RU2010123368A - Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления - Google Patents

Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2010123368A
RU2010123368A RU2010123368/28A RU2010123368A RU2010123368A RU 2010123368 A RU2010123368 A RU 2010123368A RU 2010123368/28 A RU2010123368/28 A RU 2010123368/28A RU 2010123368 A RU2010123368 A RU 2010123368A RU 2010123368 A RU2010123368 A RU 2010123368A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
stage
specified
component
substrate
silicon
Prior art date
Application number
RU2010123368/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2544289C2 (ru
Inventor
Пьер КЮЗЕН (CH)
Пьер КЮЗЕН
Жан-Филипп ТЬЕБО (CH)
Жан-Филипп ТЬЕБО
Original Assignee
Ниварокс-Фар С.А. (Ch)
Ниварокс-Фар С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниварокс-Фар С.А. (Ch), Ниварокс-Фар С.А. filed Critical Ниварокс-Фар С.А. (Ch)
Publication of RU2010123368A publication Critical patent/RU2010123368A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2544289C2 publication Critical patent/RU2544289C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/008—Manufacture of substrate-free structures separating the processed structure from a mother substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0075—For improving wear resistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00087—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00119—Arrangement of basic structures like cavities or channels, e.g. suitable for microfluidic systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B13/00—Gearwork
    • G04B13/02—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B13/00—Gearwork
    • G04B13/02—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots
    • G04B13/021—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots elastic fitting with a spindle, axis or shaft
    • G04B13/022—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots elastic fitting with a spindle, axis or shaft with parts made of hard material, e.g. silicon, diamond, sapphire, quartz and the like
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
    • G04D3/00—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
    • G04D3/0069—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for working with non-mechanical means, e.g. chemical, electrochemical, metallising, vapourising; with electron beams, laser beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/035—Microgears
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/013—Etching
    • B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/03—Processes for manufacturing substrate-free structures
    • B81C2201/032—LIGA process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

1. Способ (1) изготовления композиционного микромеханического компонента (41, 41'), включающий следующие стадии: ! а) стадия (10) создания подложки (9, 9'), включающей горизонтальный верхний слой (21) и горизонтальный нижний слой (23), которые изготовлены из электропроводного микрообрабатываемого материала и крепятся друг к другу электроизоляционным горизонтальным промежуточным слоем (22); ! б) вытравливание в верхнем слое (21), по меньшей мере, одного рисунка (26) до промежуточного слоя (22) для формирования, по меньшей мере, одного углубления (25) в подложке (9, 9'), в которой будет формироваться, по меньшей мере, одна часть (21, 23) композиционного компонента, изготовленная из микрообрабатываемого материала; ! в) стадия (16) нанесения на верхнюю часть указанной подложки электроизоляционного покрытия (30); ! г) стадия (18) направленного травления указанного покрытия и указанного промежуточного слоя для того, чтобы покрытие присутствовало только на каждой вертикальной стенке (51, 52), сформированной в верхнем слое (21); ! д) стадия (5) выполнения электроосаждения при подсоединении электрода к электропроводному нижнему слою (23) подложки (9, 9'), чтобы сформировать, по меньшей мере, одну металлическую часть (33, 43, 43') композиционного компонента; ! е) отделение композиционного компонента (41, 41') от подложки (9, 9'). ! 2. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что после стадии г) на верхнем слое (21) подложки монтируют одну часть (27) компонента, чтобы сформировалась, по меньшей мере, одна выемка (28), которая соединяется с указанным, по меньшей мере, одним углублением, формируя второй уровень (45, 45') указанного компонента. ! 3. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что перед стадией д

Claims (21)

1. Способ (1) изготовления композиционного микромеханического компонента (41, 41'), включающий следующие стадии:
а) стадия (10) создания подложки (9, 9'), включающей горизонтальный верхний слой (21) и горизонтальный нижний слой (23), которые изготовлены из электропроводного микрообрабатываемого материала и крепятся друг к другу электроизоляционным горизонтальным промежуточным слоем (22);
б) вытравливание в верхнем слое (21), по меньшей мере, одного рисунка (26) до промежуточного слоя (22) для формирования, по меньшей мере, одного углубления (25) в подложке (9, 9'), в которой будет формироваться, по меньшей мере, одна часть (21, 23) композиционного компонента, изготовленная из микрообрабатываемого материала;
в) стадия (16) нанесения на верхнюю часть указанной подложки электроизоляционного покрытия (30);
г) стадия (18) направленного травления указанного покрытия и указанного промежуточного слоя для того, чтобы покрытие присутствовало только на каждой вертикальной стенке (51, 52), сформированной в верхнем слое (21);
д) стадия (5) выполнения электроосаждения при подсоединении электрода к электропроводному нижнему слою (23) подложки (9, 9'), чтобы сформировать, по меньшей мере, одну металлическую часть (33, 43, 43') композиционного компонента;
е) отделение композиционного компонента (41, 41') от подложки (9, 9').
2. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что после стадии г) на верхнем слое (21) подложки монтируют одну часть (27) компонента, чтобы сформировалась, по меньшей мере, одна выемка (28), которая соединяется с указанным, по меньшей мере, одним углублением, формируя второй уровень (45, 45') указанного компонента.
3. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что перед стадией д) он включает следующую стадию:
ж) монтаж штифта (29) в указанном, по меньшей мере, одном углублении для того, чтобы в проектируемом композиционном компоненте (41, 41') сформировать отверстие (42, 42').
4. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что стадия б) включает следующие стадии:
з) стадия (11) создания на электропроводном верхнем слое (21), по меньшей мере, одной защитной маски (24);
и) стадия (12) выполнения анизотропного травления указанного верхнего слоя на участках (26), которые не покрыты указанной, по меньшей мере, одной защитной маской;
к) стадия (14) удаления указанной, по меньшей мере, одной защитной маски.
5. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что перед стадией е) он включает следующие стадии:
б') вытравливание рисунка (36, 31) в нижнем слое (23) до указанной металлической части (33, 43, 43'), чтобы сформировать, по меньшей мере, второе углубление (35) в указанной подложке;
в') нанесение на нижнюю часть (23) указанной подложки второго электроизоляционного покрытия (38);
д') выполнение электроосаждения при подсоединении электрода к электропроводному нижнему слою (23) подложки (9'), чтобы завершить формирование металлических частей (33, 43', 45', 47') указанного компонента.
6. Способ (1) по п.5, отличающийся тем, что после стадии в') он включает следующую стадию:
г') стадия (18) направленного травления указанного второго покрытия, чтобы открыть исключительно нижнюю часть нижнего слоя (23).
7. Способ (1) по п.6, отличающийся тем, что после стадии г') монтируют одну часть компонента для того, чтобы сформировать, по меньшей мере, одну выемку, которая соединяется с указанным, по меньшей мере, одним вторым углублением, обеспечивая создание второго дополнительного слоя указанного компонента.
8. Способ (1) по п.5, отличающийся тем, что перед стадией д') он включает следующую стадию:
ж') монтаж штифта (37) в указанном, по меньшей мере, одном втором углублении (35) в нижнем слое (23) для того, чтобы сформировать отверстие (42') в проектируемом композиционном компоненте (41').
9. Способ (1) по п.5, отличающийся тем, что стадия б') включает следующие стадии:
з') создание, по меньшей мере, одной защитной маски (34) на электропроводном нижнем слое (23);
и') выполнение анизотропного травления указанного нижнего слоя на участках (36, 31), которые не покрыты указанной, по меньшей мере, одной защитной маской;
к') удаление защитной маски (34).
10. Способ (1) по п.1, отличающийся тем, что несколько композиционных микромеханических компонентов (41, 41') изготавливают на одной и той же подложке (9, 9').
11. Способ (1) согласно любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что электропроводные слои (21, 23) содержат легированный материал на основе кремния.
12. Композиционный микромеханический компонент (41, 41'), включающий горизонтальную кремниевую часть (21) с углублением (25), которое вмещает металлическую часть (43, 43'), отличающийся тем, что кремниевая часть (21), выполнена из легированного кремния и включает, по меньшей мере, один вертикальный участок (51, 52), который предназначен для передачи механического усилия и покрыт диоксидом кремния для улучшения трибологических свойств указанного легированного кремния.
13. Микромеханический компонент по п.12, отличающийся тем, что металлическая часть (43, 43') включает участок (45, 45'), который выдается над указанной кремниевой частью для того, чтобы сформировать единственный металлический уровень выше кремниевой части (21).
14. Микромеханический компонент по п.12, отличающийся тем, что указанная кремниевая часть соединена со второй горизонтальной кремниевой частью (23) посредством слоя (22) диоксида кремния.
15. Микромеханический компонент по п.14, отличающийся тем, что вторая кремниевая часть (23) выполнена из легированного кремния и включает вертикальные участки (53, 54), покрытые диоксидом кремния для улучшения трибологических свойств указанного легированного кремния.
16. Микромеханический компонент по п.14, отличающийся тем, что вторая кремниевая часть (23) включает, по меньшей мере, одно углубление (35), которое вмещает вторую металлическую часть (47').
17. Микромеханический компонент по п.16, отличающийся тем, что указанная вторая металлическая часть включает участок, который выдается над указанной второй кремниевой частью, чтобы сформировать единственный металлический уровень ниже второй кремниевой части (23).
18. Микромеханический компонент по п.12, отличающийся тем, что через каждую металлическую часть (43, 43', 45, 45', 47') проходит отверстие (42, 42'), используемое для приведения в движение указанного компонента относительно оси вращения.
19. Часы, отличающиеся тем, что они, включают, по меньшей мере, один композиционный микромеханический компонент по одному из пп.12-18.
20. Часы по п.19, отличающиеся тем, что, по меньшей мере, одна кремниевая часть микромеханического компонента формирует анкерное колесо.
21. Часы по п.19, отличающиеся тем, что, по меньшей мере, одна кремниевая часть микромеханического компонента формирует паллеты анкерного механизма.
RU2010123368/28A 2009-06-09 2010-06-08 Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления RU2544289C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09162292.8 2009-06-09
EP09162292A EP2263971A1 (fr) 2009-06-09 2009-06-09 Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010123368A true RU2010123368A (ru) 2011-12-20
RU2544289C2 RU2544289C2 (ru) 2015-03-20

Family

ID=41317859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010123368/28A RU2544289C2 (ru) 2009-06-09 2010-06-08 Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9045333B2 (ru)
EP (3) EP2263971A1 (ru)
JP (1) JP5596426B2 (ru)
KR (1) KR20100132463A (ru)
CN (1) CN101920928B (ru)
HK (1) HK1152288A1 (ru)
RU (1) RU2544289C2 (ru)
TW (1) TWI555698B (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5366318B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-11 セイコーインスツル株式会社 デテント脱進機およびデテント脱進機の作動レバーの製造方法
JP5441168B2 (ja) * 2010-03-10 2014-03-12 セイコーインスツル株式会社 デテント脱進機と機械式時計
EP2400351B1 (fr) 2010-06-22 2013-09-25 Omega SA Mobile monobloc pour une pièce d'horlogerie
JP5595254B2 (ja) * 2010-12-16 2014-09-24 セイコーインスツル株式会社 部品、時計、および部品の製造方法
EP2484629B1 (fr) * 2011-02-03 2013-06-26 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique complexe ajourée
CN102167282A (zh) * 2011-04-07 2011-08-31 天津海鸥表业集团有限公司 一种硅与金属复合材料的微结构加工方法
CH705724B9 (fr) 2011-11-03 2016-05-13 Sigatec Sa Pièce de micromécanique, notamment pour l'horlogerie.
EP2595005A1 (fr) * 2011-11-16 2013-05-22 Omega SA Mobile monobloc pour une pièce d'horlogerie
EP2672319A1 (fr) * 2012-06-06 2013-12-11 Mimotec S.A. Procédé de fabrication de micro-pièces métalliques tridimensionnelles par croissance dans une cavité mixte et micro-pièces obtenues par le procédé.
EP2767869A1 (fr) * 2013-02-13 2014-08-20 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique monobloc comportant au moins deux niveaux distincts
CH708827A2 (fr) * 2013-11-08 2015-05-15 Nivarox Sa Pièce de micromécanique creuse, à plusieurs niveaux fonctionnels et monobloc en un matériau à base d'un allotrope synthétique du carbone.
EP3109199B1 (fr) * 2015-06-25 2022-05-11 Nivarox-FAR S.A. Piece a base de silicium avec au moins un chanfrein et son procede de fabrication
EP3171230B1 (fr) * 2015-11-19 2019-02-27 Nivarox-FAR S.A. Composant d'horlogerie a tribologie amelioree
EP4075205A1 (fr) * 2021-04-16 2022-10-19 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Procédé de fabrication d'un mobile d'horlogerie et mobile d'horlogerie obtenu par sa mise en oeuvre

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4142001A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Microparts Gmbh Verfahren zum herstellen gestufter formeinsaetze, gestufte formeinsaetze und damit abgeformte mikrostrukturkoerper
US5529681A (en) * 1993-03-30 1996-06-25 Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same
JPH0874099A (ja) * 1994-09-09 1996-03-19 Terumo Corp 機械要素および可動部を有する構造体ならびにその製造方法
DE10017976A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE10046510A1 (de) * 2000-09-14 2002-04-18 Siemens Ag Sensorbauteil mit einem in einem Kanal isoliert, umströmbar gelagerten, elektrisch leitenden, länglichen Element und Herstellverfahren hierfür
JP2002370199A (ja) * 2001-06-13 2002-12-24 Takashi Nishi マイクロ歯車およびその製造方法
CN1168781C (zh) * 2002-11-15 2004-09-29 中国科学院兰州化学物理研究所 自润滑纳米复合材料及其制备方法
JP4469194B2 (ja) * 2004-03-12 2010-05-26 セイコーインスツル株式会社 電鋳用型、電鋳方法、及びその電鋳用型の製造方法
JP4550569B2 (ja) * 2004-12-20 2010-09-22 セイコーインスツル株式会社 電鋳型とその製造方法
JP4840756B2 (ja) * 2005-01-14 2011-12-21 セイコーインスツル株式会社 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法
DE102005015584B4 (de) * 2005-04-05 2010-09-02 Litef Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils
EP1722281A1 (fr) * 2005-05-12 2006-11-15 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Organe d'affichage analogique en matériau cristallin, pièce d'horlogerie pourvue d'un tel organe d'affichage, et procédé pour sa fabrication
DE602006004055D1 (de) * 2005-06-28 2009-01-15 Eta Sa Mft Horlogere Suisse Verstärktes mikromechanisches teil
EP2060534A1 (fr) * 2007-11-16 2009-05-20 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique composite silicium - métal et son procédé de fabrication
EP2230207A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-22 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2230206B1 (fr) * 2009-03-13 2013-07-17 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
EP2261171A1 (fr) 2010-12-15
RU2544289C2 (ru) 2015-03-20
TW201107231A (en) 2011-03-01
TWI555698B (zh) 2016-11-01
EP2518011A3 (fr) 2013-01-02
JP5596426B2 (ja) 2014-09-24
KR20100132463A (ko) 2010-12-17
EP2261171B1 (fr) 2012-11-21
EP2518011B1 (fr) 2013-11-13
US9045333B2 (en) 2015-06-02
EP2263971A1 (fr) 2010-12-22
JP2010284794A (ja) 2010-12-24
HK1152288A1 (en) 2012-02-24
EP2518011A2 (fr) 2012-10-31
US20100308010A1 (en) 2010-12-09
CN101920928A (zh) 2010-12-22
CN101920928B (zh) 2013-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010123368A (ru) Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления
RU2526108C2 (ru) Форма для гальванопластики и способ ее изготовления
CN103681562B (zh) 梯状凸块结构及其制造方法
US7671431B1 (en) Cloverleaf microgyroscope with through-wafer interconnects and method of manufacturing a cloverleaf microgyroscope with through-wafer interconnects
US7647688B1 (en) Method of fabricating a low frequency quartz resonator
WO2011156028A3 (en) Porous and non-porous nanostructures
JP4919984B2 (ja) 電子デバイスパッケージとその形成方法
US20150083469A1 (en) Wiring board
JP2006295246A (ja) 電子部品とその製造方法
WO2008093579A1 (ja) 積層体、基板の製造方法、基板および半導体装置
WO2007025521A3 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit einer planaren kontaktierung und halbleiterbauelement
RU2010109439A (ru) Форма для гальванопластики и способы ее изготовления
KR20140005107A (ko) 기판, 기판의 제조 방법, 반도체 장치, 및 전자 기기
JP2010087221A5 (ru)
CN107271930A (zh) 一种折合梁结构的mems磁场传感器及制备方法
TWI461122B (zh) 電路板及其製造方法
CN100580897C (zh) 平顶凸块结构的制造方法
US20160172321A1 (en) Method and structure for wafer-level packaging
CN103974522A (zh) 布线基板及其制造方法
WO2009133506A3 (en) Mems device and manufacturing method
CN102063047A (zh) 由可微加工材料制成的自由安装轮副以及制造所述轮副的方法
WO2005103818A3 (de) Verfahren zur strukturierung von zumindest einer schicht sowie elektrisches bauelement mit strukturen aus der schicht
CN104952720A (zh) 一种高度可控的导电柱背部露头的形成方法
KR101379426B1 (ko) 프로브 핀 및 이의 제조방법
KR101043343B1 (ko) 네거티브 포토레지스트를 이용한 에어브릿지 제조방법