RU2010146990A - Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую - Google Patents
Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010146990A RU2010146990A RU2010146990/07A RU2010146990A RU2010146990A RU 2010146990 A RU2010146990 A RU 2010146990A RU 2010146990/07 A RU2010146990/07 A RU 2010146990/07A RU 2010146990 A RU2010146990 A RU 2010146990A RU 2010146990 A RU2010146990 A RU 2010146990A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polymer
- electrical energy
- solar energy
- nanoparticles
- converting solar
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 11
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 7
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 7
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/209—Light trapping arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2036—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising mixed oxides, e.g. ZnO covered TiO2 particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2059—Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую, характеризующийся: ! a) нанесением слоя нанокристаллического полупроводникового соединения на прозрачную проводящую подложку; ! b) приготовлением суспензий наночастиц в жидких средах; ! c) нанесением пористого мультислоя со свойствами фотонного кристалла на полупроводниковый слой, с образованием структуры чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигается периодическая или квазипериодическая пространственная модуляция показателя преломления по мультислою; ! d) нагреванием структуры до температуры между 100°С и 550°С; ! e) сенсибилизацией структуры красителем посредством погружения структуры в раствор красителя; ! f) приготовлением противоэлектрода; ! g) герметизацией электрода и противоэлектрода, с образованием таким образом элемента, пропитыванием пространства между ними проводящим электролитом, который может быть жидким или твердым. ! 2. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по п.1, характеризующийся тем, что стадии е) и g) заменяют стадиями ! е') пропитывания структуры проводящим полимером, и ! g') герметизации электрода и противоэлектрода, с образованием таким образом элемента. ! 3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что устройство преобразования солнечной энергии в электрическую представляет собой сенсибилизированный красителем солнечный элемент. ! 4. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую, являющегося гибридным солнечным элементом, характеризующийся: ! A) нанесением слоя нанокристаллического полупроводников
Claims (14)
1. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую, характеризующийся:
a) нанесением слоя нанокристаллического полупроводникового соединения на прозрачную проводящую подложку;
b) приготовлением суспензий наночастиц в жидких средах;
c) нанесением пористого мультислоя со свойствами фотонного кристалла на полупроводниковый слой, с образованием структуры чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигается периодическая или квазипериодическая пространственная модуляция показателя преломления по мультислою;
d) нагреванием структуры до температуры между 100°С и 550°С;
e) сенсибилизацией структуры красителем посредством погружения структуры в раствор красителя;
f) приготовлением противоэлектрода;
g) герметизацией электрода и противоэлектрода, с образованием таким образом элемента, пропитыванием пространства между ними проводящим электролитом, который может быть жидким или твердым.
2. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по п.1, характеризующийся тем, что стадии е) и g) заменяют стадиями
е') пропитывания структуры проводящим полимером, и
g') герметизации электрода и противоэлектрода, с образованием таким образом элемента.
3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что устройство преобразования солнечной энергии в электрическую представляет собой сенсибилизированный красителем солнечный элемент.
4. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую, являющегося гибридным солнечным элементом, характеризующийся:
A) нанесением слоя нанокристаллического полупроводникового соединения на прозрачную проводящую подложку;
B) приготовлением различных суспензий наночастиц в жидких средах;
C) нанесением мультислоя с высокой пористостью и свойствами фотонного кристалла на полупроводниковый слой, с образованием таким образом структуры чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигается периодическая или квазипериодическая пространственная модуляция показателя преломления по мультислою;
D) нагреванием структуры до температуры между 100°С и 550°С;
Е) пропитыванием структуры проводящим полимером;
F) приготовлением противоэлектрода;
G) герметизацией электрода и противоэлектрода, с образованием таким образом элемента.
5. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую, являющегося полимерным солнечным элементом, характеризующийся:
А') нанесением слоя полимерного соединения с дырочной проводимостью на прозрачную проводящую подложку;
В') нанесением слоя проводящего полимерного соединения или состава из смеси полимер-фуллерен на ранее нанесенный слой;
С') приготовлением различных суспензий наночастиц в жидких средах;
D') нанесением мультислоя с высокой пористостью и свойствами фотонного кристалла на слой полимера или смеси полимер-фуллерен, нанесенный на стадии (b), с образованием таким образом структуры чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигается периодическая или квазипериодическая пространственная модуляция показателя преломления по мультислою;
Е') пропитыванием мультислоя на основе наночастиц теми же полимером или полимер-фуллереновой смесью, используемыми в (b);
F') приготовлением противоэлектрода, который находится в электрическом контакте с полимером или полимер-фуллереновой смесью, используемыми в (b), герметизацией элемента.
6. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по п.1, 2, 3, 4 или 5, характеризующийся тем, что применяемые различные суспензии наночастиц обладают различным составом или похожим составом, но различным размером частиц или агрегатным состоянием.
7. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по п.1, 2, 3, 4 или 5, характеризующийся тем, что суспензии наночастиц являются суспензиями, выбранными среди любых из следующего списка соединений либо в их аморфной, либо их кристаллической форме: SiO2, TiO2, SnO2, ZnO, Nb2O5, CeO2, Fe2O3, Fe3O4, V2O5, Cr2O3, HfO2, MnO2, Mn2O3, Co3O4, NiO, Al2O3, In2O3, SnO2, CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, Ni, Co, Fe, Ag, Au, Se, Si и Ge.
8. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по любому из пп.1-5, характеризующийся тем, что мультислоем является нанесенная каскадная пористая многослойная структура со свойствами фотонного кристалла в большем диапазоне длин волн на полупроводниковом слое, с образованием таким образом структуры чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигаются области с различной периодичностью показателя преломления.
9. Способ изготовления устройства преобразования солнечной энергии в электрическую по любому из пп.1-5, характеризующийся тем, что мультислой наносят с помощью ножевого устройства, окунанием, центрифугированием, методом Ленгмюра-Блоджетта или струйной печати.
10. Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую по любому из пп.1-9.
11. Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую, имеющее сенсибилизированный красителем нанокристаллический полупроводниковый слой, нанесенный на прозрачную проводящую подложку, погруженный в электролит и герметизированный с противоэлектродом для образования упомянутого устройства, характеризующееся одномерным фотонным кристаллом на основе наночастиц, образованным чередующимися слоями с различным показателем преломления, нанесенными на нанокристаллический полупроводниковый слой.
12. Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую, имеющее нанокристаллический полупроводниковый слой, нанесенный на прозрачную проводящую подложку и пропитанный проводящим полимером, и герметизированный с противоэлектродом для образования элемента, характеризующееся одномерным фотонным кристаллом на основе наночастиц, также пропитанным проводящим полимером, образованным чередующимися слоями с различным показателем преломления, нанесенными на нанокристаллический полупроводниковый слой.
13. Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую, имеющее слой полимера с дырочной проводимостью, нанесенный на прозрачную проводящую подложку, слой полимера или полимер-фуллереновой смеси с иной проводимостью, нанесенный на первый слой, характеризующееся периодическим мультислоем на основе наночастиц со свойствами фотонного кристалла, нанесенным на второй слой и пропитанным проводящим полимерным соединением или составом полимер-фуллереновой смеси, использованными для формирования второго слоя, и герметизированным с противоэлектродом для образования элемента.
14. Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую, имеющее сенсибилизированный красителем нанокристаллический полупроводниковый слой, нанесенный на прозрачную проводящую подложку, погруженный в электролит и герметизированный с противоэлектродом для образования элемента, характеризующееся каскадной многослойной структурой, выполненной из чередующихся слоев наночастиц регулируемой толщины, так что достигаются области с различной периодичностью показателя преломления.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4621208P | 2008-04-18 | 2008-04-18 | |
| US61/046,212 | 2008-04-18 | ||
| PCT/EP2009/054534 WO2009127692A2 (en) | 2008-04-18 | 2009-04-16 | Solar to electric energy conversion device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010146990A true RU2010146990A (ru) | 2012-07-27 |
| RU2516242C2 RU2516242C2 (ru) | 2014-05-20 |
Family
ID=41199508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010146990/07A RU2516242C2 (ru) | 2008-04-18 | 2009-04-16 | Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20110030792A1 (ru) |
| EP (1) | EP2263244B1 (ru) |
| JP (1) | JP5548185B2 (ru) |
| CN (1) | CN102027556B (ru) |
| AU (1) | AU2009237663B2 (ru) |
| ES (1) | ES2554770T3 (ru) |
| HK (1) | HK1150188A1 (ru) |
| NZ (1) | NZ588241A (ru) |
| RU (1) | RU2516242C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009127692A2 (ru) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4683396B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2011-05-18 | シャープ株式会社 | 多孔質電極、色素増感太陽電池、および色素増感太陽電池モジュール |
| EP2443640B1 (en) * | 2009-06-17 | 2014-10-22 | NLAB Solar AB | Dye sensitised solar cell and method of manufacture |
| CN101752093B (zh) * | 2010-02-26 | 2011-06-01 | 上海交通大学 | 用于染料太阳能电池的光子晶体结构薄膜电极的制备方法 |
| CN101752094B (zh) * | 2010-02-26 | 2011-06-01 | 上海交通大学 | 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法 |
| EP2561322B1 (en) | 2010-04-20 | 2021-08-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A self-arranging, luminescence-enhancement device for surface-enhanced luminescence |
| WO2012015443A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical fiber surface enhanced raman spectroscopy (sers) probe |
| WO2012054027A1 (en) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Chemical-analysis device integrated with metallic-nanofinger device for chemical sensing |
| WO2012054024A1 (en) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Metallic-nanofinger device for chemical sensing |
| KR101135476B1 (ko) * | 2010-11-16 | 2012-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응 태양 전지 |
| US9310306B2 (en) | 2011-02-17 | 2016-04-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for use in sensing applications |
| US8593629B2 (en) | 2011-02-17 | 2013-11-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for performing SERS |
| KR101193172B1 (ko) * | 2011-02-22 | 2012-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 염료 감응 태양전지 |
| US20120234373A1 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Colby Steven M | Reflection Solar |
| CN103650083A (zh) * | 2011-05-10 | 2014-03-19 | 技术研究及发展基金有限公司 | 超薄膜太阳能电池 |
| US9377409B2 (en) | 2011-07-29 | 2016-06-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabricating an apparatus for use in a sensing application |
| CN102263145A (zh) * | 2011-08-26 | 2011-11-30 | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 | Cigs太阳能光电池及其制备方法 |
| US8520202B2 (en) | 2011-09-15 | 2013-08-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Asymmetrical-nanofinger device for surface-enhanced luminescense |
| US8605281B2 (en) | 2011-10-13 | 2013-12-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Probe having nano-fingers |
| US10205042B2 (en) | 2012-01-26 | 2019-02-12 | Fundació Institut De Ciències Fotòniques | Photoconversion device with enhanced photon absorption |
| US9842947B2 (en) | 2012-01-26 | 2017-12-12 | Fundacio Institut De Ciencies Fotoniques | Photoconversion device with enhanced photon absorption |
| US8866001B1 (en) | 2012-05-10 | 2014-10-21 | Leidos, Inc. | Luminescent solar concentrator |
| US20160071655A1 (en) * | 2013-04-04 | 2016-03-10 | The Regents Of The University Of California | Electrochemical solar cells |
| CN103247731A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-08-14 | 苏州瑞晟太阳能科技有限公司 | 一种基于纳米材料的新型光控发光二极管 |
| KR101540967B1 (ko) * | 2013-07-09 | 2015-08-03 | 연세대학교 산학협력단 | 메조 기공 구조의 브래그 스택 전극, 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 |
| DE102014111781B4 (de) * | 2013-08-19 | 2022-08-11 | Korea Atomic Energy Research Institute | Verfahren zur elektrochemischen Herstellung einer Silizium-Schicht |
| WO2015049841A1 (ja) | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 旭化成株式会社 | 太陽電池及びその製造方法、半導体素子及びその製造方法 |
| TWI570055B (zh) * | 2013-10-28 | 2017-02-11 | 中央研究院 | 製備低維度材料之方法、製得的低維度材料及含彼之太陽能電池裝置 |
| EP3051600A1 (en) | 2015-01-30 | 2016-08-03 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Heterojunction device |
| JP6773944B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2020-10-21 | ｉｎＱｓ株式会社 | 光発電素子 |
| CN105702756B (zh) * | 2016-03-10 | 2017-07-25 | 国家纳米科学中心 | 一种具有二维光子晶体结构的光电极及其制备方法 |
| CN107248450A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-10-13 | 山东大学 | 基于钛网的柔性量子点敏化太阳能电池的制备方法 |
| EP3467881A1 (en) | 2017-10-03 | 2019-04-10 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | Photoconversion device with enhanced photon absorption |
| WO2019161333A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Corning Incorporated | Additive layer process for manufacturing glass articles from soot |
| CN109554722B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-11-13 | 温州大学 | 光子晶体复合氧化铁纳米阵列光电极的复合材料制备方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1140182A1 (ru) * | 1983-07-05 | 1985-02-15 | МГУ им.М.В.Ломоносова | Способ создани оптически прозрачного электронопровод щего материала |
| AU650878B2 (en) * | 1990-04-17 | 1994-07-07 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Photovoltaic cells |
| US6750393B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-06-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Back reflector of solar cells |
| EP1289028B1 (en) * | 2001-09-04 | 2008-01-16 | Sony Deutschland GmbH | Photovoltaic device and method for preparing the same |
| EP1351094B1 (en) * | 2002-02-20 | 2006-11-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image reproducing device and method for reproducing radiation image |
| JP4204344B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2009-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像形成材料および放射線画像形成方法 |
| NL1020750C2 (nl) * | 2002-06-04 | 2003-12-08 | Stichting Energie | Werkwijze en inrichting voor het vullen van een halfproduct voor een vloeistofhoudend fotovoltaïsch element. |
| US6852920B2 (en) | 2002-06-22 | 2005-02-08 | Nanosolar, Inc. | Nano-architected/assembled solar electricity cell |
| JP4085421B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2008-05-14 | ソニー株式会社 | 色素増感型光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2005072524A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Institute Of Physical & Chemical Research | 光電変換素子及びこれを用いた太陽電池 |
| EP1513171A1 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-09 | Sony International (Europe) GmbH | Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production |
| JP2005197140A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Sony Corp | 光励起式機能デバイス及びその製造方法 |
| JP4382608B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2009-12-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 色素増感型太陽電池 |
| JP2006024495A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sony Corp | 光電変換素子 |
| JP4716701B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-07-06 | 株式会社エンプラス | 色素増感太陽電池の光電極及び色素増感太陽電池、並びに有機太陽電池の光電極 |
| CN100358160C (zh) * | 2004-12-15 | 2007-12-26 | 中国科学院化学研究所 | 电纺丝方法制备染料敏化纳米晶半导体太阳能电池光阳极 |
| US20060174936A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Stmicroelectronics S.R.I. | Water-based electrolyte gel for dye-sensitized solar cells and manufacturing methods |
| EP1854160B1 (en) | 2005-02-10 | 2017-06-21 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Redox-active structures and devices utilizing the same |
| JP2006244919A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Nippon Oil Corp | 光電変換素子 |
| JP2006310729A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池 |
| JP4916683B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2012-04-18 | 日揮触媒化成株式会社 | 光電気セル |
| US20070235072A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-11 | Peter Bermel | Solar cell efficiencies through periodicity |
| KR101234233B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2013-02-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 포스페이트를 포함하는 반도체 전극 및 이를 채용한태양전지 |
| JP5109308B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-12-26 | 東洋製罐株式会社 | 色素増感型太陽電池 |
| JP5191647B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2013-05-08 | 電源開発株式会社 | 酸化チタン膜、酸化チタン膜電極膜構造および色素増感太陽電池 |
| JP2009178983A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Kyushu Institute Of Technology | 酸化物半導体薄膜を積層した板状粒子及びその製造方法並びにそれを用いた色素増感太陽電池 |
-
2009
- 2009-04-16 CN CN2009801136805A patent/CN102027556B/zh active Active
- 2009-04-16 AU AU2009237663A patent/AU2009237663B2/en not_active Ceased
- 2009-04-16 NZ NZ588241A patent/NZ588241A/xx unknown
- 2009-04-16 JP JP2011504467A patent/JP5548185B2/ja active Active
- 2009-04-16 EP EP09731846.3A patent/EP2263244B1/en active Active
- 2009-04-16 US US12/988,451 patent/US20110030792A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-16 RU RU2010146990/07A patent/RU2516242C2/ru active
- 2009-04-16 ES ES09731846.3T patent/ES2554770T3/es active Active
- 2009-04-16 WO PCT/EP2009/054534 patent/WO2009127692A2/en active Application Filing
-
2011
- 2011-04-29 HK HK11104302.2A patent/HK1150188A1/zh unknown
-
2016
- 2016-02-03 US US15/014,298 patent/US10580588B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009127692A2 (en) | 2009-10-22 |
| US10580588B2 (en) | 2020-03-03 |
| AU2009237663B2 (en) | 2014-10-30 |
| US20110030792A1 (en) | 2011-02-10 |
| AU2009237663A1 (en) | 2009-10-22 |
| HK1150188A1 (zh) | 2011-11-04 |
| JP2011517839A (ja) | 2011-06-16 |
| US20160155573A1 (en) | 2016-06-02 |
| JP5548185B2 (ja) | 2014-07-16 |
| EP2263244A2 (en) | 2010-12-22 |
| CN102027556A (zh) | 2011-04-20 |
| EP2263244B1 (en) | 2015-09-02 |
| NZ588241A (en) | 2013-04-26 |
| CN102027556B (zh) | 2013-04-17 |
| RU2516242C2 (ru) | 2014-05-20 |
| WO2009127692A3 (en) | 2010-06-10 |
| ES2554770T3 (es) | 2015-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010146990A (ru) | Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую | |
| Yip et al. | Direct and seamless coupling of TiO2 nanotube photonic crystal to dye‐sensitized solar cell: a single‐step approach | |
| Guo et al. | Design and coupling of multifunctional TiO 2 nanotube photonic crystal to nanocrystalline titania layer as semi-transparent photoanode for dye-sensitized solar cell | |
| Liu et al. | TiO 2 inverse-opal electrode fabricated by atomic layer deposition for dye-sensitized solar cell applications | |
| Colodrero et al. | Nanoparticle-based one-dimensional photonic crystals | |
| Baltakesmez et al. | Phase transition and changing properties of nanostructured V 2 O 5 thin films deposited by spray pyrolysis technique, as a function of tungsten dopant | |
| Park et al. | Mesoporous TiO2 Bragg stack templated by graft copolymer for dye-sensitized solar cells | |
| Chen et al. | Multilayer Cascade Charge Transport Layer for High‐Performance Inverted Mesoscopic All‐Inorganic and Hybrid Wide‐Bandgap Perovskite Solar Cells | |
| Mohammadpour et al. | Comparison of anodic TiO2‐nanotube membranes used for frontside‐illuminated dye‐sensitized solar cells | |
| JP2004314313A (ja) | 積層体及びその製造方法並びにそれを用いた製品 | |
| Dissanayake et al. | Application of a nanostructured, tri-layer TiO 2 photoanode for efficiency enhancement in quasi-solid electrolyte-based dye-sensitized solar cells | |
| Masuda et al. | Aqueous synthesis of ZnO rod arrays for molecular sensor | |
| Guldin | Inorganic nanoarchitectures by organic self-assembly | |
| Qi et al. | Dye-sensitized solar cells based on ZnO nanowire array/TiO 2 nanoparticle composite photoelectrodes with controllable nanowire aspect ratio | |
| JP2006024495A (ja) | 光電変換素子 | |
| Zheng et al. | Efficiency enhancement in solid state dye sensitized solar cells by including inverse opals with controlled layer thicknesses | |
| Khan et al. | Enhancing the structural and optoelectronic properties of double ETL nickel-doped CsPbIBr 2 perovskite solar cells | |
| KR102050206B1 (ko) | 광 촉매 전극, 그 제조 방법 및 광 촉매 장치 | |
| KR101615925B1 (ko) | 복합구조 광전극 및 그 제조 방법 | |
| US20150027539A1 (en) | Method of manufacturing dye-sensitized solar cell having light absorption increase means and the solar cell | |
| KR101389714B1 (ko) | 3차원 광결정을 포함하는 고체형 염료감응 태양전지의 제조 방법 | |
| Saito et al. | Fabrication and photovoltaic properties of dye-sensitized ZnO thick films by a facile doctor-blade printing method using nanocrystalline pastes | |
| KR101474549B1 (ko) | 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법 | |
| Elkattan et al. | Investigation of the Absorption Edge and the Optical Bandgap of PVA/PVP-based Thin Films | |
| Vijayaraghavan et al. | All spray pyrolysis‑coated CdTe–TiO |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20200512 |