JP2021508359A - 抑制剤を含むスズまたはスズ合金電気めっき用組成物 - Google Patents
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Abstract
【化1】
式中、
X1,X2は、独立して、任意にOまたはSによって中断されてよい直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイルから選択され、
R11は、式−(O−CH2−CHR41)m−OR42の1価の基であり、
R12,R13,R14は、独立して、H、R11及びR40から選択され;
R15は、H,R11,R40及び−X4−N(R21)2から選択され、
X4は、(a)直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイル、(b)式−(O−CH2−CHR41)o−から選択される2価の基であり、
R21は、R11およびR40から選択され、
R40は、直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルであり、
R41は、Hおよび直鎖状または分枝状のC1〜C5アルキルから選択され、
R42は、Hおよび任意にヒドロキシ、アルコキシまたはアルコキシカルボニルで置換されてよい直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルから選択され、
nは、1〜6までの整数であり、
mは、2〜250の整数であり、
oは、1〜250の整数である、水性組成物。
Description
しかし、エレクトロニクス産業において、コプラナリティ(COP)とも呼ばれる改良された高さの均一性と組み合わされた良好な形態、特に低粗度を有するはんだ堆積物をもたらす純スズまたはスズ合金の電気めっき浴に対する要求が依然としてあった。
X1,X2は、独立して、直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイルから選択され、任意にOまたはSによって中断されていてもよく、
R11は、式−(O−CH2−CHR41)m−OR42の1価の基であり、
R12,R13,R14は、独立して、H、R11及びR40から選択される;
R15は、H,R11,R40及び−X4−N(R21)2から選択され、
X4は、(a)直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイル、(b)式−(O−CH2−CHR41)m−から選択される2価の基である。
R21は、R11およびR40から選択され、
R40は、直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルであり、
R41は、Hおよび直鎖状または分枝状のC1〜C5アルキルから選択され、
R42は、Hおよび任意にヒドロキシ、アルコキシまたはアルコキシカルボニルで置換され得る直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルから選択され、
nは、1〜6までの整数であり、
mは、2〜250の整数であり、および、
oは、1〜250までの整数である。
a)本明細書で定義される組成物を基板に接触させること、および
b)基板上にスズまたはスズ合金の層を堆積させるのに十分な時間、基板に電流を印加すること、
によって、基板上にスズまたはスズ合金層を堆積させる方法に関し、該方法では、基板は、500nm〜500μmの開口サイズを有する形状を含み、堆積物は、これらのフィーチャーを充填するように行われる。
・本発明による抑制剤
以下に記載するような少なくとも1つの抑制剤を含む本発明によるスズおよびスズ合金電気めっき用組成物は、マイクロメートルサイズのフィーチャーの充填において著しい性能を示すことが見出された。ここで使用されるとき、「抑制剤」とは、スズ電着中の過電圧を増加させる添加剤である。「界面活性剤」および「抑制剤」という用語は、ここに記載されている抑制剤は表面活性物質でもあるため、同義語として使用される。
a) X1およびX2は、エタンジイルまたはプロパンジイルであり、R11、R12、R13、R14およびR15は、ポリオキシアルキレン、特にオキシエチレン−コ−オキシプロピレンポリマーであり、
b) X1およびX2は、エタンジイルまたはプロパンジイルであり、R11、R12、R13およびR14は、ポリオキシアルキレン、特にオキシエチレン−コ−オキシプロピレポリマーであり、R15は、C1〜C6アルキルまたはポリオキシアルキレンで置換されたC1〜C6アルキルであり、そして、
c) X1およびX2は、エタンジイルまたはプロパンジイルであり、R11、R12、R13およびR14は、ポリオキシアルキレン、特にオキシエチレン−コ−オキシプロピレンポリマーであり、R15は、ポリオキシアルキレン、特にオキシエチレン−コ−オキシプロピレンポリマーでさらに置換されたC1〜C6アミンである。
任意の他の非イオン性界面活性剤が本組成物で使用され得る。典型的には、非イオン性界面活性剤は、200から100,000、好ましくは500から50,000、より好ましくは500から25,000、さらに好ましくは750から15,000の平均分子量を有する。このような非イオン性界面活性剤は、典型的には、組成物の重量に基づいて1ppmから10,000ppm、より好ましくは5ppmから10,000ppmの濃度で電解質組成物中に存在する。好ましいアルキレンオキシド化合物は、ポリアルキレングリコール、例えば、これらに限定されるものではないが、少なくとも1つのヒドロキシ基を有し、かつ20個以下の炭素原子を有する有機化合物のアルキレンオキシド付加生成物、および低分子量ポリアミン化合物への異なるアルキレンオキシドの付加に由来する四官能性ポリエーテルなどを含む。
スズまたはスズ合金めっき浴中には、1つ以上のレベラーが存在していてもよい。
X2は、独立して、C1〜C4アルカンジイルから選択され、これらはOおよびNR4から選択される1つまたは2つによって中断されていてもよく、X3は、独立して、(a)化学結合、または(b)C1〜C4アルカンジイルから選択され、それらはOまたはR4がC1〜C4アルキル基であるNR4によって中断されていてもよい。
スズまたはスズ合金電気めっき浴は、結晶粒微細化剤をさらに含んでもよい。結晶粒微細化剤は、式G1またはG2の化合物から選択され得る。
酸化防止剤は、スズを溶解した二価の状態に保つことを助けるために、本組成物に、任意に添加されてよい。1つ以上の酸化防止剤が本組成物に使用されることが好ましい。酸化防止剤の例としては、これらに限定されるものではないが、ヒドロキノン、およびこのような芳香族化合物のスルホン酸誘導体を含む、ヒドロキシル化および/またはアルコキシ化芳香族化合物が含まれ、好ましくは:ハイドロキノン;メチルハイドロキノン;レゾルシノール;カテコール;1,2,3−トリヒドロキシベンゼン;1,2−ジヒドロキシベンゼン−4−スルホン酸;1,2−ジヒドロキシベンゼン−3,5−ジスルホン酸;1,4−ジヒドロキシベンゼン−2−スルホン酸;1,4−ジヒドロキシベンゼン−2,5−ジスルホン酸、2,4−ジヒドロキシベンゼンスルホン酸およびp−メトキシフェノールである。このような酸化防止剤は、US 4,871,429に開示されている。他の適切な酸化防止剤または還元剤としては、これらに限定されるものではないが、バナジルアセチルアセトネート、バナジウムトリアセチルアセトネート、ハロゲン化バナジウム、オキシハロゲン化バナジウム、バナジウムアルコキシドおよびバナジルアルコキシドなどのバナジウム化合物が含まれる。このような還元剤の濃度は、当業者に周知であるが、典型的には、0.1g/l〜10g/l、好ましくは1g/l〜5g/lの範囲である。このような酸化防止剤は、一般に、様々な供給源から市販されている。
スズまたはスズ合金電気めっき浴は、スズおよび/または組成物中に存在する任意の他の金属を錯化するための錯化剤をさらに含み得る。典型的な錯化剤は、3,6−ジチア−1,8−オクタンジオールである。
一般に、本明細書で使用される場合、「水性」とは、本発明の電気めっき組成物が、少なくとも50%の水を含む溶媒を含むことを意味する。好ましくは、「水性」とは、組成物の大部分が水であり、より好ましくは、溶媒の90%が水であり、最も好ましくは、溶媒が本質的に水からなることを意味する。蒸留水、脱イオン水、水道水など、任意のタイプの水を使用することができる。
スズイオン源は、電気めっき浴中に十分な量で堆積金属イオンを放出することができ、すなわち、電気めっき浴中に少なくとも部分的に可溶である任意の化合物であってよい。金属イオン源は、めっき浴に可溶であることが好ましい。適切な金属イオン源は、金属塩であり、これらに限定されるものではないが、金属硫酸塩、金属ハロゲン化物、金属酢酸塩、金属硝酸塩、金属フルオロホウ酸塩、金属アルキルスルホン酸塩、金属アリールスルホン酸塩、金属スルファミン酸塩、金属グルコン酸塩などを含む。
任意に、本発明によるめっき浴は、1つ以上の合金化金属イオンを含んでもよい。適切な合金化金属は、これらに限定されるものではないが、銀、金、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、マンガン、およびそれらの混合物を含む。好ましい合金化金属は、銀、銅、ビスマス、インジウム、およびそれらの混合物であり、より好ましくは銀である。合金化金属の任意の浴溶性塩は、合金化金属イオンの供給源として好適に使用され得る。このような合金化金属塩の例は、これらに限定されるものではないが、金属酸化物;金属ハロゲン化物;金属フルオロホウ酸塩;金属硫酸塩;金属メタンスルホン酸塩、金属エタンスルホン酸塩、金属プロパンスルホン酸塩などの金属アルカンスルホン酸塩;金属フェニルスルホネート、金属トルエンスルホネート、金属フェノールスルホネートなどの金属アリールスルホネート;金属グルコネートおよび金属アセテートなどの金属カルボキシレート;などを含む。好ましい合金化金属塩は、金属硫酸塩;金属アルカンスルホン酸塩;金属アリールスルホネートである。1つの合金化金属が本発明の組成物に添加されると、二元合金堆積が得られる。2、3またはそれ以上の異なる合金化金属が本発明の組成物に添加されると、三元、四元またはそれ以上の高元合金堆積が得られる。本発明の組成物に使用されるそのような合金化金属の量は、所望の特定のスズ合金に依存する。合金化金属のこのような量の選択は、当業者の能力の範囲内である。特定の合金化金属、例えば銀などが使用される場合、追加の錯化剤が必要とされ得ることは、当業者には理解されよう。そのような錯化剤(またはコンプレッサー)は、当技術分野で周知であり、所望のスズ合金組成物を得るために任意の適切な量で使用され得る。
一般に、金属イオン源および抑制剤の少なくとも1つに加えて、本発明の金属電気めっき組成物は、好ましくは、電解質、すなわち酸性またはアルカリ性の電解質、1つ以上の金属イオン、任意にハロゲン化物イオンの源、および任意に界面活性剤および結晶粒微細化剤などの他の添加剤を含む。このような浴は、典型的には水性である。水は、広範囲の量で存在してもよい。蒸留水、脱イオン水、または水道水など、任意のタイプの水を使用することができる。
本発明のめっき組成物は、スズ含有層が所望される様々なめっき方法、特に、複数の導電性結合フィーチャーを含む半導体ウェハ上にスズ含有はんだ層を堆積させる方法において有用である。めっき方法は、これらに限定されるものではないが、水平または垂直ウェハめっき、バレルめっき、ラックめっき、リールトゥリールおよびジェットめっき等の高速めっき、ラックレスめっき等を含み、好ましくは水平または垂直ウェハめっきである。多種多様な基板が、本発明により、スズ含有堆積物でめっきされ得る。めっきされる基板は、導電性であり、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−鉄含有材料を含むことができる。このような基板は、(a)リードフレーム、コネクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗器、および半導体パッケージ、(b)回路基板などのプラスチック、(c)半導体ウェハなどの電子部品の形態であってもよい。好ましくは、基板は半導体ウェハである。従って、本発明はまた:複数の導電性結合フィーチャーを含む半導体ウェハを提供すること;半導体ウェハを前述の記組成物と接触させること;導電性結合フィーチャー上にスズ含有層を堆積させるのに十分な電流密度を適用すること、を含む半導体ウェハ上にスズ含有層を堆積させる方法を提供する。好ましくは、結合フィーチャーは銅を含み、該銅は純銅層、銅合金層、または銅を含む任意の相互接続構造の形態であってもよい。銅柱は、好ましい導電性結合フィーチャーの1つである。任意に、銅柱は、ニッケル層などのトップメタル層を含むことができる。導電性結合フィーチャーがトップメタル層を有する場合、純スズはんだ層が、結合フィーチャーのトップメタル層上に堆積される。ボンディングパッド、銅柱などの導電性結合フィーチャーは、当技術分野でよく知られており、例えば、US 7,7781,325、US 2008/0054459 A、US2008/00296761 A、US2006/0094226 Aに記載されている。
一般に、本発明が基板上にスズまたはスズ合金を堆積させるために使用されるとき、めっき浴は使用中は撹拌される。任意の適切な撹拌方法が本発明で使用されることができ、そのような方法は当技術分野で周知である。適切な撹拌方法は、これらに限定されるものではないが、不活性ガスまたは空気の散布、ワークピースの撹拌、衝突などが含まれる。そのような方法は当業者に知られている。本発明を使用して、ウェハなどの集積回路基板をめっきする場合、ウェハは1rpm〜150rpmなどのように回転させ、ポンピングまたはスプレーなどの方法で、めっき液を回転しているウェハに接触させてもよい。代替的には、めっき浴の流れが所望の金属堆積物を提供するのに十分である場合、ウェハを回転させる必要はない。
抑制剤の分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー(SEC)により決定した。ポリスチレンを標準として使用し、溶出液としてテトラヒドロフランを使用した。カラムの温度は30℃、注入量は30μL(μリットル)、流速は1.0ml/分であった。抑制剤の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)および多分散指数PDI(Mw/Mn)を決定した。アミン数は、DIN 53176に従って、酢酸中のポリマーの溶液を過塩素酸で滴定することによって決定した。コプラナリティおよび形態(粗さ)は、レーザー走査顕微鏡によって基板の高さを測定することによって、決定した。
COP=(Hiso−Hdense)/HAv
を使用することによって、決定した。
実施例1.3
ジエチレントリアミン(346.5g)を3.5リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、エチレンオキシド(739.8g)を120℃で8時間かけて添加し、最大圧力5バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、120℃で8時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程1は、528mgKOH/gのアミン価を有する褐色がかった液体(1085.5g)として得られた。
ジエチレントリアミン(245.2g)を3.5リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、プロピレンオキシド(689g)を90℃で10時間かけて添加し、最大圧力5バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、130℃で8時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程2は、419.8mgKOH/gのアミン価を有する褐色がかった液体(901g)として得られた。
ジエチレントリアミン(619g)を5.0リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、エチレンオキシド(1320g)を90℃で10時間かけて添加し、最大圧力5バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、8時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程3は、516.8mg/gのアミン価を有する褐色がかった液体(1085.5g)として得られた。
ジエチレントリアミン(346.5g)を3.5リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、エチレンオキシド(739.8g)を120℃で8時間かけて添加し、最大圧力5バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、120℃で8時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程1は、516.8mg/gのアミン価を有する褐色がかった液体(1085.5g)として得られた。
トリスアミノエチルアミン(396g)を3.5リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、プロピレンオキシド(943.7g)を90℃で10時間かけて添加し、最大圧力6バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、12時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程4は、334.1mgKOH/gのアミン価を有する褐色がかった液体(1336g)として得られた。
トリスアミノエチルアミン(277.8g)を3.5リットルのオートクレーブに入れた。窒素中和後、圧力を1.5バールに調整した。次いで、エチレンオキシド(501.6g)を90℃で10時間かけて添加し、最大圧力5バールに達した。反応を完了させるために、混合物を、12時間、後反応させた。次に、温度を80℃に下げ、揮発性化合物を真空中80℃で除去した。前工程5は、526.2mgKOH/gのアミン価を有する褐色がかった液体(1346g)として得られた。
比較例2.1
メタンスルホン酸スズとして40g/lのスズ、165g/lのメタンスルホン酸、1g/lの市販の酸化防止剤、及び1g/lのLugalvan(登録商標)BNO 12(スズめっき用の一般的な最新技術の界面活性剤、BASFから入手可能)を含有するスズめっき浴を調製した。Lugalvan(登録商標)BNO 12は、β−ナフトール1モルあたり12モルのエチレンオキシドでエトキシ化されたβ−ナフトールである。
追加の0.02g/lのベンザルアセトン(結晶粒微細化剤)および10ml/lのイソプロパノールを含む比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は、比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.12μmの平均粗さ(Ra)および−11%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤3を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.17μmの平均粗さ(Ra)および1%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤4を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.17μmの平均粗さ(Ra)および3%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤5を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.17μmの平均粗さ(Ra)および4%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤6を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.16μmの平均粗さ(Ra)および4%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤7を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.16μmの平均粗さ(Ra)および3%のコプラナリティ(COP)が決定された。
Lugalvan BNO 12に代えて1g/lの界面活性剤8を含有する比較例2.1に記載したスズめっき浴を調製した。めっき手順は比較例2.1に記載したものであった。めっきされたスズバンプをレーザー走査顕微鏡(LSM)と走査型電子顕微鏡(SEM)で検査した。0.17μmの平均粗さ(Ra)および3%のコプラナリティ(COP)を決定した。
Claims (16)
- スズイオンと式Iの少なくとも1つの化合物とを含む水性組成物であって、
X1,X2は、独立して、任意にOまたはSによって中断されてよい直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイルから選択され、
R11は、式−(O−CH2−CHR41)m−OR42の1価の基であり、
R12,R13,R14は、独立して、H、R11及びR40から選択され;
R15は、H,R11,R40及び−X4−N(R21)2から選択され、
X4は、(a)直鎖状または分枝状のC1〜C12アルカンジイル、(b)式−(O−CH2−CHR41)o−から選択される2価の基であり、
R21は、R11およびR40から選択され、
R40は、直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルであり、
R41は、Hおよび直鎖状または分枝状のC1〜C5アルキルから選択され、
R42は、Hおよび任意にヒドロキシ、アルコキシまたはアルコキシカルボニルで置換されてよい直鎖状または分枝状のC1〜C20アルキルから選択され、
nは、1〜6までの整数であり、
mは、2〜250の整数であり、
oは、1〜250の整数であり、
前記水性組成物の銅含有量が1質量%未満である、
水性組成物。 - 前記X1及びX2は、C1〜C6アルカンジイル、好ましくはメタンジイル、エタンジイルまたはプロパンジイルから独立して選択される、請求項1に記載の水性組成物。
- 前記X1及びX2は、−(CHR41)q−[Q−(CHR41)r]s−であって、QはOまたはSから選択され、q+r・sはスペーサー中のC原子の数である、請求項1に記載の水性組成物。
- Q=O及びq=r=1または2である、請求項3に記載の水性組成物。
- 前記R41は、H、メチル、エチルから、好ましくはH及びメチルから選択される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 前記R12、R13及びR14は、前記R11から選択される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 前記R15は、前記R11および−X4−N(R21)2から選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 前記R11は、エチレンオキシドとさらなるC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 前記エチレンオキシドとさらなるC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマー中のエチレンオキシドの含有量は、5〜50重量%、好ましくは5〜40重量%である、請求項8に記載の水性組成物。
- 前記エチレンオキシドとさらなるC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマー中のエチレンオキシドの含有量は、5〜30重量%、好ましくは8〜20重量%である、請求項8に記載の水性組成物。
- α,β−不飽和脂肪族カルボニル化合物ではない単一の結晶粒微細化剤を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 本質的に結晶粒微細化剤を含まない、請求項1〜11のいずれか一項に記載の水性組成物。
- 前記水性組成物の銅含有量が0.1質量%未満である、請求項1〜12のうちいずれか1項に記載の水性組成物。
- 500nm〜500μmの開口サイズを有するフィーチャーを有する基板上にスズまたはスズ合金を堆積させるための、請求項1〜13のいずれか一項に記載の水性組成物の使用。
- 基板上に、以下の工程によってスズまたはスズ合金を電着させる方法であって、
a)請求項1から12のいずれか一項に記載の組成物を前記基板と接触させること、及び、
b)前記基板上にスズまたはスズ合金の層を堆積させるのに十分な時間、前記基板に電流を印加すること、
ここで、前記基板は、500nm〜500μmの開口サイズを有するフィーチャーを有し、堆積物は、これらのフィーチャーを充填するために行われる、方法。 - 前記開口サイズが1μm〜200μmである、請求項15に記載の方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008261050A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物 |
JP2009029776A (ja) * | 2007-04-03 | 2009-02-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物および方法 |
JP2012522897A (ja) * | 2009-04-07 | 2012-09-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | サブミクロンの窪みの無ボイド充填用の抑制剤含有金属めっき組成物 |
JP2015092021A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | めっき浴および方法 |
JP2017222894A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135991A (en) | 1977-08-12 | 1979-01-23 | R. O. Hull & Company, Inc. | Bath and method for electroplating tin and/or lead |
GB1567235A (en) | 1978-05-15 | 1980-05-14 | Pmd Chemicals Ltd | Electrodeposition of tin or tin/lead alloys |
US4871429A (en) | 1981-09-11 | 1989-10-03 | Learonal, Inc | Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions |
US5174887A (en) | 1987-12-10 | 1992-12-29 | Learonal, Inc. | High speed electroplating of tinplate |
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US20150122662A1 (en) * | 2013-11-05 | 2015-05-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
JP6285742B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2018-02-28 | 津田駒工業株式会社 | 複数幅取り織機における織布巻取装置 |
WO2016020216A1 (en) | 2014-08-06 | 2016-02-11 | Basf Se | Improved process for preparing polymeric, ionic imidazolium compounds |
EP3314681B1 (en) * | 2015-06-24 | 2021-07-21 | QuantumScape Battery, Inc. | Composite electrolytes |
US20190016858A1 (en) | 2016-01-12 | 2019-01-17 | Basf Se | Process for preparing polymeric imidazolium compounds without or with less monoaldehyde |
CN108603070B (zh) * | 2016-02-08 | 2021-03-05 | 关西涂料株式会社 | 阳离子电沉积涂料组合物的制备方法 |
KR102457310B1 (ko) * | 2016-12-20 | 2022-10-20 | 바스프 에스이 | 무-보이드 충전을 위한 억제 작용제를 포함하는 금속 도금용 조성물 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008261050A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物 |
JP2009029776A (ja) * | 2007-04-03 | 2009-02-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属メッキ組成物および方法 |
JP2012522897A (ja) * | 2009-04-07 | 2012-09-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | サブミクロンの窪みの無ボイド充填用の抑制剤含有金属めっき組成物 |
JP2015092021A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | めっき浴および方法 |
JP2017222894A (ja) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品 |
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