KR20100093570A - 파장 변환을 갖는 측면 발광 장치 - Google Patents

파장 변환을 갖는 측면 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100093570A
KR20100093570A KR1020107013533A KR20107013533A KR20100093570A KR 20100093570 A KR20100093570 A KR 20100093570A KR 1020107013533 A KR1020107013533 A KR 1020107013533A KR 20107013533 A KR20107013533 A KR 20107013533A KR 20100093570 A KR20100093570 A KR 20100093570A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength converting
light emitting
light
converting material
substrate
Prior art date
Application number
KR1020107013533A
Other languages
English (en)
Inventor
헨드릭 제이. 비. 자그트
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20100093570A publication Critical patent/KR20100093570A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Abstract

기판(101), 상기 기판(101)과 이격되어 배열되고, 상기 기판의 연장(extension)을 따라 연장하는 반사기(102), 및 상기 기판 상에 배열되고, 상기 반사기와 대면하는 적어도 하나의 발광 다이오드(103)를 포함하고, 상기 기판(101) 및 반사기(102)가 상기 적어도 하나의 발광 다이오드(103)에 의해 방출되는 광에 대한 도파 영역(104)을 한정하는 측면 발광 장치(100)가 제공된다. 또한, 상기 도파 영역(104)의 측면 에지에 파장 변환 재료(105)가 배열된다. 본 발명은 칼라 방출이 제어되는 소형 측면 발광기를 제공한다.

Description

파장 변환을 갖는 측면 발광 장치{SIDE EMITTING DEVICE WITH WAVELENGTH CONVERSION}
본 발명은, 기판, 상기 기판과 이격되어 배열되고, 상기 기판의 연장을 따라 연장하는 반사기, 및 상기 기판 상에 배열되고, 상기 반사기와 대면하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 기판 및 반사기가 상기 적어도 하나의 발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 도파 영역을 한정하는 측면 발광 장치에 관한 것이다.
높은 휘도의 LED들은 점점 더 많은 수의 조명 응용들에 도입되고 있다. 효율, 휘도 및 칼라 제어와 관련하여 LED 개발에서 이루어진 꾸준한 진보는 자동차 정면 조명 또는 일반 조명과 같은 새로운 조명 시장의 진입을 가능하게 한다.
전통적인 고휘도 LED들은 통상적으로 1x1 mm 영역의 다이 표면의 상부로부터 광을 방출한다. LED들은 다소 좁은 대역의 파장 범위의 광을 방출함에 따라, 청색, 녹색, 황색, 적색과 같은 다양한 칼라가 존재한다. 예를 들어, 백색광 방출 제품에서는, 청색 LED 방출의 일부를 더 높은 파장으로 변환하여 다양한 칼라 온도의 백색광의 방출을 가능하게 하는 형광체 조성들이 적용될 수 있다. 고휘도 LED들은 또한 디스플레이 장치 등의 백라이트와 같은 백라이트 응용들에 대한 매력적인 선택이다.
백라이팅 목적을 위해 측면 발광 장치들이 바람직하다. 핸드헬드 장치, 이동 전화, PDA 등과 같은 많은 응용에서는, 얇고, 작은 크기의 백라이트 배열이 또한 바람직하다. 상부 발광 LED들과 함께 사용하기에 적합한 하나의 측면 발광 구성이 GB 2 428 859 A, Avago Technologies에 설명되어 있다. 여기에는 디스플레이 장치용 백라이트 배열이 설명되어 있다. LED가 배열된 기판과 본질적으로 평행한 방향으로 방출 광을 재지향시키기 위하여 곡면 반사기가 LED 위에 배치된다. 재지향된 광은 광 파이프 내로 도입되며, 광 파이프는 광 파이프 내의 광을 그의 정면을 향해, 광 파이프 밖으로, 그리고 광 변환층 내로 재지향시키는 특징들을 바닥면에 포함한다. 그러나, GB 2 428 859의 배열의 문제점들은 광을 측면 방출하기 위해 큰 두께 및 표면적을 필요로 한다는 점을 포함한다. 곡면 반사기는 LED 자체보다 훨씬 큰 공간을 차지한다. 또한, 원하는 칼라로의 칼라 변환은 실제 측면 발광기와 별개인 추가의 대면적 광 변환층을 필요로 한다. 따라서, 더 작은 측면 발광 장치들이 이 분야에 필요하다.
<발명의 요약>
본 발명의 목적은 이러한 문제들을 적어도 부분적으로 극복하고, 크기가 작으면서, 원하는 칼라의 광을 방출할 수 있는 측면 발광 장치를 제공하는 것이다.
따라서, 제1 양태에서, 본 발명은, 기판, 상기 기판과 이격되어 배열되고, 상기 기판의 연장을 따라 연장하는 반사기, 및 상기 기판 상에 배열되고, 상기 반사기와 대면하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 기판 및 반사기가 상기 적어도 하나의 발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 도파 영역을 한정하는 측면 발광 장치를 제공한다. 본 발명의 장치에서, 상기 도파 영역의 측면 에지에는 파장 변환 재료가 배열된다.
도파 영역의 측면 에지에 배열된 파장 변환 재료로 인해, 본 발명의 장치로부터 출사되는 광의 칼라를 외부에 배치된 변환기 플레이트들의 사용 없이 제어하는 것이 가능하다. 발광 다이오드들은 일반적으로 다소 좁은 파장 대역의 광을 방출한다. 도파 영역 밖에 옆으로 파장 변환 재료를 배열함으로써, 광이 도파 영역으로부터 출사할 때까지 파장 변환이 발생하지 않는다. 도파 영역 내에서, 위 아래로 유도되는 파인 광은 좁은 대역폭을 가지며, 이는 존재하는 반사층(들)의 반사 특성들을 최적화하는 것을 비교적 쉽게 한다. 또한, 도파 영역에 적절한 재료를 선택하는 것이 용이한데, 이는 재료가 또한 도파 영역 내의 광의 좁은 대역폭으로 인해 적어도 하나의 발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 파장들에 대해 투명한 것이 바람직하기 때문이다. 또한, 도파 영역의 측면 에지에 파장 변환 재료를 배열함으로써, 광은 파장 변환 재료를 통해 비교적 짧은 경로 길이를 가지며, 또한 비교적 균일한 각도로 그곳을 통과하여, 낮은 광 손실 및 균일한 파장 변환을 제공할 것이다.
도파 영역의 공간은 다이오드의 공간을 초과할 필요가 없으며, 따라서 장치는 매우 소형화될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료는 상기 반사기와 상기 기판 사이에 배열될 수 있다.
파장 변환 재료가 반사기와 기판 사이에 배열될 때, 광은 파장 변환 재료로부터 그의 측방 외측면을 통해서만 출사되어, 높은 광 지향성을 제공한다.
본 발명의 실시예들에서, 도파 영역과 파장 변환 재료 사이에 제1 이색 미러가 배열될 수 있다.
도파 영역과 파장 변환 재료 사이에 배치되고, 도파 영역으로부터 들어오는 광, 즉 변환되지 않은 광에 대해서는 투과성이지만, 파장 변환 재료로부터 들어오는 광, 즉 파장 변환된 광에 대해서는 반사성인 제1 이색 미러는 변환된 광이 도파 영역으로 재입사되는 것을 방지한다. 대신에, 변환된 광은 파장 변환 재료를 통해 장치 밖으로 반사될 것이다. 이것은 출력 효율을 향상시키는데, 이는 더 높은 비율의 변환된 광이 의도된 표면을 통해 장치로부터 출사되기 때문이다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료는 제2 이색 미러와 도파 영역 사이에 배열될 수 있다.
파장 변환 재료를 파장 변환 재료의 밖에 옆으로 배치된 도파 영역과 제2 이색 미러 사이에 배치함으로써, 변환되지 않은 광, 및 제2 이색 미러 상의 높은 입사각을 갖는 변환된 광이 장치로부터 출사되는 것을 방지할 수 있다. 그러한 광은 장치 내로 다시 반사될 것이다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료는 상기 도파 영역의 2개의 서로 대향하는 측면들 상에 존재할 수 있다.
파장 변환 재료는 도파 영역의 2개의 서로 대향하는 측면들 상에 존재할 수 있다. 따라서, 양방향 발광 장치가 얻어진다. 또한, 예를 들어 정사각형 장치에서, 광은 장치의 모든 4개의 측면들로부터 방출될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 기판은 반사층을 포함할 수 있다.
기판이 반사층을 포함할 때, 광은 도파 영역 내에서, 결국에는 파장 변환 재료를 향해 효율적으로 안내된다.
본 발명의 실시예들에서, 도파 영역의 두께는 파장 변환 재료를 향하는 방향을 따라 점차 증가할 수 있다.
도파 영역의 두께가 점차 증가할 때, 도파 영역은 쐐기 형상의 도파 영역을 형성하며, 이는 파장 변환 재료를 향하는 광 반사를 촉진한다. 쐐기 형상은 또한 도파 영역 내의 광에 대해 시준 효과를 가질 것이다.
본 발명의 실시예들에서, 상기 파장 변환 재료의 두께는 도파 영역으로부터의 거리에 따라 점차 증가할 수 있다.
쐐기 형상의 파장 변환 영역은 변환된 광에 대해 시준 효과를 가져서, 장치로부터 출사되는 광을 시준할 것이다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료는 발광 다이오드의 측면 에지 밖에 배열될 수 있다.
광이 파장 변환 재료에서 파장 변환될 때, 열이 발생한다. 재료가 LED 밖에 옆으로 배열될 때, 재료는 기판과 직접 접촉하게 되며, 이는 일반적으로 열 전달에 있어서 양호하다. 따라서, 기판은 파장 변환 재료에 대한 히트 싱크로서 작용할 것이다. 따라서, 파장 변환 재료로부터의 열은, 일반적으로 더 높은 온도에서 감소된 효율을 갖고, 온도에 따라 약간의 칼라 변화를 가질 수 있는 LED를 가열하지 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료의 적어도 일부는 적어도 하나의 발광 다이오드의 일부 상에 배열될 수 있다.
파장 변환 재료가 LED의 일부 상에 배열될 때, 더 작은 설계를 얻는 것이 가능하다. 또한, LED로부터의 광의 일부가 도파 영역을 통과하지 않고 파장 변환 재료 내로 직접 방출되므로, 광 이용 효율이 높다.
본 발명의 실시예들에서, 파장 변환 재료는 제1 도메인에서 발광 다이오드들에 의해 방출되는 광을 제1 변환된 파장 범위로 변환하기 위한 제1 파장 변환 조성을 포함할 수 있으며, 제2 도메인에서 상기 발광 다이오드들에 의해 방출되는 광을 제2 변환된 파장 범위로 변환하기 위한 제2 파장 변환 조성을 포함할 수 있다.
이것은 단일 LED 또는 모두가 동일 칼라의 광을 방출하는 한 세트의 LED들로부터 2개의 개별 칼라의 광을 제공할 가능성을 제공한다. 상이한 도메인들은 서로 인접 배치되어, 혼합 칼라 방출을 제공할 수 있거나, 예를 들어 도파 영역들의 서로 대향하는 측면들 상에 배치되어, 일 방향에서 제1 칼라 출력을, 반대 방향에서 제2 칼라 출력을 얻을 수 있다.
본 발명의 실시예들에서, 도파 영역은 고체 투명 재료를 포함할 수 있다.
고체 도파 영역은 LED로부터의 더 효율적인 광 추출을 제공할 수 있는데, 이는 높은 인덱스의 LED 재료로부터 공기보다 높은 인덱스의 고체 층으로 더 적은 광이 반사되기 때문이다. 또한, 내부 전반사의 임계각이 고체에 의해 증가된다.
이하, 본 발명의 상기 및 다른 양태들은 본 발명의 현재 바람직한 실시예를 나타내는 첨부 도면들을 참조하여 더 상세히 설명된다. 도면들은 축척에 따를 필요는 없다.
도 1은 본 발명의 발광 장치의 일 실시예의 단면도.
도 2는 본 발명의 발광 장치의 다른 실시예의 단면도.
도 3은 본 발명의 발광 장치의 또 다른 실시예의 단면도.
도 4는 본 발명의 발광 장치의 또 다른 실시예의 단면도.
도 1에 개략적으로 도시된 측면 발광 장치의 일 실시예는 기판(101) 및 기판(101)으로부터 소정 거리에 배열된 반사기(102)를 포함한다. 기판(101) 상에는 반사기(102)와 대면하여 발광 다이오드(103)가 배열된다. 이 도면에는 도시되지 않지만, 이 분야에 통상적인 바와 같이, 장치 내에는 LED용 구동 회로도 존재한다.
이 실시예에서, 기판(101) 및 반사기(102)는 본질적으로 평행한 것으로 도시되지만, 아래의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 이것은 본 발명의 모든 실시예에 대해 필요하지는 않다.
기판(101) 및 반사기(102)는 도파 영역(104)에 대한 상한 및 하한을 형성한다. 발광 다이오드(103)는 도파 영역(104) 내로 광을 방출한다. 도파 영역(104) 및 LED(103)의 측면들 상에 그리고 그들의 밖에 그리고 기판(101)과 반사기(102) 사이에 연장하여, 파장 변환 재료(105)가 배열된다. 파장 변환 재료(105)는 LED(103)에 의해 방출되는 파장 대역의 광을 흡수하고, LED 방출 파장 대역과 다른 변환된 파장 대역의 광을 방출한다. 통상적으로, 변환은 더 긴 파장들을 향하는 파장들의 변화를 유발한다. 기판(101)은 LED(103)에 대한 지지대이며, 다층 구조일 수 있다. 통상적으로, 기판(101)은 LED에 의해 방출되는 광을 반사하는 층(106)을 포함한다. 반사층(106)은 전극 기능과 반사 기능을 겸비하는 LED(103)의 반사 백플레인일 수 있다. 반사층은 통상적으로 Ag 또는 Al과 같은 금속을 포함한다. 반사기(102)는 자체 지지되어 반사기 캐리어 기판 상에 배열되거나, 도파 영역(104)이 고체 재료를 포함하는 경우에는 고체의 상부 표면에 배열될 수 있다. 반사기는 향상된 알루미늄 또는 은 반사기들과 같은 금속 반사기일 수 있다. 그러한 금속층의 적절한 두께는 약 50 내지 약 500nm, 통상적으로는 약 200nm 정도이다. 반사기(102)는 대안으로서 높은 후방 산란 반사율(예를 들어, R>95%)을 갖는 확산 산란층일 수 있다. 이러한 층은 예를 들어 약 100 내지 약 1000nm, 통상적으로는 약 300nm 크기의 TiO2 입자들을 갖는 폴리머 바인더로 구성될 수 있다. 대안으로서, 이 층은 다공성 알루미나, 다공성 YAG 또는 바륨설페이트 코팅들과 같은 무기 산란층들로 구성될 수 있다. 이 층은 예를 들어 스프레이 코팅, 스핀 코팅 또는 딥 코팅에 의해 지지 캐리어 기판 상에 또는 도파체 상에 직접 배치될 수 있다.
반사기(102)는 또한 LED 방출의 파장 범위를 효과적으로 반사하도록 설계된 유전체 미러일 수 있다. 통상적으로, 그러한 미러들은 실리카 및 탄탈륨 산화물과 같은 교대하는 높은 굴절률 및 낮은 굴절률의 재료들의 얇은 적층들의 다층 구조를 포함한다. 발광 다이오드(103)는 기판(101) 상에 배열된다. LED(103)로부터의 광은 통상적으로 반구 패턴 또는 더 낮은 확산의 방출과 같이 실질적인 각도 확산을 갖고, 통상적으로 기판의 표면으로부터 수직인 주요 발광 방향을 가지며, 이러한 LED를 소위 상부 발광 LED라고 한다. 그러나, 본 발명의 장치에서는 다른 타입의 LED도 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용될 때, "LED"로서 약칭되는 "발광 다이오드"라는 용어는 무기 계열 LED, 소형 유기 분자 계열 LED(smOLED) 및 폴리머 계열 LED(polyLED)를 포함하지만 이에 한정되지 않는, 이 분야의 기술자들에게 공지된 임의 타입의 발광 다이오드 또는 레이저 방출 다이오드를 지칭한다. 본 발명에서 사용하기에 적절한 LED에 의해 방출되는 광은 통상적으로 UV 광 내지 가시광의 범위 내에 있다. 가시광에서 대해, 발광은 보라색 내지 적색의 임의 칼라일 수 있다. LED(103)는 기판(101)과 반사기(102) 사이의 영역 내로 광을 방출한다. 이 영역은 본 명세서에서 도파 영역(104)으로 표시된다. 이 도파 영역(104)의 목적은 LED(103)로부터의 광을 파장 변환 재료(105)로 유도하는 것이다. 이 도파 영역에서, 광은 반사 표면들 사이에서 앞뒤로 반사되어, 결국에는 파장 변환 재료(105)를 만날 것이다.
도파 영역은 감지할 수 있을 정도로 광을 흡수하지 않는 것과 같이 장치의 LED(들)에 의해 방출되는 파장들의 광에 본질적으로 투명한 것이 바람직하다.
도파 영역(104)은 예를 들어 공기와 같은 임의의 기체로 채워지거나, 대안으로서 진공인 개방된 공간이거나, 고체 재료일 수 있다. 고체 도파 영역에 사용하기에 적합한 고체 재료들의 예는 알루미나, 유리, 용융 실리카, 사파이어 및 YAG와 같은 고체 무기 재료들, 및 실리콘 수지, 플루오르폴리머, 폴리올레핀 또는 다른 폴리머를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 고체 도파 영역은 영역 내의 균일한 광 분산을 얻기 위해 추가적인 양의 산란 재료를 더 포함할 수 있다. 산란은 장치 내의 광을 재분배하는 것을 도와서, 도파 영역의 측면 에지들을 향하는 방출을 용이하게 할 수 있다.
바람직하게는, 고체층은 LED 재료들의 인덱스와 실질적으로 매칭되는 인덱스를 갖는다(이것은 n=2.7 이상일 수 있다).
고체 도파 영역은 LED에 대한 지지대일 수 있다. 일반적으로, LED들은 사파이어 또는 실리콘 탄화물과 같은 지지 투명 기판들 상에 성장된다. 이러한 투명 기판은 광 유도체로서 사용될 수 있다. 파장 변환 재료(105)는 도파 영역(104) 및 LED(103)의 측면 에지에, 그들의 밖에 위치한다. 따라서, 도파 영역으로부터 출사되는 본질적으로 모든 광은 파장 변환 재료에 입사할 것이다.
파장 변환 재료(105)는 소정 파장 또는 파장 범위의 광의 흡수시에 상이한 변환된 파장 또는 파장 범위의 광을 방출하는 재료이다. 통상적으로, 변환된 파장들은 더 긴 파장들을 향해 변화된다. 전통적으로, 그러한 재료들은 통상적으로 형광 및/또는 인광 재료이다. 많은 그러한 파장 변환 재료는 이 분야의 기술자들에게 공지되어 있으며, 하나의 일반적으로 사용되는 화합물 그룹은 "형광체"라고 한다.
파장 변환 재료는 예를 들어 세라믹, 고체 재료들이거나, 캐리어 폴리머와 같은 바인더 재료 내에 삽입될 수 있다.
파장 변환 재료(105)는 LED에 의해 방출되는 광의 적어도 일부를 흡수하도록 LED(103)에 매칭된다. 따라서, 파장 변환 재료의 선택은 LED의 선택에 의존한다. 예를 들어, 파장 변환 재료는 청색광을 백색광으로 혼합되는 녹색/황색 광으로 부분적으로 변환할 수 있다. 그러나, 예를 들어 청색을 녹색, 황색 또는 적색으로 완전히 변환하거나, UV 광을 가시광으로 변환하는 다른 파장 변환 재료들도 사용될 수 있다. 파장 변환 재료(105)는 2개 이상의 상이한 파장 변환 조성, 예를 들어 LED 광을 제1 칼라로 변환하는 제1 조성 및 LED 광을 제2 칼라로 변환하는 제2 조성을 포함하는 것도 가능하다. 2개 이상의 성분은 개별 층들에서 서로의 위에 배열되어, 파장 변환 재료(105)를 함께 형성하거나, 파장 변환 재료(105)를 형성하도록 상호 혼합될 수 있다.
도 1의 실시예의 대안(도시되지 않음)으로서, 파장 변환 재료의 적어도 일부는 LED의 일부 상에 배열될 수 있다. 이 경우, 도파 영역의 측면 에지는 LED의 측면 에지 내에 위치한다. LED에 의해 그의 측면 에지에서 방출되는 광은 도파 영역을 통과하지 않고 파장 변환 재료 내로 직접 결합된다. 이러한 대안에서, 장치의 전체 영역은 심지어 장치의 공간이 LED 자체의 공간과 동일할 정도로 감소될 수 있다. 본 발명의 발광 장치의 제2 실시예가 도 2에 도시되어 있으며, 도 1에 도시된 장치에 더하여 파장 변환 재료(105)를 사이에 갖는 제1 및 제2 이색 미러(107, 108)를 포함한다. 이색 미러들의 개념 자체는 이 분야의 기술자들에게 공지되어 있으며, 이들은 교대하는 높은 굴절률 및 낮은 굴절률의 다층 적층을 포함할 수 있다. 제1 내측 이색 미러(107)는 도파층(104)과 파장 변환 재료(105) 사이에 배열되며, LED(103)에 의해 방출되는 광을 투과하지만, 파장 변환 재료(105)에 의해 방출되는 광, 즉 변환된 광은 반사하도록 적응된다.
광이 파장 변환 재료(105)에서 변환될 때, 광은 그곳으로부터 많은 상이한 방향으로 방출된다. 따라서, 변환된 광의 일부는 변환 재료로부터 도파 영역(104)을 향하는 역방향으로 방출될 것이다. 이것은 장치의 광 이용 효율을 감소시키며, 이러한 변환된 광을 또한 이용하기 위해, 내측 이색 미러(107)는 이 광을 앞 방향으로, 즉 파장 변환 재료(105)를 통해 장치 밖으로 반사한다. 내측 미러(107)의 추가 효과는 내측 미러가 없는 경우와 동일한 정도의 변환을 달성하기 위해 파장 변환 재료(105)의 양이 감소될 수 있다는 점이다. 제2 외측 이색 미러(108)는 파장 변환 재료(105)의 외부에 배열된다. 외측 미러(108)에 대해 몇몇 대안도 가능하다. 제1 대안으로서, 외측 미러는 변환된 광, 즉 파장 변환 재료(105)에 의해 방출된 광을 투과하지만, 변환되지 않은 광, 즉 LED(103)로부터의 직접 광은 반사하도록 적응된다. 따라서, 변환된 광만이 장치로부터 출사되어, 고도의 변환이 달성된다.
제2 대안으로서, 외측 이색 미러(108)는 외측 미러 상의 낮은 입사각을 갖는 변환된 광만을 투과시키고, 나머지 광은 반사하도록 적응된다. 결과적으로, 외측 미러(108)를 통해 장치로부터 출사되는 광은 감소된 각도 확산을 가질 것이다.
제2 이색 미러(108)가 제1 이색 미러(107)와 함께 사용될 때, 변환된 광은 장치로부터 출사되는 요건을 충족시킬 때까지 파장 변환 재료에서 앞뒤로 반사될 것이다. 이것은 광 이용을 증가시키며, 파장 변환 재료(105)의 양을 줄이는 데에도 이용될 수 있다.
이 분야의 전문가들이 이해하듯이, 본 발명의 장치는 전술한 바와 같은 제1 및/또는 제2 이색 미러를 이용할 수 있다. 본 발명의 발광 장치의 제3 실시예가 도 3에 개략적으로 도시되어 있다. 이 실시예에서, 파장 변환 재료(105)의 두께, 따라서 기판(101)과 반사기(102) 사이의 수직 거리는 도파 영역으로부터의 거리에 따라 증가한다. 이것은 파장 변환 재료(105)에 대체로 원뿔형인 단면을 제공한다. 이러한 형상 및 기판과 반사기 사이의 점차 증가하는 거리로 인해, 장치의 파장 변환부는 그 안에 도입되는 광에 대해 시준 작용을 갖는다.
이 분야의 기술자들이 이해하듯이, 전술한 이색 미러들은 이 실시예에서도 존재하고 사용될 수 있다. 본 발명의 발광 장치의 제4 실시예가 도 4에 개략적으로 도시되어 있다. 이 실시예에서, 도파 영역(104)의 두께, 따라서 기판과 반사기 사이의 수직 거리는 파장 변환 재료(105)를 향하는 방향을 따라 증가한다. 즉, 도파 영역(104)의 두께, 따라서 기판과 반사기 사이의 수직 거리는 파장 변환 재료(105)로부터의 거리에 따라 감소한다. 이것은 반사기(102)의 형상을 적합화함으로써 또는 반사기가 적용되는 본체의 형상을 적합화함으로써 달성된다.
도파 영역(104)의 경사진 경계들은 광을 파장 변환 재료를 향해 지향시킨다. 이것은 반사기 및/또는 기판이 거울 반사면일 때 특히 유리하다.
이 분야의 기술자들이 이해하듯이, 전술한 이색 미러들은 본 발명의 이 실시예에서도 존재하고 사용될 수 있다. 통상적인 LED 다이의 크기는 약 1x1 mm이지만, 더 작거나 큰 치수들도 사용될 수 있다. 도파 영역 및 파장 변환 재료의 통상적인 두께 또는 높이는 약 10㎛ 내지 수 mm 범위 내, 예를 들어 10㎛ 내지 2mm 범위 내, 예를 들어 50 내지 500㎛의 범위 내, 통상적으로 약 200㎛이다. "두께"는 기판과 반사기 사이의 수직 거리를 따라 계산된다. 통상적으로, 도파 영역 및 파장 변환 재료는 본질적으로 동일한 두께를 가지며, 따라서 파장 변환 재료는 도파 영역의 측면 에지의 전체 높이를 본질적으로 커버한다. 파장 변환 재료의 폭은 약 10 내지 500㎛의 범위, 통상적으로 약 50 내지 200㎛ 범위일 수 있다. 파장 변환 재료의 "폭"은 도파 영역의 측면 에지로부터 파장 변환 재료의 측면 에지를 향하는 방향을 따라 계산된다.
이 분야의 기술자는 본 발명이 전술한 바람직한 실시예들로 한정되지 않는다는 것을 안다. 도리어, 첨부된 청구항들의 범위 내에서 많은 변경 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 본 발명의 발광 장치는 청구항들의 범위에 의해 여전히 포함되면서 많은 물리적 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 평면도에서, LED는 장치의 중앙을 형성할 수 있으며, 파장 변환 재료는 본질적으로 LED 및 도파 영역을 둘러쌀 수 있다. 그러한 설계의 예들은 파장 변환 재료가 LED 주위에 링을 형성하는 본질적으로 둥근 장치, 또는 파장 변환 재료가 정사각형과 같은 다각형의 변들을 형성하는 다각형 장치이다. 다른 예들에서, 장치는 LED의 하나 이상의 측면 상에서 폐쇄되며, 파장 변환 재료는 LED의 개방된 측면(들)에 배열된다. 하나의 그러한 예는, 대향 측면들 중 2개가 폐쇄되고, 파장 변환 재료가 다른 2개의 개방된 측면에 배열되는 정사각형 장치이다.
또한, 파장 변환 재료는 둘 이상의 개별 도메인을 포함할 수 있으며, 파장 변환 재료는 제1 도메인에서 LED에 의해 방출되는 광을 제1 변환된 칼라로 변환하고, 파장 변환 재료는 제2 도메인에서 LED에 의해 방출되는 광을 제2 변환된 칼라로 변환한다. 하나의 그러한 예에서, 장치는 정사각 장치이며, 제1 도메인은 파장 변환 재료의 제1 절반 주변(2개의 변)을 나타내고, 제2 도메인은 파장 변환 재료의 제2 절반 주변(대향하는 2개의 변)을 나타낸다.
장치의 도파 영역은 일부 실시예들에서 도파 영역 밖에 옆으로 배열된 파장 변환 재료와 다른 파장 변환 재료를 포함할 수 있다. 도파 영역 내의 그러한 파장 변환 재료는 장치에 의해 방출되는 광의 보다 양호한 제어를 행하는 데 사용될 수 있다. 이것은 LED에 의해 방출되는 광의 일부를 변환할 수 있으며, 변환된 광은 측면 파장 변환 재료에 의해 방출되는 변환된 광과 함께 원하는 칼라의 광을 제공한다. 본 발명의 측면 발광 장치로부터 단일의 일반 방향의 시준 광을 얻기 위해, 장치는 반사기의 측면들을 향해 광을 방출하는 포물선 또는 대응하는 형상을 갖는 반사기의 바닥 등에서 시준기 내에 배열될 수 있으며, 따라서 장치로부터 출사되는 모든 광이 수집되어 단일의 일반 방향으로 전송될 수 있다.
도면들에서, 기판 및 반사기는 파장 변환 재료의 측면 에지들과 일치하는 그들의 측면 에지들을 갖는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 기판 및 반사기 중 적어도 하나의 측면 에지들은 파장 변환 재료의 밖에 있는 것도 가능한데, 즉 기판 및/또는 반사기의 영역은 도파 영역과 파장 변환 재료의 결합된 영역보다 실질적으로 클 수 있다. 기판 및 반사기의 반사층이 파장 변환 재료의 밖으로 연장할 때, 이들은 예를 들어 파장 변환 재료 밖의 기판 및 반사기의 반사층 사이의 수직 거리가 파장 변환 재료로부터의 거리에 따라 증가하게 하여, 이들 사이에 테이퍼 공간을 형성함으로써 이들이 시준기를 형성하게 하는 형상을 가질 수 있다.
반사기는 파장 변환 재료의 상면을 커버하지 않거나, 상면의 일부만을 커버하는 것도 가능하다. 요컨대, 기판, 상기 기판과 이격되어 배열되고, 상기 기판의 연장을 따라 연장하는 반사기, 및 상기 기판 상에 배열되고, 상기 반사기와 대면하는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 기판 및 반사기가 상기 적어도 하나의 발광 다이오드에 의해 방출되는 광의 도파 영역을 한정하는 측면 발광 장치가 제공된다. 또한, 파장 변환 재료가 상기 도파 영역의 측면 에지에 배열된다. 본 발명은 칼라 방출이 제어되는 소형 측면 발광기를 제공한다. 본 발명의 발광 장치는 예를 들어 LED 조명의 분야들에서, 예를 들어 자동차 헤드 라이팅 또는 범용 LED 스포트라이팅 또는 플래시 광 모듈에 사용될 수 있는 바와 같은 편평 광 유도 조명 기구, LED 시준기 구성들을 포함하는 광 유도 응용들에서 디스플레이 장치 내의 백라이트 응용을 위해 사용될 수 있다. 그러나, 사용 분야들은 그에 한정되지 않는다.

Claims (12)

  1. 기판(101),
    상기 기판(101)과 이격되어 배열되고, 상기 기판의 연장(extension)을 따라 연장하는 반사기(102), 및
    상기 기판 상에 배열되고, 상기 반사기와 대면하는 적어도 하나의 발광 다이오드(103)를 포함하고,
    상기 기판(101) 및 반사기(102)가 상기 적어도 하나의 발광 다이오드(103)에 의해 방출되는 광에 대한 도파 영역(104)을 한정하고, 상기 도파 영역(104)의 측면 에지에 파장 변환 재료(105)가 배열되는 측면 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)는 상기 반사기(102)와 상기 기판(101) 사이에 배열되는 측면 발광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도파 영역(104)과 상기 파장 변환 재료(105) 사이에 제1 이색 미러(107)가 배열되는 측면 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)는 제2 이색 미러(108)와 상기 도파 영역 사이에 배열되는 측면 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)는 상기 도파 영역(104)의 2개의 서로 대향하는 측면 상에 존재하는 측면 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(101)은 반사층(106)을 포함하는 측면 발광 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도파 영역(104)의 두께는 상기 파장 변환 재료(105)를 향하는 방향을 따라 점차 증가하는 측면 발광 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)의 두께는 상기 도파 영역(104)으로부터의 거리에 따라 점차 증가하는 측면 발광 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)는 상기 발광 다이오드(103)의 측면 에지 밖에 배열되는 측면 발광 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료(105)의 적어도 일부는 상기 적어도 하나의 발광 다이오드(103)의 일부 상에 배열되는 측면 발광 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파장 변환 재료는 제1 도메인에서 상기 LED에 의해 방출되는 광을 제1의 변환된 파장 범위로 변환하기 위한 제1 파장 변환 조성을 포함하고, 제2 도메인에서 상기 LED에 의해 방출되는 광을 제2의 변환된 파장 범위로 변환하기 위한 제2 파장 변환 조성을 포함하는 측면 발광 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도파 영역(104)은 고체 투명 재료를 포함하는 측면 발광 장치.
KR1020107013533A 2007-11-20 2008-11-13 파장 변환을 갖는 측면 발광 장치 KR20100093570A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07121079.3 2007-11-20
EP07121079 2007-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100093570A true KR20100093570A (ko) 2010-08-25

Family

ID=40475002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107013533A KR20100093570A (ko) 2007-11-20 2008-11-13 파장 변환을 갖는 측면 발광 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8247831B2 (ko)
EP (1) EP2212928B1 (ko)
JP (1) JP5666306B2 (ko)
KR (1) KR20100093570A (ko)
CN (1) CN101868865B (ko)
RU (1) RU2489775C2 (ko)
TW (1) TWI451045B (ko)
WO (1) WO2009066207A1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130106149A (ko) * 2012-03-19 2013-09-27 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101328073B1 (ko) * 2012-06-28 2013-11-13 서종욱 횡형 발광소자 및 이를 적용하는 발광 시트
US9258548B2 (en) 2010-12-27 2016-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for generating depth image
KR101685092B1 (ko) * 2015-11-06 2016-12-12 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20180034217A (ko) * 2016-09-27 2018-04-04 엘지디스플레이 주식회사 광원 장치 및 표시 장치

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2346101A4 (en) * 2008-10-15 2015-11-25 Koito Mfg Co Ltd LIGHT-EMITTING MODULE, MANUFACTURING METHOD FOR A LIGHT-EMITTING MODULE AND LIGHTING BODY
US20120051028A1 (en) * 2009-05-07 2012-03-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device
EP2840302B1 (en) * 2011-12-20 2019-01-30 Stanley Electric Co., Ltd. Light emitting device, vehicle light and vehicle
JP2013143430A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2013149711A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
DE102012102114B4 (de) * 2012-03-13 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
US9382471B2 (en) * 2012-07-11 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. Silicone product, a lighting unit comprising the silicone product and method of manufacturing a silicone product
DE102012218786B3 (de) * 2012-10-16 2014-02-13 Osram Gmbh Herstellen einer linearen Leuchtvorrichtung und entsprechende Leuchtvorrichtung
KR102146595B1 (ko) * 2013-01-10 2020-08-31 루미리즈 홀딩 비.브이. 측면 방출을 위한 형상의 성장 기판을 가지는 led
JP6146734B2 (ja) * 2013-03-19 2017-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
US10386559B2 (en) 2013-03-29 2019-08-20 Signify Holding B.V. Light emitting device comprising wavelength converter
JP6286026B2 (ja) 2013-04-25 2018-02-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光ダイオードコンポーネント
CN103268039B (zh) * 2013-05-13 2015-12-09 北京京东方光电科技有限公司 一种背光模组及显示装置
WO2014202726A1 (en) * 2013-06-20 2014-12-24 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device
JP2016523763A (ja) 2013-07-01 2016-08-12 ブリヂストン アメリカズ タイヤ オペレーションズ、 エルエルシー ゴム物品上で視覚効果を創出するための方法及び装置
WO2015036224A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
WO2015067476A1 (en) * 2013-11-05 2015-05-14 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
US9810826B2 (en) 2014-01-28 2017-11-07 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting device
EP3105495B1 (en) * 2014-01-30 2017-11-01 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device
WO2015173026A2 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
US10193035B2 (en) * 2014-09-23 2019-01-29 Lumileds Llc Luminance pattern shaping using a back-emitting LED and a reflective substrate
EP3152605B1 (en) 2014-10-03 2017-11-22 Philips Lighting Holding B.V. A light concentrator for use in a lighting device
US10297722B2 (en) 2015-01-30 2019-05-21 Apple Inc. Micro-light emitting diode with metal side mirror
WO2017054937A1 (en) * 2015-09-29 2017-04-06 Philips Lighting Holding B.V. Light source with diffractive outcoupling
CN108139535B (zh) 2015-10-20 2020-09-18 昕诺飞控股有限公司 例如用于聚光照明应用的照明设备
JP2017098398A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 発光装置および照明装置
JP6414104B2 (ja) * 2016-02-29 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102016106851A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
CN106328791B (zh) * 2016-09-09 2018-08-24 华灿光电（浙江）有限公司 一种半导体发光二极管光源及背光模组
DE102016118030A1 (de) 2016-09-23 2018-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil
US11043619B2 (en) * 2016-12-15 2021-06-22 Lumileds Llc LED module with high near field contrast ratio
TWI636595B (zh) * 2017-03-30 2018-09-21 宏齊科技股份有限公司 發光裝置
TWM549964U (zh) * 2017-03-31 2017-10-01 Harvatek Corp 具面光源之發光二極體封裝結構
EP3404317B1 (en) * 2017-05-19 2020-01-01 OSRAM GmbH A lighting device and corresponding method
DE102017115181B4 (de) * 2017-07-06 2022-03-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
US11543577B2 (en) 2017-09-21 2023-01-03 Signify Holding B.V. Luminescent concentrator with CPC, light guide and additional phosphor
CN108767100A (zh) * 2018-05-04 2018-11-06 惠州市华瑞光源科技有限公司 背光模组及其制作方法
DE102018116327A1 (de) * 2018-07-05 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils
KR20200112540A (ko) 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20200112545A (ko) * 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20200112542A (ko) * 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20200112543A (ko) * 2019-03-22 2020-10-05 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명장치
KR20210034398A (ko) * 2019-09-20 2021-03-30 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈, 조명 장치 및 램프

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020109148A1 (en) * 1998-12-29 2002-08-15 Shveykin Vasily I. Injection incoherent emitter
RU2142661C1 (ru) * 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
JP2001196640A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Sharp Corp サイド発光型ｌｅｄ装置及びその製造方法
JP4077170B2 (ja) 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
WO2002089219A1 (fr) 2001-04-17 2002-11-07 Nichia Corporation Appareil electroluminescent
US7479662B2 (en) * 2002-08-30 2009-01-20 Lumination Llc Coated LED with improved efficiency
JP4280050B2 (ja) 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
TW569479B (en) 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
DE10351349A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
JP2005158795A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード及び半導体発光装置
US7916986B2 (en) * 2004-03-15 2011-03-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Erbium-doped silicon nanocrystalline embedded silicon oxide waveguide
US7497581B2 (en) 2004-03-30 2009-03-03 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems with wavelength conversion
JP2008530793A (ja) * 2005-02-16 2008-08-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 無機発光ダイオードを有する発光装置
US20060202221A1 (en) 2005-03-10 2006-09-14 Martin Klenke Led
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US7513669B2 (en) * 2005-08-01 2009-04-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source for LCD back-lit displays
JP2007059612A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sharp Corp 発光ダイオード
KR100749528B1 (ko) * 2005-09-30 2007-08-16 주식회사 두산 광 접속 모듈 및 그 제조 방법
US7378686B2 (en) * 2005-10-18 2008-05-27 Goldeneye, Inc. Light emitting diode and side emitting lens
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7474815B2 (en) * 2006-03-14 2009-01-06 International Business Machines Corporation Interconnecting (mapping) a two-dimensional optoelectronic (OE) device array to a one-dimensional waveguide array
JP5056064B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-24 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ装置及びそれを備えた照明装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9258548B2 (en) 2010-12-27 2016-02-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for generating depth image
KR20130106149A (ko) * 2012-03-19 2013-09-27 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101328073B1 (ko) * 2012-06-28 2013-11-13 서종욱 횡형 발광소자 및 이를 적용하는 발광 시트
KR101685092B1 (ko) * 2015-11-06 2016-12-12 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20180034217A (ko) * 2016-09-27 2018-04-04 엘지디스플레이 주식회사 광원 장치 및 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP5666306B2 (ja) 2015-02-12
CN101868865B (zh) 2012-08-22
JP2011503891A (ja) 2011-01-27
US8247831B2 (en) 2012-08-21
TW200940903A (en) 2009-10-01
RU2010125150A (ru) 2011-12-27
CN101868865A (zh) 2010-10-20
RU2489775C2 (ru) 2013-08-10
US20110018020A1 (en) 2011-01-27
WO2009066207A1 (en) 2009-05-28
EP2212928A1 (en) 2010-08-04
TWI451045B (zh) 2014-09-01
EP2212928B1 (en) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100093570A (ko) 파장 변환을 갖는 측면 발광 장치
JP6493345B2 (ja) 発光装置
KR101937643B1 (ko) 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 디스플레이 장치
US20190063694A1 (en) Optical lens, and light unit and lighting device having same
EP3095142B1 (en) Led module with uniform phosphor illumination
KR20140000297A (ko) 도광체 및 광발광 물질을 갖는 고체 상태 램프
KR20130104628A (ko) Ｌｅｄ 조명 모듈
JP5715307B2 (ja) 発光装置
KR102231580B1 (ko) 광변환기판 및 이를 포함하는 발광패키지, 차량용 램프
KR20130032110A (ko) 조명 장치
EP2223353B1 (en) Side-emitting, light emitting device with hybrid, top scattering-reflector
JP2011198800A (ja) 半導体発光素子
RU2481670C2 (ru) Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
JP6773156B2 (ja) 発光装置
JP2010016108A (ja) 発光装置
JP7029077B2 (ja) 発光装置
KR20180035448A (ko) 광학 렌즈, 및 이를 구비한 라이트 유닛 및 조명 장치
KR20180004437A (ko) 조명 모듈
KR20150117856A (ko) 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application