KR102429259B1 - 플라즈마 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용하여 대상 기판에 박막을 형성할 수 있게 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버; 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치; 상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고, 상기 플라즈마 생성 장치는, 일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및 상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 화학 기상 증착 장치{Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus}
본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 대상 기판에 박막을 형성할 수 있게 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 사업, 반도체 사업 등에서 사용되는 진공 기반의 증착 장치들은 플라즈마 기반의 진공 증착 장비들이 널리 사용되고 있고, 이러한 플라즈마 기반의 진공 증착 장비들은 여러 가지 종류로 개발되어 사용되고 있다.
플라즈마를 챔버의 외부에서 활성화하는 원거리 플라즈마 발생 장치의 경우, ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입이나 CCP(Capacitively - Coupled Plasma) 타입 등의 원거리 플라즈마 발생 장치가 널리 이용된다.
그러나, 이러한 종래의 ICP 타입의 원거리 플라즈마의 경우, 플라즈마 생성을 위한 초기 점화(ignition)이 필요하고 발생된 플라즈마의 이동을 위해 별도의 가속부가 추가로 필요할 수 있다. 이로 인하여 종래의 플라즈마 발생기는 구조가 복잡하고, 부피를 많이 차지하며, 그 효율이 떨어지는 문제점들이 있었다.
특히, 종래에는 구조적으로 코일 형태의 안테나가 있으며 여기에 RF 전력을 인가하면 안테나에 전류가 흐르고 이 전류는 안테나 주변에 유도전기장을 형성시킨다. 이 때 안테나 표면에는 RF 주파수로 양전하와 음전하가 교대로 대전이 되는데 이는 안테나 주변에 축전 전기장을 형성시키게 된다. 이때 형성된 전기장에 의해 전자가 가속되고 플라즈마가 생성되는 데, 기존의 ICP 타입의 플라즈마 발생 장비의 경우 전자를 가속 시키기 위한 코일이 감긴 안테나가 필요하고 발생된 플라즈마와 라디칼을 증착장비 챔버의 내부로 이동시키기 위한 별도의 가속기가 필요하다.
이러한 종래의 구조적 문제로 인해 플라즈마 발생기의 부피가 커지게 되고 구조가 복잡해지며, 초기 점화(ignition)이 필요하므로 플라즈마 발생 과정이 복잡하며 플라즈마의 균일도가 좋지 않은 문제점들이 있었다.
본 발명의 사상은, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 긴 블록 형태의 블록형 제 1 전극과 이와 대응되는 긴 막대 형상의 튜브형 제 2 전극을 사용하여 비교적 간단한 전극 구조로도 균일한 플라즈마를 얻을 수 있고, 챔버 내부로 자연스럽게 유체의 흐름이 형성되어 별도의 가속기가 없이 균일한 박막을 얻을 수 있게 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 제공함에 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로서, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치는, 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버; 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치; 상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고, 상기 플라즈마 생성 장치는, 일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및 상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플라즈마 생성 장치는, 상기 챔버의 외부에 설치되는 원거리 플라즈마 생성 장치이고, 상기 가스 공급 장치는, 일측에 적어도 하나의 반응 가스 유입구가 형성되고, 타측에 상기 블록형 제 1 전극의 복수개의 상기 가스 유입구와 연결될 수 있도록 복수개의 상기 가스 유입구를 덮는 형상의 확산 공간이 형성되는 반응 가스 샤워 헤드; 상기 튜브형 제 2 전극에 형성된 퍼지 가스 배출구를 통해 퍼지 가스가 배출될 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 일단부에 설치되어 상기 튜브형 제 2 전극의 내부에 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급관; 및 상기 블록형 제 1 전극과 상기 챔버 사이에 형성된 소스 가스 공급 블록의 내부 상측에 설치되고, 내부에 중공부가 형성되며, 복수개의 소스 가스 배출구를 통해 제 1 소스 가스가 배출될 수 있도록 튜브 형상으로 형성되는 제 1 소스 가스 공급관;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플라즈마 생성 장치는, 상기 튜브형 제 2 전극에 전계를 인가할 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 타단부와 전기적으로 연결되는 케이블 커넥터;를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 챔버는, 상부 공간과 하부 공간으로 구획되는 몸체; 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 설치되는 가스 흐름 안내판; 상기 대상 기판이 안착되고, 상기 가스 흐름 안내판에 형성된 관통창에 설치되는 히팅 플레이트; 및 상기 히팅 플레이트에 설치되는 카트리지 타입의 히터;를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 비교적 간단한 전극 구조로도 균일한 플라즈마를 얻을 수 있고, 챔버 내부로 자연스럽게 유체의 흐름이 형성되어 별도의 가속기가 없이 균일한 박막을 얻을 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 나타내는 외관 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 내부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 측단면도이다.
도 4는 도 3의 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 일부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 평단면도이다.
도 6은 도 5의 플라즈마 화학 기상 증착 장치의 일부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 7 및 도 8은 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 이용한 박막의 특성을 나타내는 그래프들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
이하, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)를 나타내는 외관 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)의 내부를 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)의 측단면도이고, 도 4는 도 3의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)의 일부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이고, 도 5는 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)의 평단면도이고, 도 6은 도 5의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)의 일부분을 확대하여 나타내는 확대 단면도이다.
도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)는, 크게 챔버(10)와, 가스 공급 장치(20)와, 플라즈마 생성 장치(30) 및 가스 배출 장치(40)를 포함할 수 있다.
예컨대, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10)는, 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 것으로서, 상술된 상기 가스 공급 장치(20)와, 상기 플라즈마 생성 장치(30) 및 상기 가스 배출 장치(40)를 충분히 지지할 수 있는 강도와 내구성을 갖는 밀폐 가능한 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 챔버(10)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상부 공간(A4)과 하부 공간(A5)으로 구획되는 몸체(11)와, 상기 상부 공간(A4)과 상기 하부 공간(A5) 사이에 설치되는 가스 흐름 안내판(P)과, 상기 대상 기판이 안착되고, 상기 가스 흐름 안내판(P)에 형성된 관통창(W)에 설치되는 히팅 플레이트(HP) 및 상기 히팅 플레이트(HP)에 설치되는 카트리지 타입의 히터(HT)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버(10)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 몸체(11)의 상부 공간(A4)을 덮고, 손잡이가 형성되는 커버(C)와, 도 1에 도시된 바와 같이, 내부를 육안으로 확인하기 위한 뷰포트(VP)가 설치될 수 있다. 한편, 이러한 상기 챔버(10)는 도면에 반드시 국한되지 않고, 각종 실링 부재나, 착탈 부재나, 고정구나, 센서 등이 설치될 수 있다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 커버(C)를 들어낸 후, 대상 기판을 로딩 및 언로딩 하거나 내부를 세척하는 것이 가능하다.
또한, 예컨대, 상기 가스 공급 장치(20)는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버(10)의 일측에 형성되는 장치로서, 상기 챔버(10)의 내부에 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스 중 적어도 어느 하나의 가스를 선택적으로 공급할 수 있는 가스 공급 장치일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급 장치(20)는, 원자층 증착이 가능하도록 반응 가스를 공급할 수 있는 반응 가스 샤워 헤드(21)와, 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급관(22)과, 제 1 소스 가스를 공급할 수 있는 제 1 소스 가스 공급관(23) 및 제 2 소스 가스를 공급할 수 있는 제 2 소스 가스 공급관(24)을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 가스 공급 장치(20)는 이에 반드시 국한되지 않고 매우 다양한 종류의 가스를 공급할 수 있다.
여기서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 예컨대, 상기 반응 가스 샤워 헤드(21)는, 일측에 적어도 하나의 반응 가스 유입구(H3)가 형성되고, 타측에 상기 블록형 제 1 전극(31)의 복수개의 상기 가스 유입구(H1)와 연결될 수 있도록 복수개의 상기 가스 유입구(H1)를 덮는 형상의 확산 공간(A3)이 형성되는 블록 구조체일 수 있다.
또한, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 예컨대, 상기 퍼지 가스 공급관(22)은, 상기 튜브형 제 2 전극(32)에 형성된 퍼지 가스 배출구(H4)를 통해 퍼지 가스가 배출될 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극(32)의 일단부에 설치되어 상기 튜브형 제 2 전극(32)의 내부에 퍼지 가스를 공급할 수 있는 파이프 구조체일 수 있다.
또한, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 소스 가스 공급관(23)은, 상기 블록형 제 1 전극(31)과 상기 챔버(10) 사이에 형성된 소스 가스 공급 블록(B)의 내부 상측에 설치되고, 내부에 중공부가 형성되며, 복수개의 소스 가스 배출구(H5)를 통해 제 1 소스 가스가 배출될 수 있도록 튜브 형상으로 형성되는 파이프 구조체일 수 있다.
또한, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 소스 가스 공급관(24)는, 상기 블록형 제 1 전극(31)과 상기 챔버(10) 사이에 형성된 소스 가스 공급 블록(B)의 내부 하측에 설치되고, 내부에 중공부가 형성되며, 복수개의 소스 가스 배출구(H5)를 통해 제 2 소스 가스가 배출될 수 있도록 튜브 형상으로 형성되는 파이프 구조체일 수 있다.
따라서, 상기 가스 공급 장치(20)는, 반응 가스를 공급할 수 있는 반응 가스 샤워 헤드(21)와, 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급관(22)과, 제 1 소스 가스를 공급할 수 있는 제 1 소스 가스 공급관(23) 및 제 2 소스 가스를 공급할 수 있는 제 2 소스 가스 공급관(24)을 이용하여 상기 대상 기판에 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스 중 적어도 어느 하나의 가스를 선택적으로 공급할 수 있는 가스 공급 장치일 수 있다.
한편, 예컨대, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 생성 장치(30)는, 상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 장치로서, 상기 챔버(10)의 외부에 설치되는 원거리 플라즈마 생성 장치일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 생성 장치(30)는, 일측에 가스 유입구(H1)가 형성되고, 타측에 가스 배출구(H2)가 형성되며, 내부 공간(A1)이 형성되는 블록형 제 1 전극(31) 및 상기 블록형 제 1 전극(31)과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간(A1)에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극(32)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 생성 장치(30)는, 상기 튜브형 제 2 전극(32)에 전계를 인가할 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극(32)의 타단부와 전기적으로 연결되는 케이블 커넥터(33)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 이러한 상기 케이블 커넥터(33)와 상기 반응 가스 샤워 헤드(21) 또는 상기 튜브형 제 2 전극(32)과 상기 반응 가스 샤워 헤드(21) 사이에 절연체(34)가 형성되어 전류의 누설이나 합선을 방지할 수 있다.
따라서, 예컨대, 상기 제 1 소스 가스 공급관(23) 및/또는 상기 제 2 소스 가스 공급관(23)을 통해서 상기 제 1 소스 가스 또는 상기 제 2 소스 가스를 상기 대상 기판에 공급할 수 있다.
이어서, 상기 퍼지 가스 공급관(22)을 통해서, 상기 제 1 소스 가스 또는 상기 제 2 소스 가스를 퍼지하기 위해 상기 퍼지 가스를 상기 대상 기판에 공급할 수 있다.
이어서, 상기 블록형 제 1 전극(31)과 상기 튜브형 제 2 전극(32) 사이에 RF 파워가 인가되고, 상기 반응 가스 샤워 헤드(21)의 확산 공간(A3)을 통해서 골고루 공급되는 반응 가스가 상기 블록형 제 1 전극(31)과 상기 튜브형 제 2 전극(32) 사이에서 플라즈마 상태로 여기될 수 있고, 이렇게 여기된 상기 반응 가스를 상기 대상 기판에 공급할 수 있다.
이어서, 상기 퍼지 가스 공급관(22)을 통해서, 상기 반응 가스를 퍼지하기 위해 상기 퍼지 가스를 상기 대상 기판에 공급할 수 있다.
그러므로, 본 발명에 따르면, 플라즈마 생성 장치 등 그 구조가 비교적 간단하고, 상기 대상 기판의 대면적화가 가능하며, 설치가 쉽고, 유지 보수가 용이하며, 배치 타입의 장비에도 쉽게 적용될 수 있다.
한편, 예컨대, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 가스 배출 장치(40)는, 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버(10)의 타측에 형성되는 장치로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 진공 펌프가 연결되는 가스 배출관이 포함될 수 있다.
따라서, 상기 반응 가스와, 상기 소스 가스 및 상기 퍼지 가스는 상기 가스 공급 장치(20)에서 상기 가스 배출 장치(40) 방향, 즉 상기 챔버(10)의 일측에서 타측으로 일방향 흐름을 형성할 수 있다.
그러므로, 긴 블록 형태의 상기 블록형 제 1 전극(31)과 이와 대응되는 긴 막대 형상의 상기 튜브형 제 2 전극(32)을 사용하여 비교적 간단한 전극 구조로도 균일한 플라즈마를 얻을 수 있고, 상기 챔버(10) 내부로 자연스럽게 유체의 흐름이 형성되어 별도의 가속기가 없이 균일한 박막을 얻을 수 있다.
도 7 및 도 8은 도 1의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)를 이용한 박막의 특성을 나타내는 그래프들이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 화학 기상 증착 장치(100)를 이용하여 TMA와 H2O를 사용한 AL2O3 박막을 증착한 결과, 도 7의 Plasma On Time 15초 이상에서 90퍼센트 이상의 균일도를 가지고, 도 8에 도시된 바와 같이, 불순물이 없는 박막을 얻을 수 있었다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 챔버
11: 몸체
20: 가스 공급 장치
21: 반응 가스 샤워 헤드
22: 퍼지 가스 공급관
23: 제 1 소스 가스 공급관
24: 제 2 소스 가스 공급관
30: 플라즈마 생성 장치
31: 블록형 제 1 전극
32: 튜브형 제 2 전극
33: 케이블 커넥터
34: 절연체
40: 가스 배출 장치
P: 가스 흐름 안내판
HP: 히팅 플레이트
HT: 히터
C: 커버
VP: 뷰포트
100: 플라즈마 화학 기상 증착 장치

Claims (4)

  1. 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버;
    상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치;
    상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및
    상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고,
    상기 플라즈마 생성 장치는,
    일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및
    상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;
    를 포함하고,
    상기 플라즈마 생성 장치는, 상기 챔버의 외부에 설치되는 원거리 플라즈마 생성 장치이고,
    상기 가스 공급 장치는,
    일측에 적어도 하나의 반응 가스 유입구가 형성되고, 타측에 상기 블록형 제 1 전극의 복수개의 상기 가스 유입구와 연결될 수 있도록 복수개의 상기 가스 유입구를 덮는 형상의 확산 공간이 형성되는 반응 가스 샤워 헤드;
    상기 튜브형 제 2 전극에 형성된 퍼지 가스 배출구를 통해 퍼지 가스가 배출될 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 일단부에 설치되어 상기 튜브형 제 2 전극의 내부에 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급관; 및
    상기 블록형 제 1 전극과 상기 챔버 사이에 형성된 소스 가스 공급 블록의 내부 상측에 설치되고, 내부에 중공부가 형성되며, 복수개의 소스 가스 배출구를 통해 제 1 소스 가스가 배출될 수 있도록 튜브 형상으로 형성되는 제 1 소스 가스 공급관;
    을 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성 장치는,
    상기 튜브형 제 2 전극에 전계를 인가할 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 타단부와 전기적으로 연결되는 케이블 커넥터;
    를 더 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
  4. 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버;
    상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치;
    상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및
    상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고,
    상기 플라즈마 생성 장치는,
    일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및
    상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;
    를 포함하고,
    상기 챔버는,
    상부 공간과 하부 공간으로 구획되는 몸체;
    상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 설치되는 가스 흐름 안내판;
    상기 대상 기판이 안착되고, 상기 가스 흐름 안내판에 형성된 관통창에 설치되는 히팅 플레이트; 및
    상기 히팅 플레이트에 설치되는 카트리지 타입의 히터;
    를 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치.
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