1990-02-03 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen |
| US5888373A (en) * | 1997-06-23 | 1999-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Method for repairing nickel-zinc-copper or nickel-zinc alloy electroplating solutions from acidic waste solutions containing nickel and zinc ions and electroplating thereof |
| DE10033433A1 (de) * | 2000-07-10 | 2002-01-24 | Basf Ag | Verfahren zur elektrolytischen Verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen Elektrolyten |
| US20020074242A1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-06-20 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer recovery |
| DE60123189T2 (de) | 2000-10-13 | 2007-10-11 | Shipley Co., L.L.C., Marlborough | Keimschichtreparatur und Elektroplattierungsbad |
| US7074315B2 (en) * | 2000-10-19 | 2006-07-11 | Atotech Deutschland Gmbh | Copper bath and methods of depositing a matt copper coating |
| US6776893B1 (en) | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| DE10107880B4 (de) | 2001-02-20 | 2007-12-06 | Clariant Produkte (Deutschland) Gmbh | Alkoxylierte Polyglycerine und ihre Verwendung als Emulsionsspalter |
| EP1422320A1 (en) | 2002-11-21 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating bath |
| DE10325198B4 (de) | 2003-06-04 | 2007-10-25 | Clariant Produkte (Deutschland) Gmbh | Verwendung von alkoxylierten vernetzten Polyglycerinen als biologisch abbaubare Emulsionsspalter |
| US20050133376A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Opaskar Vincent C. | Alkaline zinc-nickel alloy plating compositions, processes and articles therefrom |
| CN101080513A (zh) | 2004-11-29 | 2007-11-28 | 技术公司 | 近中性pH值的锡电镀溶液 |
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| RU2282682C1 (ru) * | 2005-04-28 | 2006-08-27 | Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева | Электролит и способ меднения |
| MY142392A (en) | 2005-10-26 | 2010-11-30 | Malaysian Palm Oil Board | A process for preparing polymers of polyhydric alcohols |
| US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| RU2385366C1 (ru) * | 2008-12-15 | 2010-03-27 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Российский государственный университет им. Иммануила Канта | Электролит меднения стальных подложек |
| WO2010115796A1 (en) | 2009-04-07 | 2010-10-14 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
| CN102369315B (zh) | 2009-04-07 | 2014-08-13 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物 |
| JP5702359B2 (ja) | 2009-04-07 | 2015-04-15 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | サブミクロンの窪みの無ボイド充填用の抑制剤含有金属めっき組成物 |
-
2010
- 2010-07-16 RU RU2012107133/02A patent/RU2539897C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-07-16 WO PCT/EP2010/060276 patent/WO2011012462A2/en active Application Filing
- 2010-07-16 SG SG10201404394QA patent/SG10201404394QA/en unknown
- 2010-07-16 JP JP2012522093A patent/JP5714581B2/ja active Active
- 2010-07-16 US US13/387,776 patent/US9869029B2/en active Active
- 2010-07-16 KR KR1020127004870A patent/KR101752018B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-16 MY MYPI2012000302A patent/MY157126A/en unknown
- 2010-07-16 SG SG2012003315A patent/SG177685A1/en unknown
- 2010-07-16 CN CN201080033647.4A patent/CN102597329B/zh active Active
- 2010-07-16 EP EP10731757.0A patent/EP2459778B1/en active Active
- 2010-07-30 TW TW099125535A patent/TWI487813B/zh active
-
2012
- 2012-01-15 IL IL217536A patent/IL217536A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2459778B1 (en) | 2015-01-14 |
| IL217536A (en) | 2016-05-31 |
| TW201109477A (en) | 2011-03-16 |
| CN102597329A (zh) | 2012-07-18 |
| US20120128888A1 (en) | 2012-05-24 |
| EP2459778A2 (en) | 2012-06-06 |
| SG10201404394QA (en) | 2014-10-30 |
| RU2539897C2 (ru) | 2015-01-27 |
| WO2011012462A3 (en) | 2012-01-19 |
| KR20120051721A (ko) | 2012-05-22 |
| KR101752018B1 (ko) | 2017-06-28 |
| TWI487813B (zh) | 2015-06-11 |
| IL217536A0 (en) | 2012-02-29 |
| SG177685A1 (en) | 2012-02-28 |
| MY157126A (en) | 2016-05-13 |
| WO2011012462A2 (en) | 2011-02-03 |
| JP5714581B2 (ja) | 2015-05-07 |
| US9869029B2 (en) | 2018-01-16 |
| JP2013500394A (ja) | 2013-01-07 |
| CN102597329B (zh) | 2015-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012107133A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| JP2013500394A5 (ru) | ||
| JP2020502370A5 (ru) | ||
| TW587104B (en) | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate | |
| RU2011144619A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| RU2011144618A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| RU2529607C2 (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов | |
| KR20180095929A (ko) | 구리 및 구리 합금 표면용 에칭 용액 | |
| RU2013133648A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металлов, содержащая выравнивающий агент | |
| JP6423601B2 (ja) | スルーホールのフィリング方法 | |
| JP6554608B2 (ja) | ２種の平坦化剤を含む電解銅メッキ用有機添加剤及びその電解銅メッキ液 | |
| RU2012107130A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| WO2007130710B1 (en) | Copper electrodeposition in microelectronics | |
| CN102803389A (zh) | 包含流平剂的金属电镀用组合物 | |
| TW201226635A (en) | Tin plating solution | |
| WO2017037040A1 (en) | Aqueous copper plating baths and a method for deposition of copper or copper alloy onto a substrate | |
| KR20190129801A (ko) | 은 변색 방지방법 | |
| JP2010535791A5 (ru) | ||
| JP2007332447A (ja) | 電解銅メッキ浴及び電解銅メッキ方法 | |
| JP2004346422A (ja) | めっき方法 | |
| WO2005098088A1 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| KR102139843B1 (ko) | 구리 및 구리 합금의 식각을 위한 수성 조성물 | |
| ES2395377T3 (es) | Solución y procedimiento para aumentar la soldabilidad y la resistencia a la corrosión de una superficie de metal o de una aleación metálica | |
| KR101979975B1 (ko) | 무광 구리 성막물의 제조 방법 | |
| JP4931196B2 (ja) | 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びｕｌｓｉ銅配線形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170717 |