RU2012107130A - Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности - Google Patents
Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012107130A RU2012107130A RU2012107130/02A RU2012107130A RU2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130/02 A RU2012107130/02 A RU 2012107130/02A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A RU 2012107130 A RU2012107130 A RU 2012107130A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition according
- composition
- integer
- alkylene oxide
- derivatives
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
- H10P14/47—Electrolytic deposition, i.e. electroplating; Electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
- H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
- H10W20/056—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by filling conductive material into holes, grooves or trenches
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
- C25D3/40—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper from cyanide baths, e.g. with Cu+
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакцииa) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,сb) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы Iгдеm представляет собой целое число от 5 до 10,Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)гдеn представляет собой целое число от 3 до 8, ио представляет собой целое число от 5 до 10.4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)и их производные,гдер представляет собой целое число от 4 до 5, иq, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.8. Композиция по п.1, где содержание едини
Claims (15)
1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции
a) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,
с
b) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.
2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы I
где
m представляет собой целое число от 5 до 10,
Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.
4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.
6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.
7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.
8. Композиция по п.1, где содержание единиц первого оксиалкилена в добавке составляет от 20 до 50 мас.%, предпочтительно от 25 до 40 мас.%.
9. Композиция по п.1, где молекулярная масса Mw добавки составляет от 3000 до 10000 г/моль, предпочтительно от 4000 до 8000 г/моль.
10. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
11. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более выравнивающих агентов.
12. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее.
13. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22980909P | 2009-07-30 | 2009-07-30 | |
| US61/229,809 | 2009-07-30 | ||
| PCT/EP2010/060375 WO2011012475A1 (en) | 2009-07-30 | 2010-07-19 | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012107130A true RU2012107130A (ru) | 2013-09-10 |
| RU2539895C2 RU2539895C2 (ru) | 2015-01-27 |
Family
ID=42733749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012107130/02A RU2539895C2 (ru) | 2009-07-30 | 2010-07-19 | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9617647B2 (ru) |
| EP (1) | EP2459779B1 (ru) |
| JP (2) | JP5775077B2 (ru) |
| KR (1) | KR101738708B1 (ru) |
| CN (1) | CN102471910B (ru) |
| IL (1) | IL217234A (ru) |
| MY (1) | MY160150A (ru) |
| RU (1) | RU2539895C2 (ru) |
| SG (2) | SG10201404301WA (ru) |
| TW (1) | TWI515341B (ru) |
| WO (1) | WO2011012475A1 (ru) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY170653A (en) | 2010-12-21 | 2019-08-23 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| WO2012164509A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias and interconnect features |
| EP2530102A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-05 | Basf Se | Additive and composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias |
| US20130133243A1 (en) | 2011-06-28 | 2013-05-30 | Basf Se | Quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants |
| SG11201503617VA (en) | 2012-11-09 | 2015-06-29 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| EP3141633B1 (en) * | 2015-09-10 | 2018-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper plating bath composition |
| EP3559317B1 (en) * | 2016-12-20 | 2025-02-12 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filling |
| CN107604414B (zh) * | 2017-08-22 | 2020-03-24 | 珠海市奥美伦精细化工有限公司 | 一种铝及铝合金阳极氧化高温无镍封闭剂 |
| US11387108B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-07-12 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| KR102647950B1 (ko) * | 2017-11-20 | 2024-03-14 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 코발트 전기도금용 조성물 |
| EP3508620B1 (en) * | 2018-01-09 | 2021-05-19 | ATOTECH Deutschland GmbH | Ureylene additive, its use and a preparation method therefor |
| KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| CN114514339A (zh) | 2019-09-27 | 2022-05-17 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜凸块电沉积的包含流平剂的组合物 |
| IL296980A (en) | 2020-04-03 | 2022-12-01 | Basf Se | The composition for electrodeposition of copper bumps containing a polyaminoamide compensator |
| EP3922662A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| WO2022012932A1 (en) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | Basf Se | Composition for copper electroplating on a cobalt seed |
| JP2024540824A (ja) | 2021-10-01 | 2024-11-06 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ポリアミノアミド型レベリング剤を含む銅電着用組成物 |
| KR20250036166A (ko) | 2022-07-07 | 2025-03-13 | 바스프 에스이 | 구리 나노트윈 전착을 위한 폴리아미노아미드 유형 화합물을 포함하는 조성물의 용도 |
| KR20250124348A (ko) | 2022-12-19 | 2025-08-19 | 바스프 에스이 | 구리 나노트윈 전착용 조성물 |
| CN121693598A (zh) | 2023-08-03 | 2026-03-17 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于在金属晶种上进行铜电镀的组合物 |
| WO2026003954A1 (ja) * | 2024-06-25 | 2026-01-02 | Ykk株式会社 | 硫酸銅めっき液 |
| JP7787368B1 (ja) * | 2024-06-25 | 2025-12-16 | Ykk株式会社 | 硫酸銅めっき液 |
| WO2026037751A1 (en) | 2024-08-16 | 2026-02-19 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising an additive for defect-free filling of features on electronic substrates |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB602591A (en) | 1945-02-12 | 1948-05-31 | Du Pont | Improvements in or relating to the electro-deposition of metals |
| GB1221688A (en) * | 1968-03-09 | 1971-02-03 | Geigy Uk Ltd | Tin electroplating bath and process |
| GB2064585B (en) * | 1979-11-19 | 1983-11-09 | Enthone | Acid zinc electro plating solutions and methods utilizing ethoxylated/propoxylated polyhydric alcohols |
| US4505839A (en) | 1981-05-18 | 1985-03-19 | Petrolite Corporation | Polyalkanolamines |
| SU1035097A1 (ru) * | 1981-07-20 | 1983-08-15 | Днепропетровский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.300-Летия Воссоединения Украины С Россией | Электролит меднени |
| US4430490A (en) * | 1982-08-10 | 1984-02-07 | Ppg Industries, Inc. | Polyether polyols and their method of preparation |
| JPS59182986A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Keigo Obata | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
| JPS62182295A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-08-10 | Daiwa Tokushu Kk | 銅メツキ浴組成物 |
| DE4003243A1 (de) | 1990-02-03 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen |
| JPH0641581A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-15 | Seiko Epson Corp | コンタクトレンズ用親水性洗浄剤 |
| JP3244866B2 (ja) * | 1993-05-25 | 2002-01-07 | 株式会社大和化成研究所 | すず−鉛合金めっき浴 |
| KR100852636B1 (ko) | 2000-10-13 | 2008-08-18 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 시드 보충 및 전기도금조 |
| US6776893B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| EP1422320A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating bath |
| DE10393790B4 (de) | 2002-12-03 | 2013-05-16 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Kupferoxid-Ultrafeinteilchen |
| US20050133376A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Opaskar Vincent C. | Alkaline zinc-nickel alloy plating compositions, processes and articles therefrom |
| US20050199507A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical structures and compositions of ECP additives to reduce pit defects |
| KR20070086724A (ko) | 2004-11-29 | 2007-08-27 | 테크닉, 인크 | 중성에 가까운 pH를 갖는 주석 전기도금용액 |
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| RU2282682C1 (ru) * | 2005-04-28 | 2006-08-27 | Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева | Электролит и способ меднения |
| US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| JP2008266722A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Ebara Udylite Kk | パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴 |
| SG10201404394QA (en) * | 2009-07-30 | 2014-10-30 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filing |
-
2010
- 2010-07-19 WO PCT/EP2010/060375 patent/WO2011012475A1/en not_active Ceased
- 2010-07-19 JP JP2012522097A patent/JP5775077B2/ja active Active
- 2010-07-19 MY MYPI2012000018A patent/MY160150A/en unknown
- 2010-07-19 EP EP10734120.8A patent/EP2459779B1/en active Active
- 2010-07-19 SG SG10201404301WA patent/SG10201404301WA/en unknown
- 2010-07-19 KR KR1020127001758A patent/KR101738708B1/ko active Active
- 2010-07-19 CN CN201080033648.9A patent/CN102471910B/zh active Active
- 2010-07-19 RU RU2012107130/02A patent/RU2539895C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-07-19 US US13/384,732 patent/US9617647B2/en active Active
- 2010-07-19 SG SG2011097185A patent/SG177418A1/en unknown
- 2010-07-30 TW TW099125505A patent/TWI515341B/zh active
-
2011
- 2011-12-27 IL IL217234A patent/IL217234A/en active IP Right Grant
-
2015
- 2015-07-01 JP JP2015132392A patent/JP6117284B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6117284B2 (ja) | 2017-04-19 |
| IL217234A0 (en) | 2012-02-29 |
| IL217234A (en) | 2016-05-31 |
| JP2016029210A (ja) | 2016-03-03 |
| MY160150A (en) | 2017-02-28 |
| US9617647B2 (en) | 2017-04-11 |
| SG177418A1 (en) | 2012-02-28 |
| RU2539895C2 (ru) | 2015-01-27 |
| KR20120049237A (ko) | 2012-05-16 |
| KR101738708B1 (ko) | 2017-05-22 |
| EP2459779B1 (en) | 2015-09-09 |
| TW201111558A (en) | 2011-04-01 |
| US20120118750A1 (en) | 2012-05-17 |
| WO2011012475A1 (en) | 2011-02-03 |
| JP5775077B2 (ja) | 2015-09-09 |
| JP2013500395A (ja) | 2013-01-07 |
| CN102471910A (zh) | 2012-05-23 |
| SG10201404301WA (en) | 2014-09-26 |
| EP2459779A1 (en) | 2012-06-06 |
| CN102471910B (zh) | 2016-01-20 |
| TWI515341B (zh) | 2016-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012107130A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| JP2013500395A5 (ru) | ||
| RU2012107133A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| WO2007130710B1 (en) | Copper electrodeposition in microelectronics | |
| US9683302B2 (en) | Composition for metal electroplating comprising leveling agent | |
| KR20150082541A (ko) | 레벨링제를 포함하는 금속 전기도금용 조성물 | |
| US20200340132A1 (en) | Metal or metal alloy deposition composition and plating compound | |
| JP6661128B2 (ja) | 複合微粒子及び分散液並びにそれらの製造方法及び用途 | |
| SE502525C2 (sv) | Användning av alkylglykosid som tensid vid rengöring av hårda ytor samt komposition för detta ändamål | |
| JP2008266722A (ja) | パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴 | |
| US20160281251A1 (en) | Electrodeposition of Copper | |
| CN110621806B (zh) | 化学镀铂液和使用该化学镀铂液得到的铂覆膜 | |
| US3475186A (en) | Electroless copper plating | |
| TWI707989B (zh) | 電鍍銅浴 | |
| EP2392692A1 (en) | Composition for metal electroplating comprising leveling agent | |
| WO2005098088A1 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| CN115812089B (zh) | 导电性油墨 | |
| JP7457537B2 (ja) | 無電解金めっき用組成物 | |
| JP2005508392A5 (ru) | ||
| CN101080512A (zh) | 自催化无电工艺的稳定和性能 | |
| US11512394B2 (en) | Electroless gold plating bath | |
| EP4074867A1 (en) | Alkaline zinc-iron plating bath | |
| EP4638837A1 (en) | A composition for copper nanotwin electrodeposition | |
| RU2020119175A (ru) | Гликозидные производные трепростинила | |
| Wang | Bottom-up filling in electroless plating with an addition of JGB-RPE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170720 |