RU2010125150A - Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны - Google Patents

Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны Download PDF

Info

Publication number
RU2010125150A
RU2010125150A RU2010125150/28A RU2010125150A RU2010125150A RU 2010125150 A RU2010125150 A RU 2010125150A RU 2010125150/28 A RU2010125150/28 A RU 2010125150/28A RU 2010125150 A RU2010125150 A RU 2010125150A RU 2010125150 A RU2010125150 A RU 2010125150A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
emitting device
wavelength converting
substrate
converting material
Prior art date
Application number
RU2010125150/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2489775C2 (ru
Inventor
Хендрик Й. Б. Ягт (NL)
Хендрик Й. Б. ЯГТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010125150A publication Critical patent/RU2010125150A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2489775C2 publication Critical patent/RU2489775C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

1. Светоизлучающее устройство бокового действия, содержащее подложку, отражатель, пространственно удаленный от упомянутой подложки и проходящий вдоль длины упомянутой подложки, и, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, установленный на упомянутой подложке и обращенный к упомянутому отражателю, причем упомянутые подложка и отражатель устанавливают границы световодного участка для света, излучаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом; и ! материал, преобразующий длину волны, расположенный на боковом краю упомянутого световодного участка. ! 2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен между упомянутым отражателем и упомянутой подложкой. ! 3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором первое дихроическое зеркало расположено между упомянутым световодным участком и упомянутым материалом, преобразующим длину волны. ! 4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен между вторым дихроическим зеркалом и упомянутым световодным участком. ! 5. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен на двух противоположных сторонах упомянутого световодного участка. ! 6. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутая подложка содержит отражающий слой. ! 7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором толщина упомянутого световодного участка постепенно увеличивается вдоль направления к упомянутому материалу, преобразующему длину волны. ! 8. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором толщина упомянутого материала, п

Claims (12)

1. Светоизлучающее устройство бокового действия, содержащее подложку, отражатель, пространственно удаленный от упомянутой подложки и проходящий вдоль длины упомянутой подложки, и, по меньшей мере, один светоизлучающий диод, установленный на упомянутой подложке и обращенный к упомянутому отражателю, причем упомянутые подложка и отражатель устанавливают границы световодного участка для света, излучаемого упомянутым, по меньшей мере, одним светоизлучающим диодом; и
материал, преобразующий длину волны, расположенный на боковом краю упомянутого световодного участка.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен между упомянутым отражателем и упомянутой подложкой.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором первое дихроическое зеркало расположено между упомянутым световодным участком и упомянутым материалом, преобразующим длину волны.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен между вторым дихроическим зеркалом и упомянутым световодным участком.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, расположен на двух противоположных сторонах упомянутого световодного участка.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутая подложка содержит отражающий слой.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором толщина упомянутого световодного участка постепенно увеличивается вдоль направления к упомянутому материалу, преобразующему длину волны.
8. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором толщина упомянутого материала, преобразующего длину волны, постепенно увеличивается в зависимости от расстояния от световодного участка.
9. Светоизлучающее устройство по п.1 в котором материал, преобразующий длину волны, расположен за пределами бокового края упомянутого светоизлучающего диода.
10. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором, по меньшей мере, часть материала, преобразующего длину волны, расположена на части упомянутого, по меньшей мере, одного светоизлучающего диода.
11. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый материал, преобразующий длину волны, в первой зоне содержит первую структуру, преобразующую длину волны, для преобразования света, излучаемого упомянутым СИДом, в первый диапазон преобразованных длин волн, и во второй зоне содержит вторую структуру, преобразующую длину волны, для преобразования света, излучаемого упомянутым СИДом, во второй диапазон преобразованных длин волн.
12. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором упомянутый световодный участок, содержит твердый прозрачный материал, производящий, по существу, не преобразование длины волны излучающего света упомянутым светоизлучающим диодом.
RU2010125150/28A 2007-11-20 2008-11-13 Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны RU2489775C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07121079.3 2007-11-20
EP07121079 2007-11-20
PCT/IB2008/054756 WO2009066207A1 (en) 2007-11-20 2008-11-13 Side emitting device with wavelength conversion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010125150A true RU2010125150A (ru) 2011-12-27
RU2489775C2 RU2489775C2 (ru) 2013-08-10

Family

ID=40475002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010125150/28A RU2489775C2 (ru) 2007-11-20 2008-11-13 Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8247831B2 (ru)
EP (1) EP2212928B1 (ru)
JP (1) JP5666306B2 (ru)
KR (1) KR20100093570A (ru)
CN (1) CN101868865B (ru)
RU (1) RU2489775C2 (ru)
TW (1) TWI451045B (ru)
WO (1) WO2009066207A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2632840C2 (ru) * 2012-07-11 2017-10-10 Конинклейке Филипс Н.В. Силиконовое изделие, осветительный прибор, содержащий силиконовое изделие, и способ производства силиконового изделия
RU2650440C1 (ru) * 2014-05-14 2018-04-13 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающий прибор

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2346101A4 (en) * 2008-10-15 2015-11-25 Koito Mfg Co Ltd LIGHT-EMITTING MODULE, MANUFACTURING METHOD FOR A LIGHT-EMITTING MODULE AND LIGHTING BODY
JP2012526347A (ja) * 2009-05-07 2012-10-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 蛍燐光体及び二色性のフィルターを備えたライティングデバイス
KR101686079B1 (ko) 2010-12-27 2016-12-13 삼성전자주식회사 깊이 영상 생성 장치 및 방법
KR102057538B1 (ko) 2011-12-20 2019-12-19 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 발광소자, 차량 조명기구 및 차량
JP2013143430A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2013149711A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
DE102012102114B4 (de) 2012-03-13 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
KR101890733B1 (ko) * 2012-03-19 2018-08-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101328073B1 (ko) * 2012-06-28 2013-11-13 서종욱 횡형 발광소자 및 이를 적용하는 발광 시트
DE102012218786B3 (de) * 2012-10-16 2014-02-13 Osram Gmbh Herstellen einer linearen Leuchtvorrichtung und entsprechende Leuchtvorrichtung
JP6751562B2 (ja) * 2013-01-10 2020-09-09 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 側方放射用に成形された成長基板を有するｌｅｄ
JP6146734B2 (ja) * 2013-03-19 2017-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
US10386559B2 (en) 2013-03-29 2019-08-20 Signify Holding B.V. Light emitting device comprising wavelength converter
CN105308763B (zh) 2013-04-25 2018-06-19 亮锐控股有限公司 发光二极管组件
CN103268039B (zh) * 2013-05-13 2015-12-09 北京京东方光电科技有限公司 一种背光模组及显示装置
JP6000480B2 (ja) 2013-06-20 2016-09-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光素子
WO2015002981A1 (en) 2013-07-01 2015-01-08 Bridgestone Americas Tire Operations, Llc Methods and apparatuses for creating a visual effect on a rubber article
US20160218260A1 (en) * 2013-09-10 2016-07-28 Philips Lighting Holding B.V. A light emitting device
WO2015067476A1 (en) * 2013-11-05 2015-05-14 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
RU2636410C2 (ru) * 2014-01-28 2017-11-23 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающий прибор
CN105960560B (zh) * 2014-01-30 2020-01-07 飞利浦照明控股有限公司 照明装置
CN107251243B (zh) * 2014-09-23 2019-08-06 亮锐控股有限公司 使用反向发射led和反射衬底的亮度图案成形
CN106662293B (zh) 2014-10-03 2018-08-10 飞利浦照明控股有限公司 用于在照明设备中使用的聚光器
WO2016122725A1 (en) 2015-01-30 2016-08-04 Technologies Llc Sxaymiq Micro-light emitting diode with metal side mirror
CN108139035B (zh) * 2015-09-29 2020-07-10 昕诺飞控股有限公司 具有衍射耦出的光源
JP6987752B2 (ja) 2015-10-20 2022-01-05 シグニファイ ホールディング ビー ヴィSignify Holding B.V. 例えばスポット照明用途の照明デバイス
KR101685092B1 (ko) * 2015-11-06 2016-12-12 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2017098398A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 発光装置および照明装置
JP6414104B2 (ja) * 2016-02-29 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102016106851A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
CN106328791B (zh) * 2016-09-09 2018-08-24 华灿光电（浙江）有限公司 一种半导体发光二极管光源及背光模组
DE102016118030A1 (de) 2016-09-23 2018-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil
JP6797624B2 (ja) * 2016-09-27 2020-12-09 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 光源装置および表示装置
KR102519814B1 (ko) * 2016-12-15 2023-04-10 루미리즈 홀딩 비.브이. 높은 근거리 콘트라스트 비를 갖는 led 모듈
TWI636595B (zh) * 2017-03-30 2018-09-21 宏齊科技股份有限公司 發光裝置
TWM549964U (zh) * 2017-03-31 2017-10-01 Harvatek Corp 具面光源之發光二極體封裝結構
EP3404317B1 (en) * 2017-05-19 2020-01-01 OSRAM GmbH A lighting device and corresponding method
DE102017115181B4 (de) * 2017-07-06 2022-03-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN111148940B (zh) * 2017-09-21 2022-07-08 昕诺飞控股有限公司 具有cpc、光导和附加磷光体的发光聚光器
CN108767100A (zh) * 2018-05-04 2018-11-06 惠州市华瑞光源科技有限公司 背光模组及其制作方法
DE102018116327A1 (de) * 2018-07-05 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils
KR20200112542A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20200112543A (ko) * 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20200112545A (ko) * 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20200112540A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20210034398A (ko) * 2019-09-20 2021-03-30 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈, 조명 장치 및 램프

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020109148A1 (en) * 1998-12-29 2002-08-15 Shveykin Vasily I. Injection incoherent emitter
RU2142661C1 (ru) * 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
JP2001196640A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Sharp Corp サイド発光型ｌｅｄ装置及びその製造方法
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP3891115B2 (ja) 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100622209B1 (ko) * 2002-08-30 2006-09-19 젤코어 엘엘씨 개선된 효율을 갖는 코팅된 발광다이오드
JP4280050B2 (ja) 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
TW569479B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
DE10351349A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
JP2005158795A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード及び半導体発光装置
US7916986B2 (en) * 2004-03-15 2011-03-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Erbium-doped silicon nanocrystalline embedded silicon oxide waveguide
US7497581B2 (en) 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
WO2006087651A2 (en) * 2005-02-16 2006-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device comprising inorganic light emitting diode(s)
US20060202221A1 (en) 2005-03-10 2006-09-14 Martin Klenke Led
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7513669B2 (en) 2005-08-01 2009-04-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source for LCD back-lit displays
JP2007059612A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sharp Corp 発光ダイオード
KR100749528B1 (ko) * 2005-09-30 2007-08-16 주식회사 두산 광 접속 모듈 및 그 제조 방법
US7378686B2 (en) 2005-10-18 2008-05-27 Goldeneye, Inc. Light emitting diode and side emitting lens
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7474815B2 (en) * 2006-03-14 2009-01-06 International Business Machines Corporation Interconnecting (mapping) a two-dimensional optoelectronic (OE) device array to a one-dimensional waveguide array
JP5056064B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-24 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ装置及びそれを備えた照明装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2632840C2 (ru) * 2012-07-11 2017-10-10 Конинклейке Филипс Н.В. Силиконовое изделие, осветительный прибор, содержащий силиконовое изделие, и способ производства силиконового изделия
US10190042B2 (en) 2012-07-11 2019-01-29 Lumileds Llc Silicone product, a lighting unit comprising the silicone product and method of manufacturing a silicone product
RU2650440C1 (ru) * 2014-05-14 2018-04-13 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающий прибор

Also Published As

Publication number Publication date
JP5666306B2 (ja) 2015-02-12
EP2212928A1 (en) 2010-08-04
KR20100093570A (ko) 2010-08-25
JP2011503891A (ja) 2011-01-27
CN101868865B (zh) 2012-08-22
TW200940903A (en) 2009-10-01
CN101868865A (zh) 2010-10-20
TWI451045B (zh) 2014-09-01
WO2009066207A1 (en) 2009-05-28
EP2212928B1 (en) 2016-06-29
US8247831B2 (en) 2012-08-21
RU2489775C2 (ru) 2013-08-10
US20110018020A1 (en) 2011-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010125150A (ru) Светоизлучающее устройство бокового действия с преобразованием длины волны
RU2010110803A (ru) Источник света, включающий в себя отражающий преобразующий длину волны слой
WO2011112914A3 (en) Scattered-photon extraction-based light fixtures
TW200727041A (en) Backlight module
US20090168395A1 (en) Directional linear light source
WO2014039833A3 (en) Integrated led based illumination device
JP2011199322A5 (ru)
JP2010537399A5 (ru)
TW200618337A (en) Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
JP2010087324A5 (ru)
WO2013100815A3 (ru) Светодиодный источник белого света с комбинированным удаленным фотолюминесцентным конвертером
TW200638553A (en) LED lens
WO2006036627A3 (en) Light recycling illumination systems utilizing light emitting diodes
WO2007047421A3 (en) Light emitting diode and side emitting lens
WO2007133301A3 (en) Light emitting diodes with improved light collimation
WO2010082286A1 (ja) 発光モジュールおよび灯具ユニット
JP2016521438A5 (ru)
JP2011508450A5 (ru)
TW200725070A (en) Light emitting module and plane light source device
RU2012157721A (ru) Светильник
WO2010042423A3 (en) Compact led downlight with cuspated flux-redistribution lens
RU2011148411A (ru) Конфигурация удаленного материала, преобразующего длину волны, для освещения
RU2017112983A (ru) Гибкое светоизлучающее устройство
RU2011100809A (ru) Эскалатор или движущийся тротуар с освещением светодиодами
JP2012529171A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20170315