RU2009101101A - Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия - Google Patents

Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия Download PDF

Info

Publication number
RU2009101101A
RU2009101101A RU2009101101/02A RU2009101101A RU2009101101A RU 2009101101 A RU2009101101 A RU 2009101101A RU 2009101101/02 A RU2009101101/02 A RU 2009101101/02A RU 2009101101 A RU2009101101 A RU 2009101101A RU 2009101101 A RU2009101101 A RU 2009101101A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
hollow
hollow product
length
vacuum chamber
Prior art date
Application number
RU2009101101/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2446230C2 (ru
Inventor
Оливер НЁЛЬ (DE)
Оливер НЁЛЬ
Original Assignee
ШТАЙН Ральф (DE)
ШТАЙН Ральф
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ШТАЙН Ральф (DE), ШТАЙН Ральф filed Critical ШТАЙН Ральф (DE)
Publication of RU2009101101A publication Critical patent/RU2009101101A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2446230C2 publication Critical patent/RU2446230C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)
  • Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)

Abstract

1. Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней стенки полого изделия (42), в особенности из неметаллического материала, с наличием площади поперечного сечения, протяженности в длину и одного отверстия (43), имеющий следующие стадии: ! внесение полого изделия, на внутреннюю сторону которого должно быть нанесено покрытие, в вакуумную камеру (40) с заземленной внутренней стороной, причем внутри вакуумной камеры расположен высокочастотный электрод с большой площадью поверхности (41), ! установка полого изделия (42) в середине вакуумной камеры (40), причем необходимо соблюдать минимальное расстояние между внешней стенкой полого изделия и внутренней стенкой вакуумной камеры, составляющее 15 см, !введение газовой трубки (44), состоящей из трубы с внутренним диаметром в 0,001-10 мм, максимальным внешним диаметром в 12 мм, а также концевого сопла с диаметром отверстия на конце в 0,002-6 мм, через отверстие в полом изделии, причем газовая трубка посредством не проводящего электричество газопровода соединена с устройством для подачи газа и, в особенности, не заземлена или имеет проводящий электричество контакт с высокочастотным электродом, ! установка газовой трубки в полом изделии таким образом, что газовая трубка располагается посередине относительно поперечного сечения полого изделия, а сопло газовой трубки располагается в месте перехода второй трети длины в третью треть длины относительно протяженности в длину полого изделия, измеренной от отверстия полого изделия, ! герметизация вакуумной камеры и откачивание воздуха из нее до остаточного давления, составля

Claims (16)

1. Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы для нанесения покрытия или удаления материала с внутренней стенки полого изделия (42), в особенности из неметаллического материала, с наличием площади поперечного сечения, протяженности в длину и одного отверстия (43), имеющий следующие стадии:
внесение полого изделия, на внутреннюю сторону которого должно быть нанесено покрытие, в вакуумную камеру (40) с заземленной внутренней стороной, причем внутри вакуумной камеры расположен высокочастотный электрод с большой площадью поверхности (41),
установка полого изделия (42) в середине вакуумной камеры (40), причем необходимо соблюдать минимальное расстояние между внешней стенкой полого изделия и внутренней стенкой вакуумной камеры, составляющее 15 см,
введение газовой трубки (44), состоящей из трубы с внутренним диаметром в 0,001-10 мм, максимальным внешним диаметром в 12 мм, а также концевого сопла с диаметром отверстия на конце в 0,002-6 мм, через отверстие в полом изделии, причем газовая трубка посредством не проводящего электричество газопровода соединена с устройством для подачи газа и, в особенности, не заземлена или имеет проводящий электричество контакт с высокочастотным электродом,
установка газовой трубки в полом изделии таким образом, что газовая трубка располагается посередине относительно поперечного сечения полого изделия, а сопло газовой трубки располагается в месте перехода второй трети длины в третью треть длины относительно протяженности в длину полого изделия, измеренной от отверстия полого изделия,
герметизация вакуумной камеры и откачивание воздуха из нее до остаточного давления, составляющего 0,001-20 Па,
введение инертного рабочего газа, а также одного или нескольких реакционных газов через устройство для подачи газа и газовую трубку в полое изделие и
зажигание плазмы полого пространства (45) при образовании расположенного на наконечнике газовой трубки облака плазмы посредством создания высокочастотного электрического поля на ВЧ-электроде.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что высокочастотный электрод внутри вакуумной камеры имеет, по крайней мере, два питающих провода, через которые могут поступать высокочастотные напряжения в высокочастотный электрод.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отдельные питающие провода высокочастотного электрода регулируются обособленно, так, что во всей камере возможно получение гомогенного переменного поля с равномерно высокими силами поля.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что упомянутое полое изделие имеет одно отверстие, самый малый диаметр которого меньше, чем самый малый диаметр внутреннего пространства полого изделия.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что упомянутое полое изделие имеет внутренний объем>0,1 ссм3 и<1000000 ссм3.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочий газ представлен газом, выбранным из группы, содержащей аргон, гелий, водород, кислород или другой газ.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ представлен газом, выбранным из группы, содержащей кислород.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ представлен газом, выбранным из группы, содержащей углеводородосодержащие газы, такие как метан, этан, этен, этин, пропан или силансодержащие газы, такие как тетраметилсилан или гексаметилдисилоксан.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазма зажигается посредством создания высокочастотного поля с постоянным напряжением, имеющим следующие параметры:
частота: 10 кГц - 100 ГГц
электрическая мощность: 500-5000 Вт
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что вводимое количество реакционного газа для нанесения покрытия составляет 0,1-10 ссм3 реакционного газа на 10 см2 внутренней поверхности, на которую наносится покрытие.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ имеет примесь одного или нескольких газов, содержащих Si, N, F, В, О, Ag, Сu, V или Ti.
12. Полое изделие с внутренней поверхностью по одному из предыдущих пп.1-11, отличающееся тем, что последняя подверглась обработке способом по одному из предыдущих пунктов так, что на внутренней поверхности произошло удаление материала и/или на нее было нанесено покрытие.
13. Полое изделие по п.12, отличающееся тем, что данное полое изделие представлено полым изделием, выбранным из группы, содержащей сосуды, бутылки, кувшинообразные емкости, канюли, полые иглы, шприцы, внутренние стенки отверстий для цилиндров двигателей внутреннего сгорания.
14. Установка для осуществления способа по одному из предыдущих пп.1-11, имеющая
вакуумную камеру (10) с расположенным на дне камеры высокочастотным электродом (11), а также крепление (14) для полого изделия, на внутреннюю сторону которого должно наноситься покрытие,
газовую трубку (25), состоящую из трубы с внутренним диаметром в 0,001-10 мм, максимальным внешним диаметром в 12 мм, а также концевого сопла (26) с диаметром отверстия на конце 0,002-4 мм, которая посредством не проводящего электричество трубопровода соединена с устройством для подачи газа, и
крепление с регулируемой высотой (27), посредством которого может быть гарантировано, что газовая трубка (25) может быть расположена в полом изделии (22) таким образом,
что газовая трубка (25) располагается посередине относительно поперечного сечения полого изделия, а сопло газовой трубки (26) располагается в месте перехода второй трети длины в третью треть длины относительно протяженности в длину полого изделия, измеренной от отверстия полого изделия,
15. Установка по п.14, отличающаяся тем, что высокочастотный электрод внутри вакуумной камеры имеет, по крайней мере, три питающих провода, через которые могут поступать высокочастотные напряжения в высокочастотный электрод.
16. Установка по п.14, отличающаяся тем, что отдельные питающие провода высокочастотного электрода регулируются обособленно, так, что во всей камере возможно получение гомогенного переменного поля с равномерно высокими силами поля.
RU2009101101/02A 2006-07-12 2007-07-11 Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия RU2446230C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006032568A DE102006032568A1 (de) 2006-07-12 2006-07-12 Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers
DE102006032568.0 2006-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009101101A true RU2009101101A (ru) 2010-07-20
RU2446230C2 RU2446230C2 (ru) 2012-03-27

Family

ID=38658502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009101101/02A RU2446230C2 (ru) 2006-07-12 2007-07-11 Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия

Country Status (14)

Country Link
US (1) US8227052B2 (ru)
EP (1) EP2041332B1 (ru)
JP (1) JP2009542917A (ru)
KR (1) KR20090037461A (ru)
CN (1) CN101522941B (ru)
AT (1) ATE500348T1 (ru)
AU (1) AU2007274256A1 (ru)
CA (1) CA2693039A1 (ru)
DE (2) DE102006032568A1 (ru)
ES (1) ES2362145T3 (ru)
PL (1) PL2041332T3 (ru)
RU (1) RU2446230C2 (ru)
WO (1) WO2008006856A1 (ru)
ZA (1) ZA200900949B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456373C1 (ru) * 2011-04-05 2012-07-20 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО "Тверская государственная сельскохозяйственная академия") Устройство для нанесения металлических покрытий на внутренние поверхности подшипников скольжения cvd-методом металлоорганических соединений

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007047629A1 (de) * 2007-04-13 2008-10-16 Stein, Ralf Verfahren zum Aufbringen einer hochfesten Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe
MY154004A (en) * 2007-05-23 2015-04-30 Southwest Res Inst Plasma immersion ion processing fro coating of hollow substrates
DE102007045216A1 (de) * 2007-09-21 2009-04-02 Khs Corpoplast Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
DE102009000821B4 (de) 2009-02-12 2013-05-02 Surcoatec Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe aufweisend mindestens ein leicht oxidierbares Nichteisenmetall sowie Werkstück und/oder Werkstoff hergestellt nach dem Verfahren
DE102009002780A1 (de) 2009-04-30 2010-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallsubstrate mit kratzfester und dehnbarer Korrosionsschutzschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DK2251453T3 (da) * 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc Beholderholder
WO2012164050A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Surcoatec Ag Vorrichtung und verfahren zum beschichten und/oder zum abtragen von material mittels pecvd/cde
DE102011105645A1 (de) * 2011-06-07 2012-12-13 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Entschichtungsverfahren für harte Kohlenstoffschichten
DE102012201955A1 (de) * 2012-02-09 2013-08-14 Krones Ag Powerlanze und plasmaunterstützte Beschichtung mit Hochfrequenzeinkopplung
FR2991614B1 (fr) * 2012-06-06 2014-07-18 Snecma Procede de rechargement global de piece metallique pour turboreacteurs d'aeronefs, et outillage de protection globale pour la mise en œuvre du procede
US9121540B2 (en) 2012-11-21 2015-09-01 Southwest Research Institute Superhydrophobic compositions and coating process for the internal surface of tubular structures
DE102013209707A1 (de) * 2013-05-24 2014-11-27 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Küchengeräte mit leicht reinigbaren oberflächen und verfahren zu deren aufbringung
RU2548016C1 (ru) * 2013-10-16 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГАУ) Устройство для ионной обработки внутренних поверхностей изделий миллиметрового диапазона
CN104752633A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 中国科学院微电子研究所 一种薄膜封装方法
CN106282973A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 核工业西南物理研究院 用于管内壁镀膜的装置及方法
GB201614332D0 (en) * 2016-08-22 2016-10-05 Innano As Method and system for treating a surface
CN106840820B (zh) * 2016-11-29 2020-10-23 信利（惠州）智能显示有限公司 Cvd薄膜及其刻蚀处理方法
JP6848578B2 (ja) * 2017-03-23 2021-03-24 三菱ケミカル株式会社 プラスチックボトルの製造方法
CN114616373A (zh) * 2019-09-23 2022-06-10 旭硝子欧洲玻璃公司 带有碳基涂层的织物基材及其制造方法
CN112899662A (zh) * 2019-12-04 2021-06-04 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 Dlc制备装置和制备方法
CN110965040B (zh) * 2019-12-04 2021-04-16 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 用于制备dlc的镀膜设备及其应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821815A1 (de) * 1988-06-29 1990-01-04 Battelle Institut E V Vorrichtung zur beschichtung eines laenglichen innenraums eines hohlkoerpers mit einer diamantartigen, harten kohlenstoffbeschichtung mit hilfe eines plasmagestuetzten cvd-verfahrens
US5308649A (en) * 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
DE4242894A1 (de) 1992-12-18 1994-06-23 Leybold Ag Vorrichtung zur Mehrfacheinspeisung von HF-Leistung in Kathodenkörpern
RU2065891C1 (ru) * 1993-05-24 1996-08-27 Владимир Иванович Хвесюк Способ ионной обработки поверхности изделий и устройство для его осуществления
DE4318084A1 (de) * 1993-06-01 1994-12-08 Kautex Werke Gmbh Verfahren und Einrichtung zum Herstellen einer polymeren Deckschicht in Kunststoff-Hohlkörpern
US6112695A (en) * 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
DE19726443C2 (de) * 1997-06-23 2003-11-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Oberflächenvergütung innerer Oberflächen von Hohlkörpern und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4035298B2 (ja) * 2001-07-18 2008-01-16 キヤノン株式会社 プラズマ処理方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003293135A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラスチック容器内面への膜形成装置および内面膜被覆プラスチック容器の製造方法
JP3643813B2 (ja) 2001-12-13 2005-04-27 三菱重工業株式会社 プラスチック容器内面への炭素膜形成装置および内面炭素膜被覆プラスチック容器の製造方法
RU2200058C1 (ru) * 2002-02-12 2003-03-10 Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы
BR0304820A (pt) * 2002-04-11 2004-06-15 Mitsubishi Shoji Plastics Corp Mecanismo de formação de pelìcula de cvd de plasma e método para a fabricação de um recipiente de plástico revestido por uma pelìcula de cvd
RU2324765C2 (ru) * 2002-09-30 2008-05-20 Топпан Принтинг Ко., Лтд. Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок
JP3746762B2 (ja) 2002-12-18 2006-02-15 三菱重工業株式会社 プラスチック容器内面への炭素膜形成装置および内面炭素膜被覆プラスチック容器の製造方法
JP3868403B2 (ja) 2003-07-04 2007-01-17 三菱重工業株式会社 プラスチック容器内面へのバリヤ膜形成装置および内面バリヤ膜被覆プラスチック容器の製造方法
JP2005105294A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Mitsubishi Shoji Plast Kk Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ膜コーティングプラスチック容器の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456373C1 (ru) * 2011-04-05 2012-07-20 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверская государственная сельскохозяйственная академия" (ФГОУ ВПО "Тверская государственная сельскохозяйственная академия") Устройство для нанесения металлических покрытий на внутренние поверхности подшипников скольжения cvd-методом металлоорганических соединений

Also Published As

Publication number Publication date
CA2693039A1 (en) 2008-01-17
JP2009542917A (ja) 2009-12-03
ATE500348T1 (de) 2011-03-15
WO2008006856A1 (de) 2008-01-17
EP2041332A1 (de) 2009-04-01
RU2446230C2 (ru) 2012-03-27
DE102006032568A1 (de) 2008-01-17
ES2362145T3 (es) 2011-06-29
CN101522941A (zh) 2009-09-02
US8227052B2 (en) 2012-07-24
AU2007274256A1 (en) 2008-01-17
PL2041332T3 (pl) 2011-07-29
CN101522941B (zh) 2011-09-28
DE502007006616D1 (de) 2011-04-14
EP2041332B1 (de) 2011-03-02
ZA200900949B (en) 2010-02-24
US20090280276A1 (en) 2009-11-12
KR20090037461A (ko) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009101101A (ru) Способ плазменно-химического осаждения из газовой фазы на внутреннюю поверхность полого изделия
CN101129100B (zh) 大气压等离子体喷射装置
US20130209704A1 (en) Power lance and plasma-enhanced coating with high frequency coupling
US20130209703A1 (en) Hollow-cathode gas lance for the interior coating of containers
ITPD20130310A1 (it) Metodo per la generazione di un getto o jet di plasma atmosferico e dispositivo minitorcia al plasma atmosferico
US20230160067A1 (en) Atmospheric cold plasma jet coating and surface treatment
CN2930194Y (zh) 辉光放电低温等离子体装置
KR101022833B1 (ko) 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체
JP4519808B2 (ja) 薄膜成膜方法および薄膜成膜装置
JP2012188701A (ja) 被膜形成装置及び被膜形成方法
US10290471B2 (en) Device for generating plasma by means of microwaves
WO2006004399A2 (en) Method and means for generation of a plasma at atmospheric pressure
Yuan et al. The Organosilicon thin Film Deposited Using an Atmospheric Pressure Dual‐Frequency 50 kHz/33 MHz Frequency MicroPlasma Jet
Lei et al. DBD plasma jet in atmospheric pressure neon
KR100672230B1 (ko) 동공 음극 플라즈마 장치
JP5176051B2 (ja) プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法
Buyle et al. Plasma systems for surface treatment
RU219545U1 (ru) Устройство для модификации поверхности материалов посредством плазмы атмосферного давления
JP2011117076A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理方法
WO2021193651A1 (ja) 大気圧リモートプラズマｃｖｄ装置、被膜形成方法、及びプラスチックボトルの製造方法
KR102429259B1 (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치
JP2009221490A (ja) 中空容器成膜装置
KR20080082222A (ko) 라디칼 증착 장치 및 방법
Takahashi et al. 3P4-6 Effect of superposing ultrasonic wave on microwave plasma under water
JP2019077903A (ja) プラズマｃｖｄ装置及びプラスチック容器の成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180712