DE102016118030A1 - Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) mit einer Halbleiterschichtanordnung (3) mit einer aktiven Zone (2) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, mit einer Schicht (7), die auf einer Oberseite (6) der Halbleiterschichtanordnung (3) angeordnet ist, wobei die Schicht (7) transparent ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung über seitliche Flächen (9, 10, 11, 12) und über eine zweite Oberseite (33) abzugeben, wobei auf der zweiten Oberseite (33) eine metallische Reflexionsschicht (8) angeordnet ist, wobei die Reflexionsschicht (8) ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung in die Schicht (7) zurück zu reflektieren.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil gemäß Patentanspruch 1, ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils gemäß Patentanspruch 9, eine Beleuchtungsvorrichtung gemäß Patentanspruch 13 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Patentanspruch 14.
  • Aus WO 2013/135696 A1 ist ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil mit einer aktiven Zone zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung bekannt. Über der aktiven Zone ist eine Schicht vorgesehen, die transparent für die elektromagnetische Strahlung ist. Auf der Schicht ist eine reflektierende Beschichtung aufgebracht. Die reflektierende Beschichtung weist ein Matrixmaterial, zum Beispiel Silikon auf, in das strahlungsstreuende und/oder strahlungsreflektierende Partikel eingebracht sind.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Halbleiterbauteil bereitzustellen. Zudem besteht die Aufgabe der Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauteils bereitzustellen. Weiterhin besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine verbesserte Beleuchtungsvorrichtung und eine verbesserte Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Die Aufgaben der Erfindung werden durch die unabhängigen Patentansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind Weiterbildungen der Erfindung angegeben.
  • Ein Vorteil des beschriebenen Halbleiterbauteils besteht darin, dass die Reflexionsschicht sehr stabil ausgebildet ist und eine hohe Reflektivität aufweist. Zudem weist die Reflexionsschicht eine hohe thermische Leitfähigkeit auf. Dies wird dadurch erreicht, dass die Reflexionsschicht aus Metall gebildet ist.
  • In einer Ausführung weist die Reflexionsschicht eine Dicke auf, die kleiner als 500 µm, insbesondere kleiner als 200 µm ist. Durch die Ausbildung der Reflexionsschicht aus einem Metall kann die Reflexionsschicht mit einer geringen Dicke von kleiner als 500 µm hergestellt werden. Metall ermöglicht auch bei dieser geringen Dicke eine gute Reflektion der elektromagnetischen Strahlung des Halbleiterbauteils und eine hohe thermische Belastbarkeit. Aufgrund der geringen Schichtdicke ist die Höhe des Halbleiterbauteils sehr gering. Somit ist beim Verbauen des Halbleiterbauteils ein geringer Bauraum ausreichend.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Reflexionsschicht in Form einer Folie ausgebildet. Die Verwendung einer Folie als Reflexionsschicht ermöglicht es, die Reflexionsschicht unabhängig vom Halbleiterbauteil herzustellen. Zudem kann die Folie mit einfachen Mitteln mit der Schicht verbunden werden. Dadurch ist eine erhöhte Flexibilität bei der Herstellung des Halbleiterbauteils gegeben. Weiterhin kann die Reflexionsschicht durch die unabhängige Herstellung von der Schicht mit entsprechenden Verfahren bearbeitet und/oder hergestellt werden, bei denen keine Rücksicht auf chemische und/oder physikalische Gegebenheiten oder Randbedingungen des Halbleiterbauteils genommen werden muss.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Folie mit der Schicht flächig verbunden. Dadurch wird zum einen eine stabile mechanische Befestigung der Folie an der Schicht erreicht. Zum anderen wird dadurch eine homogene Reflektion an der Grenzfläche zwischen der Folie und der Schicht bereitgestellt. In einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht aus einem Formmaterial gebildet. Zudem ist die Reflexionsschicht bei dieser Ausführung direkt mit dem Formmaterial flächig verbunden. Somit kann auf eine zusätzliche Klebeschicht zwischen der Reflexionsschicht und der Schicht verzichtet werden. Dies ist insbesondere bei der Ausbildung der Reflexionsschicht als Folie von Vorteil.
  • In einer Ausführungsform ist die Reflexionsschicht aus Aluminium gebildet. Aluminium stellt eine hohe Reflektion für die elektromagnetische Strahlung bereit und kann insbesondere als Aluminiumfolie zuverlässig mit den gewünschten Eigenschaften hergestellt werden.
  • In einer Ausführungsform ist die Reflexionsschicht aus Silber gebildet. Silber stellt eine hohe Reflektion für blaues Licht bereit und kann insbesondere als Silberfolie zuverlässig mit den gewünschten Eigenschaften hergestellt werden.
  • Ein Vorteil des beschriebenen Verfahrens zum Herstellen des Halbleiterbauteils besteht darin, dass die Reflexionsschicht mit einfachen Mitteln auf die Schicht aufgebracht wird. Dabei eignet sich beispielsweise die Aufbringung der Reflexionsschicht in Form einer Folie. Dies ist insbesondere von Vorteil, wenn die Schicht aus einem Formmaterial gebildet wird. Dabei kann die Folie bereits während des Aushärtevorganges des Formmaterials an das Formmaterial gedrückt werden. Somit wird eine haftende Verbindung zwischen der Folie und dem Formmaterial hergestellt, ohne dass eine zusätzliche Klebeschicht zwischen dem Formmaterial und der Folie erforderlich ist.
  • Weiterhin eignen sich für die Aufbringung der Reflexionsschicht aus Metall ein Aufdampfverfahren, ein Sputterverfahren, ein elektrisches und/oder ein chemisches Abscheideverfahren. Metall kann mit diesen Verfahren einfach und kostengünstig mit den gewünschten Parametern als Reflexionsschicht abgeschieden werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird die metallische Folie als Reflexionsschicht auf die Schicht laminiert. Beim Laminierungsverfahren wird eine Verbindungsschicht zwischen der Folie und der Schicht erzeugt. Die Verbindungsschicht kann durch eine Klebeschicht oder durch ein Aufschmelzen des Materials der Schicht erzeugt werden.
  • Das beschriebene Halbleiterbauteil eignet sich für die Herstellung einer Beleuchtungsvorrichtung und für die Herstellung einer Anzeigevorrichtung.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
  • 1 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil,
  • 2 eine perspektivische Darstellung des Halbleiterbauteils,
  • 3 eine Beleuchtungsvorrichtung mit Halbleiterbauteilen,
  • 4 eine schematische Darstellung einer Anzeigevorrichtung und
  • 5 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Einbetten einer Metallfolie in eine Schicht aus Formmaterial.
  • 1 zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil 1. Das Halbleiterbauteil 1 weist eine Halbleiterschichtanordnung 3 auf, die mit einer Unterseite auf einem Träger 31 angeordnet ist. Die Hableiterschichtanordnung 3 weist eine kleinere Fläche als der Träger 31 auf. Der Träger 31 kann eine rechteckige oder eine quadratische Grundfläche aufweisen. Zudem kann die Halbleiterschichtanordnung 3 eine rechteckige oder eine quadratische Grundfläche aufweisen. Die Halbeiterschichtanordnung 3 ist in dem Beispiel mittig auf dem Träger 31 angeordnet. Die Halbleiterschichtanordnung 3 ist auf allen vier Seiten und auf einer Oberseite 6, die gegenüber liegend zum Träger 31 angeordnet ist, mit einer Schicht 7 bedeckt. Die Schicht 7 ist transparent für die elektromagnetische Strahlung, die von der Halbleiterschichtanordnung 3 erzeugt wird. Die Schicht 7 ist somit lichtleitend ausgebildet. In der Halbleiterschichtanordnung 3 ist als aktive Zone 2 beispielsweise eine pn-Grenzschicht ausgebildet. Zudem kann die aktive Zone 2 auch mehrere Schichten und insbesondere Quantentopfschichten aufweisen. Die Halbleiterschichtanordnung 3 stellt einen lichtemittierenden Halbleiterchip dar.
  • Das Halbleiterbauteil 1 kann einen Träger 31 in Form einer Leiterplatte oder einer Keramik aufweisen, auf dem die Halbleiterschichtanordnung 3 mit der aktiven Zone 2 angeordnet ist. Zudem kann das Halbleiterbauteil auch einen Träger 31 aufweisen, der wenigstens einen Leiterrahmenabschnitt aufweist, der in ein Formmaterial eingebettet ist. Insbesondere kann der Träger 31 zwei Leiterrahmenabschnitte aufweisen, die in ein Formmaterial eingebettet sind. Der Träger 31 kann z.B. als QFN Substrat ausgebildet sein.
  • Das dargestellte Halbleiterbauteil 1 weist auf einer Unterseite des Trägers 31 elektrische Kontakte 4, 5 auf. Die von der aktiven Zone 2 erzeugte elektromagnetische Strahlung wird in die Schicht 7 abgegeben. Auf einer zweiten Oberseite 33 der Schicht 7, die gegenüber liegend zur Oberseite 6 der Halbleiterschichtanordnung 3 angeordnet ist, ist eine Reflexionsschicht 8 angeordnet. Die Reflexionsschicht 8 reflektiert die elektromagnetische Strahlung zurück in die Schicht 7. Auf diese Weise wird die elektromagnetische Strahlung über vier Seitenflächen 9, 10, 11, 12 der Schicht 7 abgegeben. Das Halbleiterbauteil 1 stellt einen 360° Seitenemitter dar. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die elektrischen Kontakte 4, 5 auch an anderen Stellen des Halbleiterbauteils 1 angeordnet sein. Die elektrischen Kontakte 4, 5 sind entsprechend mit den Schichten der Halbleiterschichtanordnung 3 verbunden, um die aktive Zone 2 mit Strom zu versorgen.
  • Die Schicht 7 kann beispielsweise aus einem transparenten Material wie Saphir oder Glas bestehen. Zudem kann die Schicht 7 auch aus Silikon bestehen. Weiterhin kann die Schicht 7 ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial beispielsweise aus Silikon, Kunststoff oder Epoxid aufweisen, in das lumineszierende Partikel 32 und/oder streuende Partikel eingebracht sind.
  • Beispielsweise können streuende Partikel aus Titandioxid gebildet sein. Lumineszierende Partikel können beispielsweise einen auf YAG oder LuAG-basierenden Leuchtstoff aufweisen. Beispielsweise können lumineszierende Partikel YAG:Ce3+ oder ein LuAG:Ce3+ aufweisen, wobei diese seltene Erden und insbesondere Gd, Ga oder Sc beinhalten können. Weiter können lumineszierende Partikel zumindest eines der folgenden Konversionsmaterialien umfassen oder aus einem dieser Konversionsmaterialien bestehen: SrSiON:Eu2+, (Sr, Ba, Ca)2Si5N8:Eu2+, (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+, CaSiAlON:Eu2+.
  • 2 zeigt in einer schematischen, perspektivischen Darstellung das Halbleiterbauteil 1 mit der Halbleiterschichtanordnung 3, in der die aktive Zone 2 angeordnet ist. Auf der Oberseite 6 und auf den Seitenflächen der Halbleiterschichtanordnung 3 ist die Schicht 7 aufgebracht. Auf einer zweiten Oberseite 33 der Schicht 7 ist die Reflexionsschicht 8 angeordnet. Die Reflexionsschicht 8 ist aus einem Metall gebildet und stellt eine metallische Reflexionsschicht dar. Die Reflexionsschicht 8 weist eine Dicke senkrecht zur Ebene der aktiven Zone in der z-Richtung auf, die kleiner als 500 µm, insbesondere kleiner als 200 µm ist. Die Reflexionsschicht 8 kann beispielsweise aus Silber oder Aluminium gebildet sein. Die Reflexionsschicht 8 kann als Metallfolie ausgebildet sein. Die Metallfolie kann flächig mit der Schicht 7 verbunden sein. Die Verbindung der Metallfolie mit der Schicht 7 kann über eine Klebeschicht realisiert sein. Zudem kann die Metallfolie direkt mit der Schicht 7 verbunden sein, insbesondere wenn die Schicht 7 aus einem Formmaterial wie zum Beispiel Silikon gebildet ist. Beispielsweise kann die Reflexionsschicht 8 als Aluminiumfolie ausgebildet sein. Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform die Reflexionsschicht aufgedampft, aufgesputtert, elektrisch abgeschieden und/oder chemisch abgeschieden werden. Weiterhin kann die Reflexionsschicht in Form einer Folie ausgebildet auf die Oberseite der Schicht 7 laminiert werden. Zum Laminieren der Reflexionsschicht 8 auf der Schicht 7 kann eine separate Klebeschicht verwendet werden. Zudem kann die Reflexionsschicht 8 direkt auf die Schicht 7 laminiert werden, wenn die Schicht 7 aus einem Material gebildet ist, das beim Laminieren eine adhäsive Verbindung mit der Reflexionsschicht bildet.
  • 3 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Beleuchtungsvorrichtung 19 mit einem Lichtleiter 13. Der Lichtleiter 13 ist in Form einer Platte ausgebildet, wobei in 3 ein Querschnitt durch den Lichtleiter 13 dargestellt ist. Der Lichtleiter 13 kann z.B. eine quadratische oder rechteckförmige Fläche aufweisen. Der Lichtleiter 13 kann beispielsweise aus Glas, Kunststoff oder Silikon gebildet sein. Im Lichtleiter 13 sind von einer Unterseite 14 her Ausnehmungen 15 eingebracht. Die Ausnehmungen 15 weisen jeweils eine Bodenfläche 16 und Seitenflächen 17, 18 auf. Der dargestellte Lichtleiter 13 weist fünf Ausnehmungen 15. In jeder Ausnehmung 15 ist ein Halbleiterbauteil 1 angeordnet. Dabei ist die Reflexionsschicht 8 des Halbleiterbauteils 1 der Bodenfläche 16 zugewandt. Die Halbleiterbauteile 1 werden vollständig in den Ausnehmungen 15 aufgenommen. Aufgrund der geringen Bauhöhe kann die Tiefe der Ausnehmungen 15, das heißt der Abstand zwischen der Unterseite 14 des Lichtleiters und der Bodenfläche 16 der Ausnehmung 15 kleiner gewählt werden. Somit kann der Lichtleiter 13 insgesamt dünner ausgebildet werden. Die Halbleiterbauteile 1 können beispielsweise in die Ausnehmungen 15 mithilfe eines Klebematerials beispielsweise aus Silikon eingeklebt werden.
  • 4 zeigt in einem schematischen Querschnitt eine Anzeigevorrichtung 20, die ein bildgebendes Element 21 aufweist, wobei die Beleuchtungsvorrichtung 19 an dem bildgebenden Element 21 angeordnet ist. Die Beleuchtungsvorrichtung 19 ist ausgebildet, um das bildgebende Element 21 zu hinterleuchten. Eine Oberseite 34 des Lichtleiters 13, die gegenüber liegend zur Unterseite 14 des Lichtleiters angeordnet ist, ist dem bildgebenden Element 21 zugewandt. In der dargestellten Ausführungsform liegt die Oberseite 34 des Lichtleiters 13 an dem flächig ausgebildeten bildgebenden Element 21 an. Durch die geringe Bauhöhe der Beleuchtungsvorrichtung 19 kann eine geringe Bauhöhe der Anzeigevorrichtung 20 erreicht werden. Das bildgebende Element kann beispielsweise als LCD-Display ausgebildet sein.
  • 5 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Formwerkzeug 22 mit einem ersten und einem zweiten Teilwerkzeug 23, 24. Das erste Teilwerkzeug 23 weist eine erste Formausnehmung 25 auf, in die eine Halbleiterschichtanordnung 3 mit einer aktiven Zone 2 eingelegt ist, die gemäß der Halbleiterschichtanordnung 3 der 1 ausgebildet ist. Die Teilwerkzeuge 23, 24 sind voneinander beabstandet. Die Halbleiterschichtanordnung 3 kann bereits auf einem Träger montiert sein. Das zweite Teilwerkzeug 24 weist eine zweite Formausnehmung 26 auf, die oberhalb der Halbleiterschichtanordnung 3 angeordnet ist. Die zweite Formausnehmung 26 weist einen Boden 27 auf, der gegenüberliegend und beabstandet zur Halbleiterschichtanordnung 3 angeordnet ist. Am Boden 27 ist eine Metallfolie 28 befestigt. Die Metallfolie 28 kann beispielsweise mithilfe einer elektrostatischen geringen Kraft am Boden 27 gehalten werden. Die Metallfolie 28 ist somit in einem vorgegebenen Abstand zur Halbleiterschichtanordnung 3 angeordnet. Zwischen der Metallfolie 28 und der Halbleiterschichtanordnung 3 mündet ein Zulaufkanal 29, der im zweiten Teilwerkzeug 24 ausgebildet ist, in die zweite Formausnehmung. Über den Zulaufkanal 29 kann Formmaterial in den Zwischenraum 30, der zwischen der Metallfolie 28 und der Halbleiterschichtanordnung 3 ausgebildet ist, eingefüllt werden. Nach dem Einfüllen des Formmaterials in den Zwischenraum 30 werden die zwei Teilwerkzeuge 23, 24 aufeinander zubewegt. Dabei wird das Formmaterial in die gewünschte Form gebracht. Anschließend wird das Formmaterial ausgehärtet. Das ausgehärtete Formmaterial bildet die lichtleitende Schicht 7. Während des Aushärtens des Formmaterials wird eine adhäsive Verbindung zwischen der Metallfolie 28 und der Schicht 7 hergestellt. Nach dem Aushärten ist die Adhäsionskraft zwischen der Metallfolie 28 und der Schicht 7 größer als die Haltekraft, mit der die Metallfolie 28 am Boden gehalten wird. Anschließend werden die Formwerkzeuge von dem Halbleiterbauteil 1 und insbesondere von der Metallfolie 28 gelöst. Anstelle des beschriebenen Formpressverfahrens kann auch ein Spritzpressverfahren verwendet werden, um die Halbleiterschichtanordnung 3 in die lichtleitende Schicht 7 einzubetten.
  • Die Metallfolie 28 kann auch ohne das Formwerkzeug der 5 auf eine Halbleiterschichtanordnung 3 mit einer noch nicht ausgehärteten Schicht 7 aufgebracht werden. Zudem kann die Metallfolie 28 auch mithilfe einer Klebeschicht auf eine ausgehärtete oder feste Schicht 7 aufgebracht und mit der Schicht 7 verbunden werden.
  • Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform das Formwerkzeug 22 ausgebildet sein, um mehrere Halbleiterschichtanordnungen 3 nebeneinander im ersten Teilwerkzeug 23 aufzunehmen. Bei dieser Ausführungsform kann mithilfe eines Arbeitsvorganges eine Folie auf eine Vielzahl von Halbleiterschichtanordnungen beziehungsweise deren Schichten 7 aufgebracht werden. Nach dem Aushärten der Schicht 7 werden die einzelnen Halbleiterbauteile 1 von dem erhaltenen Verbund getrennt. Dazu können einzelne Halbleiterbauteile oder Gruppen von Halbleiterbauteilen aus dem Verbund mithilfe eines Sägeverfahrens abgetrennt werden.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleiterbauteil
    2
    aktive Zone
    3
    Halbleiterschichtanordnung
    4
    erster elektrischer Kontakt
    5
    zweiter elektrischer Kontakt
    6
    Oberseite
    7
    Schicht
    8
    Reflexionsschicht
    9
    erste Seitenfläche
    10
    zweite Seitenfläche
    11
    dritte Seitenfläche
    12
    vierte Seitenfläche
    13
    Lichtleiter
    14
    Unterseite
    15
    Ausnehmung
    16
    Bodenfläche
    17
    erste Seitenfläche
    18
    zweite Seitenfläche
    19
    Beleuchtungsvorrichtung
    20
    Anzeigevorrichtung
    21
    bildgebendes Element
    22
    Formwerkzeug
    23
    erstes Teilwerkzeug
    24
    zweites Teilwerkzeug
    25
    erste Formausnehmung
    26
    zweite Formausnehmung
    27
    Boden
    28
    Metallfolie
    29
    Zulaufkanal
    30
    Zwischenraum
    31
    Träger
    32
    lumineszierendes Partikel
    33
    zweite Oberseite
    34
    Oberseite des Lichtleiters
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2013/135696 A1 [0002]

Claims (14)

  1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil (1) mit einer Halbleiterschichtanordnung (3) mit einer aktiven Zone (2) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, mit einer Schicht (7), die auf einer Oberseite (6) der Halbleiterschichtanordnung (3) angeordnet ist, wobei die Schicht (7) transparent für die elektromagnetische Strahlung ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung über seitliche Flächen (9, 10, 11, 12) und über eine zweite Oberseite (33) abzugeben, wobei auf der zweiten Oberseite (33) eine metallische Reflexionsschicht (8) angeordnet ist, wobei die Reflexionsschicht (8) ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung in die Schicht (7) zurück zu reflektieren.
  2. Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 1, wobei die Reflexionsschicht (8) eine Dicke aufweist, die kleiner als 500 µm, insbesondere kleiner als 200 µm ist.
  3. Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Reflexionsschicht (8) in Form einer Folie ausgebildet ist.
  4. Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 3, wobei die Folie mit der Schicht (7) flächig verbunden ist.
  5. Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schicht (7) lumineszierendes Material aufweist.
  6. Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schicht (7) aus einem Formmaterial gebildet ist, und wobei die Reflexionsschicht (8) mit der Schicht (7) flächig verbunden ist.
  7. Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei die Reflexionsschicht (8) aus Aluminium gebildet ist.
  8. Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei die Reflexionsschicht (8) aus Silber gebildet ist.
  9. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Halbleiterbauteil (1) mit einer Halbleiterschichtanordnung (3) mit einer aktiven Zone (2) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung bereitgestellt wird, wobei auf der Halbleiterschichtanordnung (3) eine lichtleitende Schicht (7) angeordnet ist, wobei auf eine zweite Oberseite (33) der Schicht (7) gegenüberliegend zur aktiven Zone (2) eine metallische Reflexionsschicht (8) aufgebracht wird, wobei die Reflexionsschicht (8) ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung zurück in die Schicht (7) zu reflektieren.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Schicht (7) aus einem Formmaterial gebildet wird, und wobei die Reflexionsschicht (8) in Form einer Folie flächig an das Formmaterial während des Aushärtens des Formmaterials gedrückt wird, um eine haftende Verbindung zwischen der Folie und dem Formmaterial herzustellen.
  11. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Reflexionsschicht (8) als Metallschicht aufgedampft, aufgesputtert, elektrisch oder chemisch abgeschieden wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Reflexionsschicht (8) in Form einer Folie auf die Schicht (7) laminiert wird.
  13. Beleuchtungsvorrichtung (19) mit einem Lichtleiter (13), wobei im Lichtleiter (13) eine Ausnehmung (15) in eine Unterseite (14) des Lichtleiters (13) eingebracht ist, wobei die Ausnehmung (15) eine Bodenfläche (16) aufweist, wobei ein Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 in der Ausnehmung (15) angeordnet ist, wobei die Reflexionsschicht (8) der Bodenfläche (16) zugewandt ist.
  14. Anzeigevorrichtung (20) mit einer Beleuchtungsvorrichtung (19) nach Anspruch 13, und mit einem bildgebenden Element (21), wobei die Beleuchtungsvorrichtung (19) das bildgebende Element (21) hinterleuchtet, und wobei eine Oberseite (34) des Lichtleiters (13), die gegenüberliegend zur Unterseite (14) angeordnet ist, dem bildgebenden Element (21) zugewandt ist.
DE102016118030.0A 2016-09-23 2016-09-23 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil Withdrawn DE102016118030A1 (de)

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