JP2007048497A - プラズマ発生装置、プラズマ発生方法およびダイヤモンド生成方法 - Google Patents
プラズマ発生装置、プラズマ発生方法およびダイヤモンド生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007048497A JP2007048497A JP2005229045A JP2005229045A JP2007048497A JP 2007048497 A JP2007048497 A JP 2007048497A JP 2005229045 A JP2005229045 A JP 2005229045A JP 2005229045 A JP2005229045 A JP 2005229045A JP 2007048497 A JP2007048497 A JP 2007048497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- reaction vessel
- gas
- microwave
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明に係るプラズマ発生装置1は、反応容器2と、反応容器2にアルゴンガスを含む気体を供給する第1気体供給装置5と、炭化水素を含む気体を供給する第2気体供給装置6と、反応容器2へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置10を有するものである。
【選択図】図1
Description
2.反応容器
3.気体導入口
4.気体排出口
5.第1気体供給装置
6.第2気体供給装置
7.第3気体供給装置
10.マイクロ波導入装置
11.電極
12.空洞共振器
17.液体金属導入口
21.基板取付け部
Claims (4)
- 反応容器と、反応容器にアルゴンガスを含む気体を供給する第1気体供給装置と、炭化水素を含む気体を供給する第2気体供給装置と、反応容器へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置を有するプラズマ発生装置。
- マイクロ波導入装置は金属壁で囲まれた円環状の空洞共振器を有し、この空洞共振器には液体金属導入口が設けられている請求項1に記載のプラズマ発生装置。
- 反応容器にアルゴンガスを含む気体を供給し、反応容器へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入してプラズマを発生させ、発生したプラズマを維持しながら反応容器に炭化水素を含む気体を供給することを特徴とするプラズマ発生方法。
- 反応容器に基板を設置し、反応容器にアルゴンガスを含む気体を供給し、反応容器へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入してプラズマを発生させ、発生したプラズマを維持しながら反応容器に炭化水素と水素を含む気体を供給し、基板上にダイヤモンド生成するダイヤモンド生成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005229045A JP5176051B2 (ja) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005229045A JP5176051B2 (ja) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007048497A true JP2007048497A (ja) | 2007-02-22 |
JP5176051B2 JP5176051B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=37851172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005229045A Active JP5176051B2 (ja) | 2005-08-08 | 2005-08-08 | プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5176051B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010256036A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Yazaki Corp | 内径計測装置 |
JPWO2011099247A1 (ja) * | 2010-02-10 | 2013-06-13 | 国立大学法人愛媛大学 | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマcvdによる高速成膜方法及びその装置 |
JPH04136173A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-11 | Alps Electric Co Ltd | 合成膜の析出方法 |
JPH04337076A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Yuuha Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのプラズマ及びラジカルcvd法による高速成膜方法 |
JPH0757892A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Yuuha Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高周波電力供給装置 |
JPH0762539A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-07 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイヤモンド状被膜形成方法 |
JPH07135094A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波誘導プラズマへの原料供給方法及び装置 |
JPH11273895A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 |
JP2002212709A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-07-31 | Japan Science & Technology Corp | 高気圧マイクロ波放電成膜方法及びその装置 |
JP2003268554A (ja) * | 1993-07-20 | 2003-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
JP2004346385A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | マイクロ波プラズマ発生方法、マイクロ波プラズマ発生装置および前記装置を使用してダイヤモンド薄膜を製造する方法 |
JP2005200710A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜の形成方法とそれにより造られた薄膜および透明プラスチックフィルム |
-
2005
- 2005-08-08 JP JP2005229045A patent/JP5176051B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03193880A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-08-23 | Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのマイクロ波プラズマcvdによる高速成膜方法及びその装置 |
JPH04136173A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-11 | Alps Electric Co Ltd | 合成膜の析出方法 |
JPH04337076A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Yuuha Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのプラズマ及びラジカルcvd法による高速成膜方法 |
JP2003268554A (ja) * | 1993-07-20 | 2003-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜形成方法 |
JPH0757892A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Yuuha Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高周波電力供給装置 |
JPH0762539A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-07 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイヤモンド状被膜形成方法 |
JPH07135094A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波誘導プラズマへの原料供給方法及び装置 |
JPH11273895A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 |
JP2002212709A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-07-31 | Japan Science & Technology Corp | 高気圧マイクロ波放電成膜方法及びその装置 |
JP2004346385A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hamamatsu Kagaku Gijutsu Kenkyu Shinkokai | マイクロ波プラズマ発生方法、マイクロ波プラズマ発生装置および前記装置を使用してダイヤモンド薄膜を製造する方法 |
JP2005200710A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜の形成方法とそれにより造られた薄膜および透明プラスチックフィルム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010256036A (ja) * | 2009-04-21 | 2010-11-11 | Yazaki Corp | 内径計測装置 |
JPWO2011099247A1 (ja) * | 2010-02-10 | 2013-06-13 | 国立大学法人愛媛大学 | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5176051B2 (ja) | 2013-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI235404B (en) | Plasma processing apparatus | |
JP5891341B2 (ja) | プラズマ生成装置及び方法 | |
JP5851804B2 (ja) | 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置 | |
US9288886B2 (en) | Plasma-based chemical source device and method of use thereof | |
JP3697250B2 (ja) | プラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法 | |
JP7109230B2 (ja) | グラフェン構造体を形成する方法および装置 | |
KR101730094B1 (ko) | 마이크로파 플라스마 처리 장치 | |
WO2006059808A1 (ja) | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置および液中プラズマ発生方法 | |
TW201505820A (zh) | 帶有電漿源之三維(3d)處理及列印 | |
WO2005091687A1 (ja) | マイクロプラズマジェット発生装置 | |
JP4953163B2 (ja) | マイクロ波励起プラズマ処理装置 | |
JPWO2011099247A1 (ja) | 液中プラズマ用電極、液中プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法 | |
JP5176051B2 (ja) | プラズマ発生装置およびダイヤモンド生成方法 | |
US7159536B1 (en) | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves | |
JP4575998B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JPH05214533A (ja) | マイクロ波或いは交流/直流放電により補助された燃焼炎式cvdダイヤモンド析出方法 | |
JP5788627B2 (ja) | カーボンナノチューブ成長方法 | |
JP2020147839A (ja) | グラフェン構造体を形成する方法および装置 | |
JP2018127369A (ja) | グラフェンの異方性エッチング方法 | |
JP2008098474A (ja) | プラズマ処理装置とその運転方法、プラズマ処理方法および電子装置の製造方法 | |
JP2004296868A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
KR100672230B1 (ko) | 동공 음극 플라즈마 장치 | |
JP2005159049A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
TWI775166B (zh) | 等離子體處理裝置及其處理基片的方法 | |
JP5039120B2 (ja) | プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121129 |