KR101756489B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
화소 회로가 고밀도화되어도, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키기 위한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 표시 소자층과 구동 회로층이 적층된 표시 장치로서, 구동 회로층은 적층 방향에 있어서 대향하는 상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)을 가지는 유지 용량 소자(23A)를 구비하고, 상측 전극층(231)은, 2개의 회로 소자를 접속하는 상측 용량 전극부(231b)와, 당해 전극부와 절단 가능부(231s)를 통하여 접속된 상측 용량 전극부(231a)를 구비하고, 하측 전극층(232)은, 2개의 회로 소자를 접속하는 하측 용량 전극부(232a)와, 당해 전극부와 절단 가능부(232s)를 통하여 접속된 하측 용량 전극부(232b)를 구비하고, 유지 용량 소자(23A)는, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이, 및 하측 용량 전극부(232a)와 상측 용량 전극부(231a)의 사이에 각각 정전 용량을 유지한다.
Description
본 발명은, 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 수정 가능한 화소 구조를 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전류 구동형의 발광 소자를 이용한 화상 표시 장치로서, 유기 일렉트로루미네슨스 소자(이하, 유기 EL 소자로 표기한다)를 이용한 유기 EL 디스플레이가 알려져 있다. 이 유기 EL 디스플레이는, 시야각 특성이 양호하고, 소비 전력이 적다고 하는 이점을 가지기 때문에, 차세대의 FPD(Flat Panal Display) 후보로서 주목받고 있다.
통상, 화소를 구성하는 유기 EL 소자는 매트릭스상으로 배치된다. 예를 들면, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 복수의 주사선과 복수의 데이터선의 교점에 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)가 설치되고, 이 TFT에 유지 용량 소자(콘덴서) 및 구동 트랜지스터의 게이트가 접속되어 있다. 그리고, 선택한 주사선을 통하여 이 TFT를 온시키고, 데이터선으로부터의 데이터 신호를 구동 트랜지스터 및 유지 용량 소자에 입력하고, 그 구동 트랜지스터 및 유지 용량 소자에 의해 유기 EL 소자의 발광 타이밍을 제어한다. 이 화소 구동 회로의 구성에 의해, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이에서는, 다음의 주사(선택)까지 유기 EL 소자를 발광시키는 것이 가능하기 때문에, 듀티비가 상승해도 디스플레이의 휘도 감소를 초래하지 않는다. 그러나, 액티브 매트릭스형의 유기 EL 디스플레이로 대표되는 바와같이, 발광 화소의 구동 회로 구성이 복잡해질수록, 또한, 발광 화소수가 증가할수록, 미세 가공을 필요로 하는 제조 공정에 있어서, 회로 소자나 배선의 단락이나 개방과 같은 전기적 문제가 발생해 버린다.
특히, 유기 EL 패널에서는, 화소 구동 회로를 구성하는 유지 용량 소자의 소자 면적이 상대적으로 넓다. 따라서, 이 유지 용량 소자는, 전극간에 존재하는 파티클 등의 영향을 받기 쉬워, 쇼트 불량을 발생시킴으로써 화소 불량율을 높게 하는 요인이 되고 있다.
한편, 화소 구동 회로 소자나 배선의 형성 후에, 문제가 발생한 발광 화소를 수정하는 방법이 제안되어 있다. 특허 문헌 1에서는, 회로 소자의 단락 등에 의해 항상 발광 상태로 되어 휘점화된 불량 발광 화소를 수정하기 위해서, 모든 발광 화소 영역에, 다른 도전부 및 배선으로부터 이간하여 접속된 비중첩부가 설치되어 있다. 불량 발광 화소에 대해서는, 이 비중첩부에 레이저를 조사함으로써, 당해 비중첩부를 절단한다. 이에 따라, 불량 화소는, 전기 신호의 전달이 차단되고, 또한, 레이저 조사에 의한 손상을 받지않고 멸점화(滅点化)된다.
또한, 특허 문헌 2에서는, 각 발광 화소의 발광 영역에 형성된 화소 전극이, 복수의 셀이 접속된 구성을 취하고, 그 접속 개소의 일부를 레이저로 절단함으로써, 불량 발광 셀만을 전기 절연하여 멸점화하고 있다.
표시 패널의 고정밀화에 대응하기 위하여 발광 화소수의 증가에 의한 화소 회로의 고밀도화를 달성하기 위해서는, 특히, 면적 비율이 높은 유지 용량 소자의 레이아웃을 연구할 필요가 있다. 이에 대해서, 유지 용량 소자를, 본래의 기능인 용량 유지 기능과, 각 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능을 공용시키는 것이 유효한 수단이 된다.
그러나, 화소 불량율의 주요인인 유지 용량 소자의 쇼트에 대하여, 유지 용량 소자에 용량 유지 기능과 회로 배선 기능을 공용시키면서 특허 문헌 2에 기재된 구성에 의해 전류 리크 개소를 레이저 등으로 수정하는 경우, 쇼트 발생 개소에 따라서는 회로 배선을 절단하게 되어, 회로 배선 기능을 없애버리게 된다. 그 결과, 불량 발광 화소를 멸점화하는 것이 가능한데, 정상 발광 화소로서의 기능을 회복하는 것은 불가능하다.
또한, 특허 문헌 1에 기재된 구성 및 방법에서는, 유지 용량 소자를 다른 회로 소자와 전기 절연화시켜 무기능화하는 것은 가능하지만, 발광 화소수의 증가에 의한 화소 회로의 고밀도화를 달성하기 위하여 유지 용량 소자의 레이아웃을 연구하는데 있어, 유지 용량 소자의 전체를 도전부 및 배선으로부터 이간하여 접속된 비중첩부로 하는 것에는 한계가 있다.
상술한 어떠한 종래 기술에 있어서나, 불량 발광 화소를 멸점화하거나, 혹은, 발광 소자를 다른 정상 발광 화소와는 다른 발광 타이밍에 발광시킬 수 있어도, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시킴으로써 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것은 불가능하다.
본 발명은, 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 화소 회로가 고밀도화되어도, 쇼트 불량의 유지 용량 소자를 가지는 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키는 것이 가능한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 표시 장치는, 표시 소자층과 상기 표시 소자층을 구동하는 구동 회로층이 적층된 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열된 표시 장치로서, 상기 구동 회로층은, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치된 상측 전극층 및 하측 전극층을 가지는 평행 평판형의 용량 소자를 구비하고, 상기 상측 전극층은, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 상측 용량 전극부와, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제1의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 상측 용량 전극부를 구비하고, 상기 하측 전극층은, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 하측 용량 전극부와, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 하측 용량 전극부를 구비하고, 상기 용량 소자는, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이, 및 상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 회로 배선과 용량 소자를 공용하는 2개의 대향 전극층의 각각에 대해서, 절단 가능한 전극부를 소정의 배치로 설치함으로써, 쇼트 불량 개소를 리페어 절단해도 회로 배선으로서의 도통 기능을 유지하고, 또한, 용량 유지 기능을 확보할 수 있다. 따라서, 화소 회로가 고밀도화되어도, 쇼트 불량의 유지 용량 소자를 가지는 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시킬 수 있어, 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에 관련된 표시 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태에 관련된 발광 화소의 주요 회로 구성도의 일예이다.
도 3a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 3b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자의 등가 회로도이다.
도 4b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자에 레이저를 조사하여 소정의 전극 블록층을 절단하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 5b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 6b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 7a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 7b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 2에 관련된 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 동작 플로우챠트이다.
도 9a는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다.
도 9b는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다.
도 9c는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다.
도 10a는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다.
도 10b는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다.
도 11a는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다.
도 11b는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제4의 레이아웃도이다.
도 11c는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제5의 레이아웃도이다.
도 12는 본 발명의 화상 표시 장치를 내장한 박형 플랫 TV의 외관도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태에 관련된 발광 화소의 주요 회로 구성도의 일예이다.
도 3a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 3b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자의 등가 회로도이다.
도 4b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자에 레이저를 조사하여 소정의 전극 블록층을 절단하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 5b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 6a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 6b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 7a는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다.
도 7b는 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시의 형태 2에 관련된 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 동작 플로우챠트이다.
도 9a는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다.
도 9b는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다.
도 9c는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다.
도 10a는 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다.
도 10b는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다.
도 11a는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다.
도 11b는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제4의 레이아웃도이다.
도 11c는 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제5의 레이아웃도이다.
도 12는 본 발명의 화상 표시 장치를 내장한 박형 플랫 TV의 외관도이다.
본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치는, 표시 소자층과 상기 표시 소자층을 구동하는 구동 회로층이 적층된 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열된 표시 장치로서, 상기 구동 회로층은, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치된 상측 전극층 및 하측 전극층을 가지는 평행 평판형의 용량 소자를 구비하고, 상기 상측 전극층은, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 상측 용량 전극부와, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제1의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 상측 용량 전극부를 구비하고, 상기 하측 전극층은, 제3 회로 소자와 제4 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 하측 용량 전극부와, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 하측 용량 전극부를 구비하고, 상기 용량 소자는, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이, 및 상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한 것을 특징으로 한다.
화소 회로의 고밀도화를 도모하기 위하여, 종래, 화소 회로 내의 용량 소자의 편측 전극을, 회로 배선의 일부로서 공용하는 것이 행해지고 있다. 그러나, 화소 기능을 확보하기 위하여 회로 배선으로서의 도통 특성을 유지시키는 것은 필수이기 때문에, 종래의 구성에서는, 용량 소자의 리페어 시에 있어서, 회로 배선과 공용된 전극에 단락 결함 등이 존재해도, 당해 불량 전극을 회로로부터 절단하는 것이 불가능했다. 즉, 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 있었다.
본 발명에서는, 회로 배선이, 일부 용량 소자와 공용되어 있는 구성이어도, 리페어시에 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 없는 구성을 취하고 있으므로, 항상, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다.
예를 들면, 제1의 상측 용량 전극부와 제2의 하측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제2의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능 및 제3 회로 소자와 제4 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 또한, 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제1의 절단 가능부를 절단 한다. 이에 따라, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능 및 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제3의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 상측 용량 전극부를 구비하고, 및/또는 상기 하측 전극층은, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제4의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 하측 용량 전극부를 구비하고, 상기 용량 소자는, 상기 제3의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 및/또는, 상기 제3의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능해도 된다.
본 양태에 의하면, 용량 소자에 단락 불량이 발생한 경우, 용량 소자의 편측 전극이 2개의 전극부로 분할되어 있는 경우와 비교해, 분할된 3개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 용량 소자가 가지는 정전 용량은, 정상 화소의 용량 소자의 정전 용량에 대해서 감소분을 작게 하는 것이 가능해진다.
예를 들면, 제1의 상측 용량 전극부와 제3의 하측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제4의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제3의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능, 및, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 또한, 제1의 하측 용량 전극부와 제3의 상측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제3의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제3의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능 및 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제2의 상측 용량 전극부 및 상기 제3의 상측 용량 전극부와 각각 제5의 절단 가능부 및 제6의 절단 가능부를 통하여 접속된 제4의 상측 용량 전극부를 구비하고, 및/또는 상기 하측 전극층은, 상기 제2의 하측 용량 전극부 및 상기 제3의 하측 용량 전극부와 각각 제7의 절단 가능부 및 제8의 절단 가능부를 통하여 접속된 제4의 하측 용량 전극부를 구비하고, 상기 용량 소자는, 상기 제4의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 및/또는, 상기 제4의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능해도 된다.
본 양태에 의하면, 용량 소자에 단락 불량이 발생한 경우, 용량 소자의 편측 전극이 3개의 전극부로 분할되어 있는 경우와 비교하여, 분할된 4개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 용량 소자가 가지는 정전 용량은, 리페어가 불필요한 용량 소자가 가지는 정전 용량에 대해서 감소분을 보다 작게 하는 것이 가능해진다.
예를 들면, 제1의 상측 용량 전극부와 제4의 하측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제7 및 제8의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제3의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제4의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 제3의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능, 및, 제3 회로 소자와 제4 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 또한, 제1의 하측 용량 전극부와 제4의 상측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 생긴 화소가 존재하는 경우에는, 제5 및 제6의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제3의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제4의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 제3의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능 및 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제2의 상측 용량 전극부와 제3의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 상측 용량 전극부를 구비하고, 및/또는, 상기 하측 전극층은, 상기 제2의 하측 용량 전극부와 제4의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 하측 용량 전극부를 구비하고, 상기 용량 소자는, 상기 제3의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 및/또는, 상기 제3의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능해도 된다.
본 양태에 의하면, 용량 소자에 단락 불량이 발생한 경우, 용량 소자의 편측 전극이 2개의 전극부로 분할되어 있는 경우와 비교해, 분할된 3개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 용량 소자가 가지는 정전 용량은, 리페어가 불필요한 용량 소자가 가지는 정전 용량에 대해서 감소분을 작게 하는 것이 가능해진다.
예를 들면, 제1의 상측 용량 전극부와 제3의 하측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제4의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제3의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능, 및, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 또한, 제1의 하측 용량 전극부와 제3의 상측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 화소가 존재하는 경우에는, 제3의 절단 가능부를 절단한다. 이에 따라, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제3의 하측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 상측 용량 전극부의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능 및 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일형태에 관련된 표시 장치에 있어서, 상기 절단 가능부는, 레이저 조사에 의해 절단 가능한 형상을 가지는 것이 바람직하다.
이에 따라, 전극간 쇼트가 발생하고 있는 전극부를, 적절한 절단 가능부에 레이저 조사하여 당해 절단 가능부를 절단함으로써, 용량 소자로부터 절제하는 것이 가능해진다. 따라서, 용량 소자는, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하고, 정상적인 발광 타이밍에서 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명의 일형태에 관련된 표시 장치에 있어서, 상기 상측 전극층이 가지는 절단 가능부는, 상기 하측 전극층이 가지는 전극부 및 절단 가능부가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있고, 상기 하측 전극층이 가지는 절단 가능부는, 상기 상측 전극층이 가지는 전극부 및 절단 가능부가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 양태에 의하면, 레이저 조사된 절단 가능부가 존재하는 영역을 적층 방향으로 투영한 영역, 즉, 2매의 전극층의 다른쪽 층의 평면 내에 있어서 레이저 조사된 절단 가능부와 대향하는 영역에는 다른 절단 가능부 및 전극부가 형성되어 있지 않다. 따라서, 절단 가능부로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 영역을 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 상기 용량 소자는, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하고, 정상적인 발광 타이밍에서 발광소자를 발광시키는 것이 가능해진다. 따라서, 표시 장치의 표시 품질이 향상된다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 표시 화소는, 상기 제1의 회로 소자, 상기 제2의 회로 소자, 상기 제3의 회로 소자 및 상기 제4의 회로 소자를 구비하고, 상기 제1의 회로 소자, 상기 제2의 회로 소자, 상기 제3의 회로 소자 및 상기 제4의 회로 소자의 각각은, 구동 소자, 스위칭 소자, 용량 소자, 발광 소자, 주사선, 제어선 및 전원선 중 어느 하나여도 된다.
본 양태에 의하면, 용량 소자는, 상술한 회로 소자의 도통 패스를 구성하는 회로 배선으로서 기능한다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 상기 용량 소자는, 상기 표시 화소마다 부여된 신호 전압에 따른 전압을 유지 전압으로서 유지하는 유지 용량 소자이며, 상기 구동 회로층은, 게이트와 상기 용량 소자의 한쪽의 단자가 접속되고, 게이트에 상기 유지 전압이 인가됨으로써, 상기 유지 전압을 소스―드레인간 전류인 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터를 구비하고, 상기 표시 소자층은, 상기 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자를 구비해도 된다.
본 양태에 의하면, 신호 전압을 인가하는 타이밍과 발광 타이밍을 독립적으로 제어 가능한 액티브 매트릭스형의 표시 장치에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 일양태에 관련된 표시 장치에 있어서, 상기 발광 소자는, 유기 EL 소자여도 된다.
본 양태에 의하면, 발광 소자는, 전류 구동형의 유기 EL 소자를 가지는 유기 EL 표시 장치에 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 이러한 특징적인 수단을 구비하는 표시 장치로서 실현할 수 있을뿐만 아니라, 표시 장치에 포함되는 특징적인 수단을 단계로 하는 표시 장치의 제조 방법으로서 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 실시의 형태 및 각 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 설명한다. 또한, 이하에서는, 상면 발광 방식의 양극(애노드)을 하면에, 또한, 음극(캐소드)을 상면으로 하는 유기 EL 소자로 이루어지는 표시 장치를 예로 설명하는데, 이에 한정되지 않는다.
(실시의 형태 1)
본 실시의 형태에 있어서의 표시 장치는, 표시 소자층과 상기 표시 소자층을 구동하는 구동 회로층이 적층된 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열되어 있다. 구동 회로층은, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치된 상측 전극층 및 하측 전극층을 가지는 평행 평판형의 용량 소자를 구비한다. 상기 상측 전극층은, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능을 가지는 제1의 상측 용량 전극부와, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제1의 절단 가능부를 통하여 접속된 제2의 상측 용량 전극부를 구비한다. 상기 하측 전극층은, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능을 가지는 제1의 하측 용량 전극부와, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 절단 가능부를 통하여 접속된 제2의 하측 용량 전극부를 구비한다. 상기 용량 소자는, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이, 및 상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능하다. 이에 따라, 상기 용량 소자의 어느 부위에 단락 불량이 발생해도, 리페어할 수 있고, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시의 형태 1에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시의 형태에 관련된 표시 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 동 도면에 있어서의 표시 장치(1)는, 표시 패널(10)과, 제어 회로(20)를 구비한다. 표시 패널(10)은, 복수의 발광 화소(11)와, 발광 화소열마다 배치된 복수의 신호선(12)과, 발광 화소행마다 배치된 복수의 주사선(13)과, 주사선 구동 회로(14)와, 신호선 구동 회로(15)를 구비한다.
발광 화소(11)는, 표시 패널(10) 상에, 매트릭스상으로 배치된 표시 화소이다.
주사선 구동 회로(14)는, 각 주사선(13)에 주사 신호를 출력함으로써, 발광 화소가 가지는 회로 소자를 구동한다.
신호선 구동 회로(15)는, 신호선(12)에 신호 전압 및 기준 전압을 출력함으로써, 휘도 신호에 대응한 발광 화소의 발광을 실현한다.
제어 회로(20)는, 주사선 구동 회로(14)로부터 출력되는 주사 신호의 출력 타이밍을 제어한다. 또한, 제어 회로(20)는, 신호선 구동 회로(15)로부터 출력되는 신호 전압을 출력하는 타이밍을 제어한다.
도 2는, 본 발명의 실시의 형태에 관련된 발광 화소의 주요 회로 구성도의 일예이다. 동 도면에 기재된 발광 화소(11)는, 구동 회로층(11A) 및 표시 소자층(11B)으로 구성되어 있다. 구동 회로층(11A)은, 예를 들면, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와, 유지 용량 소자(23)를 구비한다. 그리고, 스위칭 트랜지스터(21)의 드레인 전극은 신호선(12)에, 스위칭 트랜지스터(21)의 게이트 전극은 주사선(13)에, 또한, 스위칭 트랜지스터(21)의 소스 전극은, 유지 용량 소자(23) 및 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 접속되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(22)의 드레인 전극은 전원선(16)에 접속되고, 소스 전극은 표시 소자층(11B)의 애노드에 접속되어 있다.
이 구성에 있어서, 주사선(13)에 주사 신호가 입력되고, 스위칭 트랜지스터(21)를 온 상태로 하면, 신호선(12)을 통하여 공급된 신호 전압이 유지 용량 소자(23)에 기입된다. 그리고, 유지 용량 소자(23)에 기입된 유지 전압은, 1프레임 기간을 통하여 유지되고, 이 유지 전압에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 컨덕턴스가 아날로그적으로 변화하여, 발광 계조에 대응한 구동 전류가 표시 소자층(11B)의 애노드에 공급된다. 또한, 표시 소자층(11B)의 애노드에 공급된 구동 전류는, 표시 소자층(11B)의 유기 EL 소자(24) 및 캐소드로 흐른다. 이에 따라, 표시 소자층(11B)의 유기 EL 소자(24)가 발광하여 화상으로서 표시된다.
또한, 구동 회로층(11A)은, 상술한 회로 구성에 한정되지 않는다. 즉, 스위칭 트랜지스터(21), 구동 트랜지스터(22) 및 유지 용량 소자(23)는, 신호 전압의 전압치에 따른 구동 전류를 표시 소자층(11B)에 흐르게 하기 위해서 필요한 회로 구성 요소인데, 상술한 형태에 한정되지 않는다. 또한, 상술한 회로 구성 요소에, 다른 회로 구성 요소가 부가되는 경우도, 본 발명에 관련된 구동 회로층(11A)에 포함된다.
구동 회로층(11A)과 표시 소자층(11B)은, 예를 들면, 유리 기판상에 적층되어 있고, 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열되어 있다. 표시 장치(1)가 탑 에미션 구조인 경우, 즉, 표시 소자층(11B)에 전압을 인가하면, 유기 EL 소자(24)에서 광이 발생하고, 투명 음극 및 밀봉막을 통해서 광이 상방으로 출사한다. 또한, 유기 EL 소자(24)에서 발생한 광 중 하방을 향한 것은, 양극에서 반사되어, 투명 음극 및 밀봉막을 통하여 광이 상방으로 출사한다.
다음에, 본 발명의 주요 구성 요소인 유지 용량 소자(23)의 구조 및 기능에 대해서 설명한다. 구동 회로층(11A)은, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치된 상측 전극층 및 하측 전극층을 가지는 평행 평판형의 유지 용량 소자(23)를 구비한다.
도 3a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다. 또한, 도 3b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 표시 장치가 가지는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다. 도 3a 및 도 3b에 기재된 유지 용량 소자(23A)는, 도 2에 기재된 유지 용량 소자(23)의 일예이며, 상측 전극층(231)과 하측 전극층(232)과 이들 사이에 형성된 절연층(도시하지 않음)으로 구성되어 있다.
상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와 절단 가능부(231s)를 동일면 내에 가진다. 제1의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(231a)와, 제2의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(231b)는, 제1의 절단 가능부인 절단 가능부(231s)를 통하여 접속되어 있다. 또한, 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와 절단 가능부(232s)를 동일면 내에 가진다. 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(232a)와 제2의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(232b)는, 제2의 절단 가능부인 절단 가능부(232s)를 통하여 접속되어 있다.
상측 용량 전극부(231b)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제1의 회로 소자인 회로 소자(1)와 제2의 회로 소자인 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다. 또한, 하측 용량 전극부(232a)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제3의 회로 소자인 회로 소자(3)와 제4의 회로 소자인 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다. 상술한 회로 소자(1)∼회로 소자(4)를, 도 2에 기재된 회로도와 대응시키면, 회로 소자(3)는 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)이고, 회로 소자(4)는 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)이며, 회로 소자(1)는 전원선(16)이고, 회로 소자(2)는 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)이다.
상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)의 재료로는, 예를 들면, 몰리브덴(Mo)과 텅스텐(W)의 합금, 또는, Mo와 W의 합금/알루미늄(Al)/Mo와 W의 합금의 적층 구조이며, 막 두께는, 예를 들면, 150㎚이다.
여기서, 절단 가능부란, 당해 절단 가능부를 절단함으로써, 당해 절단 가능부에서 전기적으로 접속되어 있던 2개의 용량 전극부를 비도통 상태로 하는 기능을 가지는 것이다. 따라서, 절단 가능부(231s 및 232s)의 평면 형상은, 예를 들면, 선폭이 4㎛이고, 길이가 4㎛이며, 레이저 조사에 의해 절단 가능한 형상을 가지고 있다. 여기서, 절단 가능부(231s 및 232s)의 일부에 레이저를 조사함으로써 절단 가능한 형상은, 사용되는 레이저의 사양과 밀접한 관계가 있고, 예를 들면, YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저를 광원으로 한 레이저 발진기를 이용하여, 예를 들면, 파장 532㎚, 펄스폭 10ns, 파워 0.5mW를 출력 파라미터로 한 레이저를 사용한 경우, 절단 가능부(231s 및 232s)의 형상이 상술한 형상이면, 다른 정상적인 전극 블록을 손상시키지 않고, 절단 가능부(231s 및 232s)는 절단된다. 이에 따라, 전극간 쇼트가 발생하고 있는 전극부를, 적절한 절단 가능부에 레이저 조사하여 당해 절단 가능부를 절단함으로써, 유지 용량 소자로부터 절제하는 것이 가능해진다.
또한, 상측 전극층(231)이 가지는 절단 가능부(231s)는, 하측 전극층(232)이 가지는 하측 용량 전극부(232a, 232b) 및 절단 가능부(232s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 마찬가지로, 하측 전극층(232)이 가지는 절단 가능부(232s)는, 상측 전극층이 가지는 상측 용량 전극부(231a, 231b) 및 절단 가능부(231s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 이에 따라, 절단 가능부(231s 또는 232s)로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 상측 용량 전극부, 하측 용량 전극부 및 절단하지 않은 쪽의 절단 가능부를 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 유지 용량 소자(23A)는, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
상측 전극층(231)과 하측 전극층(232)의 사이에 형성된 절연층으로는, 예를 들면, 실리콘 산화막(SiOx), 또는, 실리콘 질화막(SiN) 등을 들 수 있다. 또한, 절연층의 막 두께는, 예를 들면, 150㎚이다. 또한, 절연층은, 원하는 정전 용량을 확보하기 위해, 유전체 재료여도 된다.
상기 구성에 의해, 정상 화소가 가지는 유지 용량 소자(23A)는, 도 3a에 도시된 것처럼, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이, 및 하측 용량 전극부(232a)와 상측 용량 전극부(231a)의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량(C1b 및 C1a)을 유지하는 것이 가능하다.
또한, 도 3a 및 도 3b에는, 발광 화소(11)가 가지는 유지 용량 소자(23A)가, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이의 절연층에 도전성의 파티클 등이 상하 용량 전극부에 걸쳐서 편재하고, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)가 쇼트(51)를 일으키는 예가 나타나 있다. 이에 따라, 상측 전극층(231)과 하측 전극층(232)의 사이에 인가된 전압에 의해 유지 용량 소자(23A)에 축적되어야 할 전하가, 상기 쇼트(51)에 의해 유지되지 않는다. 이 경우에, 이러한 불량 발광 화소에 대하여, 유지 용량 소자(23A)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(232s)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(231a)와 하측 용량 전극부(232a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
도 4a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자의 등가 회로도이다. 유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)과 하측 전극층(232)이 단락되지 않은 경우에는, 유지 용량 소자(23A)의 정전 용량은, 각 전극부의 정전 용량을 가산한 값(C1a＋C1b)으로 되어 있다. 여기서, 본 실시의 형태에서는, 동 도면에 기재된 것처럼, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이가 단락되어 있는 경우에는, 단락 개소를 포함하는 전극부의 용량 소자 기능을 무기능화시키는 것이 가능하다. 구체적으로는, 절단 가능부(232s)에 대해, 막 면에 대해서 대략 수직인 방향으로부터 레이저를 조사한다. 도 4b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자에 레이저를 조사하여 절단 가능부를 절단하는 모습을 나타내는 도면이다. 동 도면에 있어서, L은 레이저 광선의 궤적을 나타내고, 절단 가능부(232s)는 레이저광에 의해 절단되어 있다. 이에 따라, 유지 용량 소자(23A)는, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이에서는 정전 유지 용량 기능을 갖지 않지만, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능을 유지하고, 상측 용량 전극부(231a)와 하측 용량 전극부(232a)의 사이에서는 정전 유지 용량 기능을 가지고, 또한, 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능을 유지한다.
또한, 전술한 것처럼, 하측 전극층(232)이 가지는 절단 가능부(232s)는, 상측 전극층(231)이 가지는 상측 용량 전극부(231a, 231b) 및 절단 가능부(231s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 이에 따라, 232s로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 상측 용량 전극부(231a), 하측 용량 전극부(232a) 및 절단 가능부(231s)를 손상시키는 것을 회피할 수 있다.
이상에 의해, 리페어된 유지 용량 소자(23A)의 정전 용량은, 본래 가져야할 정전 용량(C1a＋C1b)으로부터, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하여 정전 용량(C1a)이 되지만, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 표시 소자층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다.
또한, 도 3a 및 도 3b에 기재된 쇼트(51) 대신에, 상측 용량 전극부(231a)와 하측 용량 전극부(232a)가 쇼트 불량을 일으키는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23A)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(231s)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 레이저의 조사 방향은, 표시 패널(10)의 상면으로부터가 아니라, 하부 기판을 통한 하면으로부터여도 된다. 하면으로부터의 레이저 조사 방식은, 도 4b에 기재된, 상면으로부터의 레이저 조사 방식과 비교해, 표시 소자층(11B)이 구동 회로층(11A)의 위에 형성된 후에 이루어지는 유지 용량 소자(23A)의 수정에 있어서 유리하다. 왜냐하면, 하면으로부터의 레이저 조사 방식은, 표시 소자층(11B)을 레이저가 통과하지 않는다고 하는 점에서, 표시 소자층(11B)을, 레이저의 통과에 의해 손상시킬 가능성을 배제할 수 있기 때문이다.
이상의 구성에 의해, 화소 회로의 고밀도화의 실현책으로서 회로 배선과 용량 소자를 공용시키는 경우에, 회로 배선 기능과 용량 유지 기능을 공용하는 2개의 전극층의 각각에 대해서, 절단 가능한 전극부를 소정의 배치로 설치함으로써, 리페어 시에 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 없는 구성을 취하는 것이 가능해진다. 따라서, 쇼트 불량 개소를 리페어 절단해도 회로 배선으로서의 도통 기능을 유지하고, 또한, 용량 유지 기능을 확보할 수 있다. 따라서, 화소 회로가 고밀도화되어도, 쇼트 불량의 유지 용량 소자를 가지는 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시킬 수 있어, 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 5a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다. 또한, 도 5b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제1의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다. 도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)는, 도 3a 및 도 3b에 기재된 유지 용량 소자(23A)와 비교해, 회로 배선 기능을 가지지 않는 쪽의 용량 전극부 및 절단 가능부의 구성이 다르다. 이하, 유지 용량 소자(23A)와 동일한 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)는, 도 2에 기재된 유지 용량 소자(23)의 일예이며, 상측 전극층(233)과 하측 전극층(234)과 이들 사이에 형성된 절연층(도시하지 않음)으로 구성되어 있다.
상측 전극층(233)은, 상측 용량 전극부(233a 및 233b)와 절단 가능부(233s)를 동일면 내에 가진다. 상측 용량 전극부(233a)와 상측 용량 전극부(233b)는, 제1의 절단 가능부인 절단 가능부(233s)를 통하여 접속되어 있다. 또한 하측 전극층(234)은, 하측 용량 전극부(234a, 234c 및 234c)와 절단 가능부(234s1 및 234s2)를 동일면 내에 가진다. 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(234a)와 제2의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(234b)는, 제2의 절단 가능부인 절단 가능부(234s1)를 통하여 접속되어 있다. 또한, 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(234a)와 제３ 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(234c)는, 제4의 절단 가능부인 절단 가능부(234s2)를 통하여 접속되어 있다.
상측 용량 전극부(233b)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제1의 회로 소자인 회로 소자(1)와 제2의 회로 소자인 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다. 또한, 하측 용량 전극부(234a)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제3의 회로 소자인 회로 소자(3)와 제4의 회로 소자인 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다.
또한, 상측 전극층(233)이 가지는 절단 가능부(233s)는, 하측 전극층(234)이 가지는 하측 용량 전극부(234a, 234b, 234c) 및 절단 가능부(234s1 및 234s2)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 마찬가지로, 하측 전극층(234)이 가지는 절단 가능부(234s1 및 234s2)는, 상측 전극층이 가지는 상측 용량 전극부(233a, 233b) 및 절단 가능부(233s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 이에 따라, 절단 가능부(233s, 234s1 또는 234s2)로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 상측 용량 전극부, 하측 용량 전극부 및 절단하지 않은 절단 가능부를 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 유지 용량 소자(23B)는, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
상기 구성에 의해, 정상 화소가 가지는 유지 용량 소자(23B)는, 도 5a에 기재된 것처럼, 상측 용량 전극부(233a)와 하측 용량 전극부(234a)의 사이, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234b)의 사이, 및 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234c)의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량(C2a, C2b 및 C2c)을 유지하는 것이 가능하다.
또한, 도 5a 및 도 5b에는, 발광 화소(11)가 가지는 유지 용량 소자(23B)가, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234b)의 사이에서 쇼트(52)를 일으키고 있는 예가 기재되어 있다. 이에 따라, 상측 전극층(233)과 하측 전극층(234)의 사이에 인가된 전압에 의해 유지 용량 소자(23B)에 축적되어야 할 전하가, 상기 쇼트(52)에 의해 유지되지 않는다. 이 경우에, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23B)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(234s1)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(233a)와 하측 용량 전극부(234a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234c)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
이상에 의해, 리페어된 유지 용량 소자(23B)의 정전 용량은, 본래 가져야할 정전 용량(C2a＋C2b＋C2c)으로부터, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하여 정전 용량(C2a＋C2c)이 되지만, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하고, 정상적인 발광 타이밍에서 표시 소자층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다. 즉, 용량 소자의 편측 전극이 2개의 전극부로 분할되어 있는 유지 용량 소자(23A)와 비교해, 유지 용량 소자(23B)는, 분할된 3개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 유지 용량 소자(23B)가 가지는 정전 용량은, 리페어가 불필요한 유지 용량 소자(23B)가 가지는 정전 용량에 대해서 감소분을 작게 하는 것이 가능해진다.
또한, 도 5a 및 도 5b에 기재된 쇼트(52) 대신에, 상측 용량 전극부(233a)와 하측 용량 전극부(234a)가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23B)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(233s)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234c)의 사이의 정전 용량 유지 기능 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234c)가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23B)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(234s2)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(233a)와 하측 용량 전극부(234a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(233b)와 하측 용량 전극부(234b)의 사이의 정전 용량 유지 기능 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 상측 용량 전극부(233b)와 대향하는 하측 용량 전극부가, 하측 용량 전극부(234b와 234c)를 구비하는 구조 대신에, 하측 용량 전극부(234a)와 대향하는 상측 용량 전극부가, 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 구조여도, 도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)와 동일한 효과를 가진다.
또한, 상측 용량 전극부(233b)와 대향하는 하측 용량 전극부가 하측 용량 전극부(234b와 234c)를 구비하는 구조, 및, 하측 용량 전극부(234a)와 대향하는 상측 용량 전극부가 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 구조의 쌍방을 가지는 구조여도, 도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)와 동일한 효과를 발휘한다.
즉, 본 발명의 실시의 형태에 관련된 유지 용량 소자는, 상측 용량 전극부(233b)와 대향하는 하측 용량 전극부가 하측 용량 전극부(234b와 234c)를 구비하고, 및/또는, 하측 용량 전극부(234a)와 대향하는 상측 용량 전극부가 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 것이다.
도 6a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다. 또한, 도 6b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제2의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다. 도 6a 및 도 6b에 기재된 유지 용량 소자(23C)는, 도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)와 비교해, 회로 배선을 공용하지 않는 쪽의 용량 전극부 및 절단 가능부의 구성이 다르다. 이하, 유지 용량 소자(23B)와 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 6a 및 도 6b에 기재된 유지 용량 소자(23C)는, 도 2에 기재된 유지 용량 소자(23)의 일예이며, 상측 전극층(235)과 하측 전극층(236)과 이들 사이에 형성된 절연층(도시하지 않음)으로 구성되어 있다.
상측 전극층(235)은, 상측 용량 전극부(235a, 235b, 235c 및 235d)와 절단 가능부(235s1, 235s2, 235s3 및 235s4)를 동일면 내에 가진다. 제1의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(235a)와 제2의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(235b)는, 제1의 절단 가능부인 절단 가능부(235s4)를 통하여 접속되고, 상측 용량 전극부(235a)와 제3의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(235d)는, 제3의 절단 가능부인 절단 가능부(235s3)를 통하여 접속되고, 상측 용량 전극부(235b)와 제4의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(235c)는, 제5의 절단 가능부인 절단 가능부(235s1)를 통하여 접속되고, 상측 용량 전극부(235d)와 상측 용량 전극부(235c)는, 제6의 절단 가능부인 절단 가능부(235s2)를 통하여 접속되어 있다. 또한 하측 전극층(236)은, 하측 용량 전극부(236a 및 236b)와 절단 가능부(236s)를 동일면 내에 가진다. 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(236b)와 제2의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(236a)는, 제2의 절단 가능부인 절단 가능부(236s)를 통하여 접속되어 있다.
상측 용량 전극부(235a)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제1의 회로 소자인 회로 소자(1)와 제2의 회로 소자인 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다. 또한, 하측 용량 전극부(236b)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제3의 회로 소자인 회로 소자(3)와 제4의 회로 소자인 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다.
또한, 상측 전극층(235)이 가지는 절단 가능부(235s1∼235s4)는, 하측 전극층(236)이 가지는 하측 용량 전극부(236a, 236b) 및 절단 가능부(236s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 마찬가지로, 하측 전극층(236)이 가지는 절단 가능부(236s)는, 상측 전극층이 가지는 상측 용량 전극부(235a∼235d) 및 절단 가능부(235s1∼235s4)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 이에 따라, 절단 가능부(235s1∼235s4 또는 236s)로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 상측 용량 전극부, 하측 용량 전극부 및 절단하지 않는 절단 가능부를 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 유지 용량 소자(23C)는, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
상기 구성에 의해, 정상 화소가 가지는 유지 용량 소자(23C)는, 도 6a에 기재된 것처럼, 상측 용량 전극부(235a)와 하측 용량 전극부(236a)의 사이, 상측 용량 전극부(235b)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이, 상측 용량 전극부(235c)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이, 및 상측 용량 전극부(235d)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량(C3d, C3c, C3a 및 C3b)을 유지하는 것이 가능하다.
또한, 도 6a 및 도 6b에는, 발광 화소(11)가 가지는 유지 용량 소자(23C)가, 상측 용량 전극부(235c)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이에서 쇼트(53)를 일으키고 있는 예가 기재되어 있다. 이에 따라, 상측 전극층(235)과 하측 전극층(236)의 사이에 인가된 전압에 의해 유지 용량 소자(23C)에 축적되어야 할 전하가, 상기 쇼트(53)에 의해 유지되지 않는다. 이 경우에, 이와 같은 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23C)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(235s1 및 235s2)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(235a)와 하측 용량 전극부(236a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(235b)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(235d)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 더한층 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
이상에 의해, 리페어된 유지 용량 소자(23C)의 정전 용량은, 본래 가져야할 정전 용량(C3a＋C3b＋C3c＋C3d)으로부터, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하여 (C3b＋C3c＋C3d)로 되는데, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 표시 소자층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다. 즉, 용량 소자의 편측 전극이 3개의 전극부로 분할되어 있는 유지 용량 소자(23B)와 비교해, 유지 용량 소자(23C)는, 분할된 4개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 유지 용량 소자(23C)가 가지는 정전 용량은, 리페어가 불필요한 유지 용량 소자(23C)가 가지는 정전 용량에 대해서 감소분을 작게 하는 것이 가능해진다.
또한, 도 6a 및 도 6b에 기재된 쇼트(53) 대신에, 상측 용량 전극부(235b)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우, 및, 상측 용량 전극부(235d)와 하측 용량 전극부(236b)의 사이가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23C)에 레이저를 조사하고, 각각의 경우에 있어서, 절단 가능부(235s4 및 235s1), 및, 절단 가능부(235s2 및 235s3)를 절단함으로써, 상측 전극층(235)과 하측 전극층(236)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 도 6a 및 도 6b에 기재된 쇼트(53) 대신에, 상측 용량 전극부(235a)와 하측 용량 전극부(236a)가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23C)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(236s)를 절단함으로써, 상측 전극층(235)와 하측 전극층(236)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 하측 용량 전극부(236b)와 대향하는 상측 용량 전극부가, 상측 용량 전극부(235b, 235c 및 235d)를 구비하는 구조 대신에, 하측 용량 전극부(236b)가, 3개의 하측 용량 전극부를 구비하는 구조여도, 도 6a 및 도 6b에 기재된 유지 용량 소자(23C)와 동일한 효과를 나타낸다.
또한, 하측 용량 전극부(236b)와 대향하는 상측 용량 전극부가, 상측 용량 전극부(235b, 235c 및 235d)를 구비하는 구조, 및, 하측 용량 전극부(236b)가, 3개의 하측 용량 전극부를 구비하는 구조의 쌍방을 가지는 구조여도, 도 6a 및 도 6b에 기재된 유지 용량 소자(23C)와 동일한 효과를 나타낸다.
즉, 본 발명의 실시의 형태에 관련된 유지 용량 소자는, 하측 용량 전극부(236b)와 대향하는 상측 용량 전극부가, 상측 용량 전극부(235b, 235c 및 235d)를 구비하고, 및/또는, 하측 용량 전극부(236b)가, 3개의 하측 용량 전극부를 구비하는 것이다.
도 7a는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 상면 투시도이다. 또한, 도 7b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 관련된 제3의 변형예를 나타내는 유지 용량 소자의 전극 구성을 나타내는 사시도이다. 도 7a 및 도 7b에 기재된 유지 용량 소자(23D)는, 도 5a 및 도 5b에 기재된 유지 용량 소자(23B)와 비교해, 절단 가능부의 구성이 다르다. 이하, 유지 용량 소자(23B)와 동일한 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 7a 및 도 7b에 기재된 유지 용량 소자(23D)는, 도 2에 기재된 유지 용량 소자(23)의 일예이며, 상측 전극층(237)과 하측 전극층(238)과 이들 사이에 형성된 절연층(도시하지 않음)으로 구성되어 있다.
상측 전극층(237)은, 상측 용량 전극부(237a 및 237b)와 절단 가능부(237s)를 동일면 내에 가진다. 상측 용량 전극부(237a)와 상측 용량 전극부(237b)는, 제1의 절단 가능부인 절단 가능부(237s)를 통하여 접속되어 있다. 또한 하측 전극층(238)은, 하측 용량 전극부(238a, 238b 및 238c)와 절단 가능부(238s1 및 238s2)를 동일면 내에 가진다. 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(238a)와 제2의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(238b)는, 제2의 절단 가능부인 절단 가능부(238s1)를 통하여 접속되어 있다. 또한, 하측 용량 전극부(238b)와 제3의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(238c)는, 제4의 절단 가능부인 절단 가능부(238s2)를 통하여 접속되어 있다.
상측 용량 전극부(237b)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제1의 회로 소자인 회로 소자(1)와 제2의 회로 소자인 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다. 또한, 하측 용량 전극부(238a)는, 용량 소자의 편측 전극으로서뿐만 아니라, 제3의 회로 소자인 회로 소자(3)와 제4의 회로 소자인 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선으로도 기능하고 있다.
또한, 상측 전극층(237)이 가지는 절단 가능부(237s)는, 하측 전극층(238)이 가지는 하측 용량 전극부(238a, 238b, 238c) 및 절단 가능부(238s1 및 238s2)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 마찬가지로, 하측 전극층(238)이 가지는 절단 가능부(238s1 및 238s2)는, 상측 전극층이 가지는 상측 용량 전극부(237a, 237b) 및 절단 가능부(237s)가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있다. 특히, 상측 용량 전극부(237b)에는, 절단 가능부(238s2)와 대향하는 영역에 소정의 크기를 가지는 개구부가 형성되어 있다. 이에 따라, 절단 가능부(237s, 238s1 또는 238s2)로의 레이저 조사에 의해, 용량 소자를 구성하는 상측 용량 전극부, 하측 용량 전극부 및 절단하지 않은 절단 가능부를 손상시키는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 유지 용량 소자(23D)는, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량은 감소하지만, 데이터선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 발광 소자를 발광시키는 것이 가능해진다.
상기 구성에 의해, 정상 화소가 가지는 유지 용량 소자(23D)는, 도 7a에 기재된 것처럼, 상측 용량 전극부(237a)와 하측 용량 전극부(238a)의 사이, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238b)의 사이, 및 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238c)의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량(C4a, C4b 및 C4c)을 유지하는 것이 가능하다.
또한, 도 7a 및 도 7b에는, 발광 화소(11)가 가지는 유지 용량 소자(23D)가, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238c)의 사이에서 쇼트(54)를 일으키고 있는 예가 기재되어 있다. 이에 따라, 상측 전극층(237)과 하측 전극층(238)의 사이에 인가된 전압에 의해 유지 용량 소자(23D)에 축적되어야 할 전하가, 상기 쇼트(54)에 의해 유지되지 않는다. 이 경우에, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23D)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(238s2)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(237a)와 하측 용량 전극부(238a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다. 따라서, 용량 소자의 양 전극을, 회로 배선의 일부로서 효율적으로 이용할 수 있어, 화소 회로의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능해진다.
이상에 의해, 리페어된 유지 용량 소자(23D)의 정전 용량은, 본래 가져야할 정전 용량(C4a＋C4b＋C4c)으로부터, 절제된 전극부의 면적비만큼 정전 용량치는 감소하여 (C4a＋C4b)로 되지만, 신호선으로부터의 신호 전압에 대응한 전압을 유지하여, 정상적인 발광 타이밍에서 표시 소자층(11B)을 발광시키는 것이 가능해진다. 즉, 용량 소자의 편측 전극이 2개의 전극부로 분할되어 있는 유지 용량 소자(23A)와 비교해, 유지 용량 소자(23D)는, 분할된 3개의 전극부 중 1전극부만을 분리함으로써, 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다. 따라서, 리페어 후의 유지 용량 소자(23D)가 가지는 정전 용량은, 리페어가 불필요한 유지 용량 소자(23D)가 가지는 정전 용량에 대해 감소분을 작게 하는 것이 가능해진다.
또한, 도 7a 및 도 7b에 기재된 쇼트(54) 대신에, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238b)가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23D)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(238s1)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(237a)와 하측 용량 전극부(238a)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 도 7a 및 도 7b에 기재된 쇼트(54) 대신에, 상측 용량 전극부(237a)와 하측 용량 전극부(238a)가 쇼트 불량을 일으키고 있는 경우에는, 이러한 불량 발광 화소에 대해서, 유지 용량 소자(23D)에 레이저를 조사하여 절단 가능부(237s)를 절단함으로써, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238b)의 사이의 정전 용량 유지 기능, 상측 용량 전극부(237b)와 하측 용량 전극부(238c)의 사이의 정전 용량 유지 기능 및, 회로 소자(1)와 회로 소자(2)를 접속하는 회로 배선 기능 및 회로 소자(3)와 회로 소자(4)를 접속하는 회로 배선 기능은 유지된다.
또한, 상측 용량 전극부(237b)와 대향하는 하측 용량 전극부가, 하측 용량 전극부(238b와 238c)를 구비하는 구조 대신에, 하측 용량 전극부(238a)와 대향하는 상측 용량 전극부가, 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 구조여도, 도 7a 및 도 7b에 기재된 유지 용량 소자(23D)와 동일한 효과를 나타낸다.
또한, 상측 용량 전극부(237b)와 대향하는 하측 용량 전극부가 하측 용량 전극부(238b와 238c)를 구비하는 구조, 및, 하측 용량 전극부(238a)와 대향하는 상측 용량 전극부가 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 구조의 쌍방을 가지는 구조여도, 도 7a 및 도 7b에 기재된 유지 용량 소자(23D)와 동일한 효과를 나타낸다.
즉, 본 실시의 형태에 관련된 유지 용량 소자는, 상측 용량 전극부(237b)와 대향하는 하측 용량 전극부가 하측 용량 전극부(238b와 238c)를 구비하고, 및/또는, 하측 용량 전극부(238a)와 대향하는 상측 용량 전극부가 2개의 상측 용량 전극부를 구비하는 것이다.
또한, 실시의 형태 1에 있어서, 상측 전극층(231, 233, 235, 237) 및 하측 전극층(232, 234, 236, 238)이 가지는 각 용량 전극부는 동일 형상일 필요는 없고, 또한, 동일 면적일 필요도 없다. 표시 화소의 레이아웃 상의 제약에 따라 형상은 임의이다.
최근 요구되고 있는 표시 패널의 고정세화에 대응하기 위하여, 발광 화소수의 증가에 의한 화소 회로의 고밀도화를 달성하기 위해서는, 특히, 면적 비율이 높은 유지 용량 소자의 레이아웃을 연구할 필요가 있다. 이에 대해서, 본 실시의 형태에 나타내는 바와같이, 유지 용량 소자를, 본래의 기능인 용량 유지 기능과, 각 회로 소자를 접속하는 회로 배선 기능을 공용시키는 것이 유효한 수단이 된다. 그러나, 화소 기능을 확보하기 위하여 회로 배선으로서의 도통 특성을 유지시키는 것은 필수이기 때문에, 종래의 구성에서는, 용량 소자의 리페어 시에 있어서, 회로 배선과 공용된 전극에 단락 결함 등이 존재해도, 당해 불량 전극을 회로로부터 절단하는 것이 불가능했다. 즉, 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 있었다.
본 발명에서는, 회로 배선이, 일부 용량 소자와 공용되어 있는 구성이어도, 리페어시에 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 없는 구성을 취하고 있으므로, 항상 리페어 후에도 회로 배선의 특성이 유지된다.
(실시의 형태 2)
본 실시의 형태에서는, 본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 발명의 표시 장치의 제조 방법은, 구동 회로층의 형성 공정, 표시 소자층의 형성 공정, 및 화소 회로의 검사 공정, 및 유지 용량 소자의 리페어 공정을 포함한다. 여기서는, 종래의 표시 장치의 제조 방법과 다른 공정, 즉, 구동 회로층이 가지는 유지 용량 소자(23A)의 형성 공정 및 화소 회로의 검사 공정 및 리페어 공정을 중심으로 설명한다.
도 8은, 본 발명의 실시의 형태 2에 관련된 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 동작 플로우챠트이다.
우선, 유지 용량 소자(23A), 및 그 주변 소자인 스위칭 트랜지스터(21), 구동 트랜지스터(22), 및 회로 배선 등을 적절히 배치시킨 구동 회로층(11A)을 형성한다(S01).
구체적으로는, 도 2에 기재된 구동 회로층(11A)의 1층으로서, 메탈 마스크 제막, 리프트 오프 및 에칭 등의 수법을 이용하여, 예를 들면, Mo와 W의 합금으로 이루어지는 하측 전극층(232)을, 도 3b에 기재된 형상으로 형성한다. 이 때, 하측 전극층(232)은, 회로 소자(3)인 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와, 회로 소자(4)인 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하도록 형성된다. 다음에, 하측 전극층(232)의 위에, 예를 들면, SiOx 또는 SiN 등으로 이루어지는 절연층을, 하측 전극층(232)을 덮도록 형성한다. 이 때, 필요에 따라서, 절연층의 표면을 평탄화하는 것이 바람직하다. 다음에, 절연층 위에, 메탈 마스크 제막, 리프트 오프 및 에칭 등의 수법을 이용하여, 예를 들면, Mo와 W의 합금/Al/Mo와 W의 합금의 적층 구조로 이루어지는 상측 전극층(231)을, 도 3b에 기재된 형상으로 형성한다. 이 때, 상측 전극층(231)은, 회로 소자(1)인 전원선(16)과, 회로 소자(2)인 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)를 접속하도록 형성된다. 상기 단계 S01은, 구동 회로 형성 단계에 상당한다.
다음에, 구동 회로층(11A) 상에, 구동 회로층(11A)의 평탄화 공정을 거친 후, 유기 EL 소자(24)를 가지는 표시 소자층(11B)을 형성한다(S02).
구체적으로는, 표시 소자층(11B)은, 예를 들면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 뱅크층, 전자 주입층, 및 투명 음극을 가진다. 상기 단계 S02는, 표시 소자 형성 단계에 상당한다.
다음에, 모든 발광 화소(11)에 대해서, 유지 용량 소자(23A)의 전기 특성을 검사하고, 단락 상태에 있는 유지 용량 소자(23A)를 가지는 발광 화소(11)를 특정한다(S03).
구체적으로는, 예를 들면, 신호선(12)에 어레이 테스터(Agilent사：HS100)를 접속하고, 신호선(12)을 통하여 각 발광 화소(11)에 순차적으로 테스트 전압을 출력하여 유지 용량 소자(23A)에 당해 전압을 기입한다. 그 후, 어레이 테스터는, 유지 용량 소자(23A)에 기입된 전압을, 소정의 타이밍에서, 신호선(12)을 통하여 기입한다. 이에 따라, 기입한 전압이 소정의 전압을 만족하지 않는 발광 화소(11)를 특정한다. 이에 따라, 이상(異常) 유지 용량 소자(23A)를 가지는 발광 화소의 화소 한정 프로세스가 완료된다.
다음에, 특정한 발광 화소(11)의 유지 용량 소자(23A)를 관찰하고, 이상 개소의 영역을 특정한다(S04).
구체적으로는, 예를 들면, 유지 용량 소자(23A)가 형성된 영역의 표면 요철 형상을 현미경 관찰한다. 도전성 파티클이 편재한 영역은, 볼록 형상이 되는 경우가 많다. 이에 따라, 이상 유지 용량 소자(23A)의 에어리어 한정 프로세스가 완료하고, 이상 용량 전극부가 특정된다. 또한, 이 에어리어 한정 프로세스는, 검사원이 실행해도 되고, 또한, 화상 인식 기능을 가지는 자동 측정으로 실행해도 된다. 상기 단계 S03 및 S04는, 검사 단계에 상당한다.
다음에, 특정한 이상 개소를 포함하는 용량 전극부가 접속되어 있는 소정의 절단 가능부의 일부에 레이저를 조사하고, 당해 용량 전극부를 다른 용량 전극부로부터 전기 절연시킨다(S05). 또한, 특정된 이상 개소를 포함하는 용량 전극부는, 회로 배선이 절단되지 않도록 표시 화소로부터 분리된다. 구체적으로는, 도 3a 및 도 3b에 기재된 유지 용량 소자(23A)에 있어서, 제1의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(231b)와 제2의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(232b)의 사이에 단락 불량이 발생한 경우에는, 제2의 절단 가능부인 절단 가능부(232s)를 절단하고, 제1의 하측 용량 전극부인 하측 용량 전극부(232a)와 제2의 상측 용량 전극부인 상측 용량 전극부(231a)의 사이에 단락 불량이 발생한 경우에는, 제1의 절단 가능부인 절단 가능부(231s)를 절단한다.
여기서, 소정의 절단 가능부의 일부에 레이저를 조사함으로써 절단 가능한 형상은, 사용되는 레이저의 사양과 밀접한 관계가 있고, 예를 들면, YAG(Yttrium Aluminium Garnet) 레이저를 광원으로 한 레이저 발진기를 이용하여, 예를 들면, 파장 532㎚, 펄스폭 10ns, 파워 0.5mW를 출력 파라미터로 한 레이저를 사용한 경우, 절단 가능부의 폭이 4㎛, 막 두께가 150㎚이면, 다른 정상적인 전극 블록을 손상시키지 않고, 절단 가능부는 절단된다. 이 때, 절단 가능부의 재료로는, 예를 들면, 전술한 Mo와 W의 합금/알루미늄(Al)/Mo와 W의 합금의 적층 구조를 들 수 있다. 상기 단계 S05는, 절단 단계에 상당한다.
마지막으로, 상술한 레이저 조사를 실시한 발광 화소(11)의 동작 확인을 행한다(S06).
이상의 제조 방법에 의해, 화소 회로의 고밀도화의 실현책으로서 회로 배선과 용량 소자를 공용시키는 경우에, 용량 소자의 불량부의 분리를 행할 수 있는 부분에 제한이 없는 상태에서 리페어하는 것이 가능해진다. 따라서, 쇼트 불량 개소를 리페어 절단해도 회로 배선으로서의 도통 기능을 유지하고, 또한, 용량 유지 기능을 확보할 수 있다. 따라서, 화소 회로가 고밀도화되어도, 쇼트 불량의 유지 용량 소자를 가지는 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시킬 수 있어, 발광 패널의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 검사 단계 S03 및 S04, 및 절단 단계 S05는, 표시 소자 형성 단계 S02의 전에 실시해도 된다. 즉, 상측 전극층(231)이 형성된 단계, 또는, 구동 회로층(11A)의 평탄화 처리가 이루어진 단계에서 실시되어도 되고, 또한, 표시 소자층(11B) 및 그 후의 밀봉 공정이 이루어진 단계에서 실시되어도 된다.
(실시의 형태 3)
본 실시의 형태에서는, 실시의 형태 1에 관련된 유지 용량 소자와 구동 회로층(11A)을 구성하는 그 외의 회로 소자가 배치된 발광 화소의 레이아웃 구성, 및 그 효과에 대해서 설명한다.
도 9a는, 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 신호선(12)과, 주사선(13)과, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자와, 회로 배선이 그려져 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이며, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층이며, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층으로 되어 있다. 발광 화소에 있어서의 면적 비율이 높은, 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자는, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)를 접속하는 회로 배선(300)을 공용하고 있는데, 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자의 각 전극층은 1개의 용량 전극부로 구성되어 있다. 이 레이아웃에 있어서, 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 절단 가능 개소로서 절단 가능부(301s1, 301s2 및 302s)를 들 수 있다. 그러나, 어떠한 경우에도, 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자의 용량 유지 기능이 소실하여, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키는 것은 불가능하다.
도 9b는, 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 도 9a에 기재된 레이아웃과 비교하여, 유지 용량 소자의 상측 전극층이, 분할되어 있는 점이 다르다. 이 레이아웃에 있어서, 정전 용량(C1)을 가지는 용량 전극부에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 절단 가능 개소로서 절단 가능부(304s)를 들 수 있다. 또한, 정전 용량(C2)을 가지는 용량 전극부에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 절단 가능 개소로서 절단 가능부(305s)를 들 수 있다. 어떠한 경우에 있어서나, 유지 용량 소자의 정전 용량은 반감하지만, 용량 유지 기능은 유지되어, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키는 것은 가능하다. 그러나, 유지 용량 소자의 하측 전극층이 분할되어 있지 않기 때문에, 유지 용량 소자로서 연속된 영역이 필요하고, 발광 화소의 레이아웃의 자유도가 제한된다.
이에 대해, 본 발명의 유지 용량 소자의 구성을 발광 화소의 레이아웃 구성에 적용하면, 리페어 후의 발광 화소의 용량 유지 기능은 유지되어, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키고, 또한, 발광 화소의 레이아웃의 자유도가 확보되므로, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다. 이하, 본 발명에 의하면, 도 9b에 기재된 종래의 레이아웃과 비교하여, 발광 화소의 레이아웃의 자유도가 확보되는 것을 설명한다.
도 9c는, 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제1의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 신호선(12)과, 주사선(13)과, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와 유지 용량 소자(23A)와, 회로 배선이 그려져 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이며, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층(232)이고, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층(231)으로 되어 있다. 유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(231s)를 구비한다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)는, 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)와 전원선(도시하지 않음)을 접속하는 회로 배선(31)을 공용하고 있다. 한편, 유지 용량 소자(23A)의 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(232s)를 구비한다. 하측 용량 전극부(232a)는, 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하는 회로 배선(32)을 공용하고 있다. 이 레이아웃에 있어서, 상측 용량 전극부(231a)와 하측 용량 전극부(232a)의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 절단 가능 개소로서 절단 가능부(231s)를 들 수 있다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)와 하측 용량 전극부(232b)의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 절단 가능 개소로서 절단 가능부(232s)를 들 수 있다. 어느 경우에 있어서나, 유지 용량 소자의 정전 용량은 반감되지만, 용량 유지 기능은 유지되어, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키는 것이 가능하다. 또한, 유지 용량 소자의 상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)의 양쪽이, 각각, 회로 배선 기능을 유지하면서 2분할되어 있으므로, 유지 용량 소자로서 연속된 영역이 필요없다. 이 때문에, 발광 화소의 레이아웃의 자유도를 확보할 수 있어, 유지 용량 소자를 구성하는 각 용량 전극부를 레이아웃에 따라 이간하여 배치하는 것이 가능해지고, 도 9c에 기재된 것처럼, 화소 회로의 필요 면적을 축소하는 것이 가능해진다. 따라서, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다.
도 10a는, 종래의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 표시 장치가 고밀도화되고, 또한, 발광 화소가 가늘고 긴 형상인 경우의 레이아웃이다. 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자의 상측 전극층은, 구동 트랜지스터(22)와 전원선(16)을 접속하는 회로 배선(306)을 공용하고 있는데, 정전 용량(C1)을 가지는 유지 용량 소자의 각 전극층은 1개의 용량 전극부로 구성되어 있다. 이 구성에 있어서, 회로 배선(306)을 공용하는 부분에서 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 리페어하는 것이 불가능하다. 또한, 발광 화소의 형상이 작고, 또한, 가늘고 길어짐에 따라, 회로 배선(306)을 공용하는 비율이 높아져, 리페어 불가능으로 될 확률이 높아진다.
이에 대해, 본 발명의 유지 용량 소자의 구성을, 가늘고 긴 형상의 발광 화소의 레이아웃 구성에 적용하면, 리페어 후의 발광 화소의 용량 유지 기능은 유지되고, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키고, 또한, 발광 화소의 레이아웃의 자유도가 확보되므로, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다.
도 10b는, 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제2의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 표시 장치가 고밀도화되고, 또한, 발광 화소가 가늘고 긴 형상인 경우의 레이아웃이다. 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이며, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층(232)이고, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층(231)으로 되어 있다. 유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(231s)를 구비한다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)는, 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)와 전원선(도시하지 않음)을 접속하는 회로 배선(33)을 공용하고 있다. 한편, 유지 용량 소자(23A)의 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(232s)를 구비한다. 하측 용량 전극부(232a)는, 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하는 회로 배선(34)을 공용하고 있다. 이 레이아웃에 있어서, 상측 전극층과 하측 전극층의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 도 9c에 기재된 유지 용량 소자와 동일하게 하여 절단 가능부를 선택한다. 이에 따라, 표시 장치가 고밀도화되고, 또한, 발광 화소가 가늘고 긴 형상인 경우에도, 용량 유지 기능은 유지되고, 불량 발광 화소를 정상 발광 타이밍에서 발광시키도록 회복시키는 것이 가능하다. 본 발명에 의하면, 화소 회로의 고밀도화에 있어서, 모든 발광 화소 형상에도 대응하는 것이 가능해진다.
도 11a는, 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제3의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 신호선(12)과, 주사선(13)과, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와 유지 용량 소자(23A)와, 회로 배선이 그려져 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이며, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층(232)이고, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층(231)으로 되어 있다. 도 11a에 기재된 레이아웃도는, 도 10b에 기재된 레이아웃도와 비교해, 하측 전극층(232)에 있어서 분할된 하측 용량 전극부(232a와 232b)의 사이에, 구동 트랜지스터(22)의 구성 전극이 개재되어 있는 점이 다르다.
유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(231s)를 구비한다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)는, 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)와 전원선(도시하지 않음)을 접속하는 회로 배선(35)을 공용하고 있다. 한편, 유지 용량 소자(23A)의 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(232s)를 구비한다. 하측 용량 전극부(232a)는, 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하는 회로 배선(36)을 공용하고 있다. 또한, 절단 가능부(232s)와 하측 용량 전극부(232a)의 사이에, 구동 트랜지스터의 구성 전극인 게이트 메탈층이 개재하고 있다. 이 레이아웃에 있어서, 상측 전극층과 하측 전극층의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 도 9c에 기재된 유지 용량 소자와 동일하게 하여 절단 가능부를 선택한다.
도 11a에 기재된 레이아웃에 의하면, 유지 용량 소자의 상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)의 양쪽이, 각각, 회로 배선 기능을 유지하면서 2분할되어 있을 뿐만 아니라. 2분할된 용량 전극부의 접속 패스 상에, 또한, 회로 소자의 구성 전극을 개재시키고 있다. 이 때문에, 도 9c 및 도 10b에 기재된 발광 화소의 레이아웃과 비교하여, 레이아웃의 자유도가 더욱 확보되므로, 화소 회로의 필요 면적을 축소하는 것이 가능해진다. 따라서, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다.
도 11b는, 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제4의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 신호선(12)과, 주사선(13)과, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와 유지 용량 소자(23A)와, 회로 배선이 그려져 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이고, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층(232)이며, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층(231)으로 되어 있다. 도 11b에 기재된 레이아웃도는, 도 10b에 기재된 레이아웃도와 비교하여, 상측 전극층(231)에 있어서 분할된 상측 용량 전극부(231a와 231b)의 사이에, 구동 트랜지스터(22)의 구성 전극이 개재하고 있는 점이 다르다.
유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(231s)를 구비한다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)는, 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)와 전원선(도시하지 않음)을 접속하는 회로 배선(37)을 공용하고 있다. 또한, 절단 가능부(231s)와 상측 용량 전극부(231b)의 사이에, 구동 트랜지스터의 구성 전극인 드레인 메탈층이 개재하고 있다. 한편, 유지 용량 소자(23A)의 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(232s)를 구비한다. 하측 용량 전극부(232a)는, 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하는 회로 배선(38)을 공용하고 있다. 이 레이아웃에 있어서, 상측 전극층과 하측 전극층의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 도 9c에 기재된 유지 용량 소자와 동일하게 하여 절단 가능부를 선택한다.
도 11b에 기재된 레이아웃에 의하면, 유지 용량 소자의 상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)의 양쪽이, 각각, 회로 배선 기능을 유지하면서 2분할되어 있을 뿐만 아니라, 2분할된 용량 전극부의 접속 패스 상에, 또한, 회로 소자의 구성 전극을 개재시키고 있다. 이 때문에, 도 9c 및 도 10b에 기재된 발광 화소의 레이아웃과 비교하여, 레이아웃의 자유도가 더 확보되므로, 화소 회로의 필요 면적을 축소하는 것이 가능해진다. 따라서, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다.
도 11c는, 본 발명의 표시 장치가 가지는 발광 화소의 제5의 레이아웃도이다. 동 도면에 기재된 레이아웃은, 1발광 화소의 레이아웃이며, 신호선(12)과, 주사선(13)과, 스위칭 트랜지스터(21)와, 구동 트랜지스터(22)와 유지 용량 소자(23A)와, 회로 배선이 그려져 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(21)와 구동 트랜지스터(22)는 보텀 게이트형이고, 게이트 전극이 형성된 층은 하측 전극층(232)이며, 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 층은 상측 전극층(231)으로 되어 있다. 도 11c에 기재된 레이아웃도는, 도 10b에 기재된 레이아웃도와 비교하여, 상측 전극층(231)에 있어서 분할된 상측 용량 전극부(231a와 231b)의 사이에, 구동 트랜지스터(22)의 구성 전극이 개재하고 있고, 또한, 하측 전극층(232)에 있어서 분할된 하측 용량 전극부(232a와 232b)의 사이에, 구동 트랜지스터(22)의 구성 전극이 개재하고 있는 점이 다르다.
유지 용량 소자(23A)의 상측 전극층(231)은, 상측 용량 전극부(231a 및 231b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(231s)를 구비한다. 또한, 상측 용량 전극부(231b)는, 구동 트랜지스터(22)(의 드레인 전극)와 전원선(도시하지 않음)을 접속하는 회로 배선(37)을 공용하고 있다. 또한, 절단 가능부(231s)와 상측 용량 전극부(231b)의 사이에, 구동 트랜지스터의 구성 전극인 드레인 메탈층이 개재하고 있다. 한편, 유지 용량 소자(23A)의 하측 전극층(232)은, 하측 용량 전극부(232a 및 232b)와, 이들을 접속하고 있는 절단 가능부(232s)를 구비한다. 하측 용량 전극부(232a)는, 스위칭 트랜지스터(21)(의 소스 전극)와 구동 트랜지스터(22)(의 게이트 전극)를 접속하는 회로 배선(38)을 공용하고 있다. 또한, 절단 가능부(232s)와 하측 용량 전극부(232a)의 사이에, 구동 트랜지스터의 구성 전극인 게이트 메탈층이 개재하고 있다. 이 레이아웃에 있어서, 상측 전극층과 하측 전극층의 사이에 쇼트 불량이 발생한 경우에는, 도 9c에 기재된 유지 용량 소자와 동일하게 하여 절단 가능부를 선택한다.
도 11c에 기재된 레이아웃에 의하면, 유지 용량 소자의 상측 전극층(231) 및 하측 전극층(232)의 양쪽이, 각각, 회로 배선 기능을 유지하면서 2분할되어 있을 뿐만 아니라, 2분할된 용량 전극부의 접속 패스 상에, 또한, 회로 소자의 구성 전극을 개재시키고 있다. 이 때문에, 도 9c 및 도 10b에 기재된 발광 화소의 레이아웃과 비교하여, 레이아웃의 자유도가 더 확보되므로, 화소 회로의 필요 면적을 축소하는 것이 가능해진다. 따라서, 화소 회로의 고밀도화에 대응하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 표시 장치 및 그 제조 방법에 대해서, 실시의 형태에 의거하여 설명했는데, 본 발명에 관련된 표시 장치 및 그 제조 방법은, 상기 실시의 형태에 한정되는 것은 아니다. 실시의 형태 1∼3에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시의 형태나, 실시의 형태 1∼3에 대해서 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각하는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 관련된 표시 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 실시의 형태 2에서는, 도 3a 및 도 3b에 기재된 유지 용량 소자(23A)를 가지는 표시장치의 제조 방법을 설명했는데, 실시의 형태 2에 관련된 표시 장치의 제조 방법은, 실시의 형태 1에 관련된 제1∼제3의 변형예에서 나타낸 유지 용량 소자(23B, 23C 및 23D)에 대해서도 적용된다.
또한, 실시의 형태 3에서는, 도 3a 및 도 3b에 기재된 유지 용량 소자(23A)를 가지는 발광 화소의 레이아웃을 설명했는데, 실시의 형태 3에 관련된 발광 화소의 레이아웃은, 실시의 형태 1에 관련된 제1∼제3의 변형예에서 나타낸 유지 용량 소자(23B, 23C 및 23D)에 대해서도 적용된다.
또한, 실시의 형태 1에서는, 유지 용량 소자(23)를 구성하는 상측 전극층 및/또는 하측 전극층을 최대로 4개의 용량 전극부로 분할한 예를 나타냈는데, 용량 전극부의 분할수는, 발광 화소(11)의 불량율이나 필요한 정전 용량에 따라, 2이상의 임의의 분할수이면 된다.
또한, 실시의 형태 1∼3에서는, 유지 용량 소자의 불량 요인으로서, 전극간에 편재하는 파티클 등에 의한 전극간 쇼트를 들었는데, 본 실시의 형태에 있어서의 쇼트는, 완전 단락에 한정되지 않는다. 예를 들면, 파티클끼리의 점 접촉과 같이 미소한 저항치 및 용량치를 가지는 것도 쇼트에 포함된다.
또한, 예를 들면, 본 발명에 관련된 화상 표시 장치는, 도 12에 기재된 것과 같은 박형 플랫 TV에 내장된다. 이에 따라, 정상 발광 타이밍에서 발광하지 않는 발광 화소가 수정되어, 표시 패널의 품질이 향상된 고정밀의 박형 플랫 TV가 실현된다.
<산업상의 이용 가능성>
본 발명의 표시 장치 및 그 제조 방법은, 대화면 및 고해상도가 요망되는, 박형 TV, 퍼스널 컴퓨터의 디스플레이 등의 기술 분야에 유용하다.
1 : 표시 장치
10 : 표시 패널
11 : 발광 화소
11A : 구동 회로층
11B : 표시 소자층
12 : 신호선
13 : 주사선
14 : 주사선 구동 회로
15 : 신호선 구동 회로
16 : 전원선
20 : 제어 회로
21 : 스위칭 트랜지스터
22 : 구동 트랜지스터
23, 23A, 23B, 23C, 23D : 유지 용량 소자
24 : 유기 EL 소자
31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 300, 303, 306 : 회로 배선
51, 52, 53, 54 : 쇼트
231, 233, 235, 237 :상측 전극층
231a, 231b, 233a, 233b, 235a, 235b, 235c, 235d, 237a, 237b : 상측 용량 전극부
231s, 232s, 233s, 234s1, 234s2, 235s1, 235s2, 235s3, 235s4, 236s, 237s, 238s1, 238s2, 301s1, 301s2, 302s, 304s, 305s : 절단 가능부
232, 234, 236, 238 : 하측 전극층
232a, 232b, 234a, 234b, 234c, 236a, 236b, 238a, 238b, 238c : 하측 용량 전극부
10 : 표시 패널
11 : 발광 화소
11A : 구동 회로층
11B : 표시 소자층
12 : 신호선
13 : 주사선
14 : 주사선 구동 회로
15 : 신호선 구동 회로
16 : 전원선
20 : 제어 회로
21 : 스위칭 트랜지스터
22 : 구동 트랜지스터
23, 23A, 23B, 23C, 23D : 유지 용량 소자
24 : 유기 EL 소자
31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 300, 303, 306 : 회로 배선
51, 52, 53, 54 : 쇼트
231, 233, 235, 237 :상측 전극층
231a, 231b, 233a, 233b, 235a, 235b, 235c, 235d, 237a, 237b : 상측 용량 전극부
231s, 232s, 233s, 234s1, 234s2, 235s1, 235s2, 235s3, 235s4, 236s, 237s, 238s1, 238s2, 301s1, 301s2, 302s, 304s, 305s : 절단 가능부
232, 234, 236, 238 : 하측 전극층
232a, 232b, 234a, 234b, 234c, 236a, 236b, 238a, 238b, 238c : 하측 용량 전극부
Claims (12)
- 표시 소자층과 상기 표시 소자층을 구동하는 구동 회로층이 적층된 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열된 표시 장치로서,
상기 구동 회로층은, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치된 상측 전극층 및 하측 전극층을 가지는 평행 평판형의 용량 소자를 구비하고,
상기 상측 전극층은, 제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 상측 용량 전극부와, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제1의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 상측 용량 전극부를 구비하고,
상기 하측 전극층은, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하여 회로 배선 기능을 가지는 제1의 하측 용량 전극부와, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 절단 가능부를 통하여 접속되어 회로 배선 기능을 가지지 않는 제2의 하측 용량 전극부를 구비하고,
상기 용량 소자는, 서로 대향하는 상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이, 및 서로 대향하는 상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한, 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제1의 상측 용량 전극부와 제3의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 상측 용량 전극부를 구비하고, 상기 하측 전극층은, 상기 제1의 하측 용량 전극부와 제4의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 하측 용량 전극부를 구비하고,
상기 용량 소자는, 상기 제3의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 상기 제3의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한, 표시 장치. - 청구항 2에 있어서,
또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제2의 상측 용량 전극부 및 상기 제3의 상측 용량 전극부와 각각 제5의 절단 가능부 및 제6의 절단 가능부를 통하여 접속된 제4의 상측 용량 전극부를 구비하고, 상기 하측 전극층은, 상기 제2의 하측 용량 전극부 및 상기 제3의 하측 용량 전극부와 각각 제7의 절단 가능부 및 제8의 절단 가능부를 통하여 접속된 제4의 하측 용량 전극부를 구비하고,
상기 용량 소자는, 상기 제4의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 상기 제4의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한, 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
또한, 상기 상측 전극층은, 상기 제2의 상측 용량 전극부와 제3의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 상측 용량 전극부를 구비하고, 상기 하측 전극층은, 상기 제2의 하측 용량 전극부와 제4의 절단 가능부를 통하여 접속된 제3의 하측 용량 전극부를 구비하고,
상기 용량 소자는, 상기 제3의 상측 용량 전극부와 상기 제1의 하측 용량 전극부의 사이, 상기 제3의 하측 용량 전극부와 상기 제1의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한, 표시 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절단 가능부는, 레이저 조사에 의해 절단 가능한 형상을 가지는 표시 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 상측 전극층이 가지는 절단 가능부는, 상기 하측 전극층이 가지는 전극부 및 절단 가능부가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있고,
상기 하측 전극층이 가지는 절단 가능부는, 상기 상측 전극층이 가지는 전극부 및 절단 가능부가 적층 방향으로 투영된 영역을 제외한 영역에 형성되어 있는 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 표시 화소는, 상기 제1의 회로 소자, 상기 제2의 회로 소자, 상기 제3의 회로 소자 및 상기 제4의 회로 소자를 구비하고,
상기 제1의 회로 소자, 상기 제2의 회로 소자, 상기 제3의 회로 소자 및 상기 제4의 회로 소자의 각각은, 구동 소자, 스위칭 소자, 용량 소자, 발광 소자, 주사선, 제어선 및 전원선 중 어느 하나인 표시 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 용량 소자는, 상기 표시 화소마다 부여된 신호 전압에 따른 전압을 유지 전압으로서 유지하는 유지 용량 소자이며,
상기 구동 회로층은, 게이트와 상기 용량 소자의 한쪽의 단자가 접속되고, 게이트에 상기 유지 전압이 인가됨으로써, 상기 유지 전압을 소스―드레인간 전류인 신호 전류로 변환하는 구동 트랜지스터를 구비하고,
상기 표시 소자층은, 상기 신호 전류가 흐름으로써 발광하는 발광 소자를 구비하는 표시 장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 발광소자는, 유기 EL 소자인 표시 장치. - 표시 소자층과 상기 표시 소자층을 구동하는 구동 회로층이 적층된 복수의 표시 화소가 2차원상으로 배열된 표시 장치의 제조 방법으로서,
제1의 회로 소자와 제2의 회로 소자를 접속하는 제1의 상측 용량 전극부와 제1의 절단 가능부를 통하여 상기 제1의 상측 용량 전극부와 접속된 제2의 상측 용량 전극부를 가지는 상측 전극층과, 제3의 회로 소자와 제4의 회로 소자를 접속하는 제1의 하측 용량 전극부와 제2의 절단 가능부를 통하여 상기 제1의 하측 용량 전극부와 접속된 제2의 하측 용량 전극부를 가지는 하측 전극층이, 적층 방향에 있어서 대향하도록 배치되고, 상기 제1의 상측 용량 전극부 및 상기 제1의 하측 용량 전극부는 회로 배선 기능을 가지는 것임과 더불어, 상기 제2의 상측 용량 전극부 및 상기 제2의 하측 용량 전극부는 회로 배선 기능을 가지지 않는 것이며, 서로 대향하는 상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이, 및 서로 대향하는 상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 있어서, 각각, 소정의 정전 용량을 유지하는 것이 가능한 평행 평판형의 용량 소자를 구비한 구동 회로층을 형성하는 구동 회로 형성 단계와,
상기 표시 소자층을 형성하는 표시 소자 형성 단계와,
상기 구동 회로 형성 단계에서 형성된 상기 용량 소자를 검사하는 검사 단계와,
상기 검사 단계에서, 대향하는 전극부가 단락되어 있다고 판단된 상기 용량 소자에 대해서, 단락되어 있는 전극부를, 상기 제1의 회로 소자와 상기 제2의 회로 소자의 접속 및 상기 제3의 회로 소자와 상기 제4의 회로 소자의 접속이 절단되지 않도록, 표시 화소로부터 분리하는 절단 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 절단 단계에서는,
상기 제1의 상측 용량 전극부와 상기 제2의 하측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 경우에는, 상기 제2의 절단 가능부를 절단하고,
상기 제1의 하측 용량 전극부와 상기 제2의 상측 용량 전극부의 사이에 단락 불량이 발생한 경우에는, 상기 제1의 절단 가능부를 절단하는 표시 장치의 제조 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 절단 단계에서는,
상기 절단 가능부에 레이저 조사함으로써, 단락되어 있는 전극부를, 상기 제1의 회로 소자와 상기 제2의 회로 소자의 접속 및 상기 제3의 회로 소자와 상기 제4의 회로 소자의 접속이 절단되지 않도록, 표시 화소로부터 분리하는 표시 장치의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
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| KR101723255B1 (ko) * | 2011-06-27 | 2017-04-04 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| CN107980167A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-05-01 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 电容、平板显示器及电容的制作方法 |
| CN108415203B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-04-30 | 惠科股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置和阵列基板的修复方法 |
| GB2576950B (en) | 2018-09-10 | 2022-03-02 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuit and method of manufacture |
| KR102675918B1 (ko) * | 2018-10-24 | 2024-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스토리지 캐패시터, 이를 이용한 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN112489586B (zh) * | 2019-09-12 | 2022-10-21 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| KR20220096188A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN114093327B (zh) * | 2021-11-29 | 2022-12-16 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 移位寄存器、栅极驱动电路和显示基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006054386A1 (ja) | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
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Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4517419B2 (ja) * | 1999-08-18 | 2010-08-04 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその修復方法 |
| TWI282457B (en) * | 2000-04-06 | 2007-06-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect |
| JP2001330850A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
| JP4088619B2 (ja) | 2004-01-28 | 2008-05-21 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
| KR100721948B1 (ko) | 2005-08-30 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2008203636A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | アレイ基板の製造方法、表示装置の製造方法、アレイ基板及び表示装置 |
| JP5341079B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-11-13 | シャープ株式会社 | Ｔｆｔ、シフトレジスタ、走査信号線駆動回路、および表示装置、ならびにｔｆｔの成形方法 |
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-
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-
2011
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006054386A1 (ja) | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
| JP2009139699A (ja) | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Sony Corp | 自発光型表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230036883A (ko) | 2021-09-08 | 2023-03-15 | 동의대학교 산학협력단 | 자전거 사이드 미러 |
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