JP2010284794A - 複合マイクロ機械要素およびその製造方法 - Google Patents
複合マイクロ機械要素およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010284794A JP2010284794A JP2010131758A JP2010131758A JP2010284794A JP 2010284794 A JP2010284794 A JP 2010284794A JP 2010131758 A JP2010131758 A JP 2010131758A JP 2010131758 A JP2010131758 A JP 2010131758A JP 2010284794 A JP2010284794 A JP 2010284794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- composite
- substrate
- layer
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
- B81C99/008—Manufacture of substrate-free structures separating the processed structure from a mother substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0067—Mechanical properties
- B81B3/0075—For improving wear resistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00087—Holes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00119—Arrangement of basic structures like cavities or channels, e.g. suitable for microfluidic systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B13/00—Gearwork
- G04B13/02—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B13/00—Gearwork
- G04B13/02—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots
- G04B13/021—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots elastic fitting with a spindle, axis or shaft
- G04B13/022—Wheels; Pinions; Spindles; Pivots elastic fitting with a spindle, axis or shaft with parts made of hard material, e.g. silicon, diamond, sapphire, quartz and the like
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
- G04D3/00—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
- G04D3/0069—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for working with non-mechanical means, e.g. chemical, electrochemical, metallising, vapourising; with electron beams, laser beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/035—Microgears
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/03—Processes for manufacturing substrate-free structures
- B81C2201/032—LIGA process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】複合マイクロ機械要素41を製造する方法であって、a)SOI基板を準備するステップを備え、b)SOI基板の中間層22まで貫通するように少なくとも1つのパターンをエッチングして、基板に少なくとも1つの空所を形成するステップを備え、c)外周部に、減摩の性質を有する二酸化ケイ素をコーティングし、さらにそれをエッチングして、減摩特性が必要な部分である垂直壁52を形成するステップを備え、d)電鋳で前記空所を含む領域に段差を有する第2のレベル45を形成するステップとを備える。
【選択図】図6
Description
a)導電性で微細機械加工可能な材料で作成の水平の上層および水平の下層を含み、これらの上層および下層は電気絶縁性で水平の中間層によって互いに固定されて成る基板を設けるステップを備え、
b)中間層まで貫通するように上層に少なくとも1つのパターンをエッチングして、基板に少なくとも1つの空所を形成するステップを備え、当該空所には、複合要素の、微細機械加工可能な材料で作成の少なくとも1つの部分が形成されるのであり、
c)前記基板の上側部分を電気絶縁コーティングで被覆するステップを備え、
d)前記コーティングおよび前記中間層に対して、それらが前記上層に形成された各垂直壁としての存在のみに排他的に限定されるように、方向性エッチングを行うステップを備え、
e)複合要素の少なくとも1つの金属部分を形成するために、電極を基板の導電性の下層に接続することによって電解析出を実施するステップを備え、
f)複合要素を基板から解放するステップとを備える、
方法に関する。
ステップd)の後に、前記少なくとも1つの空所と連絡する少なくとも1つの凹所を形成するように、上層の上方に1つのパーツを取り付けて、前記要素の第2のレベルを形成し、
ステップe)の前に、この方法は、後の複合要素に孔を形成するために、前記少なくとも1つの空所にピンを組み付けるステップg)を含み、
ステップb)が、少なくとも1つの保護マスクを導電性の上層上に構築する段階h)と、前記少なくとも1つの保護マスクによって保護されない部分の前記上層に異方性エッチを行う段階i)と、前記少なくとも1つの保護マスクを取り除く段階j)とを含み、
ステップe)の前に、この方法は、後の複合要素に孔を形成するために、前記少なくとも1つの空所にピンを組み付けるステップg)を含み、
ステップf)の前に、この方法は、前記金属部分まで貫通するように下層にパターンをエッチングして、前記基板に少なくとも第2の空所を形成するステップb’)と、前記基板の底部を第2の電気絶縁コーティングで被覆するステップc’)と、前記要素の金属部分の形成を終了するために、電極を基板の導電性の下層に接続することによって電解析出を実施するステップe’)とを含み、
ステップc’)の後に、この方法は、下層の底部が排他的に現れるように、前記第2のコーティングに方向性エッチングを行うステップd’)を含み、
ステップd’)の後に、前記少なくとも1つの第2の空所と連絡する少なくとも1つの凹所を形成するように、1つのパーツを組み付けて、前記要素に追加の第2の層を設け、
ステップe’)の前に、この方法は、後の複合要素中に孔を形成するように、下層の前記少なくとも1つの第2の空所にピンを組み付けるステップg’)を含み、
ステップb’)が、少なくとも1つの保護マスクを導電性の下層上に構築する段階h’)と、前記下層のうち、前記少なくとも1つの保護マスクによって保護されない部分に異方性エッチを行う段階i’)と、保護マスクを取り除く段階j’)とを含み、
いくつかの複合マイクロ機械要素が、同じ基板上に製造され、
導電層がドープされたシリコン・ベースの材料を含む。
シリコン部分の上方に独特の金属レベルを形成するように、金属部分が、前記シリコン部分から突出する部分を含み、
前記シリコン部分が、二酸化ケイ素層を介して第2のシリコン部分と協働し、
第2のシリコン部分が、ドープされたシリコンによって形成され、前記ドープされたシリコンの減摩の性質を改善するために垂直の二酸化ケイ素壁を有し、
第2のシリコン部分が、第2の金属部分を受ける少なくとも1つの孔を含み、
第2のシリコン部分の下方に独特の金属レベルを形成するように、前記第2の金属部分が、前記第2のシリコン部分から突出する部分を含み、
各金属部分が、旋回軸に対して前記要素を駆動させるための孔を含む。
23 下層; 24 保護マスク; 25 空所; 26 パターン; 27 パーツ;28 凹所; 29 ピン; 30 電気絶縁コーティング; 31 パターン;
32 電気絶縁壁; 33 電解析出物; 34 保護マスク; 35 第2の空所; 36 パターン; 37 ピン; 38 電気絶縁コーティング;39 空所;
41、41’ 複合マイクロ機械要素; 42、42’ アーバ孔;
43、43’第1の金属部分; 45、45’ 第2の金属部分; 51、52 垂直壁。
Claims (21)
- 複合マイクロ機械要素(41、41’)を製造する方法(1)であって、
a)導電性で微細機械加工可能な材料で作成の水平の上層(21)および水平の下層(23)を含み、これらの上層および下層は電気絶縁性で水平の中間層(22)によって互いに固定されて成る基板(9、9’)を設けるステップを備え、
b)前記中間層(22)まで貫通するように前記上層(21)に少なくとも1つのパターン(26)をエッチングして、前記基板(9、9’)に少なくとも1つの空所(25)を形成するステップを備え、当該空所には、複合要素の、微細機械加工可能な材料で作成の少なくとも1つの部分(21、23)が形成されるのであり、
c)前記基板の上側部分を電気絶縁コーティング(30)で被覆するステップを備え、
d)前記コーティングおよび前記中間層に対して、それらが前記上層(21)に形成された各垂直壁(51、52)としての存在のみに排他的に限定されるように、方向性エッチングを行うステップを備え、
e)複合要素の少なくとも1つの金属部分(33、43、43’)を形成するために、電極を前記基板(9、9’)の導電性の前記下層(23)に接続することによって電解析出を実施するステップ(5)を備え、
f)複合要素(41、41’)を基板(9、9’)から解放するステップとを備える、
複合マイクロ機械要素を製造する方法。 - ステップd)の後に、前記少なくとも1つの空所と連絡する少なくとも1つの凹所(28)が形成されるように、前記上層(21)の上方に1つのパーツ(27)を取り付けて、前記要素の第2のレベル(45、45’)を形成することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- ステップe)の前に、
g)前記後の複合要素(41、41’)に孔(42、42’)を形成するために、前記少なくとも1つの空所にピン(29)を取り付けるステップを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。 - ステップb)が、
h)少なくとも1つの保護マスク(24)を前記導電性の上層(21)上に構築する段階(11)と、
i)前記上層のうち、前記少なくとも1つの保護マスクによって被覆されない前記部分(26)に異方性エッチを行う段階(12)と、
j)前記少なくとも1つの保護マスクを取り除く段階(14)とを含むことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - ステップf)の前に、
b’)前記金属部分(33、43、43’)まで貫通するように前記下層(23)にパターン(36、31)をエッチングして、前記基板に少なくとも第2の空所(35)を形成するステップと、
c’)前記基板の前記底部(23)を第2の電気絶縁コーティング(38)で被覆するステップと、
e’)前記要素の金属部分(33、43’、45’、47’)の形成を終了するために、前記電極を前記基板(9’)の前記導電性の下層(23)に接続することによって電解析出を実施するステップとを含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - ステップc’)の後に、
d’)前記下層(23)の底部が排他的に現れるように、前記第2のコーティングに方向性エッチングを行うステップ(18)を含むことを特徴とする、請求項5に記載の方法。 - ステップd’)の後に、前記少なくとも1つの第2の空所と連絡する少なくとも1つの凹所を形成するように、1つのパーツを組み付けて、前記要素に追加の第2のレベルを設けることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- ステップe’)の前に、
g’)前記後の複合要素(41’)中に孔(42’)を形成するように、前記下層(23)の前記少なくとも1つの第2の空所(35)にピン(37)を取り付けるステップを含むことを特徴とする、請求項5から7のいずれかに記載の方法。 - ステップb’)が、
h’)少なくとも1つの保護マスク(34)を前記導電性の下層(23)上に構築する段階と、
i’)前記下層のうち、前記少なくとも1つの保護マスクによって被覆されない前記部分(36、31)に異方性エッチを行う段階と、
j’)前記保護マスク(34)を取り除く段階とを含むことを特徴とする、請求項5から8のいずれかに記載の方法。 - いくつかの複合マイクロ機械要素(41、41’)が、前記同じ基板(9、9’)上に製造されることを特徴とする、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記導電層(21、23)がドープされたシリコン・ベースの材料を含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- 金属部分(43、43’)を受ける孔(25)を含む水平のシリコン部分(21)含む複合マイクロ機械要素(41、41’)であって、
前記シリコン部分(21)が、ドープされたシリコンによって形成され、少なくとも1つの垂直部分を含み、前記垂直部分が、機械的な力を伝達するためのものであり、前記ドープされたシリコンの減摩の性質を改善するように二酸化ケイ素で被覆(51、52)されることを特徴とする複合マイクロ機械要素。 - 前記シリコン部分(21)の上方に独特の金属レベルを形成するように、前記金属部分(43、43’)が、前記シリコン部分から突出する部分(45、45’)を含むことを特徴とする、請求項12に記載のマイクロ機械要素。
- 前記シリコン部分が、二酸化ケイ素層(22)を介して第2の水平シリコン部分(23)と協働することを特徴とする、請求項12または13に記載のマイクロ機械要素。
- 前記第2のシリコン部分(23)が、ドープされたシリコンによって形成され、前記ドープされたシリコンの減摩の性質を改善するために垂直の二酸化ケイ素部分(53、54)を含むことを特徴とする、請求項14に記載のマイクロ機械要素。
- 前記第2のシリコン部分(23)が、第3の金属部分(47’)を受ける少なくとも1つの孔(35)を含むことを特徴とする、請求項14または15に記載のマイクロ機械要素。
- 前記第2のシリコン部分(23)の下方に独特の金属レベルを形成するように、前記第2の金属部分が、前記第2のシリコン部分から突出する部分を含むことを特徴とする、請求項16に記載のマイクロ機械要素。
- 各金属部分(43、43’、45、45’、47’)が、旋回軸に対して前記要素を駆動させるのに適した孔(42、42’)を有することを特徴とする、請求項12から17のいずれかに記載のマイクロ機械要素。
- 請求項12から18のうちの一項による少なくとも1つの複合マイクロ機械要素を含むことを特徴とする時計。
- 前記マイクロ機械要素の少なくとも1つのシリコン部分がガンギ車を形成することを特徴とする、請求項19に記載の時計。
- 前記マイクロ機械要素の少なくとも1つのシリコン部分が脱進機アンクルを形成することを特徴とする、請求項19に記載の時計。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09162292.8 | 2009-06-09 | ||
EP09162292A EP2263971A1 (fr) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010284794A true JP2010284794A (ja) | 2010-12-24 |
JP5596426B2 JP5596426B2 (ja) | 2014-09-24 |
Family
ID=41317859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010131758A Active JP5596426B2 (ja) | 2009-06-09 | 2010-06-09 | 複合マイクロ機械要素およびその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9045333B2 (ja) |
EP (3) | EP2263971A1 (ja) |
JP (1) | JP5596426B2 (ja) |
KR (1) | KR20100132463A (ja) |
CN (1) | CN101920928B (ja) |
HK (1) | HK1152288A1 (ja) |
RU (1) | RU2544289C2 (ja) |
TW (1) | TWI555698B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102627254A (zh) * | 2011-02-03 | 2012-08-08 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 复杂的带穿孔的微机械部件 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5366318B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-12-11 | セイコーインスツル株式会社 | デテント脱進機およびデテント脱進機の作動レバーの製造方法 |
JP5441168B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-03-12 | セイコーインスツル株式会社 | デテント脱進機と機械式時計 |
EP2400351B1 (fr) | 2010-06-22 | 2013-09-25 | Omega SA | Mobile monobloc pour une pièce d'horlogerie |
JP5595254B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-09-24 | セイコーインスツル株式会社 | 部品、時計、および部品の製造方法 |
CN102167282A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-08-31 | 天津海鸥表业集团有限公司 | 一种硅与金属复合材料的微结构加工方法 |
CH705724B9 (fr) | 2011-11-03 | 2016-05-13 | Sigatec Sa | Pièce de micromécanique, notamment pour l'horlogerie. |
EP2595005A1 (fr) * | 2011-11-16 | 2013-05-22 | Omega SA | Mobile monobloc pour une pièce d'horlogerie |
EP2672319A1 (fr) * | 2012-06-06 | 2013-12-11 | Mimotec S.A. | Procédé de fabrication de micro-pièces métalliques tridimensionnelles par croissance dans une cavité mixte et micro-pièces obtenues par le procédé. |
EP2767869A1 (fr) * | 2013-02-13 | 2014-08-20 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique monobloc comportant au moins deux niveaux distincts |
CH708827A2 (fr) * | 2013-11-08 | 2015-05-15 | Nivarox Sa | Pièce de micromécanique creuse, à plusieurs niveaux fonctionnels et monobloc en un matériau à base d'un allotrope synthétique du carbone. |
EP3109199B1 (fr) * | 2015-06-25 | 2022-05-11 | Nivarox-FAR S.A. | Piece a base de silicium avec au moins un chanfrein et son procede de fabrication |
EP3171230B1 (fr) * | 2015-11-19 | 2019-02-27 | Nivarox-FAR S.A. | Composant d'horlogerie a tribologie amelioree |
EP4075205A1 (fr) * | 2021-04-16 | 2022-10-19 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Procédé de fabrication d'un mobile d'horlogerie et mobile d'horlogerie obtenu par sa mise en oeuvre |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0874099A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Terumo Corp | 機械要素および可動部を有する構造体ならびにその製造方法 |
JP2002370199A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-24 | Takashi Nishi | マイクロ歯車およびその製造方法 |
JP2006169620A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型とその製造方法 |
JP2007046147A (ja) * | 2005-01-14 | 2007-02-22 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法 |
JP2010216014A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nivarox-Far Sa | 電鋳用の型および電鋳用の型を製造する方法 |
JP2010216013A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nivarox-Far Sa | 電鋳用の型および電鋳用の型を製造する方法 |
JP2011514846A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-05-12 | ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム | シリコン/金属複合体マイクロメカニカル構成要素およびこれを製造する方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4142001A1 (de) * | 1991-12-19 | 1993-06-24 | Microparts Gmbh | Verfahren zum herstellen gestufter formeinsaetze, gestufte formeinsaetze und damit abgeformte mikrostrukturkoerper |
US5529681A (en) * | 1993-03-30 | 1996-06-25 | Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh | Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same |
DE10017976A1 (de) * | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE10046510A1 (de) * | 2000-09-14 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Sensorbauteil mit einem in einem Kanal isoliert, umströmbar gelagerten, elektrisch leitenden, länglichen Element und Herstellverfahren hierfür |
CN1168781C (zh) * | 2002-11-15 | 2004-09-29 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 自润滑纳米复合材料及其制备方法 |
JP4469194B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2010-05-26 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳用型、電鋳方法、及びその電鋳用型の製造方法 |
DE102005015584B4 (de) * | 2005-04-05 | 2010-09-02 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils |
CH696475A5 (fr) * | 2005-05-12 | 2007-06-29 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Organe d'affichage analogique en matériau cristallin, pièce d'horlogerie pourvue d'un tel organe d'affichage et procédé pour sa fabrication. |
DE602006004055D1 (de) * | 2005-06-28 | 2009-01-15 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Verstärktes mikromechanisches teil |
-
2009
- 2009-06-09 EP EP09162292A patent/EP2263971A1/fr not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-05-18 TW TW099115818A patent/TWI555698B/zh active
- 2010-05-25 EP EP12172452.0A patent/EP2518011B1/fr active Active
- 2010-05-25 EP EP10163789A patent/EP2261171B1/fr active Active
- 2010-06-08 RU RU2010123368/28A patent/RU2544289C2/ru active
- 2010-06-09 US US12/797,389 patent/US9045333B2/en active Active
- 2010-06-09 JP JP2010131758A patent/JP5596426B2/ja active Active
- 2010-06-09 CN CN2010102002501A patent/CN101920928B/zh active Active
- 2010-06-09 KR KR1020100054127A patent/KR20100132463A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-06-21 HK HK11106350.8A patent/HK1152288A1/xx unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0874099A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-19 | Terumo Corp | 機械要素および可動部を有する構造体ならびにその製造方法 |
JP2002370199A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-24 | Takashi Nishi | マイクロ歯車およびその製造方法 |
JP2006169620A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型とその製造方法 |
JP2007046147A (ja) * | 2005-01-14 | 2007-02-22 | Seiko Instruments Inc | 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法 |
JP2011514846A (ja) * | 2007-11-16 | 2011-05-12 | ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム | シリコン/金属複合体マイクロメカニカル構成要素およびこれを製造する方法 |
JP2010216014A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nivarox-Far Sa | 電鋳用の型および電鋳用の型を製造する方法 |
JP2010216013A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Nivarox-Far Sa | 電鋳用の型および電鋳用の型を製造する方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102627254A (zh) * | 2011-02-03 | 2012-08-08 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 复杂的带穿孔的微机械部件 |
JP2012161910A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Nivarox-Far Sa | 複雑な穴開き微細機械部品 |
CN102627254B (zh) * | 2011-02-03 | 2014-09-03 | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 | 复杂的带穿孔的微机械部件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100132463A (ko) | 2010-12-17 |
TW201107231A (en) | 2011-03-01 |
CN101920928B (zh) | 2013-05-22 |
EP2263971A1 (fr) | 2010-12-22 |
EP2518011B1 (fr) | 2013-11-13 |
JP5596426B2 (ja) | 2014-09-24 |
EP2518011A3 (fr) | 2013-01-02 |
EP2261171B1 (fr) | 2012-11-21 |
US9045333B2 (en) | 2015-06-02 |
EP2261171A1 (fr) | 2010-12-15 |
CN101920928A (zh) | 2010-12-22 |
US20100308010A1 (en) | 2010-12-09 |
RU2544289C2 (ru) | 2015-03-20 |
TWI555698B (zh) | 2016-11-01 |
HK1152288A1 (en) | 2012-02-24 |
EP2518011A2 (fr) | 2012-10-31 |
RU2010123368A (ru) | 2011-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5596426B2 (ja) | 複合マイクロ機械要素およびその製造方法 | |
US8512539B2 (en) | Mould for galvanoplasty and method of fabricating the same | |
US8486279B2 (en) | Silicon-metal composite micromechanical component and method of manufacturing the same | |
US8563226B2 (en) | Mould for galvanoplasty and method of fabricating the same | |
US11673801B2 (en) | One-piece, hollow micromechanical part with several functional levels formed of a synthetic carbon allotrope based material | |
JP5451788B2 (ja) | 複雑な穴開き微細機械部品 | |
TWI558654B (zh) | 由可微機械加工材料製成的自由安裝輪組及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140708 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5596426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |