RU2012140696A - Способ обработки электрода для органического электронного устройства - Google Patents
Способ обработки электрода для органического электронного устройства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012140696A RU2012140696A RU2012140696/28A RU2012140696A RU2012140696A RU 2012140696 A RU2012140696 A RU 2012140696A RU 2012140696/28 A RU2012140696/28 A RU 2012140696/28A RU 2012140696 A RU2012140696 A RU 2012140696A RU 2012140696 A RU2012140696 A RU 2012140696A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optionally
- electrodes
- atoms
- formula
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005199 aryl carbonyloxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005223 heteroarylcarbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005204 heteroarylcarbonyloxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005226 heteroaryloxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AIXAANGOTKPUOY-UHFFFAOYSA-N carbachol Chemical group [Cl-].C[N+](C)(C)CCOC(N)=O AIXAANGOTKPUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ, который включает этапыобеспечение в электронном устройстве одного или больше электродов, содержащих металл или оксид металла, и нанесение на поверхность указанных электродов слоя, содержащего соединение формулы I, инанесение на поверхности указанных электродов, которые являются покрытыми указанным слоем, который включает соединение формулы I, или нанесение в области между двумя или больше указанными электродами органического полупроводникагде X, X, Xобозначают независимо друг от друга и выбраны из -N(H)-, -N=, =N-, -C(R)=, =C(R)- и -S-, где, по крайней мере, один из X, Xи Xявляется выбранным из -C(R)= и =C(R)-,Rобозначает в каждом случае одинаковый или различный H, SH, NH, или прямолинейная или разветвленный алкил с от 1 до 15 C атомов, в котором один или больше не смежных C атомов являются необязательно заменены -O-, -S-, -NR-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, O-CO-O-, -CR=CR- или -С≡С- и в котором один или больше H атомов являются необязательно заменены F, Cl, Br, I или CN,Rи Rобозначают независимо друг от друга F, Cl, P-Sp-, или прямолинейный или разветвленный алкил с от 1 до 15 C атомов, в котором один или больше не смежных C атомов являются необязательно заменены -O-, -S-, -NR-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CR=CR- или -C≡C- и в котором один или больше Н атомов являются необязательно заменены F, Cl, Br, I или CN или означают арил, гетероарил, арилокси, гетероарилокси, арилкарбонил, гетероарилкарбонил, арилкарбонилокси, гетероарил карбонил окси, арилоксикарбонил или гетероарилоксикарбонил, который имеет от 2 до 30 C атомов, которые являются незамещенными или замещенными одной или больше не ароматическими группами R, или Rи Rвместе друг с другом и с 5-членным гетероциклом, к которому они присоединены, формируют аром
Claims (14)
1. Способ, который включает этапы
обеспечение в электронном устройстве одного или больше электродов, содержащих металл или оксид металла, и нанесение на поверхность указанных электродов слоя, содержащего соединение формулы I, и
нанесение на поверхности указанных электродов, которые являются покрытыми указанным слоем, который включает соединение формулы I, или нанесение в области между двумя или больше указанными электродами органического полупроводника
где X1, X2, X3 обозначают независимо друг от друга и выбраны из -N(H)-, -N=, =N-, -C(Rx)=, =C(Rx)- и -S-, где, по крайней мере, один из X1, X2 и X3 является выбранным из -C(Rx)= и =C(Rx)-,
Rx обозначает в каждом случае одинаковый или различный H, SH, NH2, или прямолинейная или разветвленный алкил с от 1 до 15 C атомов, в котором один или больше не смежных C атомов являются необязательно заменены -O-, -S-, -NR0-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, O-CO-O-, -CR0=CR00- или -С≡С- и в котором один или больше H атомов являются необязательно заменены F, Cl, Br, I или CN,
R1 и R2 обозначают независимо друг от друга F, Cl, P-Sp-, или прямолинейный или разветвленный алкил с от 1 до 15 C атомов, в котором один или больше не смежных C атомов являются необязательно заменены -O-, -S-, -NR0-, -CO-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CR0=CR00- или -C≡C- и в котором один или больше Н атомов являются необязательно заменены F, Cl, Br, I или CN или означают арил, гетероарил, арилокси, гетероарилокси, арилкарбонил, гетероарилкарбонил, арилкарбонилокси, гетероарил карбонил окси, арилоксикарбонил или гетероарилоксикарбонил, который имеет от 2 до 30 C атомов, которые являются незамещенными или замещенными одной или больше не ароматическими группами R, или R1 и R2 вместе друг с другом и с 5-членным гетероциклом, к которому они присоединены, формируют ароматическое или гетероароматическое кольцо, которое содержит от 5 до 7 кольцевых атомов и является незамещенным или замещенным 1, 2, 3, 4 или 5 группами R,
R0 и R00 обозначают независимо друг от друга Н или необязательно замещенный карбил или гидрокарбил, необязательно содержащий один или больше гетероатомов,
R обозначает в каждом случае одинаковый или различный Н, P-Sp-, галоген, -CN, -NC, -NCO, -NCS, -OCN, -SCN, -C(=O)NR0R00, -C(=O)Х0, -C(=O)R0, -NH2, -NR0R00, -SH, -SR0, -SO3H, -SO2R0, -OH, -NO2, -CF3, -SF5, необязательно замещенный силил, карбил или гидрокарбил с от 1 до 40 C атомов, который является необязательно замещенным и необязательно содержит один или больше гетероатомов,
P представляет собой полимеризуемую или сшиваемую группу,
Sp представляет собой спейсерную группу или одинарную связь,
X0 представляет собой галоген.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение формул I R1 и R2 вместе друг с другом и с 5-членным гетероциклом, к которому они являются прикреплены, формируют бензольное кольцо, где одна или две CH групп являются необязательно заменены N, и где указанное кольцо является незамещенным или замещенным 1, 2, 3 или 4 группами R.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что соединения формул I R1 и R2 вместе друг с другом и с 5-членным гетероциклом, к которому они являются прикреплены, формируют бензольное, пиридиновое или пиримидиновое кольцо, которое является незамещенным или замещенным 1, 2, 3 или 4 не ароматическими группами R.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что соединения формул I являются выбранными из формулы I1
где X1 представляет собой -N(H)-, -C(Rx)=-, или -S-,
X2 представляет собой -N=, -N(H)-, -C(Rx)=или -S-,
X3 представляет собой -N= или -N(H)-,
r представляет собой 0, 1, 2, 3 или 4,
и Rx и R имеют значения, указанные по п.1.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что соединение формулы I является выбранным из следующих формул
где Rx, R и r представляют собой как обозначено по п.4.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в формуле I, I1 и I11-I15 Rx представляет собой Н, SH, NH2, -алкилен-SH, где алкилен обозначает прямолинейную или разветвленную алкиленовую группу с от 1 до 18 C атомов, или C1-C18 тиаалкил, и R обозначает, в каждом случае одинаково или по разному F или C1-C15 перфторалкил.
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в формуле I, I1 и I11-I15, по крайней мере, одна группа Rx или R обозначает P-Sp-, где P и Sp представляет собой как определено по п.1.
8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что соединение формулы I является выбранным из следующих формул
где Rf представляет собой прямолинейный или разветвленный перфторалкил, который имеет от 1 до 15 C атомов, и алкилен и Rx представляет собой как определено по пп.5, 6 или 7.
9. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит следующие этапы
a) нанесение истока и стока электродов на подложку или на изолирующий слой затвора,
b) необязательное промывание истока и стока электродов,
c) нанесение слоя соединения формулы I или состава, содержащего соединение формулы I и необязательно один или больше растворителей, в область между истоком и стоком электродов, и необязательно на поверхность истока и стока электродов, необязательно удаление любых присутствующих растворителей и необязательно отжиг слоя соединения формулы I,
d) нанесение слоя органического полупроводника (СОП) или состава, содрежащего СОП, на исток и сток электродов и на слой, содержащий соединение формулы I, необязательно удаление все еще присутствующих растворителей и необязательно отжиг СОП слоя,
где необязательно этапы b) и c) являются объединенными в один этап.
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит следующие этапы
a) нанесение истока и стока электродов на подложку,
b) необязательно промывание истока и стока электродов,
c) нанесение слоя соединения формулы I или состава, содержащего соединение формулы I и необязательно один или больше растворителей, в область между истоком и стоком электродов, и необязательно на поверхность истока и стока электродов, необязательно удаление любых присутствующих растворителей и необязательно отжиг слоя соединения формулы I,
d) нанесение слоя на органический полупроводник (СОП) или состава, содержащего СОП, на исток и сток электродов и на слой, содержащий соединение формулы I, необязательно удаление все еще присутствующих растворителей и необязательно отжиг СОП слой,
e) нанесение изолирующего слой затвора на СОП слой,
f) нанесение электрода затвора на изолирующий слой затвора,
g) необязательно нанесение пассивирующего слоя на электрод затвора, где необязательно этапы b) и c) являются объединенными в один этап.
11. Состав, содержащий одно или больше соединений формул I как указано по одному пп.1-8 и дополнительно включающий одну или больше органических или неорганических кислот.
12. Органическое электронное устройство, полученное способом по, по крайней мере, одному из пп.1-10.
13. Органическое электронное устройство по п.12, отличающееся тем, что оно является выбранным из группы, содержащей органические полевые транзисторы (ОПТ), органические тонкопленочные транзисторы (ОТПТ), компоненты интегральных микросхем (IC), метки с радиочастотной идентификацией (МРЧИ), органические светоизлучающие диоды (ОСИД), электролюминесцентные дисплеи, плоскопанельные дисплеи, подсветки, фотодатчики, сенсоры, логические микросхеммы, элементы памяти, конденсаторы, органические фотогальванические (ОФГ) элементы, слои инжекции заряда, Диоды Шотки, планаризующие слои, антистатические пленки, проводящие подложки или элементы, фотопроводники, фоторецепторы, электрофотографические устройства и ксерографические устройства.
14. Электронное устройство по п.12 или 13, отличающееся тем, что оно представляет собой верхний затвор или нижний затвор ОПТ.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP10001930.6 | 2010-02-25 | ||
| EP10001930 | 2010-02-25 | ||
| EP10008754.3 | 2010-08-23 | ||
| EP10008754 | 2010-08-23 | ||
| PCT/EP2011/000344 WO2011103952A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-01-26 | Electrode treatment process for organic electronic devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012140696A true RU2012140696A (ru) | 2014-03-27 |
| RU2588605C2 RU2588605C2 (ru) | 2016-07-10 |
Family
ID=43661921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012140696/04A RU2588605C2 (ru) | 2010-02-25 | 2011-01-26 | Способ обработки электрода для органического электронного устройства |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8878165B2 (ru) |
| EP (1) | EP2539949B1 (ru) |
| JP (1) | JP2013520811A (ru) |
| KR (1) | KR101852641B1 (ru) |
| CN (1) | CN102763235B (ru) |
| GB (1) | GB2490465B (ru) |
| HK (1) | HK1178315A1 (ru) |
| RU (1) | RU2588605C2 (ru) |
| SG (1) | SG183337A1 (ru) |
| TW (1) | TWI486337B (ru) |
| WO (1) | WO2011103952A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2960703B1 (fr) * | 2010-05-28 | 2012-05-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique avec electrode enterree |
| US10367144B2 (en) * | 2011-06-17 | 2019-07-30 | The Regents Of The University Of California | Stable organic field-effect transistors by incorporating an electron-accepting molecule |
| JP5974485B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2016-08-23 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子の製造方法 |
| GB2516607A (en) * | 2013-03-06 | 2015-02-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electronic device |
| CN103396379A (zh) * | 2013-07-11 | 2013-11-20 | 华南理工大学 | 5,6-二氟苯并噻唑及其制备方法 |
| JP2016532300A (ja) * | 2013-08-29 | 2016-10-13 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 有機光起電力技術におけるバッファ層の励起子阻止処理 |
| JP6303358B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-04-04 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| US10879477B2 (en) * | 2014-02-19 | 2020-12-29 | Merck Patent Gmbh | Cyclic amine surface modifier and organic electronic devices comprising such cyclic amine surface modifier |
| WO2015159755A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 東レ株式会社 | 光起電力素子 |
| JP7047615B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2022-04-05 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| WO2020114742A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Merck Patent Gmbh | Self-assembled monolayer for electrode modification and device comprising such self-assembled monolayer |
| CN111192857A (zh) * | 2020-02-14 | 2020-05-22 | 宸盛光电有限公司 | 抗腐蚀的导电结构及抗腐蚀涂层的组成物 |
| CN111848930B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-07-13 | 清华大学 | 可溶性聚苯并呋喃及其制备方法与在合成5-取代苯并呋喃的应用 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1051077A1 (ru) * | 1982-02-11 | 1983-10-30 | Иркутский институт органической химии СО АН СССР | Комплексы 1-винил-нафто-(2,3)-имидазола дл получени полупроводниковых и фотопроводниковых материалов |
| DE10050862C2 (de) | 2000-10-06 | 2002-08-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Bad und Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Silber auf Metalloberflächen |
| US6690029B1 (en) | 2001-08-24 | 2004-02-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Substituted pentacenes and electronic devices made with substituted pentacenes |
| US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
| RU2262158C2 (ru) * | 2001-11-07 | 2005-10-10 | Дзе Майтрэ Корпорейшн | Мономолекулярное электронное устройство |
| GB0229191D0 (en) | 2002-12-14 | 2003-01-22 | Plastic Logic Ltd | Embossing of polymer devices |
| KR100995451B1 (ko) * | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
| CN100421279C (zh) * | 2003-11-17 | 2008-09-24 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法 |
| US7842942B2 (en) | 2003-11-28 | 2010-11-30 | Merck Patent Gmbh | Organic semiconducting layers |
| JP5013665B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2012-08-29 | 国立大学法人東京工業大学 | ベンゾトリアゾール構造含有高分子及びその製造方法、並びに電荷輸送材料及び有機電子デバイス |
| US8026510B2 (en) | 2004-10-20 | 2011-09-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic electronic device and method for producing the same |
| DE102005005089A1 (de) | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Josef GLÖCKL | Tragelement für ein Sitzmöbel |
| DE102005005589A1 (de) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Hybrider, organischer Feldeffekttransistor mit oberflächenmodifiziertem Kupfer als Source- und Drain-Elektrode |
| US7385221B1 (en) | 2005-03-08 | 2008-06-10 | University Of Kentucky Research Foundation | Silylethynylated heteroacenes and electronic devices made therewith |
| US20080012014A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Jin-Seong Park | Thin film transistor, method of preparing the same, and flat panel display device including the thin film transistor |
| KR100795804B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판표시 장치 |
| US7977670B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-07-12 | Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. | Organic transistor |
| JP2008172059A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JP5135904B2 (ja) | 2007-06-19 | 2013-02-06 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法 |
| US8309952B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-11-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin film transistor and method for manufacturing the same |
| TWI453301B (zh) | 2007-11-08 | 2014-09-21 | Enthone | 浸鍍銀塗層上的自組分子 |
| JP4871302B2 (ja) | 2008-01-08 | 2012-02-08 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜トランジスタ |
-
2011
- 2011-01-26 SG SG2012060646A patent/SG183337A1/en unknown
- 2011-01-26 WO PCT/EP2011/000344 patent/WO2011103952A1/en active Application Filing
- 2011-01-26 CN CN201180010294.0A patent/CN102763235B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-26 KR KR1020127024996A patent/KR101852641B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-26 JP JP2012554236A patent/JP2013520811A/ja not_active Ceased
- 2011-01-26 US US13/581,091 patent/US8878165B2/en active Active
- 2011-01-26 EP EP11701361.5A patent/EP2539949B1/en active Active
- 2011-01-26 GB GB1215517.2A patent/GB2490465B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-26 RU RU2012140696/04A patent/RU2588605C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-02-24 TW TW100106275A patent/TWI486337B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-04-26 HK HK13105079.8A patent/HK1178315A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201139385A (en) | 2011-11-16 |
| GB201215517D0 (en) | 2012-10-17 |
| WO2011103952A1 (en) | 2011-09-01 |
| SG183337A1 (en) | 2012-09-27 |
| KR20120130297A (ko) | 2012-11-30 |
| HK1178315A1 (en) | 2013-09-06 |
| TWI486337B (zh) | 2015-06-01 |
| GB2490465B (en) | 2016-03-23 |
| EP2539949B1 (en) | 2018-01-10 |
| JP2013520811A (ja) | 2013-06-06 |
| GB2490465A (en) | 2012-10-31 |
| KR101852641B1 (ko) | 2018-04-26 |
| RU2588605C2 (ru) | 2016-07-10 |
| EP2539949A1 (en) | 2013-01-02 |
| WO2011103952A8 (en) | 2011-10-27 |
| CN102763235B (zh) | 2015-06-24 |
| CN102763235A (zh) | 2012-10-31 |
| US8878165B2 (en) | 2014-11-04 |
| US20120319097A1 (en) | 2012-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012140696A (ru) | Способ обработки электрода для органического электронного устройства | |
| TWI668516B (zh) | 形成用於電子、光學或光電子裝置之經圖案化的薄膜組份之方法、有機薄膜電晶體及顯示裝置 | |
| US7964878B2 (en) | Light emitting polymer devices using self-assembled monolayer structures | |
| RU2014147079A (ru) | Блочные структуры для органических электронных устройств | |
| JP2015515505A5 (ru) | ||
| JP2014509067A5 (ru) | ||
| JP5970865B2 (ja) | 薄膜素子用基板、薄膜素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および電子ペーパー | |
| US10854821B2 (en) | Organic light emitting device | |
| KR20130104182A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| JP2015516991A5 (ru) | ||
| JP2014506246A5 (ru) | ||
| US9853217B2 (en) | Charge-transporting varnish | |
| JP2016536414A (ja) | ポリマー有機半導体組成物 | |
| JP2012511238A (ja) | 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造 | |
| JP6947180B2 (ja) | 電荷輸送性薄膜形成用ワニス | |
| JP6226728B2 (ja) | 有機発光素子及び表示装置 | |
| US8748894B2 (en) | Composition of organic insulating layer and thin film transistor substrate and display device using the same | |
| KR102016465B1 (ko) | 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| JP6717372B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| CN108336236B (zh) | 一种双主体结构的有机电致发光器件 | |
| CN104130179A (zh) | 新型有机化合物、有机发光元件和图像显示单元 | |
| KR102255160B1 (ko) | 아릴설폰산 화합물 및 그 이용 | |
| KR102065485B1 (ko) | 포토레지스트 필름 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| JP2013541834A5 (ru) | ||
| JP6615253B2 (ja) | 有機発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170127 |