RU2010152681A - Галогенированный полисилан и плазохимический способ его получения - Google Patents

Галогенированный полисилан и плазохимический способ его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2010152681A
RU2010152681A RU2010152681/05A RU2010152681A RU2010152681A RU 2010152681 A RU2010152681 A RU 2010152681A RU 2010152681/05 A RU2010152681/05 A RU 2010152681/05A RU 2010152681 A RU2010152681 A RU 2010152681A RU 2010152681 A RU2010152681 A RU 2010152681A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ppm
halogen
polysilane
halogenated polysilane
halogenated
Prior art date
Application number
RU2010152681/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2502555C2 (ru
Inventor
Кристиан БАУХ (DE)
Кристиан БАУХ
Румен ДЕЛЬЧЕВ (DE)
Румен ДЕЛЬЧЕВ
Герд ЛИППОЛЬД (DE)
Герд ЛИППОЛЬД
Сейед-Джавад МОХССЕНИ-АЛА (DE)
Сейед-Джавад МОХССЕНИ-АЛА
Норберт АУНЕР (DE)
Норберт АУНЕР
Original Assignee
Спонт Прайват С.А.Р.Л. (Lu)
Спонт Прайват С.А.Р.Л.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=41134603&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2010152681(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Спонт Прайват С.А.Р.Л. (Lu), Спонт Прайват С.А.Р.Л. filed Critical Спонт Прайват С.А.Р.Л. (Lu)
Publication of RU2010152681A publication Critical patent/RU2010152681A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502555C2 publication Critical patent/RU2502555C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0871—Heating or cooling of the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873—Materials to be treated
    • B01J2219/0881—Two or more materials
    • B01J2219/0883—Gas-gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

1. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что ! a) галоген является хлором, ! b) содержание водорода в полисилане меньше 2 ат.%, ! c) полисилан почти не содержит короткоцепочечных разветвленных цепей и циклов, причем содержание точек разветвления у короткоцепочечных фракций составляет менее 1%, в расчете на всю полученную смесь, ! d) рамановский молекулярный колебательный спектр имеет I100/I132>1, где I100 означает интенсивность рамановского рассеяния при 100 см-1, a I132 интенсивность рамановского рассеяния при 132 см-1, ! e) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в области химических сдвигов от +15 ppm до -7 ppm. ! 2. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что ! a) галоген является бромом, и ! b) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в области химических сдвигов от -10 ppm до -42 ppm, от -48 ppm до -52 ppm и/или от -65 ppm до -96 ppm. ! 3. Галогенированный полисилан по п.2, отличающийся тем, что он имеет типичные интенсивности рамановского рассеяния в интервале от 110 см-1 до 130 см-1, от 170 см-1 до 230 см-1, от 450 см-1 до 550 см-1 и от 940 см-1 до 1000 см-1. ! 4. Галогенированный полисилан по п.2, отличающийся тем, что сод�

Claims (24)

1. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что
a) галоген является хлором,
b) содержание водорода в полисилане меньше 2 ат.%,
c) полисилан почти не содержит короткоцепочечных разветвленных цепей и циклов, причем содержание точек разветвления у короткоцепочечных фракций составляет менее 1%, в расчете на всю полученную смесь,
d) рамановский молекулярный колебательный спектр имеет I100/I132>1, где I100 означает интенсивность рамановского рассеяния при 100 см-1, a I132 интенсивность рамановского рассеяния при 132 см-1,
e) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в области химических сдвигов от +15 ppm до -7 ppm.
2. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что
a) галоген является бромом, и
b) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в области химических сдвигов от -10 ppm до -42 ppm, от -48 ppm до -52 ppm и/или от -65 ppm до -96 ppm.
3. Галогенированный полисилан по п.2, отличающийся тем, что он имеет типичные интенсивности рамановского рассеяния в интервале от 110 см-1 до 130 см-1, от 170 см-1 до 230 см-1, от 450 см-1 до 550 см-1 и от 940 см-1 до 1000 см-1.
4. Галогенированный полисилан по п.2, отличающийся тем, что содержание водорода в полисилане меньше 4 ат.%.
5. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что
a) галоген является фтором, и
b) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в области химических сдвигов от 8 ppm (млд) до -30 ppm (млд) и/или от -45 ppm (млд) до -115 ppm (млд).
6. Галогенированный полисилан по п.5, отличающийся тем, что он имеет типичные интенсивности рамановского рассеяния в интервалах примерно от 180 см-1 до 225 см-1, примерно от 490 см-1 до 550 см-1 и примерно от 900 см-1 до 980 см-1.
7. Галогенированный полисилан по п.5, отличающийся тем, что содержание водорода в полисилане меньше 4 ат.%.
8. Галогенированный полисилан в виде чистого соединения или смеси соединений с соответственно по меньшей мере одной прямой связью Si-Si, где его заместители состоят из галогена или из галогена и водорода, и в его составе атомное отношение заместитель:кремний составляет по меньшей мере 1:1, отличающийся тем, что
a) галоген является йодом, и
b) в его спектрах 29Si-ЯМР существенные сигналы от продукта находятся в интервалах химических сдвигов от -20 ppm (млд) до -55 ppm (млд), от -65 ppm (млд) до -105 ppm (млд) и/или от -135 ppm (млд) до -181 ppm (млд).
9. Галогенированный полисилан по п.8, отличающийся тем, что он имеет типичные интенсивности рамановского рассеяния в интервалах примерно от 95 см-1 до 120 см-1, от 130 см-1 до 140 см-1, от 320 см-1 до 390 см-1 и от 480 см-1 до 520 см-1.
10. Галогенированный полисилан по п.8, отличающийся тем, что содержание водорода в полисилане меньше 4 ат.%.
11. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что галогеновые заместители содержат несколько разных галогенов.
12. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что его заместители состоят исключительно из галогена или из галогена и водорода.
13. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что он содержит преимущественно длинные линейные цепи.
14. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что средний размер скелета исходной смеси галогенированного полисилана составляет n=8-20.
15. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что средний размер скелета исходной смеси галогенированного полисилана после отгонки короткоцепочечных полисиланов составляет n=15-25.
16. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что он имеет вид от высоковязкого до твердого.
17. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что он как хлорированный полисилан имеет цвет от зеленовато-желтого до интенсивно оранжевого или красно-коричневого, а как бромированный полисилан от бесцветного до желтого.
18. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что он легко растворим в инертных растворителях.
19. Галогенированный полисилан по одному из пп.1-10, отличающийся тем, что он содержит менее 1 ат.% водорода.
20. Способ получения галогенированного полисилана по одному из предыдущих пунктов путем реакции галогеносилана с водородом в условиях образования плазменного разряда, отличающийся тем, что используют отношение в смеси галогеносилан: водород составляет 1:0-1:2 и плазменный разряд с плотностью энергии менее 10 Вт/см3.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что используют плазменный разряд с плотностью энергии 0,2-2 Вт/см3.
22. Способ по п.20 или 21, отличающийся тем, что поглощенная энергия на используемый эквивалент галогеносилана составляет 850-1530 кДж на моль галогеносилана.
23. Способ по п.20 или 21, отличающийся тем, что его проводят при давлении в диапазоне 0,8-10 гПа.
24. Способ по п.20 или 21, отличающийся тем, что части реактора, на которых осаждают галогенированный полисилан, поддерживают при температуре от -70°С до 300°С, в частности, от -20°С до 280°С.
RU2010152681/05A 2008-05-27 2009-05-27 Галогенированный полисилан и плазмохимический способ его получения RU2502555C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008025261.1 2008-05-27
DE102008025261A DE102008025261B4 (de) 2008-05-27 2008-05-27 Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung
PCT/DE2009/000726 WO2009143823A2 (de) 2008-05-27 2009-05-27 Halogeniertes polysilan und plasmachemisches verfahren zu dessen herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010152681A true RU2010152681A (ru) 2012-07-10
RU2502555C2 RU2502555C2 (ru) 2013-12-27

Family

ID=41134603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010152681/05A RU2502555C2 (ru) 2008-05-27 2009-05-27 Галогенированный полисилан и плазмохимический способ его получения

Country Status (16)

Country Link
US (1) US9701795B2 (ru)
EP (1) EP2296803B1 (ru)
JP (1) JP5658143B2 (ru)
KR (1) KR101620122B1 (ru)
CN (1) CN102105216A (ru)
AU (1) AU2009253522B2 (ru)
BR (1) BRPI0912048B1 (ru)
CA (1) CA2726000C (ru)
DE (1) DE102008025261B4 (ru)
IL (1) IL209579A0 (ru)
MX (1) MX2010013005A (ru)
MY (1) MY159112A (ru)
RU (1) RU2502555C2 (ru)
TW (1) TW201012750A (ru)
UA (1) UA103479C2 (ru)
WO (1) WO2009143823A2 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5888831B2 (ja) * 2005-10-05 2016-03-22 シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー 架橋済みポリマー及びその製造方法
DE102008025260B4 (de) 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009033351B3 (de) 2009-07-16 2011-02-24 Technische Universität Bergakademie Freiberg Verfahren zur Herstellung von Oligo- und Polysilanen
DE102009056437B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen
DE102009056436B4 (de) 2009-12-02 2013-06-27 Spawnt Private S.À.R.L. Chloridhaltiges Silicium
DE102009056438B4 (de) 2009-12-02 2013-05-16 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan
DE102009056731A1 (de) 2009-12-04 2011-06-09 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogenierte Polysilane und Polygermane
CA2797834A1 (en) 2010-05-05 2011-11-10 Spawnt Private S.A.R.L. Nano-wires made of novel precursors and method for the production thereof
DE102010025710A1 (de) 2010-06-30 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Speichermaterial und Verfahren zur Gewinnung von H-Silanen aus diesem
DE102010025948A1 (de) * 2010-07-02 2012-01-05 Spawnt Private S.À.R.L. Polysilane mittlerer Kettenlänge und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010043646A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
DE102013207447A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan
DE102013207444A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polychlorsilanen
DE102014203810A1 (de) 2014-03-03 2015-09-03 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung reiner Octachlortrisilane und Decachlortetrasilane
DE102014007767A1 (de) 2014-05-21 2015-11-26 Psc Polysilane Chemicals Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung halogenierter Oligosilane aus Silicium und Tetrachlorsilan
DE102014007766A1 (de) 2014-05-21 2015-11-26 Psc Polysilane Chemicals Gmbh Verfahren zur plasmachemischen Herstellung halogenierter Oligosilane aus Tetrachlorsilan
DE102014109275A1 (de) 2014-07-02 2016-01-07 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung
DE102015009129B4 (de) 2014-07-22 2016-12-15 Norbert Auner Verfahren zur Spaltung von Silicium-Silicium-Bindungen und/oder von Silicium-Chlor-Bindungen in Mono-, Poly- und/oder Oligosilanen
EP3088359B1 (de) * 2015-04-28 2018-09-12 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung von octachlortrisilan und höherer polychlorsilane unter verwertung von hexachlordisilan
JP7125062B2 (ja) * 2019-01-25 2022-08-24 株式会社東芝 判定方法及び処理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB703349A (en) 1949-12-10 1954-02-03 Ferranti Ltd Improvements relating to coin-actuated mechanisms
GB702349A (en) * 1950-07-08 1954-01-13 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to the preparation of chloropolysilanes
DE955414C (de) 1954-09-04 1957-01-03 Kali Cheime Ag Verfahren zur Herstellung von Siliciumsubbromiden
SU435190A1 (ru) * 1972-12-08 1974-07-05 Способ получения гексахлордисилана
US4309259A (en) 1980-05-09 1982-01-05 Motorola, Inc. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride
US4374182A (en) 1980-07-07 1983-02-15 Dow Corning Corporation Preparation of silicon metal through polymer degradation
JPS591505A (ja) * 1982-06-28 1984-01-06 Tdk Corp 低摩擦薄膜付き物品
JPS59182222A (ja) * 1983-03-30 1984-10-17 Mitsui Toatsu Chem Inc ポリクロロシランの製造方法
JPS6389414A (ja) * 1986-10-03 1988-04-20 Mitsubishi Metal Corp クロロポリシランの製造方法
RU2142909C1 (ru) * 1998-07-30 1999-12-20 Институт химии высокочистых веществ РАН Способ получения высокочистого трихлорсилана и устройство для его осуществления
US6858196B2 (en) 2001-07-19 2005-02-22 Asm America, Inc. Method and apparatus for chemical synthesis
DE102005024041A1 (de) 2005-05-25 2006-11-30 City Solar Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen
JP5888831B2 (ja) 2005-10-05 2016-03-22 シン フィルム エレクトロニクス エーエスエー 架橋済みポリマー及びその製造方法
JP2009543844A (ja) 2006-07-17 2009-12-10 ベーリンガー インゲルハイム インターナショナル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 直接トロンビン阻害剤の新しい小児適応症
DE102006034061A1 (de) 2006-07-20 2008-01-24 REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha Polysilanverarbeitung und Verwendung
DE102006043929B4 (de) 2006-09-14 2016-10-06 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen
DE102007007874A1 (de) 2007-02-14 2008-08-21 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane
DE102007013219A1 (de) * 2007-03-15 2008-09-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Plasmagestützte Synthese

Also Published As

Publication number Publication date
EP2296803B1 (de) 2013-07-10
WO2009143823A3 (de) 2010-04-08
TW201012750A (en) 2010-04-01
US9701795B2 (en) 2017-07-11
KR20110043545A (ko) 2011-04-27
CN102105216A (zh) 2011-06-22
MY159112A (en) 2016-12-15
US20110150740A1 (en) 2011-06-23
KR101620122B1 (ko) 2016-05-12
BRPI0912048A2 (pt) 2016-01-05
CA2726000C (en) 2018-01-02
BRPI0912048B1 (pt) 2018-01-16
DE102008025261A1 (de) 2009-12-03
JP2011520762A (ja) 2011-07-21
AU2009253522A1 (en) 2009-12-03
CA2726000A1 (en) 2009-12-03
WO2009143823A2 (de) 2009-12-03
MX2010013005A (es) 2011-05-24
RU2502555C2 (ru) 2013-12-27
DE102008025261B4 (de) 2010-03-18
JP5658143B2 (ja) 2015-01-21
UA103479C2 (ru) 2013-10-25
AU2009253522B2 (en) 2016-05-12
EP2296803A2 (de) 2011-03-23
IL209579A0 (en) 2011-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010152681A (ru) Галогенированный полисилан и плазохимический способ его получения
JP2011520762A5 (ru)
Ohga et al. Electron-transfer initiated photoaddition of allylsilanes to 1-methyl-2-phenylpyrrolinium perchlorate. A novel allylation methodology
JP6297778B2 (ja) 水素化ポリゲルマンの製造方法及び水素化ポリゲルマン
Ishikawa et al. Photolysis of dodecamethylcyclohexasilane generation of dimethylsilylene and some of its insertion reactions
EP2296804B1 (de) Halogeniertes polysilan und thermisches verfahren zu dessen herstellung
Nakabayashi et al. RAFT polymerization of S-vinyl sulfide derivatives and synthesis of block copolymers having two distinct optoelectronic functionalities
KR20090057367A (ko) 폴리실란의 가공 및 용도
US20130216465A1 (en) Polysilanes of medium chain length and a method for the production of same
KR101816287B1 (ko) 말레이미드기를 포함하는 벤조페논계 자외선 흡수제, 이의 제조방법, 벤조페논계 자외선 흡수제가 그라프팅된 고분자 화합물, 및 이의 제조방법
Paz-Simon et al. Surfactant-directed synthesis of mesoporous films made single-step by a tandem photosol-gel/photocalcination route
Sun et al. Preparation of Carbazole‐Containing Amphiphilic Copolymers: An Efficient Method for the Incorporation of Functional Nanocrystals
Raut et al. Photoluminescence studies of trichloro-DPQ organic phosphor
Rahman et al. Synthesis, spectroscopic characterization, thermal and luminescent properties of new organosulfur-functionalized platinum (II) bis (alkenylarylalkynyl) complexes
Mongin et al. 1, 1, 4, 4-Tetracyanobutadiene-Functionalized Anthracenes: Regioselectivity of Cycloadditions in the Synthesis of Small Near-IR Dyes
JP2013533198A (ja) 貯蔵物質及びそれからｈ−シランを得る方法
Gingras et al. Fundamental reactivity of sulfur with organotins: Underexploited Ar-S bond formation under aqueous and aerobic conditions
Zhang et al. The reaction rate of polysilanes prepared by electroreduction with different monomers and additives

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170528