RU2012103546A - Монтажная подложка для полупроводникового светоизлучающего элемента, каркас задней подсветки, дисплейное устройство и телевизионный приемник - Google Patents

Монтажная подложка для полупроводникового светоизлучающего элемента, каркас задней подсветки, дисплейное устройство и телевизионный приемник Download PDF

Info

Publication number
RU2012103546A
RU2012103546A RU2012103546/28A RU2012103546A RU2012103546A RU 2012103546 A RU2012103546 A RU 2012103546A RU 2012103546/28 A RU2012103546/28 A RU 2012103546/28A RU 2012103546 A RU2012103546 A RU 2012103546A RU 2012103546 A RU2012103546 A RU 2012103546A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
semiconductor light
emitting element
light emitting
mounting substrate
Prior art date
Application number
RU2012103546/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Мицуру ТАКЕСИМА
Хидеаки КАТОХ
Акио ЦУЦУИ
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся
Publication of RU2012103546A publication Critical patent/RU2012103546A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133612—Electrical details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133628—Illuminating devices with cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

1. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента для монтажа полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего положительный электрод и отрицательный электрод на идентичной плоскости, содержащая изолированную подложку; пару электродных рисунков, соответственно подключенных к положительному электроду и отрицательному электроду на изолированной подложке; и рисунок межсоединений, продолженный из каждой пары электродных рисунков, при этом каждый из пары электродных рисунков имеет большую площадь, чем рисунок межсоединений.2. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой пара электродных рисунков имеет расположенные напротив друг друга части, расположенные напротив друг друга практически параллельно через предварительно определенный зазор, и положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента подключаются к расположенным напротив друг друга частям.3. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.2, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму, пара электродных рисунков проходит в продольном направлении на изолированной подложке и имеет различные ширины, и в паре частей электродных рисунков, в которых размещаются положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента, по меньшей мере один из более широкого электродного рисунка и более узкого электродного рисунка имеет выступающую часть, сформированную так, что она выступает к другому электродному рисунку.4. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающ�

Claims (17)

1. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента для монтажа полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего положительный электрод и отрицательный электрод на идентичной плоскости, содержащая изолированную подложку; пару электродных рисунков, соответственно подключенных к положительному электроду и отрицательному электроду на изолированной подложке; и рисунок межсоединений, продолженный из каждой пары электродных рисунков, при этом каждый из пары электродных рисунков имеет большую площадь, чем рисунок межсоединений.
2. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой пара электродных рисунков имеет расположенные напротив друг друга части, расположенные напротив друг друга практически параллельно через предварительно определенный зазор, и положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента подключаются к расположенным напротив друг друга частям.
3. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.2, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму, пара электродных рисунков проходит в продольном направлении на изолированной подложке и имеет различные ширины, и в паре частей электродных рисунков, в которых размещаются положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента, по меньшей мере один из более широкого электродного рисунка и более узкого электродного рисунка имеет выступающую часть, сформированную так, что она выступает к другому электродному рисунку.
4. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой из положительного электрода и отрицательного электрода полупроводникового светоизлучающего элемента электрод на дальней стороне от активного слоя подключается к более узкому электродному рисунку.
5. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой вогнутая часть, располагающаяся напротив выступающей части через предварительно определенный зазор, формируется на стороне другого электродного рисунка.
6. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.5, в которой зазор между выступающей частью и вогнутой частью размещается практически в центре в направлении ширины пары электродных рисунков.
7. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.5, в которой выемка формируется на обеих сторонах продольного направления вогнутой части.
8. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой выступающая часть имеет ступенчатую форму.
9. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой полупроводниковый светоизлучающий элемент имеет положительный электрод и отрицательный электрод, сформированные на идентичной стороне поверхности, и имеет площадь электрода для сформированного одного электрода, превышающую площадь электрода для другого электрода, и в которой электрод с большей площадью электрода подключается к стороне более широкого электродного рисунка.
10. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.9, в которой электрод с большей площадью электрода полупроводникового светоизлучающего элемента располагается ближе к активному слою, чем электрод с меньшей площадью электрода.
11. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой направления продолжения рисунка межсоединений, продолженного из каждой пары электродных рисунков, являются направлениями, отличающимися друг от друга.
12. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму и зазор пары электродных рисунков формируется параллельно с продольным направлением полосковой формы.
13. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму и множество пар электродных рисунков формируется вдоль продольного направления полосковой формы так, что они предоставляют компоновку множества полупроводниковых светоизлучающих элементов.
14. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой, когда W (Вт) является мощностью полупроводникового светоизлучающего элемента, S (м2) является площадью пары электродных рисунков, L (м) является толщиной изолированной подложки, и ρ (Вт/(м·К)) является теплопроводностью изолированной подложки, средняя разность ∆T температур между одной поверхностью и другой поверхностью изолированной подложки, вычисленная посредством ∆T=W·L/S/ρ, равна или меньше 12°С.
15. Каркас задней подсветки, содержащий монтажную подложку полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1.
16. Дисплейное устройство, содержащее монтажную подложку полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1.
17. Телевизионный приемник, содержащий дисплейное устройство по п.16.
RU2012103546/28A 2009-07-03 2010-07-02 Монтажная подложка для полупроводникового светоизлучающего элемента, каркас задней подсветки, дисплейное устройство и телевизионный приемник RU2012103546A (ru)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-158973 2009-07-03
JP2009-158974 2009-07-03
JP2009158977 2009-07-03
JP2009158974 2009-07-03
JP2009-158977 2009-07-03
JP2009158973 2009-07-03
JP2010-151461 2010-07-01
JP2010151461A JP4686643B2 (ja) 2009-07-03 2010-07-01 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
PCT/JP2010/061317 WO2011002078A1 (ja) 2009-07-03 2010-07-02 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012103546A true RU2012103546A (ru) 2013-08-10

Family

ID=43411146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012103546/28A RU2012103546A (ru) 2009-07-03 2010-07-02 Монтажная подложка для полупроводникового светоизлучающего элемента, каркас задней подсветки, дисплейное устройство и телевизионный приемник

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120113328A1 (ru)
EP (1) EP2450973A1 (ru)
JP (1) JP4686643B2 (ru)
CN (1) CN102473828B (ru)
MX (1) MX2012000124A (ru)
RU (1) RU2012103546A (ru)
WO (1) WO2011002078A1 (ru)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5398644B2 (ja) 2010-06-07 2014-01-29 株式会社東芝 半導体発光装置を用いた光源装置
JP5620181B2 (ja) * 2010-07-29 2014-11-05 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ照明器具
JP2012155034A (ja) * 2011-01-24 2012-08-16 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置
JP5557162B2 (ja) * 2011-01-26 2014-07-23 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明器具
JP5603793B2 (ja) * 2011-02-09 2014-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2012169505A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Sharp Corp Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置
WO2013031319A1 (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置およびテレビ受像機
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
WO2013121944A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 シャープ株式会社 表示装置、及びテレビ受信装置
JP5126638B2 (ja) * 2012-02-17 2013-01-23 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明器具
JP5818008B2 (ja) * 2012-02-23 2015-11-18 東芝ライテック株式会社 照明器具
JP2013197456A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄアレイ及び車両用灯具
JP6293995B2 (ja) 2012-03-23 2018-03-14 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ
JP5557063B2 (ja) * 2012-07-12 2014-07-23 東芝ライテック株式会社 照明器具
CN103700747B (zh) * 2012-09-27 2017-08-22 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
JP5379320B1 (ja) * 2012-10-15 2013-12-25 有限会社 ナプラ 発光装置
JP2014116392A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具
JP6070188B2 (ja) * 2012-12-28 2017-02-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
US9532464B2 (en) * 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
CN105518884B (zh) 2013-12-02 2018-10-26 东芝北斗电子株式会社 发光装置及其制造方法
JP6523179B2 (ja) * 2013-12-02 2019-05-29 東芝ホクト電子株式会社 発光ユニット、発光装置及び発光ユニットの製造方法
JP6307936B2 (ja) * 2014-02-28 2018-04-11 オムロン株式会社 フレキシブルプリント基板、面光源装置、表示装置、及び、電子機器
JP6913460B2 (ja) * 2014-09-26 2021-08-04 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JP2016167034A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社東芝 表示装置、発光装置及びライトユニット
RU2664755C1 (ru) 2015-04-03 2018-08-22 Соко Кагаку Ко., Лтд. Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент и излучающее ультрафиолетовый свет нитридное полупроводниковое устройство
JP6048528B2 (ja) * 2015-04-03 2016-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6701628B2 (ja) * 2015-05-29 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9631802B2 (en) * 2015-08-19 2017-04-25 Top Victory Investments Ltd. Direct-type LED backlight module
JP6796400B2 (ja) * 2016-05-31 2020-12-09 デクセリアルズ株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
EP3472172A1 (en) 2016-06-16 2019-04-24 Xenon Pharmaceuticals Inc. Solid state forms of spiro-oxindole compounds
JP6941794B2 (ja) * 2017-02-09 2021-09-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 画像表示装置、および、部品実装基板
JP6916453B2 (ja) * 2017-04-21 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP6680258B2 (ja) * 2017-04-21 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10497846B2 (en) * 2017-07-11 2019-12-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
CN109804476A (zh) 2017-09-15 2019-05-24 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
WO2019069744A1 (ja) * 2017-10-06 2019-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 画像表示装置、画像表示装置の製造方法、および部品実装基板
JP6986492B2 (ja) 2018-06-01 2021-12-22 日東電工株式会社 配線回路基板
CN108828841B (zh) * 2018-07-26 2021-01-15 武汉华星光电技术有限公司 Led背光装置及led显示装置
JP7421056B2 (ja) * 2018-09-27 2024-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN113424330B (zh) * 2019-02-26 2024-03-01 京瓷株式会社 微型led元件搭载基板以及使用其的显示装置
US11469359B2 (en) * 2019-09-30 2022-10-11 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Backplane and glass-based circuit board
CN111290171B (zh) * 2020-02-18 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 直下式背光源、背光模组及显示装置
JP7398993B2 (ja) 2020-03-23 2023-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 電極基板及び発光装置
JP7007606B2 (ja) * 2020-04-15 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7114854B2 (ja) * 2020-04-28 2022-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP4160679B1 (en) 2020-04-28 2024-01-31 Nichia Corporation Light-emitting device
CN111812888A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Mini LED背光模组及其制备方法、显示面板
JP7389363B2 (ja) * 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN115084348B (zh) * 2022-07-14 2022-11-04 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种提升芯片可靠性的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69941518D1 (de) * 1999-01-26 2009-11-19 Rohm Co Ltd Lineare lichtquelle und damit ausgestattetes bildlesegerät
JP4411695B2 (ja) * 1999-07-28 2010-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
EP1667241B1 (en) * 2003-08-19 2016-12-07 Nichia Corporation Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
TWI420686B (zh) * 2004-12-10 2013-12-21 Panasonic Corp 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置
CN1945822B (zh) * 2005-10-07 2012-05-23 日立麦克赛尔株式会社 半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法
JP5080758B2 (ja) * 2005-10-07 2012-11-21 日立マクセル株式会社 半導体装置
JP2007266590A (ja) * 2006-03-03 2007-10-11 Sony Corp 光源モジュール、バックライト装置および液晶表示装置
JP5174340B2 (ja) * 2006-03-27 2013-04-03 パナソニック株式会社 表面実装型発光装置
JP4905069B2 (ja) * 2006-11-09 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120113328A1 (en) 2012-05-10
CN102473828B (zh) 2014-11-12
CN102473828A (zh) 2012-05-23
JP4686643B2 (ja) 2011-05-25
JP2011029634A (ja) 2011-02-10
EP2450973A1 (en) 2012-05-09
WO2011002078A1 (ja) 2011-01-06
MX2012000124A (es) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012103546A (ru) Монтажная подложка для полупроводникового светоизлучающего элемента, каркас задней подсветки, дисплейное устройство и телевизионный приемник
AR086303A1 (es) Parabrisas con un elemento de conexion electrica
US8783899B2 (en) Light bar assembly
JP2016092414A5 (ru)
AR086302A1 (es) Parabrisas con un elemento de conexion electrica
TWI429844B (zh) 光源模組
TWI438375B (zh) 光源模組及其光源組件
TWI459093B (zh) 背光模組及其光源模組
JP2011233893A5 (ru)
MY177667A (en) Pane with at least two electrical connection elements and a connecting conductor
RU2012110242A (ru) Устройство подсветки и дисплей
US20130229796A1 (en) Light emitting diode bar and light emitting diode module using the same
US9541273B2 (en) Heat dissipation structure of SMD LED
US9379300B2 (en) Floating heat sink support with copper sheets and LED package assembly for LED flip chip package
JP2021510007A5 (ru)
US20130215627A1 (en) Electronic unit base and electronic module and electronic device using the same
CN104078835A (zh) 用于车辆光源模组的激光二极管安装基片
JP3175088U (ja) コネクターおよびそれを使用するバックライトモジュール
TWI564505B (zh) 燈條結構
JP2014102960A (ja) 車両用灯具
JP6026315B2 (ja) 発光素子モジュール
TWI425166B (zh) 發光二極體燈條及發光二極體燈條組件
CN102200235A (zh) Led发光条
US20130135861A1 (en) Led illuminating device
TWI463700B (zh) 發光元件的電極墊結構

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130830