RU2010138946A - Тонкопленочный трансзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора - Google Patents
Тонкопленочный трансзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010138946A RU2010138946A RU2010138946/28A RU2010138946A RU2010138946A RU 2010138946 A RU2010138946 A RU 2010138946A RU 2010138946/28 A RU2010138946/28 A RU 2010138946/28A RU 2010138946 A RU2010138946 A RU 2010138946A RU 2010138946 A RU2010138946 A RU 2010138946A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- capacitor
- electrode
- electrodes
- film transistor
- connection
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/86—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having horizontal extensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
1. Тонкопленочный транзистор, содержащий ! первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг на друге в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними; ! второй конденсатор, содержащий область, в которой третий и четвертый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними; ! первую выводную шину, проходящую от первого электрода конденсатора в плоскостном направлении; ! вторую выводную шину, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении; ! третью выводную шину, проходящую от третьего электрода конденсатора в плоскостном направлении; ! четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении; !первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины; и ! второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем ! второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину, ! третий электрод конденсатора и электрод истока не соединены друг с другом, ! четвертый электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом. ! 2. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором ! первый и третий электроды конденсатора, первая и третья выводные шины, а также первое соединение выполнены из металла истока, а ! второй и четвертый электроды конденсатора, вторая и четве
Claims (37)
1. Тонкопленочный транзистор, содержащий
первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг на друге в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними;
второй конденсатор, содержащий область, в которой третий и четвертый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода конденсатора в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину,
третий электрод конденсатора и электрод истока не соединены друг с другом,
четвертый электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом.
2. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором
первый и третий электроды конденсатора, первая и третья выводные шины, а также первое соединение выполнены из металла истока, а
второй и четвертый электроды конденсатора, вторая и четвертая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора.
3. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором
первый и второй слои диэлектрика представляют собой слой диэлектрика затвора.
4. Тонкопленочный транзистор по п.1, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
5. Тонкопленочный транзистор, содержащий
первый конденсатор, выполненный таким образом, что первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, расположенного между ними;
второй конденсатор, выполненный таким образом, что третий электрод конденсатора и четвертый электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, расположенного между ними.
первую выводную шину, проходящую от первого электрода в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
второй электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом;
первая и третья выводные шины соединены со вторым соединением таким образом, что третий электрод конденсатора и электрод истока соеиднены друг с другом,
вторая и четвертая выводные шины, соединены с первым соединением таким образом, что четвертый электрод и электрод затвора соединены друг с другом.
6. Тонкопленочный транзистор по п.5, в котором
первый и третий электроды конденсатора, первая и третья выводные шины, а также первое соединение выполнены из металла истока, а
второй и четвертый электроды конденсатора, вторая и четвертая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора.
7. Тонкопленочный транзистор по п.5, в котором
первый и второй слои диэлектрика представляют собой слой диэлектрика затвора.
8. Тонкопленочный транзистор по п.5, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
9. Тонкопленочный транзистор, содержащий
выводную шину, соединенную с электродом истока; и
конденсатор, содержащий область, в которой первые электроды конденсатора и второй электрод конденсатора, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон слоя диэлектрика, сформированного между ними, причем первые электроды конденсатора проходят от выводной шины в плоскостном направлении.
10. Тонкопленочный транзистор по п.9, в котором
каждый из первых электродов конденсатора содержит парную часть, образующую пару со вторым электродом конденсатора, расположенным в области конденсатора, и непарную часть, не образующую пару со вторым электродом и проходящую от выводной шины к парной части.
11. Тонкопленочный транзистор по п.10, в котором
в первом электроде конденсатора на границе между непарной частью и парной частью и/или в выводной шине, в месте разветления первого электрода конденсатора и выводной шины, выполнен вырез.
12. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, в котором
первые электроды конденсатора и выводная шина выполнены из металла истока, а
второй электрод конденсатора выполнен из металла затвора.
13. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, в котором
в качестве слоя диэлектрика использован слой диэлектрика затвора.
14. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
15. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
первый конденсатор, который имеет область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первый и третий электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первым и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора;
второй конденсатор, который имеет область, в которой четвертый и пятый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон третьего слоя диэлектрика, сформированного между ними; и область, в которой четвертый и шестой электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон четвертого слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между четвертым и шестым электродами конденсатора и соединение четвертым и пятым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях четвертого электрода конденсатора;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от второго электрода конденсатора в плоскостном направлении;
выводную шину затвора, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода конденсатора в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
пятую выводную шину, проходящую от пятого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее выводную шину затвора и пятую выводную шину, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
третий электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через третью выводную шину,
шестой электрод конденсатора соединен с пятой выводной шиной,
второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину,
выводная шина затвора и пятая выводная шина не соединены с первым соединением,
выводная шина затвора и четвертая выводная шина не соединены со вторым соединением.
16. Тонкопленочный транзистор по п.15, в котором
первый и четвертый электроды конденсатора, первая и четвертая выводные шины, а также первое соединение выполнены из материала истока,
второй и пятый электроды конденсатора, вторая и пятая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора, а
третий и шестой электроды конденсатора и третья выводная шина выполнены из прозрачных электродов.
17. Тонкопленочный транзистор по п.15, в котором
первый и третий слои диэлектрика использованы в качестве слоя диэлектрика затвора, а
второй и четвертый слои диэлектрика использованы в качестве пассивирующего слоя.
18. Тонкопленочный транзистор по п.15, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
19. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
первый конденсатор, который имеет область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первый и третий электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первым и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора;
второй конденсатор, который имеет область, в которой четвертый и пятый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон третьего слоя диэлектрика, сформированного между ними; и вторую область, в которой четвертый и шестой электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон четвертого слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между четвертым и шестым электродами конденсатора и соединение между четвертым и пятым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях четвертого электрода конденсатора;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от второго электрода в плоскостном направлении;
выводную шину затвора, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
пятую выводную шину, проходящую от пятого электрода в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее выводную шину затвора и пятую выводную шину, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающе первую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
третий электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом,
шестой электрод конденсатора соединен с пятой выводной шиной,
второй электрод и электрод затвора не соединены друг с другом,
выводная шина затвора и пятая выводная шины соединены с первым соединением таким образом, что пятый и шестой электроды конденсатора соединены с электродом затвора,
первая и четвертая выводные шины соединены со вторым соединением таким образом, что четвертый электрод конденсатора и электрод истока соединены между собой.
20. Тонкопленочный транзистор по п.19, в котором
первый и четвертый электроды конденсатора, первая и четвертая выводные шины, а также первое соединение выполнены из материала истока,
второй и пятый электроды конденсатора, вторая и пятая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора, а
третий и шестой электроды конденсатора и третья выводная шина выполнены из прозрачных электродов.
21. Тонкопленочный транзистор по п.19, в котором
первый и третий слои диэлектрика использованы в качестве слоя диэлектрика затвора, а
второй и четвертый слои диэлектрика использованы в качестве пассивирующего слоя.
22. Тонкопленочный транзистор по п.19, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
23. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
выводную шину, соединенную с электродом истока; и
конденсатор, который имеет область, в которой первые электроды конденсатора, проходящие от выводной шины в плоскостном направлении, и второй электрод, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первые электроды конденсатора и третий электрод конденсатора, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первыми и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора.
24. Тонкопленочный транзистор по п.23, в котором
каждый из первых электродов конденсатора имеет парную часть, образующую пару с тем из расположенных в области конденсатора второго и третьего электродов конденсатора, который расположен ближе к выводной шине, и непарную часть, не образующую пару со вторым и третьим электродами конденсатора и проходящую от выводной шины к парной части.
25. Тонкопленочный транзистор по п.24, в котором
в первом электроде конденсатора на границе между непарной частью и парной частью и/или в выводной шине, в месте разветления первого электрода конденсатора и выводной шины, выполнен вырез.
26. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, в котором
первый электрод конденсатора и выводная шина сформированы из металла истока,
второй электрод конденсатора выполнен из металла затвора, а
третий электрод конденсатора выполнен из прозрачного электрода.
27. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, в котором
в качестве первого слоя диэлектрика выбран слой диэлектрика затвора, а
в качестве второго слоя диэлектрика выбран пассивирующий слой.
28. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, который изготовлен с использованием аморфного кремния или микрокристаллического кремния.
29. Сдвиговый регистр, содержащий ступени, состоящие из транзисторов, в котором
по меньшей мере один из транзисторов представляет собой тонкопленочный транзистор по любому из пп.1-11 и 15-28.
30. Схема управления шиной сигналов развертки, содержащая сдвиговый регистр по п.29, в которой
сдвиговый регистр использован для генерации сигнала развертки для дисплейного устройства.
31. Схема управления шиной сигналов развертки по п.30, в которой
в качестве тонкопленочного транзистора использован выходной транзистор, который выдает сигнал развертки.
32. Дисплейное устройство, содержащее схему управления шиной сигналов развертки по п.30 или 31.
33. Дисплейное устройство по п.32, в котором
схема управления шиной сигналов развертки сформирована на дисплейной панели и монолитно интегрирована с область дисплея.
34. Дисплейное устройство, содержащее дисплейную панель, в которой сформирован тонкопленочный транзистор по любому из пп.1-11 и 15-28.
35. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.1, согласно которому
второй электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления второй выводной шины;
первую и третью выводные шины приваривают к второму соединению; а
вторую и четвертую выводные шины приваривают к первому соединению.
36. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.9 или 23, согласно которому
по меньшей мере один из первых электродов конденсатора отсоединяют от выводной шины путем плавления.
37. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.15, согласно которому:
третий электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления третьей выводной шины;
приваривают шестой электрод конденсатора к пятой выводной шине;
второй электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления второй выводной шины;
выводную шину затвора и пятую выводную шину приваривают к первому соединению; а
первую и четвертую выводные шины приваривают к второму соединению.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008154045 | 2008-06-12 | ||
| JP2008-154045 | 2008-06-12 | ||
| PCT/JP2009/051236 WO2009150862A1 (ja) | 2008-06-12 | 2009-01-27 | Ｔｆｔ、シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、および表示装置、ならびにｔｆｔの成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010138946A true RU2010138946A (ru) | 2012-07-20 |
| RU2471266C2 RU2471266C2 (ru) | 2012-12-27 |
Family
ID=41416573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010138946/28A RU2471266C2 (ru) | 2008-06-12 | 2009-01-27 | Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8946719B2 (ru) |
| JP (1) | JP5341079B2 (ru) |
| CN (1) | CN101978505B (ru) |
| BR (1) | BRPI0911156A2 (ru) |
| RU (1) | RU2471266C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009150862A1 (ru) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5350495B2 (ja) | 2010-02-08 | 2013-11-27 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| KR101084273B1 (ko) * | 2010-03-03 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011135873A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | シャープ株式会社 | シフトレジスタおよび表示装置 |
| KR101756489B1 (ko) * | 2010-05-13 | 2017-07-26 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101758783B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2017-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동부, 이를 포함하는 표시 기판 및 이 표시 기판의 제조 방법 |
| FR2976127B1 (fr) * | 2011-06-01 | 2014-01-10 | Commissariat Energie Atomique | Composant organique a electrodes ayant un agencement et une forme ameliores |
| CN102959604B (zh) * | 2011-06-27 | 2016-01-20 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| WO2013001564A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| KR20130046847A (ko) * | 2011-10-28 | 2013-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 표시기판의 수리 방법 |
| CN102411917A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-04-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板的驱动电路及液晶显示器 |
| CN102708816B (zh) * | 2012-03-02 | 2013-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器、栅极驱动装置和显示装置 |
| MY167330A (en) * | 2012-04-20 | 2018-08-16 | Sharp Kk | Display device |
| EP2851744B1 (en) | 2012-05-16 | 2018-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| KR101975533B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2019-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 구동회로, 그를 구비하는 평판표시장치 및 구동회로의 리페어 방법 |
| US20150255171A1 (en) * | 2012-10-05 | 2015-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US9218088B2 (en) * | 2012-10-11 | 2015-12-22 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Touch screen display apparatus |
| TWM462429U (zh) | 2013-03-26 | 2013-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 面板整合掃描驅動電路的電容結構 |
| CN103715207B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-11-10 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Tft阵列基板的电容及其制造方法和相关设备 |
| CN104536223A (zh) | 2014-12-30 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其阵列基板 |
| US10146346B2 (en) * | 2015-01-27 | 2018-12-04 | Innolux Corporation | Touch display device with capacitor having large capacitance |
| CN106653089B (zh) * | 2015-10-22 | 2020-06-09 | 上海和辉光电有限公司 | 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置 |
| DE112018000567T5 (de) * | 2017-01-27 | 2019-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Aktivmatrixsubstrat und anzeigevorrichtung, die dieses verwendet |
| WO2018155284A1 (ja) * | 2017-02-21 | 2018-08-30 | シャープ株式会社 | 駆動回路、ｔｆｔ基板、表示装置 |
| CN107527599B (zh) | 2017-08-16 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 扫描驱动电路、阵列基板与显示面板 |
| GB2604728B (en) * | 2018-09-10 | 2023-07-19 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuit and method of manufacture |
| WO2021072737A1 (zh) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| TWI740484B (zh) * | 2020-05-04 | 2021-09-21 | 宏碁股份有限公司 | 顯示裝置與其製造方法 |
| JP7401416B2 (ja) | 2020-09-11 | 2023-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN114283746B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-05-23 | 上海中航光电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102361A (en) * | 1989-01-23 | 1992-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the manufacture of active matrix display apparatuses |
| JPH0317614A (ja) | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
| RU1762690C (ru) | 1990-03-20 | 1994-08-30 | Научно-исследовательский институт "Волга" | Способ изготовления матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим индикатором |
| US5434899A (en) | 1994-08-12 | 1995-07-18 | Thomson Consumer Electronics, S.A. | Phase clocked shift register with cross connecting between stages |
| US5701136A (en) | 1995-03-06 | 1997-12-23 | Thomson Consumer Electronics S.A. | Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation |
| JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US20030016196A1 (en) | 2001-07-17 | 2003-01-23 | Display Research Laboratories, Inc. | Thin film transistors suitable for use in flat panel displays |
| TWI249642B (en) | 2002-12-24 | 2006-02-21 | Quanta Display Inc | TFT LCD and manufacturing method thereof |
| US7112458B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-09-26 | Tpo Displays Corp. | Method of forming a liquid crystal display |
| JP4088619B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2008-05-21 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
| JP4522145B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2010-08-11 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板、その製造方法及び表示装置 |
| US7608861B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Active matrix type display having two transistors of opposite conductivity acting as a single switch for the driving transistor of a display element |
| KR100661725B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100654569B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2007212812A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置 |
| JP5128091B2 (ja) | 2006-08-04 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-01-27 CN CN200980110296.XA patent/CN101978505B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-27 RU RU2010138946/28A patent/RU2471266C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-01-27 US US12/736,222 patent/US8946719B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-27 JP JP2010516771A patent/JP5341079B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-27 WO PCT/JP2009/051236 patent/WO2009150862A1/ja active Application Filing
- 2009-01-27 BR BRPI0911156A patent/BRPI0911156A2/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009150862A1 (ja) | 2009-12-17 |
| RU2471266C2 (ru) | 2012-12-27 |
| CN101978505A (zh) | 2011-02-16 |
| JP5341079B2 (ja) | 2013-11-13 |
| BRPI0911156A2 (pt) | 2015-10-06 |
| CN101978505B (zh) | 2013-03-13 |
| JPWO2009150862A1 (ja) | 2011-11-10 |
| US20110012880A1 (en) | 2011-01-20 |
| US8946719B2 (en) | 2015-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010138946A (ru) | Тонкопленочный трансзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора | |
| US9874794B2 (en) | Thin film transistor array panel and display device including the same | |
| CN105372891B (zh) | 一种阵列基板以及显示装置 | |
| TW460731B (en) | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD | |
| US10288967B2 (en) | Array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device | |
| US10168593B2 (en) | Liquid crystal display panel having dual capacitors connected in parallel to shift register unit and array substrate thereof | |
| CN103946740B (zh) | 液晶显示装置 | |
| CN102844803B (zh) | 有源矩阵基板和显示装置 | |
| US20180059449A1 (en) | Display device | |
| CN104297970B (zh) | Goa 单元、阵列基板、显示装置及制作方法 | |
| TWI264592B (en) | Active matrix substrate and display device | |
| CN108182921A (zh) | 一种阵列基板、显示面板与显示装置 | |
| US9196736B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof and display device | |
| CN107490913B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| ATE530945T1 (de) | Aktivmatrixsubstrat und damit ausgestattete flüssigkristallanzeigeanordnung | |
| CN104749806B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| TWI476931B (zh) | 薄膜電晶體與具有此薄膜電晶體的畫素結構 | |
| WO2011007464A1 (ja) | シフトレジスタ | |
| CN100529852C (zh) | 液晶显示面板 | |
| US10204929B2 (en) | Array substrate and display device | |
| US20190361301A1 (en) | Array substrate and manufacture method thereof, display panel and display device | |
| CN202142535U (zh) | 一种薄膜场效应晶体管和液晶显示器 | |
| CN103018987B (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
| CN113851485A (zh) | 一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板 | |
| CN103926768A (zh) | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160128 |