RU2010152839A - Способ осаждения тонкой полимерной пленки в газовой фазе при низком давлении - Google Patents

Способ осаждения тонкой полимерной пленки в газовой фазе при низком давлении Download PDF

Info

Publication number
RU2010152839A
RU2010152839A RU2010152839/02A RU2010152839A RU2010152839A RU 2010152839 A RU2010152839 A RU 2010152839A RU 2010152839/02 A RU2010152839/02 A RU 2010152839/02A RU 2010152839 A RU2010152839 A RU 2010152839A RU 2010152839 A RU2010152839 A RU 2010152839A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
temperature
substrate
inlet device
chamber
Prior art date
Application number
RU2010152839/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2502831C2 (ru
Inventor
Маркус ГЕРСДОРФФ (DE)
Маркус ГЕРСДОРФФ
Original Assignee
Айкстрон Аг (De)
Айкстрон Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айкстрон Аг (De), Айкстрон Аг filed Critical Айкстрон Аг (De)
Publication of RU2010152839A publication Critical patent/RU2010152839A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502831C2 publication Critical patent/RU2502831C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/02—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to macromolecular substances, e.g. rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Способ осаждения одного или нескольких тонких слоев, в котором, в частности, органический материал или образующий полимер технологический газ вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) вводят в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7') субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4') держателя (4) подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3) в отдалении от него, осадить тонкий слой, в частности, в форме полимера, отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) и/или несущую поверхность (4') термостатируют таким образом, что температура (TS) несущей поверхности (4') является более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), причем временно, перед поступлением технологического газа в осадительную камеру (8), при первом давлении (Р1) в осадительной камере (8) субстрат (7), размещенный на несущей поверхности (4'), стабилизируют путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая только незначительно превышает температуру (TS) несущей поверхности (4'), но является гораздо более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), после чего давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2), и по достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают технологический газ. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ-носитель и, соответственно, технологический газ выходит из отверстий (6) тщательно отполированной и, в особенности, позолоченной зоны (3') выхода газа. ! 3. Способ по одному или нескольким из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что нагревают формирующее зону (3') выхода газа, скомпонованное в в

Claims (16)

1. Способ осаждения одного или нескольких тонких слоев, в котором, в частности, органический материал или образующий полимер технологический газ вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) вводят в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7') субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4') держателя (4) подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3) в отдалении от него, осадить тонкий слой, в частности, в форме полимера, отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) и/или несущую поверхность (4') термостатируют таким образом, что температура (TS) несущей поверхности (4') является более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), причем временно, перед поступлением технологического газа в осадительную камеру (8), при первом давлении (Р1) в осадительной камере (8) субстрат (7), размещенный на несущей поверхности (4'), стабилизируют путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая только незначительно превышает температуру (TS) несущей поверхности (4'), но является гораздо более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), после чего давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2), и по достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают технологический газ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ-носитель и, соответственно, технологический газ выходит из отверстий (6) тщательно отполированной и, в особенности, позолоченной зоны (3') выхода газа.
3. Способ по одному или нескольким из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что нагревают формирующее зону (3') выхода газа, скомпонованное в виде душевого распылителя газовпускное устройство (3).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) нагревают с помощью электрических нагревательных проволок или каналов (19) для протекания жидкости.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что нагревательные проволоки или каналы (19) для протекания жидкости размещают в передней пластине газовпускного устройства (3), формирующей зону (3') выхода газа.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что активно охлаждают держатель (4) подложки, скомпонованный из охлаждающего блока.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что температура (TG) зоны (3') выхода газа по меньшей мере на 50°С, предпочтительно по меньшей мере на 100°С, является более высокой, чем температура (TS) несущей поверхности (4').
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура зоны (3') выхода газа варьируют в диапазоне между 150°С и 250°С, и предпочтительно составляет около 200°С.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что температура держателя подложки находится в области от -30°С до 100°С, и предпочтительно в области ниже 0°С.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочее давление (Р2) является меньшим, чем 1 мбар (100 Па), и предпочтительно находится в области между 0,5 мбар (50 Па), и 0,05 мбар в особенности предпочтительно составляет 0,1 мбар (10 Па).
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что температурную стабилизацию проводят при температуре (TD) субстрата ниже 100°С, предпочтительно ниже 10°С, при давлении (Р1) термостатирования выше 1 мбар (100 Па), предпочтительно около 5 мбар (500 Па).
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологический газ происходит из испаренного мономера, полученного из полимерного исходного материала, в частности, пара-ксилилена или замещенного производного пара-ксилилена.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологический газ образуют испаренные жидкие или твердые исходные материалы, которые конденсируются на субстрате (7) в виде светоизлучающих или фотоэлектрических слоев, в частности, в форме OLED.
14. Способ осаждения одного или многих тонких слоев из полимерного материала, в частности пара-ксилилена, в котором твердый или жидкий исходный материал, в частности, образованный полимером, в частности димером, испаряют в испарителе (1), исходный материал, в частности димер, с помощью газа-носителя транспортируют из испарителя (1) через трубопровод (13) для газа-носителя в пиролитическую камеру (2), пиролитически разлагают в пиролитической камере (2), в частности, до мономера, продукт разложения, в частности мономер, посредством газа-носителя транспортируют из пиролитической камеры (2) в осадительную камеру (8), здесь через газовпускное устройство (3) вводят в осадительную камеру (8) и полимеризуют на поверхности (7') субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4') держателя (4) подложки в виде тонкого слоя, и причем газ-носитель и неполимеризованную часть продукта разложения, в частности мономера, выводят через газовыпускное устройство (5) из рабочей камеры (8), отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) и/или несущую поверхность (4') термостатируют таким образом, что температура (TS) несущей поверхности (4') является более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), причем временно, перед поступлением технологического газа в осадительную камеру (8), при первом давлении (Р1) в осадительной камере (8) субстрат (7), размещенный на несущей поверхности (4'), стабилизируют путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая только незначительно превышает температуру (TS) несущей поверхности (4'), но является гораздо более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), после чего давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2), и по достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают технологический газ.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что продукт разложения, в частности, мономер, вместе с газом-носителем из газовыпускных отверстий (6) зоны (3') выхода газа в сформированном газовпускным устройством (3) плоском газораспределителе нагнетают в вертикальном направлении на поверхность (7') субстрата в форме плотно смыкающихся «газовых струй», соединяющихся между собой над всей несущей поверхностью по существу в объемный газовый поток, простирающийся в рабочей камере (8), причем газовыпускные отверстия (6) распределены по всей зоне (3') выхода газа, расположенной параллельно несущей поверхности (4').
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что площадь поверхности зоны (3') выхода газа является большей, чем площадь поверхности несущей поверхности (4') и, соответственно, субстрата.
RU2010152839/02A 2008-06-03 2009-05-14 Способ осаждения тонкой полимерной пленки в газовой фазе при низком давлении RU2502831C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008026973.5 2008-06-03
DE102008026973 2008-06-03
DE102009003781A DE102009003781A1 (de) 2008-06-03 2009-04-14 Verfahren zum Abscheiden eines dünnschichtigen Polymers in einer Niederdruckgasphase
DE102009003781.0 2009-04-14
PCT/EP2009/055795 WO2009147005A1 (de) 2008-06-03 2009-05-14 Verfahren zum abscheiden eines dünnschichtigen polymers in einer niederdruckgasphase

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010152839A true RU2010152839A (ru) 2012-07-20
RU2502831C2 RU2502831C2 (ru) 2013-12-27

Family

ID=41268953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010152839/02A RU2502831C2 (ru) 2008-06-03 2009-05-14 Способ осаждения тонкой полимерной пленки в газовой фазе при низком давлении

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8685500B2 (ru)
EP (1) EP2294246B1 (ru)
JP (1) JP5492196B2 (ru)
KR (1) KR101671401B1 (ru)
CN (1) CN102112656B (ru)
DE (1) DE102009003781A1 (ru)
RU (1) RU2502831C2 (ru)
TW (1) TWI480413B (ru)
WO (1) WO2009147005A1 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010000447A1 (de) * 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
CN103031535B (zh) * 2011-09-28 2015-12-09 核心能源实业有限公司 薄膜工艺设备及其制作方法
TWI458843B (zh) 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
US9299956B2 (en) * 2012-06-13 2016-03-29 Aixtron, Inc. Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices
DE102014115497A1 (de) * 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen
CN104716077A (zh) * 2015-03-25 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 可控温加热式传送腔及其工艺装置和控温加热方法
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102122639B1 (ko) * 2018-03-22 2020-06-15 (주)씨엔원 3차원 구조물 코팅장치
JP7093667B2 (ja) * 2018-04-11 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US20190386256A1 (en) * 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Sequential material sources for thermally challenged OLED materials
US11963433B2 (en) * 2018-12-21 2024-04-16 The University Of Tokyo Organic electroluminescent element
GB201913140D0 (en) * 2019-09-12 2019-10-30 Ucl Business Plc Methods and apparatuses for fabricating polymeric conformal coatings, parts coated with polymeric conformal coatings, and optical apparatus
US20220033958A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 Applied Materials, Inc. Evaporation source, vapor deposition apparatus, and method for coating a substrate in a vacuum chamber
CN116759297B (zh) * 2023-08-23 2023-11-03 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 一种连续制备低温氮化硅薄膜中降低晶圆表面温度的方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3288728A (en) 1966-02-18 1966-11-29 Union Carbide Corp Para-xylylene copolymers
US3908046A (en) 1974-02-25 1975-09-23 Xerox Corp P-xylene vapor phase polymerization coating of electrostatographic particles
US4945856A (en) 1988-06-23 1990-08-07 Jeffrey Stewart Parylene deposition chamber
US5554220A (en) 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
EP0862664B1 (en) 1995-10-27 2003-01-02 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers
US5958510A (en) 1996-01-08 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure
US5804259A (en) * 1996-11-07 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film
JP3788835B2 (ja) * 1996-12-06 2006-06-21 株式会社アルバック 有機薄膜製造方法
KR100269315B1 (ko) * 1997-11-24 2000-11-01 윤종용 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법
KR100498050B1 (ko) * 1998-10-09 2005-10-14 삼성전자주식회사 열압축방식 잉크젯프린터헤드의 제작방법 및 그 잉크젯프린터헤드
US6362115B1 (en) 1998-12-09 2002-03-26 Applied Materials, Inc. In-situ generation of p-xylyiene from liquid precursors
US6709715B1 (en) 1999-06-17 2004-03-23 Applied Materials Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of copolymer of parylene N and comonomers with various double bonds
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
RU2164047C1 (ru) * 2000-07-26 2001-03-10 Гадалова Ольга Евгеньевна Способ получения композиционных металлокерамических мембран cvd-методом и устройство для его реализации
KR100348893B1 (ko) * 2000-07-31 2002-08-30 학교법인 영남학원 패릴린박막 증착장치, 유기발광소자 제조방법 및유기발광소자
JP2002110564A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置及び気相成長方法
DE10136858A1 (de) 2001-02-15 2002-09-05 Aixtron Ag Beschichtungsvorrichtung
US6921556B2 (en) * 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
US20040006621A1 (en) 2002-06-27 2004-01-08 Bellinson Craig Adam Content filtering for web browsing
KR100749375B1 (ko) * 2003-07-01 2007-08-14 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 화학 증착 장치
JP4596803B2 (ja) * 2004-03-25 2010-12-15 キヤノン株式会社 減圧蒸着装置
JP2006009041A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Canon Inc プラズマ処理装置
JP4664637B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-06 三菱重工業株式会社 基板冷却装置及び基板の冷却方法
RU2317313C2 (ru) 2004-10-28 2008-02-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд Способ получения жидкокристаллической полимерной пленки
JP2007023350A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Sharp Corp ポリパラキシリレン膜の形成方法、ポリパラキシリレン膜、インクジェットヘッド
US20100034970A1 (en) * 2006-07-28 2010-02-11 Daisankasei Co., Ltd. Apparatus and method for chemical vapor deposition
JP2008053489A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7867560B2 (en) * 2007-03-28 2011-01-11 Tokyo Electron Limited Method for performing a vapor deposition process

Also Published As

Publication number Publication date
RU2502831C2 (ru) 2013-12-27
EP2294246B1 (de) 2018-02-28
JP2011522129A (ja) 2011-07-28
EP2294246A1 (de) 2011-03-16
KR20110039437A (ko) 2011-04-18
KR101671401B1 (ko) 2016-11-01
JP5492196B2 (ja) 2014-05-14
TWI480413B (zh) 2015-04-11
WO2009147005A1 (de) 2009-12-10
US20110081504A1 (en) 2011-04-07
US8685500B2 (en) 2014-04-01
CN102112656A (zh) 2011-06-29
CN102112656B (zh) 2016-06-22
DE102009003781A1 (de) 2009-12-10
TW201005119A (en) 2010-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010152839A (ru) Способ осаждения тонкой полимерной пленки в газовой фазе при низком давлении
RU2010154436A (ru) Способ и устройство осаждения тонких слоев полипараксилилена или замещенного полипараксилилена
KR101119863B1 (ko) 대기압 화학 기상 증착
CN103732792B (zh) 用于处理蒸气的系统和方法
JP6752199B2 (ja) Ｃｖｄまたはｐｖｄ装置のための蒸気発生装置および蒸気発生方法
TWI683019B (zh) 用數種液態或固態起始材料為ｃｖｄ裝置或ｐｖｄ裝置產生蒸汽之裝置及方法
CN104040017B (zh) 直接液体淀积
WO2003072273A8 (en) Methods and apparatus for vacuum thin film deposition
WO2012175334A3 (de) Verfahren und vorrichtung zum abscheiden
US20160186320A1 (en) Apparatus for continuously forming a film through chemical vapor deposition
CN111655898A (zh) 用于蒸发源材料的蒸发器、材料沉积源、沉积装置及其方法
ATE503034T1 (de) Vorrichtung und verfahren zur kontinuierlichen thermischen vakuumbeschichtung
JP2005014483A (ja) 積層体の製造方法
CN101381863B (zh) 源气体供给装置
US20150059646A1 (en) Vapor-deposition device for coating two-dimensional substrates

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140515