RU2012107130A - Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности - Google Patents

Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности Download PDF

Info

Publication number
RU2012107130A
RU2012107130A RU2012107130/02A RU2012107130A RU2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130/02 A RU2012107130/02 A RU 2012107130/02A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition according
composition
integer
alkylene oxide
derivatives
Prior art date
Application number
RU2012107130/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2539895C2 (ru
Inventor
Корнелиа РЕГЕР-ГЕПФЕРТ
Роман Бенедикт РЭТЕР
Дитер Майер
Александра ХААГ
Шарлотте ЭМНЕТ
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2012107130A publication Critical patent/RU2012107130A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2539895C2 publication Critical patent/RU2539895C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/40Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
    • H10P14/46Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
    • H10P14/47Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01Manufacture or treatment
    • H10W20/031Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/056Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C25D3/40Electroplating: Baths therefor from solutions of copper from cyanide baths, e.g. with Cu+

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакцииa) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,сb) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы Iгдеm представляет собой целое число от 5 до 10,Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)гдеn представляет собой целое число от 3 до 8, ио представляет собой целое число от 5 до 10.4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)и их производные,гдер представляет собой целое число от 4 до 5, иq, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.8. Композиция по п.1, где содержание едини

Claims (15)

1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции
a) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,
с
b) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.
2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы I
Figure 00000001
где
m представляет собой целое число от 5 до 10,
Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.
3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)
Figure 00000002
Figure 00000003
где
n представляет собой целое число от 3 до 8, и
о представляет собой целое число от 5 до 10.
4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.
5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)
Figure 00000004
Figure 00000005
и их производные,
где
р представляет собой целое число от 4 до 5, и
q, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.
6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.
7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.
8. Композиция по п.1, где содержание единиц первого оксиалкилена в добавке составляет от 20 до 50 мас.%, предпочтительно от 25 до 40 мас.%.
9. Композиция по п.1, где молекулярная масса Mw добавки составляет от 3000 до 10000 г/моль, предпочтительно от 4000 до 8000 г/моль.
10. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
11. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более выравнивающих агентов.
12. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее.
13. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
RU2012107130/02A 2009-07-30 2010-07-19 Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности RU2539895C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22980909P 2009-07-30 2009-07-30
US61/229,809 2009-07-30
PCT/EP2010/060375 WO2011012475A1 (en) 2009-07-30 2010-07-19 Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012107130A true RU2012107130A (ru) 2013-09-10
RU2539895C2 RU2539895C2 (ru) 2015-01-27

Family

ID=42733749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012107130/02A RU2539895C2 (ru) 2009-07-30 2010-07-19 Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9617647B2 (ru)
EP (1) EP2459779B1 (ru)
JP (2) JP5775077B2 (ru)
KR (1) KR101738708B1 (ru)
CN (1) CN102471910B (ru)
IL (1) IL217234A (ru)
MY (1) MY160150A (ru)
RU (1) RU2539895C2 (ru)
SG (2) SG10201404301WA (ru)
TW (1) TWI515341B (ru)
WO (1) WO2011012475A1 (ru)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY170653A (en) 2010-12-21 2019-08-23 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
WO2012164509A1 (en) 2011-06-01 2012-12-06 Basf Se Composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias and interconnect features
EP2530102A1 (en) 2011-06-01 2012-12-05 Basf Se Additive and composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias
US20130133243A1 (en) 2011-06-28 2013-05-30 Basf Se Quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants
SG11201503617VA (en) 2012-11-09 2015-06-29 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
EP3141633B1 (en) * 2015-09-10 2018-05-02 ATOTECH Deutschland GmbH Copper plating bath composition
EP3559317B1 (en) * 2016-12-20 2025-02-12 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filling
CN107604414B (zh) * 2017-08-22 2020-03-24 珠海市奥美伦精细化工有限公司 一种铝及铝合金阳极氧化高温无镍封闭剂
US11387108B2 (en) 2017-09-04 2022-07-12 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
KR102647950B1 (ko) * 2017-11-20 2024-03-14 바스프 에스이 레벨링제를 포함하는 코발트 전기도금용 조성물
EP3508620B1 (en) * 2018-01-09 2021-05-19 ATOTECH Deutschland GmbH Ureylene additive, its use and a preparation method therefor
KR20220069012A (ko) 2019-09-27 2022-05-26 바스프 에스이 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물
CN114514339A (zh) 2019-09-27 2022-05-17 巴斯夫欧洲公司 用于铜凸块电沉积的包含流平剂的组合物
IL296980A (en) 2020-04-03 2022-12-01 Basf Se The composition for electrodeposition of copper bumps containing a polyaminoamide compensator
EP3922662A1 (en) 2020-06-10 2021-12-15 Basf Se Polyalkanolamine
WO2022012932A1 (en) 2020-07-13 2022-01-20 Basf Se Composition for copper electroplating on a cobalt seed
JP2024540824A (ja) 2021-10-01 2024-11-06 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ポリアミノアミド型レベリング剤を含む銅電着用組成物
KR20250036166A (ko) 2022-07-07 2025-03-13 바스프 에스이 구리 나노트윈 전착을 위한 폴리아미노아미드 유형 화합물을 포함하는 조성물의 용도
KR20250124348A (ko) 2022-12-19 2025-08-19 바스프 에스이 구리 나노트윈 전착용 조성물
CN121693598A (zh) 2023-08-03 2026-03-17 巴斯夫欧洲公司 用于在金属晶种上进行铜电镀的组合物
WO2026003954A1 (ja) * 2024-06-25 2026-01-02 Ykk株式会社 硫酸銅めっき液
JP7787368B1 (ja) * 2024-06-25 2025-12-16 Ykk株式会社 硫酸銅めっき液
WO2026037751A1 (en) 2024-08-16 2026-02-19 Basf Se Composition for metal electroplating comprising an additive for defect-free filling of features on electronic substrates

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB602591A (en) 1945-02-12 1948-05-31 Du Pont Improvements in or relating to the electro-deposition of metals
GB1221688A (en) * 1968-03-09 1971-02-03 Geigy Uk Ltd Tin electroplating bath and process
GB2064585B (en) * 1979-11-19 1983-11-09 Enthone Acid zinc electro plating solutions and methods utilizing ethoxylated/propoxylated polyhydric alcohols
US4505839A (en) 1981-05-18 1985-03-19 Petrolite Corporation Polyalkanolamines
SU1035097A1 (ru) * 1981-07-20 1983-08-15 Днепропетровский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.300-Летия Воссоединения Украины С Россией Электролит меднени
US4430490A (en) * 1982-08-10 1984-02-07 Ppg Industries, Inc. Polyether polyols and their method of preparation
JPS59182986A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Keigo Obata スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴
JPS62182295A (ja) * 1985-08-07 1987-08-10 Daiwa Tokushu Kk 銅メツキ浴組成物
DE4003243A1 (de) 1990-02-03 1991-08-08 Basf Ag Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen
JPH0641581A (ja) * 1992-07-23 1994-02-15 Seiko Epson Corp コンタクトレンズ用親水性洗浄剤
JP3244866B2 (ja) * 1993-05-25 2002-01-07 株式会社大和化成研究所 すず−鉛合金めっき浴
KR100852636B1 (ko) 2000-10-13 2008-08-18 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 시드 보충 및 전기도금조
US6776893B1 (en) * 2000-11-20 2004-08-17 Enthone Inc. Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect
EP1422320A1 (en) * 2002-11-21 2004-05-26 Shipley Company, L.L.C. Copper electroplating bath
DE10393790B4 (de) 2002-12-03 2013-05-16 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Kupferoxid-Ultrafeinteilchen
US20050133376A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Opaskar Vincent C. Alkaline zinc-nickel alloy plating compositions, processes and articles therefrom
US20050199507A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical structures and compositions of ECP additives to reduce pit defects
KR20070086724A (ko) 2004-11-29 2007-08-27 테크닉, 인크 중성에 가까운 pH를 갖는 주석 전기도금용액
US20060213780A1 (en) 2005-03-24 2006-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Electroplating composition and method
RU2282682C1 (ru) * 2005-04-28 2006-08-27 Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева Электролит и способ меднения
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
JP2008266722A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Ebara Udylite Kk パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴
SG10201404394QA (en) * 2009-07-30 2014-10-30 Basf Se Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filing

Also Published As

Publication number Publication date
JP6117284B2 (ja) 2017-04-19
IL217234A0 (en) 2012-02-29
IL217234A (en) 2016-05-31
JP2016029210A (ja) 2016-03-03
MY160150A (en) 2017-02-28
US9617647B2 (en) 2017-04-11
SG177418A1 (en) 2012-02-28
RU2539895C2 (ru) 2015-01-27
KR20120049237A (ko) 2012-05-16
KR101738708B1 (ko) 2017-05-22
EP2459779B1 (en) 2015-09-09
TW201111558A (en) 2011-04-01
US20120118750A1 (en) 2012-05-17
WO2011012475A1 (en) 2011-02-03
JP5775077B2 (ja) 2015-09-09
JP2013500395A (ja) 2013-01-07
CN102471910A (zh) 2012-05-23
SG10201404301WA (en) 2014-09-26
EP2459779A1 (en) 2012-06-06
CN102471910B (zh) 2016-01-20
TWI515341B (zh) 2016-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012107130A (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности
JP2013500395A5 (ru)
RU2012107133A (ru) Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности
WO2007130710B1 (en) Copper electrodeposition in microelectronics
US9683302B2 (en) Composition for metal electroplating comprising leveling agent
KR20150082541A (ko) 레벨링제를 포함하는 금속 전기도금용 조성물
US20200340132A1 (en) Metal or metal alloy deposition composition and plating compound
JP6661128B2 (ja) 複合微粒子及び分散液並びにそれらの製造方法及び用途
SE502525C2 (sv) Användning av alkylglykosid som tensid vid rengöring av hårda ytor samt komposition för detta ändamål
JP2008266722A (ja) パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴
US20160281251A1 (en) Electrodeposition of Copper
CN110621806B (zh) 化学镀铂液和使用该化学镀铂液得到的铂覆膜
US3475186A (en) Electroless copper plating
TWI707989B (zh) 電鍍銅浴
EP2392692A1 (en) Composition for metal electroplating comprising leveling agent
WO2005098088A1 (ja) 無電解金めっき液
CN115812089B (zh) 导电性油墨
JP7457537B2 (ja) 無電解金めっき用組成物
JP2005508392A5 (ru)
CN101080512A (zh) 自催化无电工艺的稳定和性能
US11512394B2 (en) Electroless gold plating bath
EP4074867A1 (en) Alkaline zinc-iron plating bath
EP4638837A1 (en) A composition for copper nanotwin electrodeposition
RU2020119175A (ru) Гликозидные производные трепростинила
Wang Bottom-up filling in electroless plating with an addition of JGB-RPE

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170720