RU2011144620A - Композиции для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности - Google Patents
Композиции для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011144620A RU2011144620A RU2011144620/02A RU2011144620A RU2011144620A RU 2011144620 A RU2011144620 A RU 2011144620A RU 2011144620/02 A RU2011144620/02 A RU 2011144620/02A RU 2011144620 A RU2011144620 A RU 2011144620A RU 2011144620 A RU2011144620 A RU 2011144620A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- alkylene
- copper
- copolymer
- radical
- ethylene oxide
- Prior art date
Links
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 7
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- -1 amine compounds Chemical class 0.000 claims abstract 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 125000003161 (C1-C6) alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentanamine Chemical compound NC1CCCC1 NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DDHUNHGZUHZNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCC(C)(C)CN DDHUNHGZUHZNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 claims 1
- RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 3,2,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCNCCCN RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 claims 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 1
- OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminopropyl)amine Chemical compound NCCCNCCCN OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N n'-(3-aminopropyl)-n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCCCN(C)CCCN KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BXYVQNNEFZOBOZ-UHFFFAOYSA-N n-[3-(dimethylamino)propyl]-n',n'-dimethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCNCCCN(C)C BXYVQNNEFZOBOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
1. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, где способ содержит:а) контакт электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы Iгде каждый радикал Rнезависимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер,каждый радикал Rнезависимо выбирается из Rили алкила,Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z), где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена,n представляет собой целое число, больше или равное 0,m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10,- содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%,с подложкой, иb) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента поверхности субмикронного размера.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что Х и Y имеют независимые значения, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С4 алкилена.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминных соединений, выбранных из метиламина, этиламина, пропиламина, изопропиламина, н-бутиламина, трет-бутиламина, гексиламина, диметиламина, диэтиламина, циклопентиламина, циклогекси�
Claims (10)
1. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, где способ содержит:
а) контакт электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы I
где каждый радикал R1 независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер,
каждый радикал R2 независимо выбирается из R1 или алкила,
Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z)m, где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена,
n представляет собой целое число, больше или равное 0,
m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10,
- содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%,
с подложкой, и
b) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента поверхности субмикронного размера.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что Х и Y имеют независимые значения, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С4 алкилена.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминных соединений, выбранных из метиламина, этиламина, пропиламина, изопропиламина, н-бутиламина, трет-бутиламина, гексиламина, диметиламина, диэтиламина, циклопентиламина, циклогексиламина, этаноламина, диэтаноламина, триэтаноламина, этилендиамина, 1,3-диаминопропана, 1,4-диаминобутана, 1,5-ди-аминопентана, 1,6-диаминогексана, неопентандиамина, изофорондиамина, 4,9-диоксадекан-1,12-диамина, 4,7,10-триокситриде-кан-1,13-диамина, триэтиленгликоля диамина, диэтилентриамина, (3-(2-аминоэтил)аминопропиламина, 3,3'-иминоди(пропиламина), N,N-бис(3-аминопропил)метиламина, бис(3-диметиламинопро-пил)амина, триэтилентетрамина и N,N'-бис(3-аминопропил)этилен-диамина.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что С3-С4 алкиленоксид выбирается из пропиленоксида.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что молекулярная масса (Mw) подавляющего агента составляет 6000 г/моль или более.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что молекулярная масса (Mw) подавляющего агента составляет от 7000 до 19000 г/моль.
7. Способ по п.5, отличающаяся тем, что молекулярная масса (Mw) подавляющего агента составляет от 9000 до 18000 г/моль.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные аминогруппы.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что электролитическая ванна для осаждения меди, кроме того, содержит один или более выравнивающих агентов.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что элементы поверхности имеют коэффициент пропорциональности 4 или более.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09005106 | 2009-04-07 | ||
| EP09005106.1 | 2009-04-07 | ||
| US25633309P | 2009-10-30 | 2009-10-30 | |
| US61/256,333 | 2009-10-30 | ||
| PCT/EP2010/053881 WO2010115717A1 (en) | 2009-04-07 | 2010-03-25 | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011144620A true RU2011144620A (ru) | 2013-05-20 |
| RU2529607C2 RU2529607C2 (ru) | 2014-09-27 |
Family
ID=42935665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011144620/02A RU2529607C2 (ru) | 2009-04-07 | 2010-03-25 | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20120024711A1 (ru) |
| EP (1) | EP2417283B1 (ru) |
| JP (1) | JP5702359B2 (ru) |
| KR (1) | KR101720365B1 (ru) |
| CN (1) | CN102365396B (ru) |
| IL (1) | IL215018B (ru) |
| MY (1) | MY158203A (ru) |
| RU (1) | RU2529607C2 (ru) |
| SG (1) | SG174264A1 (ru) |
| TW (1) | TWI489011B (ru) |
| WO (1) | WO2010115717A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200632147A (ru) | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
| CN102597329B (zh) | 2009-07-30 | 2015-12-16 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含抑制剂的无空隙亚微米结构填充用金属电镀组合物 |
| MY156690A (en) | 2010-03-18 | 2016-03-15 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| CN103270064B (zh) * | 2010-12-21 | 2016-12-07 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平剂的金属电镀用组合物 |
| EP2468927A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| WO2012164509A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias and interconnect features |
| EP2530102A1 (en) | 2011-06-01 | 2012-12-05 | Basf Se | Additive and composition for metal electroplating comprising an additive for bottom-up filling of though silicon vias |
| US9243339B2 (en) * | 2012-05-25 | 2016-01-26 | Trevor Pearson | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content |
| KR102140431B1 (ko) | 2012-11-09 | 2020-08-03 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 금속 전기도금용 조성물 |
| JP2018517793A (ja) * | 2015-04-28 | 2018-07-05 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 電気めっき浴用の添加剤としてのビス無水物及びジアミンの反応生成物 |
| EP3141633B1 (en) * | 2015-09-10 | 2018-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper plating bath composition |
| EP3885475A1 (en) * | 2016-07-18 | 2021-09-29 | Basf Se | Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling |
| CN109952390A (zh) * | 2016-09-22 | 2019-06-28 | 麦克德米德乐思公司 | 在微电子件中的铜的电沉积 |
| WO2018073011A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
| KR102457310B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2022-10-20 | 바스프 에스이 | 무-보이드 충전을 위한 억제 작용제를 포함하는 금속 도금용 조성물 |
| US11387108B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-07-12 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| JP2021508359A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-03-04 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ | 抑制剤を含むスズまたはスズ合金電気めっき用組成物 |
| EP3781729A1 (en) * | 2018-04-20 | 2021-02-24 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent |
| CN110284162B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-06-30 | 广州三孚新材料科技股份有限公司 | 一种光伏汇流焊带无氰碱性镀铜液及其制备方法 |
| EP4034696A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-08-03 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| WO2021058336A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| CN115335434A (zh) | 2020-04-03 | 2022-11-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜凸块电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
| EP3922662A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| JP2023533784A (ja) | 2020-07-13 | 2023-08-04 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | コバルトシード上の銅電気メッキ用組成物 |
| IL311715A (en) | 2021-10-01 | 2024-05-01 | Basf Se | The composition for electrical deposition of copper containing a polyaminoamide compensator |
| WO2024008562A1 (en) | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Basf Se | Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4505839A (en) | 1981-05-18 | 1985-03-19 | Petrolite Corporation | Polyalkanolamines |
| US4347108A (en) | 1981-05-29 | 1982-08-31 | Rohco, Inc. | Electrodeposition of copper, acidic copper electroplating baths and additives therefor |
| US5051154A (en) | 1988-08-23 | 1991-09-24 | Shipley Company Inc. | Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power |
| DE4003243A1 (de) | 1990-02-03 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen |
| RU2103420C1 (ru) * | 1995-06-06 | 1998-01-27 | Калининградский государственный университет | Электролит блестящего меднения |
| DE19625991A1 (de) | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Bildschirm mit haftungsvermittelnder Silikatschicht |
| US6444110B2 (en) | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
| JP3610434B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2005-01-12 | 第一工業製薬株式会社 | 非イオン界面活性剤 |
| JP2003328179A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Ebara Udylite Kk | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 |
| RU2237755C2 (ru) * | 2002-07-25 | 2004-10-10 | Калининградский государственный университет | Электролит меднения стальных деталей |
| US6833479B2 (en) | 2002-08-16 | 2004-12-21 | Cognis Corporation | Antimisting agents |
| JP3804788B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2006-08-02 | 荏原ユージライト株式会社 | クローズド酸性銅めっきシステムおよびこれに利用される耐温性酸性銅めっき浴 |
| US20050072683A1 (en) | 2003-04-03 | 2005-04-07 | Ebara Corporation | Copper plating bath and plating method |
| US20050045485A1 (en) | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Method to improve copper electrochemical deposition |
| TW200632147A (ru) * | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
| US20060213780A1 (en) | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
| RU2334831C2 (ru) * | 2006-10-31 | 2008-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств" | Электролит меднения |
| CU23716A1 (es) * | 2008-09-30 | 2011-10-05 | Ct Ingenieria Genetica Biotech | Péptido antagonista de la actividad de la interleucina-15 |
-
2010
- 2010-03-25 MY MYPI2011004272A patent/MY158203A/en unknown
- 2010-03-25 EP EP10710049.7A patent/EP2417283B1/en active Active
- 2010-03-25 US US13/257,716 patent/US20120024711A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-25 WO PCT/EP2010/053881 patent/WO2010115717A1/en active Application Filing
- 2010-03-25 SG SG2011064086A patent/SG174264A1/en unknown
- 2010-03-25 CN CN201080015501.7A patent/CN102365396B/zh active Active
- 2010-03-25 JP JP2012503952A patent/JP5702359B2/ja active Active
- 2010-03-25 RU RU2011144620/02A patent/RU2529607C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-03-25 KR KR1020117026530A patent/KR101720365B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-06 TW TW099110627A patent/TWI489011B/zh active
-
2011
- 2011-09-07 IL IL215018A patent/IL215018B/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-05-25 US US17/329,459 patent/US20210317582A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL215018A0 (en) | 2011-12-01 |
| EP2417283B1 (en) | 2014-07-30 |
| JP2012522897A (ja) | 2012-09-27 |
| EP2417283A1 (en) | 2012-02-15 |
| TWI489011B (zh) | 2015-06-21 |
| SG174264A1 (en) | 2011-10-28 |
| KR101720365B1 (ko) | 2017-03-27 |
| US20120024711A1 (en) | 2012-02-02 |
| WO2010115717A1 (en) | 2010-10-14 |
| CN102365396B (zh) | 2014-12-31 |
| US20210317582A1 (en) | 2021-10-14 |
| MY158203A (en) | 2016-09-15 |
| CN102365396A (zh) | 2012-02-29 |
| KR20120089564A (ko) | 2012-08-13 |
| TW201042095A (en) | 2010-12-01 |
| IL215018B (en) | 2018-02-28 |
| JP5702359B2 (ja) | 2015-04-15 |
| RU2529607C2 (ru) | 2014-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011144620A (ru) | Композиции для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| RU2011144618A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| RU2011144619A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| JP2012522898A5 (ru) | ||
| US8833450B2 (en) | Nitrogen containing compounds as corrosion inhibitors | |
| MY167595A (en) | Aqueous alkaline compositions and method for treating the surface of silicon substrates | |
| JP2012522897A5 (ru) | ||
| AR047591A1 (es) | Composiciones antiincrustantes que comprenden un polimero con grupos de estructura de tipo sal | |
| AU2003285760A1 (en) | Cleaning agent composition, cleaning and production methods for semiconductor wafer, and semiconductor wafer | |
| JP2002544324A5 (ru) | ||
| RU2015121797A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент | |
| TW201706393A (zh) | 抑制硫化物垢之組成物與方法 | |
| RU2013158459A (ru) | Композиция для электроосаждения металла, содержащая добавку для заполнения снизу вверх переходных отверстий в кремнии и межсоединительных элементов | |
| MY160091A (en) | Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates | |
| JP2008095060A5 (ru) | ||
| JP4105205B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| DK200700225A (en) | Hydrophilizing agent and hydrophilized fiber treated therewith | |
| EP1260866A3 (en) | Additive composition for rinse water and method for surface treatment of lithographic printing plates | |
| CZ2005456A3 (cs) | Dusíkatá polymerní přísada pro elektrolytické vylučování zinku a slitin zinku, způsob její výroby a její použití | |
| JP2017014611A5 (ru) | ||
| JP2002004060A (ja) | 無電解金メッキ浴 | |
| JP2011046989A (ja) | 金属めっき液添加剤及び金属めっき方法 | |
| TW200848542A (en) | Method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy | |
| JPH06330336A (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JP2011040475A (ja) | 切削物用洗浄剤組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170326 |