JP7398993B2 - 電極基板及び発光装置 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が実装された発光装置の配線及び反射板の構造に関する。
電子機器の光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられている。例えば、液晶表示装置のバックライトにＬＥＤチップが用いられている。また、ＬＥＤチップで画素を形成した表示装置の開発が進められている。ＬＥＤには、ミニＬＥＤ、マイクロＬＥＤと呼ばれる微細なベアチップ状のものがあり、これらは一対の電極表面に導電ペースト等を用いて直接実装されている。
例えば、特許文献１には、ＬＥＤチップのアノードとカソードがそれぞれ接続される一対の幅広の電極パターンと、この一対の電極パターンに接続される細線状の配線パターンが開示されている。しかし、ＬＥＤチップから放射される光に指向性がないため、特許文献１に開示される電極及び配線の形状では光の有効利用が図れないという問題がある。
本発明の一実施形態に係る発光装置は、基板上に設けられた第１絶縁層と、第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、第１端子が第１電極パターンと電気的に接続され、第２端子が第２電極パターンと電気的に接続された少なくとも１つのＬＥＤチップと、第１絶縁層の第１面とは反対の第２面側に設けられた反射パターンと、を有する。第１電極パターンと第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、反射パターンは、間隙と重なる線状パターンを有する。
本発明の一実施形態に係る電極基板は、基板上に設けられた第１絶縁層と、第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、第１絶縁層の第１面とは反対の第２面側に設けられた反射パターンと、を有する。第１電極パターンと第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、反射パターンは、間隙と重なる線状パターンを有する。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にａ、ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視において、基板に対して第１電極パターン及び第２電極パターンが設けられる方向を「上」、「上方」、「上面」又は「上面側」というものとし、その逆を「下」、「下方」、「下面」又は「下面側」というものとする。
本発明の一実施形態において、マイクロＬＥＤとは、チップサイズが数マイクロメートル以上、１００μｍ以下、ミニＬＥＤとは、チップサイズが１００μｍ以上のものをいう。本発明の一実施形態はいずれのサイズのＬＥＤも用いることができ、発光装置の用途及び形態に応じて適宜使い分けることができる。
本発明の一実施形態に係る発光装置１００の構成を図１に示す。発光装置１００は、第１電極パターン２０２、第２電極パターン２０４、及び反射パターン２０８ａが設けられた電極基板１０２を含む。発光装置１００は、この電極基板１０２にＬＥＤチップ２００が実装された構造を有する。
第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、絶縁表面に隣接して配置されている。第１電極パターン２０２と第２電極パターン２０４との間には、両者を電気的に分離するスリット状の間隙（又は溝）２０６ａが設けられている。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、例えば、図示されるように一定の幅を有し、平面視において矩形状のパターンで形成される。スリット状の間隙２０６ａは、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４に沿って設けられる。反射パターン２０８ａは、スリット状の間隙２０６ａのパターンと重なるように設けられる。絶縁表面は、図示されない絶縁層によって形成される。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、図示されない絶縁層の第１面側に設けられ、反射パターン２０８ａは、図示されない絶縁層の第１面とは反対の第２面側に設けられる。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４と、反射パターンとは、図示されない絶縁層によって電気的に絶縁されている。
ＬＥＤチップ２００は、第１端子（例えば、アノード）及び第２端子（例えば、カソード）を有する２端子素子である。ＬＥＤチップ２００は、例えば、第１端子が第１電極パターン２０２と電気的に接続され、第２端子が第２電極パターン２０４と電気的に接続される。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、ＬＥＤチップ２００と電気的に接続されることから、単に電極とみなすこともできる。少なくとも１つのＬＥＤチップ２００と第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４との電気的な接続には、導電性部材（例えば、カーボンペースト、銀ペースト、半田等）が用いられている。少なくとも１つのＬＥＤチップ２００は、複数のＬＥＤチップから成っていてもよい。複数のＬＥＤチップ２００は、図１に示すように、第１電極パターン２０２と第２電極パターン２０４によって並列に接続される。別言すれば、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４が矩形パターンであるとき、その長手方向に沿って複数のＬＥＤチップ２００が実装される。複数のＬＥＤチップ２００は、発光装置１００を面光源とみたとき、発光強度が均一になるように離隔して配置されていることが好ましい。
図１に示す領域３００に示すように、電極基板１０２は、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４に隣接して第３電極パターン２１０及び第４電極パターン２１２を含む。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４が矩形状のパターンであるとき、第３電極パターン２１０及び第４電極パターン２１２は、その長手方向に隣接して配置される。第３電極パターン２１０と第４電極パターン２１２とは、スリット状の間隙２０６ｂによって電気的に分離され、スリット状の間隙２０６ｂと重なるように反射パターン２０８ｂが設けられている。発光装置１００は、このような第３電極パターン２１０及び第４電極パターン２１２に対しても、複数のＬＥＤチップが実装された構造を有する。
図１に示すように、電極基板１０２は、第２電極パターン２０４と第３電極パターン２１０とが配線パターン２１４によって電気的に接続された構造を有する。別言すれば、第２電極パターン２０４及び第３電極パターン２１０は、配線パターン２１４を含み連続する導電パターンとして形成される。この連続する第２電極パターン２０４及び第３電極パターン２１０に対し、第１電極パターン２０２はスリット状の間隙２０６ａによって電気的に分離され、第４電極パターン２１２はスリット状の間隙２０６ｂによって電気的に分離されている。
領域３００として示すように、発光装置１００は、複数のＬＥＤチップが直並列に接続された構造を有する。図１に示す例では、領域３００において、並列に接続された４つのＬＥＤチップ２００の２組が、直列に接続された構造を有する。発光装置１００は、さらに、このような直並列に接続されたアレイが、複数個並列に配置された構成を有する。この構造において、第１電極パターン２０２及び第３電極パターン２１０は、隣接する行の電極パターンとはスリット状の間隙２０６ｃによって電気的に絶縁され、第２電極パターン２０４及び第４電極パターン２１２は、隣接する行の電極パターンとはスリット状の間隙２０６ｄによって電気的に絶縁されている。電極基板１０２は、このスリット状の間隙２０６ｃ、２０６ｄと重なる領域に反射パターン２０８ｃ、２０８ｄが設けられている。発光装置１００は、このような電極パターンとＬＥＤチップの実装構造を有することで、面状の光源を形成することができ、面内の発光強度の均一性を高めることができる。
さらに、図１に示すように、発光装置１００は、第１電極パターン２０２、第２電極パターン２０４、第３電極パターン２１０、及び第４電極パターン２１２が矩形状であり、スリット状の間隙２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄの部分を除いて絶縁表面の略全面に広がって設けられる。発光装置１００は、このような幅広の電極パターンを設け、スリット状の間隙で分離することで、ＬＥＤチップから放射された光を反射する反射面の面積を大きくすることができる。さらに、スリット状の間隙２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ、２０６ｄに重ねて反射パターン２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｃ、２０８ｄが設けられることにより、スリット状の間隙の部分も反射面とすることができ、ＬＥＤチップ２００から放射された光の有効利用を図ることができる。すなわち、ＬＥＤチップ２００から放射された光が、第１電極パターン２０２と第２電極パターン２０４とを分離するスリット状の間隙２０６ａから下方に漏れてしまう光を反射パターン２０８ａで反射して光の有効利用を図ることができる（他の電極パターンとスリット状の間隙についても同様である）。
図２は、図１において示す領域３００の構造を示す展開図である。図２に示すように、電極基板１０２は、少なくとも第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４が形成された第１の層と、反射パターン２０８ａ、２０８ｂが形成された第２の層を含む。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、第１絶縁層２５２の第１面に設けられる。第１電極パターン２０２と第２電極パターン２０４とは、第１絶縁層２５２上に形成されたスリット状の間隙２０６ａによって分離された構造を有する。第１絶縁層２５２の第１面には、また、第３電極パターン２１０及び第４電極パターン２１２が設けられる。第３電極パターン２１０と第４電極パターン２１２は、スリット状の間隙２０６ｂによって分離された構造を有する。図１を参照して説明したように、第２電極パターン２０４と第３電極パターン２１０とは、配線パターン２１４によって接続されている。
反射パターン２０８ａ、２０８ｂは、第１絶縁層２５２の第１面と反対の第２面側に配置される。別言すれば、電極基板１０２を第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４側から平面視したとき、反射パターン２０８ａ、２０８ｂは下層側に設けられる。さらに別言すれば、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４が形成される第１の層に対し、反射パターン２０８ａ、２０８ｂが形成される第２の層は下層側に配置される。反射パターン２０８ａ、２０８ｂは、第１絶縁層２５２の第２面側に設けられる。反射パターン２０８ａはスリット状の間隙２０６ａと重なる領域に設けられ、反射パターン２０８ｂはスリット状の間隙２０６ｂと重なる領域に設けられる。
図３（Ａ）は、図１において示す領域３０２における第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４の平面図を示し、図３（Ｂ）は領域３０２における反射パターン２０８の平面図を示す。図３（Ａ）に示すように、第１電極パターン２０２と第２電極パターン２０４は、スリット状の間隙２０６ａにより分離されている。第１電極パターン２０２は矩形状（長方形状、帯状ということもできる）の電極パターンから連続して配線パターン２１４ａが設けられ、第２電極パターン２０４には配線パターン２１４ｂが設けられている。
また、図３（Ａ）は、第１電極パターン２０２の短手方向に隣接して（隣接する行の電極パターンとして）、第５電極パターン２１６及び第６電極パターン２１８が配置される態様を示す。第５電極パターン２１６と第６電極パターン２１８とは、スリット状の間隙２０６ｅによって電気的に分離された構造を有し、また、第１電極パターン２０２と第６電極パターン２１８とは、スリット状の間隙２０６ｃによって電気的に分離された構造を有する。
図３（ｂ）に示すように、反射パターン２０８ａは、複数のＬＥＤチップ２００が実装される領域に重なる領域には設けられていなくてもよい。別言すれば、反射パターン２０８ｃ、２０８ｄが連続する線状のパターンであるのに対し、反射パターン２０８ａは、複数のＬＥＤチップ２００が実装される領域に重なる領域には設けられていない。すなわち、反射パターン２０８ａ、２０８ｂは、複数のＬＥＤチップ２００と重なる領域において、離散的なパターンを含む。離散的なパターンにより反射パターン２０８ａが形成されることにより、製造工程中の静電気による不良発生が低減できる。ただし、反射パターン２０８ａは複数のＬＥＤチップ２００に重なるように配置されていてもよい。反射パターン２０８ａがＬＥＤチップ２００に重なるように設けることで、ＬＥＤチップ２００の直下に出射される光も反射パターン２０８ａにより光の有効利用を図ることができる。
このような構成を有する電極基板１０２は、基板２５０上に設けられる。なお、図２では、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４と、反射パターン２０８ａとの間に第１絶縁層２５２が介在する態様を示すが、絶縁層の層数は１層に限定されず、複数の絶縁層が介在していてもよい。
図２は、また、複数のＬＥＤチップ２００が実装された発光装置１００の構成を示す。図示されるように、複数のＬＥＤチップ２００は、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４、並びに第３電極パターン２１０及び第４電極パターン２１２上に設けられる。発光装置１００は、複数のＬＥＤチップ２００の発光を制御する回路（制御回路、又は駆動回路とも呼ばれることがある）が含まれていてもよい。この制御回路は基板２５０上に設けられる。制御回路は、トランジスタ（具体的には、薄膜トランジスタ）等を含む回路素子によって形成される。図２は、この回路素子が形成された回路素子層１１０が、基板２５０上に設けられる態様を示す。
図４は、図１に示すＡ－Ｂ線に沿った断面構造を示す。図４に示すように、第１電極パターン２０２、第２電極パターン２０４が、第１絶縁層２５２の第１面に設けられる。第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、アルミニウム、銅、銀、ニッケルなどの金属材料で形成される。また、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、複数の導電膜が積層されて形成されてもよい。例えば、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、第１導電層２２２と第２導電層２２３が積層されて形成されてもよい。第１導電層２２２が、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Thin Oxide）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）等の導電性を有する金属酸化物膜で形成され、第２導電層２２３が、アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜で形成されてもよい。このような構成によれば、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４は、第２導電層２２３によって低抵抗化が可能であり、反射面として高い光反射率を実現し、第１導電層２２２によって第２導電層２２３の剥離を防止することができる。また、反射パターン２０８ａも、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４と同様の材料、及び同様の構造で形成することができる。
第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４の上には保護層２５６が設けられていてもよい。保護層２５６は透明な無機絶縁材料又は有機絶縁材料の薄膜で形成される。無機絶縁材料の薄膜としては、酸化シリコン、窒化シリコン等が用いられ、有機絶縁材料としてはアクリル、ポリイミド等が用いられる。このような保護層２５６を設けることで、電極パターンを保護することができる。
ＬＥＤチップ２００は、導電性部材２２０によって第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４に電気的に接続される。ＬＥＤチップ２００はベアチップの形態を有し、図示されないバンプの表面に導電性部材が接するように設けられる。保護層２５６には、第１電極パターン２０２及び第２電極パターン２０４を露出させる開口部２２１が設けられる。
反射パターン２０８ａは、第１絶縁層２５２の第２面側（電極パターンが設けられる第１面とは反対側の面）に設けられる。例えば、反射パターン２０８ａは、回路素子層１１０に含まれる絶縁層の上面に設けられる。反射パターン２０８ａの下層側には回路素子層１１０が設けられる。回路素子層１１０は、複数の絶縁層、配線及び電極を形成する金属膜のパターン、トランジスタ等の素子を形成する半導体膜のパターンを含む。反射パターン２０８ａは、回路素子層１１０に含まれる回路素子２２４を覆うように設けられていてもよい。ＬＥＤチップ２００より放射された光は反射パターン２０８ａで遮光されるため、回路素子２２４に入射する光が遮断される。例えば、回路素子２２４がトランジスタである場合、反射パターン２０８ａによって光が遮断されることにより、動作特性の変動を防止することができる。このように、反射パターン２０８ａは、スリット状の間隙２０６ａを通過する光を反射する反射鏡としての機能と、回路素子層１１０に入射する光（主としてＬＥＤチップから法放射される光）に対する遮光膜としての機能を有する。
なお、反射パターンを、回路素子層１１０の略全面を覆うようなベタ膜で形成することは遮光性の観点からは好ましいが、回路動作の観点からは必ずしも好ましいとはいえない。反射パターンがベタ膜であると、回路素子層１１０に含まれる配線、電極との間に寄生容量が生じてしまい、消費電力の増加、回路動作の遅延を来す。したがって、図２及び図３（Ｂ）に示すように、反射パターン２０８ａは、細線状のパターンで形成することが好ましい。
図５に示すように、反射パターン２０８を形成する金属層を用いて、反射パターン２０８と同層に第１配線２２６、第２配線２２８が設けられてもよい。第１配線２２６及び第２配線２２８は、第１絶縁層２５２にコンタクトホールを設けることで第１面側に設けられる電極パターンと電気的に接続することが可能である。そのため、第１配線２２６をＬＥＤチップ２００の第１端子側の配線（例えば、アノード配線）として用いることができ、第２配線２２８をＬＥＤチップ２００の第２端子側の配線（例えば、カソード配線）として用いることができる。このように、反射パターン２０８を形成する金属層を用いて、配線の多層化を図ることができる。
図６は、本発明の一実施形態に係る発光装置１００の一例を示す。図６に示す発光装置１００は直下型のバックライトとして用いることのできる構成を有する。発光装置１００は、発光部１１２が複数のＬＥＤアレイ１１４によって構成されている。複数のＬＥＤアレイ１１４は、電源回路１２０に接続され、制御回路１１８により発光が制御される。また、複数のＬＥＤアレイ１１４のそれぞれは、スイッチング素子２３０により偶数行及び奇数行ごとに発光状態が制御される。
図７は、ＬＥＤアレイ１１４の等価回路を示す。ＬＥＤアレイ１１４は複数のサブアレイ１１６を含む。サブアレイ１１６は並列に接続された４つのＬＥＤチップ２００が４段直列に接続された構成を有する。ＬＥＤアレイ１１４は、このようなサブアレイ１１６が行毎に配置されている。サブアレイ１１６はスイッチング素子２３０を介して電源線と接続されている。図７は、奇数行のサブアレイ１１６が電源線ＶＤＤ＿１及び電源線ＶＳＳと接続され、偶数行のサブアレイ１１６が電源線ＶＤＤ＿２及び電源線ＶＳＳと接続される例を示す。電源線ＶＤＤ＿１及び電源線ＶＤＤ＿２の電源電圧は同じであってもよいし異なっていてもよい。図７に示す回路構成によれば、偶数行のみ、奇数行のみ、又は偶数行及び奇数行の両方のＬＥＤチップ２００を点灯させることができ、スイッチング素子２３０の制御により発光強度を変えることができる。
図６及び図７に示す発光装置１００のＬＥＤアレイ１１４は、図１に示す電極パターン及び反射パターンを備えた構造によって実現することができる。本実施形態によれば、ＬＥＤアレイ１１４が図１に示す電極パターン（第１電極パターン２０２、第２電極パターン２０４）及び反射パターン２０８を備えることにより、ＬＥＤチップ２００から放射される光の利用効率を高めることができ、発光装置１００の消費電力を削減することができる。なお、図６に示す発光装置１００の構成、及び図７に示すＬＥＤアレイ１１４の等価回路は一例であり、本発明の一実施形態に係る発光装置１００は、これに限定されるものではない。
図８は、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１を示す。図８に示す発光装置１０１は表示部１２２を有し、画像を表示する機能を有する。表示部１２２は複数の画素１２４を含む。画素１２４は、走査線駆動回路１２６から走査信号が入力され、データ線駆動回路１２８からビデオ信号が入力される。画素１２４は、ＬＥＤアレイ１３２、選択トランジスタ１３３、駆動トランジスタ１３４を含む。ＬＥＤアレイ１３２は、図１に示す電極パターン及び反射パターンを備えている。画素１２４の発光は、選択トランジスタ１３３及び駆動トランジスタ１３４によって制御される。本実施形態によれば、画素１２４を構成するＬＥＤアレイ１３２が、図１に示す電極パターン（第１電極パターン２０２、第２電極パターン２０４）及び反射パターン２０８を備えることにより、ＬＥＤチップ２００から放射される光の利用効率を高めることができ、発光装置１０１の消費電力を削減することができる。なお、図８に示す画素１２４の構成は一例であり、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１は、これに限定されるものではない。例えば、選択トランジスタ１３３及び駆動トランジスタ１３４に加え、画素の動作を制御する他のトランジスタが追加されてもよい。なお、図８に示す画素の構成等が一例であり、本発明の一実施形態に係る発光装置１０１はこれに限定されない。
１００、１０１・・・発光装置、１０２・・・電極基板、１１０・・・回路素子層、１１２・・・発光部、１１４・・・ＬＥＤアレイ、１１６・・・サブアレイ、１１８・・・制御回路、１２０・・・電源回路、１２２・・・表示部、１２４・・・画素、１２６・・・走査線駆動回路、１２８・・・データ線駆動回路、１３０・・・端子部、１３２・・・ＬＥＤアレイ、１３３・・・選択トランジスタ、１３４・・・駆動トランジスタ、２００・・・ＬＥＤチップ、２０２・・・第１電極パターン、２０４・・・第２電極パターン、２０６・・・間隙、２０８・・・反射パターン、２１０・・・第３電極パターン、２１２・・・第４電極パターン、２１４・・・配線パターン、２１６・・・第５電極パターン、２１８・・・第６電極パターン、２２０・・・導電性部材、２２１・・・開口部、２２２・・・第１導電層、２２３・・・第２導電層、２２４・・・回路素子、２２６・・・第１配線、２２８・・・第２配線、２３０・・・スイッチング素子、２５０・・・基板、２５２・・・第１絶縁層、２５４・・・第２絶縁層、２５６・・・保護層、３００・・・領域、３０２・・・領域
Claims (12)
- 基板上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、
第１端子が前記第１電極パターンと電気的に接続され、第２端子が前記第２電極パターンと電気的に接続された少なくとも１つのＬＥＤチップと、
前記第１絶縁層の前記第１面とは反対の第２面側に設けられた反射パターンと、
を有し、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、
前記反射パターンは、前記間隙と重なる線状パターンを有し、
前記少なくとも１つのＬＥＤチップは複数のＬＥＤチップから成り、
前記複数のＬＥＤチップは前記間隙に沿って離隔して配置され、前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンに並列に接続され、
前記反射パターンは、前記複数のＬＥＤチップの離隔する部分と重なる不連続パターンである
発光装置。 - 基板上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、
第１端子が前記第１電極パターンと電気的に接続され、第２端子が前記第２電極パターンと電気的に接続された少なくとも１つのＬＥＤチップと、
前記第１絶縁層の前記第１面とは反対の第２面側に設けられた反射パターンと、
を有し、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、
前記反射パターンは、前記間隙と重なる線状パターンを有し、
前記基板と前記反射パターンとの間に少なくとも１つのトランジスタが設けられ、
前記少なくとも一つのトランジスタは前記反射パターンと重なる
発光装置。 - 前記少なくとも１つのＬＥＤチップは複数のＬＥＤチップから成り、
前記複数のＬＥＤチップは前記間隙に沿って離隔して配置され、前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンに並列に接続されている
請求項２に記載の発光装置。 - 前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンは帯状のパターンであり、前記間隙はスリット状である
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第１電極パターン、前記第２電極パターン、及び前記反射パターンにより光反射面が形成される
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。 - 少なくとも一つの画素が設けられた表示部を有し、
前記画素は、前記第１電極パターン、前記第２電極パターン、及び前記反射パターンを含む
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンは矩形状のパターンであり、
前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンの長手方向に隣接する第３電極パターン及び第４電極パターンを有し、
前記第３電極パターンと前記第４電極パターンとは第２間隙によって電気的に分離され、
前記第２電極パターンと前記第３電極パターンとを電気的に接続する配線パターンを有する
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。 - 基板上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、
前記第１絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面側に設けられた反射パターンと、
を有し、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、
前記反射パターンは、前記間隙と重なる線状パターンを有し、
前記反射パターンは、不連続パターンである
電極基板。 - 基板上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１面に設けられた第１電極パターン及び第２電極パターンと、
前記第１絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面側に設けられた反射パターンと、
を有し、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとは、間隙によって電気的に分離され、
前記反射パターンは、前記間隙と重なる線状パターンを有し、
前記基板と前記反射パターンとの間に少なくとも１つのトランジスタが設けられ、
前記少なくとも一つのトランジスタは前記反射パターンと重なる
電極基板。 - 前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンは帯状のパターンであり、前記間隙はスリット状である
請求項８又は９に記載の電極基板。 - 前記第１電極パターン、前記第２電極パターン、及び前記反射パターンにより光反射面が形成される
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電極基板。 - 前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンは矩形状のパターンであり、
前記第１電極パターン及び前記第２電極パターンの長手方向に隣接する第３電極パターン及び第４電極パターンを有し、
前記第３電極パターンと前記第４電極パターンとは第２間隙によって電気的に分離され、
前記第２電極パターンと前記第３電極パターンとを電気的に接続する配線パターンを有する
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の電極基板。
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