TW201840897A - 用以使用在基板處理室中的溫度控制間隔件 - Google Patents

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談太德
邱華檀
萊恩 森夫
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美商蘭姆研究公司
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Abstract

一種用以處理一基板的系統包含一腔室，其具有界定一下腔室部分的一腔室壁、且具有界定一上腔室部分的一上腔室壁。一噴淋頭配置於該上腔室部分中。具有用於該基板之支座的一台座配置於該下腔室部分中且定向於該噴淋頭下方，以使一處理區域係界定於該台座之該支座與該噴淋頭之間。一間隔件配置於該噴淋頭與該下腔室部分之該下腔室壁之間。該間隔件係由包含一直立元件的一環狀本體所界定。該環狀本體亦包含一側延伸部，該側延伸部配置於該處理區域之外且從該直立元件徑向往外突出。該環狀本體包含形成於該側延伸部中的一凹槽以環繞該環狀本體之該直立元件。一加熱元件嵌於該側延伸部之該凹槽中。

Description

用以使用在基板處理室中的溫度控制間隔件
本發明係關於用於半導體處理工具中的元件，具體而言，係關於用於處理晶圓之腔室中的溫度控制間隔件。
將半導體基板暴露於各種製造程序以產生半導體裝置。所利用之處理，除其它者外，尤其包含沉積處理、蝕刻處理、圖案化處理。沉積處理係用以在基板表面上沉積材料之薄膜或膜層。在產業中習知的一些沉積處理，除其它者外，尤其包含化學氣相沉積(CVD-例如，電漿輔助CVD)、物理氣相沉積、原子層沉積、電化學沉積。在電漿輔助CVD之情況下，電漿係在界定於腔室中的處理區域內原位(in-situ)產生、或遠距產生並供應至處理區域。後者之處理被稱為遠距電漿CVD (RPCVD)。CVD係用以在基板表面上沉積保形的薄膜。
製造程序的功效可由形成於基板表面上的裝置之品質與裝置良率(其依次地主要基於電漿粒子的性能)而衡量。電漿粒子之性能為區域(例如處理區域，其中接收電漿以處理基板)內之溫度的函數。因此，電漿粒子之性能可藉由將處理區域內的表面溫度由室溫提高至較高數值而提升，在一些範例中，當表面溫度達到介於120o – 150o C時，顯現最佳之粒子性能。處理區域內的表面溫度係基於包圍處理區域之每一表面(例如在頂部的噴淋頭、環繞處理區域之腔室之側壁、在底部的基板等)的溫度而變化。在一些範例中，腔室之側壁可為上電極(例如，配置於腔室之頂部中)之一部分，且在上電極的周邊可包含間隔件以作為與下電極(例如，台座)的連接介面。在其他範例中，腔室之側壁可為下電極之一部分，且在下電極的周邊配置間隔件以作為與上電極的連接介面。
目前，間隔件之側壁並非溫度控制的，且間隔件的尺寸係規格不一的。不適當之尺寸導致問題，如引起基板上較多的粒子計數、不均勻的氣體流動、在側壁上的不樂見之自由基重組反應、肇因於表面應力及堆積的剝離(peel off)等。
本發明之實施例係由此背景中產生。
本揭露內容之實施例包含系統、設備、以及方法，其提供方式以藉由在用以於基板表面上執行一或更多製造操作的處理室內採用間隔件及嵌入式高功率管狀加熱元件，以改善粒子性能。管狀加熱元件係用以將間隔件的內壁溫度控制於理想溫度範圍，以在各種製造程序期間於處理室內提供最佳溫度輪廓。界定間隔件的結構及尺寸以改善腔室內之熱傳、使噴淋頭、台座及間隔件之間的氣體流動輪廓平滑、減少側壁上的反應自由基之重組、降低非均勻性、提高沉積速率，而因此總體上提升粒子性能。間隔件的結構及尺寸亦係配置以使由間隔件散失之熱減少，並減少由間隔件至(與間隔件連接的)噴淋頭之熱傳。
在一實施例中，揭露用以處理基板之系統。該系統包含一腔室，其具有界定一下腔室部分的一腔室壁、且具有一上腔室部分。該上腔室部分具有一電漿腔室。一噴淋頭配置於該上腔室部分之該電漿腔室與一處理區域之間。一台座配置於該下腔室部分中。該台座具有用於該基板(當存在時)的一支座。該台座之該支座係配置以定向於該噴淋頭下方，以使該處理區域係界定於該台座之該支座與該噴淋頭之間。一間隔件配置於該噴淋頭與該下腔室部分之該腔室壁之間。該間隔件係由包含一直立元件的一環狀本體所界定。該直立元件界定環繞該處理區域之側壁。該環狀本體亦包含配置於該處理區域之外的一側延伸部。該側延伸部從該直立元件徑向往外突出。該環狀本體包含形成於該側延伸部中的一凹槽。該凹槽係配置以環繞該環狀本體之該直立元件。一加熱元件係嵌於該側延伸部之該凹槽中。
在另一實施例中，揭露用以處理基板之腔室。該腔室包含界定一下腔室部分的一下腔室壁、以及界定一上腔室部分的一上腔室壁。一噴淋頭配置於該上腔室部分中。一台座配置於該下腔室部分中。該台座具有用於該基板(當存在時)的一支座。該台座之該支座係配置以定向於該噴淋頭下方，以使處理區域係界定於該台座之該支座與該噴淋頭之間。一間隔件配置於該噴淋頭與該下腔室壁之間。該間隔件係由包含一直立元件的一環狀本體所界定。該直立元件界定環繞該處理區域之側壁。該環狀本體亦包含配置於該處理區域之外的一側延伸部。該側延伸部從該直立元件徑向往外突出。該環狀本體包含形成於該側延伸部中的一凹槽。該凹槽係配置以環繞該環狀本體之該直立元件。一加熱元件係嵌於該側延伸部之該凹槽中。
本發明之其他實施態樣及優點由隨後之舉例說明本發明原理的實施方式及附圖當可更加明白。
為了提供對此發明的徹底理解，在以下的敘述中，說明了大量的特定細節。然而對於熟悉本技藝者係可清楚了解，在毋須若干或全部此等特定細節之情況下即可實行本發明。在其他的範例中，為了不使本發明晦澀難懂，習知的製程操作不會有詳細敘述。
本揭露內容之實施例提供用以處理半導體基板之系統的各種細節。應了解本實施例可以許多方式實施，例如製程、設備、系統、元件、或方法。若干實施例描述如下。
用以處理一基板之系統係配置以供應電漿至界定於處理室內的處理區域，基板在該處理室中經歷製造操作(例如，PECVD處理)。在一實施例中，遠端產生電漿並通過噴淋頭而供應至處理區域。在另一實施例中，在處理區域內原位(in-situ)產生電漿。電漿可用於例如在基板之上表面上執行沉積操作。
用以處理一基板之系統包含由上腔室部分及下腔室部分所界定的腔室。上腔室部分包含配置以供應電漿的噴淋頭。下腔室部分包含配置以在處理期間為基板提供支撐的台座。處理區域係界定於噴淋頭與台座的支撐表面之間，且係由在頂部的噴淋頭、在底部之台座的支座表面、以及腔室的側壁所包圍。在沉積處理期間，所提供至處理區域或在處理區域中所產生的電漿係用以在暴露於電漿的基板表面上沉積一薄膜層。可藉由保持處理區域內的表面溫度於一理想範圍而使沉積處理最佳化。處理區域的表面溫度取決於包圍及界定處理區域之許多表面的溫度。噴淋頭表面及台座之支座表面的溫度係受電漿的溫度所影響。腔室側壁的溫度通常在一較低溫度(例如，在介於約40o – 50o C之間)。可藉由將側壁溫度維持於理想範圍內(例如，介於約80o C到約 150o C之間)的穩定數值以提高電漿粒子性能。在一些實施例中，理想溫度範圍可取決於用於腔室中的化學物之形式。
間隔件係緊接地配置於噴淋頭下方且在噴淋頭與下腔室部分的腔室壁之間。間隔件係由環狀本體所界定，且包含直立元件及側延伸部。間隔件的直立元件界定了處理室內環繞處理區域的側壁。側延伸部從直立元件徑向地向外延伸，以使側延伸部配置於處理區域之外。間隔件的直立元件係裝設於噴淋頭的底面，且側延伸部係配置為坐落於下腔室部分的腔室壁之上。在側延伸部的上表面上界定一凹槽。連接至熱源的加熱元件係嵌於間隔件的凹槽內。處理區域的側壁的表面溫度係藉著控制由加熱元件提供至間隔件之直立元件的熱而加以控制。將間隔件的側壁維持於最佳的熱條件(thermal condition)致使沉積之應力及剝離(peel off)最小化、改善電漿流動輪廓、以及提高粒子性能。在對於本發明的一般理解下，現將參照各種圖式而描述特定實施例。
依據本發明的一實施例，圖1為在用以處理一基板之系統100內的腔室的簡化橫剖面圖。圖1中所顯示的腔室為一單站腔室，在該腔室中於任何特定時間處理單一基板。
參照圖1，腔室包含界定下腔室部分101的腔室壁101a及界定上腔室部分102的腔室壁102a。下腔室部分101容置一台座204，該台座204包含用於基板103(當在腔室中接收基板103以進行處理時)的支座表面。下腔室部分101亦包含升降機構(未顯示)以沿著垂直軸移動台座204，且包含設備及控制部(未顯示)以操作系統100的不同元件，包括控制部以操作升降機構、控制部以供應電源至系統的不同元件等。
上腔室部分容置一噴淋頭112。噴淋頭112係配置於台座204的支座表面之上，以界定兩者之間的處理區域234。噴淋頭112包含用以供應電漿至處理區域234的複數噴嘴112a。在一實施例中，緊接於噴淋頭112之上的係電漿腔室104，該電漿腔室104係配置以接收氣體化學物及產生電漿。電漿腔室104連接至氣體源，例如氣體化學物的儲槽(161)。在電漿腔室104內設置以擴散器106為其型式的氣流分佈容器。擴散器106可具有任何數目之外形。在圖1中顯示的一實施例中，擴散器106包含杯狀構件，其具有圓形的底部及圓柱形的頂部。擴散器106係由非導電材料所構成，該非導電材料在暴露於氣體化學物時可耐受侵蝕。擴散器106包含複數注射口182以將被導入至電漿腔室104的氣體化學物擴散。在一些實施例中，複數注射口182係沿著在杯狀構件的圓形底部中的水平環而配置，如圖1所示。在其他實施例中，複數注射口182係配置遍及整個杯狀構件。
在一實施例中，電漿腔室104係呈圓錐體狀，並具有在頂部將擴散器106容納於其中的狹頸區段104a、緊接地位於狹頸區段104a下方的圓錐區段104b、以及在底部緊接地位於圓錐區段104b下方及噴淋頭112之上表面112b上方的較寬之圓柱區段104c。
一或更多線圈108(顯示於圖1中的108a、108b)係配置以環繞電漿腔室104的圓錐區段104b之一部分。線圈108連接至能量源110，該能量源110將電供應至線圈108。由能量源110所供應的電場係經由線圈108而施用，以將在電漿腔室104的圓錐區段104b中所接收的氣體化學物加以電離而產生電漿。所產生的電漿包含反應性物種(例如電子、離子、以及反應性自由基)，該等反應性物種在經由噴淋頭112之噴嘴112a而施用至基板103時，用以沉積一材料層於基板的表面上。
間隔件212係緊接地配置於噴淋頭112下方且介於噴淋頭112與下腔室部分101的腔室壁101a之間。間隔件212包含環狀本體，該環狀本體係沿面對台座204的噴淋頭112之底面上的外周而配置。在一實施例中，間隔件212係利用機械方法以裝設於噴淋頭112之底面。在另一實施例中，間隔件212係利用非機械方法以裝設於噴淋頭112之底面。面對處理區域234的間隔件212之環狀本體之側壁212a界定了內側壁。間隔件212包含側延伸部218，該側延伸部218從間隔件212之環狀本體之側壁212a徑向地向外延伸，以使側延伸部218形成於處理區域234之外。在一實施例中，側延伸部218從間隔件212之中心區域向外延伸。在其他實施例中，側延伸部218可從間隔件212之頂部區域或底部區域向外延伸。側延伸部218係配置為在上腔室部分102降低時坐落於腔室的下腔室部分101的腔室壁101a之上。在一實施例中，在下腔室部分101的腔室壁101a之上表面上界定一凹槽230。在一實施例中，O型環231係嵌在凹槽230中，使得O型環231之一部分延伸出凹槽230外。O型環231係用以在上腔室部分102降低時，當側延伸部218坐落於下腔室部分101的腔室壁101a上，藉由容許間隔件212之側延伸部218向下推至O型環231上而將處理區域234密封。
凹槽214係形成於間隔件212之側延伸部218的上表面上。凹槽214係配置以環繞間隔件212之環狀本體之側壁212a。加熱元件216係嵌在凹槽214中。在一實施例中，加熱元件216連接至第一端處的功率源以將熱提供至間隔件212，且連接至第二端處的電氣接地。來自加熱元件216的熱係用以加熱間隔件212之側壁212a，以維持處理區域234內的最佳熱條件(thermal condition)。在另一實施例中，加熱元件216之第二端可連接至AC相位連接，而非連接至電氣接地259。在另一實施例中，加熱元件216之第一端可連接至第一交流電(AC)相位連接，且加熱元件216之第二端可連接至第二交流電(AC)相位連接。於再另一實施例中，加熱元件216之第二端可連接至中性相，而第一端連接至AC相位連接。在加熱元件216之第一及/或第二端連接至AC相位連接之實施例之各者中，可在AC相位連接與加熱元件216之間提供AC線路濾波器，以減弱在功率源與加熱元件216之間的傳導射頻(亦稱為電磁干擾(EMI))。
現將描述上腔室部分內的各種元件之細節。在一實施例中，上腔室部分102的腔室壁102a之底部實質上圍繞間隔件212之側延伸部218。腔室壁102a之底部包含延伸唇部102b，該延伸唇部102b從腔室壁102a之底側朝著處理區域234徑向往內突出。延伸唇部102b到達間隔件212之側延伸部218之一部分之下方，以實質上支撐間隔件212，而因此當上腔室部分102被移動離開下腔室部分101時可使間隔件212與上腔室部分102一同升起。在下腔室部分101之腔室壁101a中，於容許基板103不受阻礙移動進出腔室之位置界定一窗部107。
圖1中顯示的實施例中，電漿腔室104係被包含在上腔室部分102中且係緊接地配置於噴淋頭112之上。在另一實施例中，電漿腔室104可為連接至系統100的噴淋頭112之獨立模組。在如此之實施例中，電漿腔室104係配置以遠端產生電漿(亦即，遠離處理區域)並供應至處理區域234，因此可於在電漿腔室104中執行沉積操作期間將材料薄層沉積於基板103的表面上。電漿腔室104並不限使用於從事執行沉積操作之系統，而亦可使用於用以執行其他電漿製造操作之其他系統，例如電漿蝕刻、電漿剝離或灰化、濺鍍、電漿噴塗等。
基板103可由通常用於半導體產業的相對純之矽、鍺、砷化鎵、或其他半導體材料構成，或由與一或更多額外的元素(例如鍺、碳等)混合之矽構成。在一實施例中，基板103可為半導體基板，其具有來自其他半導體製造程序的先前所沉積之膜層。在另一實施例中，基板103可為例如可接受電漿處理的一片玻璃、陶瓷、或金屬之元件。
如前所述，電漿腔室104包含狹頸區段104a、圓錐區段104b、圓柱區段104c、一或更多線圈108、能量源110以及作為氣流分佈容器的擴散器106。
電漿腔室104係配置以接收氣體化學物及施加電場以電離該氣體化學物，例如，以產生電漿(例如，如電子、離子、反應性自由基等之物種)。在一例示性實施例中，電漿腔室104係由可增強電場之材料所構成。例如，電漿腔室104可由介電材料構成。在一實施例中，電漿腔室104的狹頸區段104a係界定於電漿腔室104之頂部，且係連接至將氣體化學物提供至電漿腔室104的氣體源(例如儲槽161)。擴散器106係界定於電漿腔室104中之狹頸區段104a處。擴散器106包含複數注射口182，且係配置以將氣體化學物導入至電漿腔室104的圓錐區段104b。圓錐區段104b從電漿腔室104的狹頸區段104a下方往外延伸，且係配置以產生電漿。
圓錐區段104b之側壁具有一厚度，該厚度適於產生電漿且足量以不致干擾由線圈108所產生的電場。圓柱區段104c緊接地在圓錐區段104b下方延伸，且係配置以在所產生之電漿經由噴淋頭112而導入至處理區域234之前容納該電漿。圓錐區段104b、圓柱區段104c及電漿腔室104之側壁係為了將電漿指向噴淋頭112而成形。在一實施例中，不同區段之電漿腔室104之側壁沿著其軸向長度具有相異的厚度。在另一例示性實施例中，不同區段之電漿腔室104之側壁沿著其軸向長度具有實質上相同的厚度。
在一實施例中，圓錐區段104b之側壁沿著其軸向長度而變化。依據本發明之一例示性實施例，電漿腔室104之各區段(狹頸區段104a、圓錐區段104b、以及圓柱區段104c)的軸向長度彼此之間為實質上不相等。例如，狹頸區段104a具有足以穩定被導入至電漿腔室104之氣體的軸向長度，但不長至足以妨礙氣體流入電漿腔室104之圓錐區段104b。圓錐區段104b的軸向長度可係長於圓柱區段104c。在一實施例中，狹頸區段104a的軸向長度係短於圓錐區段104b及圓柱區段104c的軸向長度。圓柱區段104c的軸向長度係短於圓錐區段104b。在其他實施例中，取決於周圍元件的特定尺寸，狹頸區段104a、圓錐區段104b、以及圓柱區段104c的軸向長度可係較長或較短。在另外的其他實施例中，狹頸區段104a、圓錐區段104b、以及圓柱區段104c的軸向長度可為相等的。
在一實施例中，狹頸區段104a的直徑係實質上均一。在一實施例中，圓錐區段104b的直徑由狹頸區段104a往圓柱區段104c增加，而在圓柱區段104c處的直徑係實質上均一且係覆蓋至少處理區域234之直徑的尺寸。在另一實施例中，電漿腔室104可能不包含狹頸區段104a。
在一實施例中，噴淋頭112可具有如同平板的構造且包含沿著底面而配置的複數噴嘴112a，以將電漿導入至處理區域234。在一些實施例中，噴嘴112a可均勻分佈遍及整個噴淋頭112的底面。在其他實施例中，噴嘴112a可均勻分佈於底面之一部分。例如，在僅有所期望之一部分基板103欲接受電漿處理之實施例中，噴嘴112a係分佈在對應於所期望部分之尺寸的噴淋頭112之底面上。在一些實施例中，噴淋頭112之直徑可為至少如基板103之直徑一般大。在另一例示性實施例中，噴淋頭112之直徑係小於或大於基板103之直徑。
線圈108係配置於電漿腔室104之圓錐區段104b之外部，以環繞該圓錐區段104b。由線圈108所提供之電場係足以在電漿腔室104內產生電漿。線圈108連接至能量源110，以將電場提供至流過電漿腔室104的圓錐區段104b的氣體化學物。在一例示性實施例中，線圈108係由導電材料(例如銅)所構成的單一構件，其在電漿腔室104之圓錐區段104b的周圍捲繞一圈。在另一實施例中，線圈108在電漿腔室104之圓錐區段104b的周圍捲繞兩圈。在此實施例中，線圈108的第一端係電氣連接至能量源110，第二端連接至電氣接地159，且線圈108之長度在電漿腔室104之圓錐區段104b的周圍捲繞兩圈(線圈108的108a、108b部分)。在一些實施例中，第二繞組可在第一繞組的上方或下方。在一些實施例中，電容器158可係配置於線圈108的第二端與電氣接地159之間。由於圓錐區段104b之幾何，第一繞組之直徑係大於或小於第二繞組之直徑，其取決於第一繞組係在第二繞組的下方或上方。在另一實施例中，用以替代線圈108在圓錐區段104b的周圍捲繞兩圈，可配置兩線圈108a、108b以使每一線圈(108a、108b) 在電漿腔室104之圓錐區段104b的周圍捲繞一圈以上。如在具有單一線圈之情況下，兩線圈108a、108b之各者的第一端連接至能量源110、且第二端連接至電氣接地159。
電漿係在電漿腔室104之圓錐區段104b中產生，由於連接至能量源的線圈108的第一端相較於整個線圈108之長度的任何其他部分耗散更多能量進入氣體化學物，故在最接近線圈108的第一端之區域中電漿密度為最大值。在線圈108於圓錐區段104b的周圍捲繞兩圈之情況下，由於線圈108的第一繞組108a相較於線圈108的第二繞組108b耗散更多來自能量源的能量進入氣體化學物，故在最接近第一繞組108a處產生電漿。由額外繞組(例如，108b)所耗散的能量可用以提高在電漿腔室104之圓錐區段104b內所產生的電漿之均勻性。雖然在圖1所顯示的實施例中，電漿腔室104的電漿產生器區域係表現為圓錐狀結構，但亦可使用其他外形，包括圓頂狀結構、立方體狀結構等。在圓頂狀或立方體狀結構之情況下，可能不存在狹頸區段104a。
在一實施例中，能量源110可為射頻(RF)電壓源或可供給線圈108能量以形成電場的其他能量來源。在一例示性實施例中，能量源110包含可操作於期望頻率(例如，介於約0.2 MHz與約20.0 MHz之間的頻率範圍)的RF產生器152。在一例示性實施例中，能量源110可包含配置於RF產生器152與線圈108之間的匹配網路154。匹配網路154可為阻抗匹配網路，其係配置以將RF產生器152之阻抗與線圈108之阻抗作匹配。
在一實施例中，在線圈的第二端與電氣接地159之間包含電容器158，以限制流過線圈108之電壓。在此方面，選擇電容器158以具有將流過線圈108之電壓限制至一臨限電壓的電容。在一範例中，可為了將流過線圈108之電壓降低至約50%的起始電壓輸入之能力而選擇電容器158。藉由將電容器158置於較接近電氣接地處(相對於在能量源110與線圈108的第一端或線圈108的第一端及第二端中間的任何地方之間包含一或更多電容器)，可利用較低之電壓以在電漿產生器區域(亦即，圓錐區段104b)形成電漿。界定在電漿腔室104之圓錐區段104b周圍配置線圈108的位置及繞組的數目，以將在圓錐區段104b內所產生的電漿之密度及均勻性最佳化。
在將從儲槽161接收的氣體化學物導入至電漿腔室104之前，可利用擴散器106將其加以擴散。擴散器106可具有不同的外形。如前所述，在一實施例中，擴散器106可具有圓形的底部(亦即，杯狀部分)及圓柱形的頂部，且係由非導電材料所構成，該非導電材料在暴露於氣體化學物時可耐受侵蝕。擴散器106的合適材料包含例如介電材料如石英。擴散器106的圓柱形頂部可具有連接至儲槽(由儲槽接收及儲存氣體化學物)的開口端。擴散器106的圓柱形頂部的外直徑可小於電漿腔室104之狹頸區段104a的內直徑，因此擴散器106可容易地被容納到狹頸區段104a內。分佈遍及整個擴散器106或在杯狀底部放射狀地分佈的注射口182容許由儲槽至電漿腔室104的氣體化學物之均勻分佈。可藉由注射口之數目、注射口之位置、注射口之尺寸、注射口相對於擴散器之外表面而形成之方向、注射口之維度等以控制氣體化學物被注射進入電漿腔室104之方式。在一實施例中，約三十至四十個注射口182放射狀地沿著圓形底部而均勻分佈，以實質上將氣體化學物均勻地注入電漿腔室104之圓錐區段104b。在一範例中，注射口182並非沿著杯狀底部的徑向截面而均勻間隔。在其他範例中，可沿著擴散器106的徑向或縱向軸而包含更多或更少的注射口182。
能量源110供給線圈108能量，並在由線圈108包封的電漿腔室104之圓錐區段104b中形成電場。電場將流過圓錐區段104b的氣體化學物電離以形成電漿。電漿可包含(但不限於)離子、電子、中性物種、受激物種(excited species)、反應性自由基、經解離之自由基、以及當氣體化學物流過電場時可產生的任何其他物種。經電離之氣體接著透過噴淋頭112之噴嘴112a而分佈至腔室的處理區域234，該噴淋頭112係與電漿腔室104之圓柱區段104c相整合。
間隔件212係緊接地配置於噴淋頭112下方。間隔件212包含環狀本體，該環狀本體係沿著噴淋頭112之底面的外周而定向。環狀本體包含直立元件及側延伸部218。直立元件212e界定了環繞處理區域234的內側壁。因此，間隔件212之直立元件的側壁212a形成處理區域234的內壁。間隔件212的側延伸部218係配置為坐落於下腔室部分101的腔室壁101a之上。在腔室壁101a之上表面上界定具有O型環(圖1中的231)嵌於其中的凹槽(圖1中的230)。因此，當間隔件212的側延伸部218坐落於腔室壁101a上方時，側延伸部218向下推至O型環231上以將處理區域234實質上密封。在另一實施例中，可利用真空密封以將處理區域234密封。在如此之實施例中，凹槽230可能並不形成於腔室壁101a之上表面上。
間隔件212之直立元件係配置以在間隔件212的內側壁212a與配置於下腔室部分101中的台座204的支座外緣之間界定間隙232。界定間隙232以容許氣體化學物通過間隙232而朝排放口(未顯示)流出處理區域234。在一些實施例中，當台座在處理位置時，間隙232為介於約0.20英吋到約0.5英吋之間。在一特定實施例中，間隙232約為0.35英吋。
在間隔件212之側延伸部218的上表面上方設置一加熱元件。加熱元件216的第一端連接至功率源以提供功率而加熱間隔件212，且加熱元件216的第二端為電氣接地。加熱間隔件212容許處理區域內的表面溫度維持於一最佳位準。間隔件的幾何及不同元件之細節將參照圖2A-2C而加以詳細描述。
應理解雖然圖1顯示包含某些元件的電漿腔室104之實施例，但相較於圖1所示之該等元件，可替代地採用額外的元件或不同外形的元件。或者，電漿腔室104可為連接至噴淋頭112的獨立腔室，以將遠端產生之電漿供應至處理區域234。
圖2A顯示用於一實施例中之系統的範例間隔件212之近視圖。間隔件212之側延伸部218的上表面包含一凹槽214以容置加熱元件216。容納於凹槽214中的加熱元件216的第一端連接至功率源258以將熱提供至間隔件212，且第二端連接至電氣接地259。在一些實施例中，凹槽214係配置以使接近加熱元件216之相對端的部分216a重疊，如圖所示。加熱元件216為一線圈，且界定加熱元件216之重疊部分216a之量以使施加至加熱元件216的溫度不會導致不同部分之間隔件的不均勻加熱。在一些實施例中，控制施加至加熱元件216的溫度並界定重疊部分216a之量，因而在接近重疊部分216a之區域中的間隔件212之部分中的所有溫度提升實質上補償由加熱元件216到外部的熱損耗，以確保施加至間隔件212之直立元件的溫度均勻性。在一些實施例中，加熱元件216為電阻線圈。在一些實施例中，加熱元件216係包裝於外殼之中。在一些實施例中，殼層係由不銹鋼材料所構成。
間隔件212之上表面212c包含一內唇部224。該內唇部224用以支撐襯墊。側延伸部218之外壁包含一外唇部226。該外唇部226用以將間隔件212置於一延伸唇部之上，該延伸唇部係界定於上腔室部分102的腔室壁102a之底部中，因此可藉由上腔室部分102將間隔件212升起。
在一實施例中，圖2B顯示用於一系統的間隔件212之近視概觀圖，以及圖2C顯示間隔件之一部分的近視剖面圖。使用相同參考符號以指涉圖2A、2B及2C中共通的元件。同時參照圖2A、2B及2C，間隔件212之側壁212a之直立元件劃分出處理區域234。在間隔件212之側延伸部218的上表面218a上方界定一凹槽214，該間隔件212之側延伸部218徑向往外延伸離開處理區域234，因此嵌在凹槽214中的加熱元件216係在處理區域234之外的間隔件212之一側上。
間隔件212係由導電材料所構成。在一範例實施例中，導電材料為鋁。導電材料並不限於鋁，而係可包含對於處理室內之環境具導電性的其他導電材料。在一實施例中，由間隔件212之直立元件所界定的側壁212a係設計為凹凸不平或粗糙的。在一實施例中，側壁212a係界定以具有介於約10到約20微英吋之間的範圍之粗糙因子。在一範例實施例中，粗糙因子約為16微英吋。將間隔件212之側壁212a保持粗糙使得腔室內的粒子性能增強。例如，間隔件212的粗糙側壁212a會致使粒子附著於側壁212a而不易剝離。
間隔件212包含額外的凹槽以容納不同的環件。例如，在間隔件212之環狀本體之上表面212c上方接近內半徑處配置第二凹槽220。在第二凹槽220中嵌入一O型環。在第二凹槽220中的O型環用以將間隔件212緊密地連接至噴淋頭112。在間隔件212之環狀本體之上表面212c上方接近外半徑處配置第三凹槽222。在第三凹槽222中配置射頻(RF)墊圈。該RF墊圈用以將間隔件212電氣接地。在間隔件212之上表面212c之內側上形成內唇部224。在一實施例中，內唇部224可用以支撐襯墊。在一些實施例中，內唇部224可用以支撐不同材料的襯墊，且可執行不同表面處理以測試襯墊的功效。
沿著間隔件212之側延伸部218之外壁形成外唇部226。該外唇部226可用於藉由上腔室部分102將間隔件212升起。例如，上腔室部分102之腔室壁102a之底部係設計以包圍間隔件212的側延伸部218。在腔室壁102a之底部界定一延伸唇部102b。延伸唇部102b由腔室壁102a之底側朝著處理區域234徑向往內突出，以使其延伸至形成於間隔件212之外壁上的外唇部226下方。當將上腔室部分102升起時，跟隨著上腔室部分102之其他元件，坐落於延伸唇部102b上方的間隔件212之外唇部226執行將間隔件212升起之工作。因此，外唇部226亦可稱為「抬升唇部」。在間隔件212之外側壁212b中界定一唇部(亦即，外唇部226)使得所使用之材料量減少，因此使間隔件的總重量及成本降低(由於所使用之材料量減少)。再者，外唇部226提供較小的表面積，因此使散失至外部的熱量減少。
在一實施例中，利用緊固機構將間隔件212固定於上腔室部分102。在一範例實施例中，緊固機構可包含螺栓。應注意前述之緊固機構僅為範例，而亦可使用其他型式之緊固機構。
在一實施例中，緊接於側延伸部218上方沿著間隔件212之外側壁212b界定一切除部228。在此實施例中，將切除部228界定於在間隔件212之外側壁212b之側延伸部218上方的外側壁212b之部分中，而非在側延伸部218下方之部分中。在其他實施例中，可在外側壁212b上界定額外的切除部，包括在側延伸部218下方之部分中、在側延伸部218上方之部分中等等。在一實施例中，將切除部228界定於接近凹槽214處，在該凹槽214中嵌著加熱元件216。切除部228用以控制提供至間隔件212之直立元件的溫度，因此沿著間隔件212之直立元件的長度及寬度而傳送均勻的溫度。並且，切除部228使得由間隔件212至上腔室部分102中的噴淋頭112之熱傳最小化。
在一實施例中，連接至加熱元件216的功率源258係配置以將熱提供至加熱元件216，其陸續將熱提供至間隔件212之直立元件，以在製造操作期間將間隔件212之側壁212a維持於理想範圍內的穩定溫度。在一實施例中，功率源258係配置以提供約200伏特的電力而產生至少約4 Kw之功率。
在一實施例中，功率源258連接至一控制模組，例如圖4所示者，因此控制模組可控制所施加至加熱元件216的電力，從而控制間隔件212之直立元件(亦即，側壁212a)的溫度。在一實施例中，在間隔件212中設置一熱感測器(未顯示)以感測由間隔件212之直立元件所界定之側壁212a的溫度。該熱感測器連接至控制模組，因此由熱感測器所測得之溫度被回授至控制模組。控制模組可利用來自熱感測器之回授以判定所施加至加熱元件216的功率是否需提高或降低。例如，若由熱感測器所測得之溫度係高的，則控制模組可降低或停止所供應至加熱元件216的功率。或者，若所測得之溫度係低的，則控制模組可傳送信號至功率源以提高所供應至加熱元件216的功率。此容許加熱元件216將間隔件212之側壁212a維持於理想範圍內的穩定溫度。
在一實施例中，圖3A及3B顯示簡化之方塊圖，其描繪界定於系統100中之腔室內的台座204的相對位置。當腔室並未用於任何製造操作時，台座204係在非工作位置，如圖3A所顯示。在非工作位置時，腔室內的間隔件212之直立元件之底面212d係在台座204的上表面之側邊之上方，使得介於台座204之支座表面之外緣與間隔件212之側壁212a之間的間隙232為顯著的。圖3A顯示當台座204係在非工作位置時，介於台座204之支座表面之外緣與間隔件212之側壁212a之間的間隙232。
當欲在處理室中執行製造操作時，藉由啟動升降機構而將台座204向上升起至處理位置。台座204向上移動致使台座204之支座表面由在間隔件212之直立元件之底面212d下方變成為同水平或略高於間隔件212之底面212d。在一些實施例中，台座204的向上移動量及處理位置可取決於在基板上所進行之處理的型式及處理型式的處理條件需求。例如，不同處理可能需要在處理區域中之不同型式的溫度控制，以將所有透過間隔及腔室壁而損耗的熱最小化。在處理位置時，介於台座204之支座表面之外緣與間隔件212之側壁212a之間的間隙232被縮狹。圖3B顯示一範例實施例，其中台座204正處於處理位置。並且，在處理位置時，台座204之支座表面相較於間隔件212之底面212d而位在較高水平處。
參照回到圖2C，為了提供處理區域234內的最佳電漿處理，間隔件212之尺寸(例如，高度、寬度、內直徑、外直徑等)為所欲考量的重要實施態樣。例如，由間隔件212之直立元件所界定的側壁212a延伸一高度「h1」以實質上覆蓋處理區域234的長度、且延伸一厚度「d1」以界定介於台座204之支座表面與直立元件之側壁212a之間的間隔，俾容許處理氣體從處理區域234流出。在一實施例中，界定間隔件212之高度h1以使當台座204在處理位置時，間隔件212之直立元件之底面伸至台座204的上表面下方。
在一實施例中，間隔件212之側壁212a之高度h1為介於約3.0”到約4.0”。在一範例實施例中，間隔件212之側壁212a之高度h1約為3.4”。在一實施例中，間隔件212之直立元件之底部的厚度d1為介於約1”到約2”。在另一實施例中，間隔件212之直立元件之底部的厚度為介於約1.2”到約1.6”。在一些範例實施例中，間隔件212的厚度約為1.3”。在一實施例中，在間隔件212之內側壁與台座204之支座表面之外緣之間界定介於約0.20”到約0.50”的間隙232。在另一實施例中，間隙232約為0.35”。
在一實施例中，圖3C顯示來自間隔件212內之加熱元件216的熱耗散。僅顯示腔室之一部分以提供對於間隔件212之主體內的熱耗散之較佳理解。由功率源258所提供之熱係藉由加熱元件216而徑向往外朝著間隔件212之主體傳輸。由於在側延伸部218中存在最小表面積之間隔件212，多數之來自加熱元件216的熱被指向間隔件212之直立元件(212e)。因此，熱徑向往外並以同心弧之方向(以圖3C中的分裂箭頭顯示)朝著界定於間隔件212之環狀本體中的直立元件212e之側壁212a而耗散。熱耗散在最接近加熱元件216的間隔件區域中係較強烈的，而在遠離加熱元件216處係較均勻的，其可由同心弧的曲率看出，亦即，在靠近加熱元件216處較為彎曲，而當其到達間隔件212之側壁212a時變得平坦。加熱元件216的位置及間隔件212之各種部件的尺寸係設計以將實質上對稱的熱分佈提供至間隔件212之環狀本體之直立元件212e，因此將在間隔件212之側壁212a處的熱維持於理想範圍。
本文所描述之各種實施例提供方法以藉由將表面溫度由室溫提高至一較高數值而改善腔室內的粒子性能。在一實施例中，當表面溫度被提升至約150℃時可觀察到最佳粒子性能。在一實施例中，間隔件之幾何(包含內直徑、間隔件之邊界、高度、側壁之粗糙度等)係界定在噴淋頭、台座及間隔件之間的平滑電漿輪廓之重要實施態樣。平滑電漿輪廓在基板上引起較小的邊緣效應、在間隔件之側壁引起較少的反應自由基重組、致使良好的噴淋頭、間隔件及台座之溫度輪廓。加熱元件216之幾何(例如，管狀線圈)係設計以提高在加熱元件216與間隔件212之主要座體(亦即，主體)之間的熱傳效率。間隔件212之幾何協助將處理區域維持於最佳之熱及幾何條件，以致使沉積之較少的應力及剝離(peel off)。
控制模組600可在製造操作期間控制系統的各種元件。例如，控制模組600控制連接至包括加熱元件216、線圈108等各種元件之電源供應器。在一實施例中，台座204可為經供電之電極。在此實施例中，台座204係經由匹配網路(未顯示)而電氣連接至電源供應器(未顯示)。在另一實施例中，可透過匹配網路而將電源供應器電氣連接至噴淋頭112，而非連接至台座204。連接至台座204或噴淋頭112之電源供應器係由控制模組600(例如，控制器)所控制。控制模組600係配置以藉由執行製程輸入及控制608而操作系統100。製程輸入及控制608可包含製程配方(例如功率位準、時序參數、氣體化學物)，且亦可控制基板103、台座204等之機械運動以將基板103之表面之不同部分暴露於電漿。
控制模組600可控制以下情況之氣體化學物傳送：從儲槽161(亦即，圖1之氣體源)到腔室、以及通過界定於下腔室部分中的排放口從腔室往外。氣體化學物經由界定於台座204與間隔件212之間的間隙232流出腔室而朝向排放口。真空泵浦(例如，一或二級機械乾式泵浦及/或渦輪分子泵浦)用以將氣體化學物抽出，且藉由閉迴路控制之流量限制裝置(例如節流閥或鐘擺閥)以在腔室內維持適當低之壓力。
圖4顯示用以控制上述系統之各種元件的控制模組600。在一實施例中，控制模組600可包含處理器、記憶體及一或更多介面。可採用控制模組600以部份基於所感測之數值而控制系統中的裝置。例如，基於所感測之數值及其他控制參數，控制模組600可控制一或更多之閥602、濾波加熱器604、泵浦606、升降機構及其他裝置(亦即，製程輸入及控制裝置)。控制模組600，僅舉例而言，從壓力測壓器610、流量計612、溫度或熱感測器614、及/或其他感測器616接收所感測之數值。亦可採用控制模組600以在前驅物傳送及薄膜沉積期間控制處理條件。控制模組600通常包含一或更多之記憶體裝置及一或更多之處理器。
控制模組600可控制前驅物傳送系統及沉積設備之作業。控制模組600執行電腦程式，包含用於控制以下者之指令集：特定處理的處理時序、傳送系統溫度、過濾器兩端之壓差、閥之位置、氣體之混合、腔室壓力、腔室溫度(其包含處理區域中的表面溫度)、晶圓溫度、RF功率位準、晶圓夾頭或台座位置、饋送至線圈之功率、饋送至加熱元件之功率、以及其他參數。控制模組600亦可監視壓差及自動切換從一或更多路徑到一或更多其他路徑的蒸氣前驅物傳送。儲存於記憶體裝置、與控制模組600相關的其他電腦程式可於一些實施例中被採用。
通常會存在與控制模組600相關的使用者介面。該使用者介面可包含顯示器618(例如顯示螢幕、及/或設備及/或處理條件的圖形軟體顯示器) 、以及使用者輸入裝置620，例如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、傳聲器等。
用以控制處理序列中的前驅物之傳送、沉積及其他處理之電腦程式可以任何習用電腦可讀取程式語言寫入：例如，組合語言、C、C++、Pascal、Fortran或其他。藉由處理器執行編譯目的碼或指令碼以執行程式中所識別之工作。
控制模組參數係關於處理條件，例如過濾器之壓差、處理氣體之成分及流動速率、溫度、壓力、電漿條件(例如RF功率位準及低頻RF之頻率)、冷卻氣體壓力、以及腔室壁溫度。
系統軟體可以許多不同方式設計或配置。例如，可寫入許多腔室元件之子程式或控制目的，以控制必要的腔室元件之操作，俾實現創造性的沉積處理。為此目的之程式或程式區段之範例包含基板定位碼、處理氣體控制碼、壓力控制碼、加熱器控制碼、以及電漿控制碼。
基板定位程式可包含用以控制腔室元件的程式碼，該等腔室元件係用以裝載基板至台座上或夾頭上、及用以控制基板與腔室的其他部件(例如氣體入口及/或目標)之間的間距。處理氣體控制程式可包含程式碼，用以控制氣體成分及流動速率及可選擇地用以在沉積之前將氣體流入腔室，俾穩定腔室中的壓力。過濾器監視程式包含將所量測的壓差與預先決定的數值作比較之碼、及/或用以切換路徑之碼。壓力控制程式可包含用以藉由調整例如腔室之排放系統中的節流閥以控制腔室內的壓力之碼。加熱器控制程式可包含用以控制前驅物傳送系統的加熱元件之加熱單元、系統之加熱元件、加熱線圈、基板及/或其他部分中的電流之碼。或者，加熱器控制程式可控制熱傳氣體(例如氦氣)傳送至晶圓夾頭。
在沉積期間可監視之感測器之範例包含(但不限於)位於傳送系統、台座或夾頭(例如溫度感測器614)中的質量流量控制模組、壓力感測器(例如壓力測壓器610)、溫度或熱感測器、以及熱電隅。可將適當程式化之回授及控制演算法與來自該等感測器之資料配合使用，以維持所期望之處理條件。上述內容描述在單一或多腔室半導體處理工具中本揭露內容之實施例的執行。
上述之實施例說明已為例釋及敘述之目的而提供。非意圖為詳盡的或作為限制本揭露內容。即使未特意加以顯示或描述，特定實施例之個別元素或特徵一般而言不限於該特定實施例，而係在適用情況下皆為可通用且可用於所選之實施例。相同物亦可以許多方式而作變化。如此之變化不被認為係離開本發明，且所有如此之修改均應包含於本發明之範圍內。
雖然上述之實施例為了清楚理解的目的已以一些細節加以描述，但顯然地，某些改變與修飾可在隨附申請專利範圍之範疇內加以實施。因此，所描述的實施例係被視為說明性而非限制性的，且該等實施例非受限於本文所提供之細節，而可在其範疇及申請專利範圍之等效設計內加以修飾。
100‧‧‧系統
101‧‧‧下腔室部分
101a‧‧‧ 腔室壁
102‧‧‧上腔室部分
102a‧‧‧ 腔室壁
102b‧‧‧延伸唇部
103‧‧‧基板
104‧‧‧電漿腔室
104a‧‧‧狹頸區段
104b‧‧‧圓錐區段
104c‧‧‧圓柱區段
106‧‧‧擴散器
107‧‧‧窗部
108a‧‧‧線圈
108b‧‧‧線圈
110‧‧‧能量源
112‧‧‧噴淋頭
112a‧‧‧噴嘴
112b‧‧‧噴淋頭之上表面
152‧‧‧RF產生器
154‧‧‧匹配網路
158‧‧‧電容器
159‧‧‧電氣接地
161‧‧‧儲槽
182‧‧‧注射口
204‧‧‧台座
212‧‧‧間隔件
212a‧‧‧間隔件之側壁
212b‧‧‧間隔件之外側壁
212c‧‧‧間隔件之上表面
212d‧‧‧間隔件之底面
212e‧‧‧直立元件
214‧‧‧凹槽
216‧‧‧加熱元件
216a‧‧加熱元件之重疊部分
218‧‧‧側延伸部
218a‧‧‧側延伸部之上表面
220‧‧‧第二凹槽
222‧‧‧第三凹槽
224‧‧‧內唇部
226‧‧‧外唇部
228‧‧‧切除部
230‧‧‧凹槽
231‧‧‧O型環
232‧‧‧間隙
234‧‧‧處理區域
258‧‧‧功率源
259‧‧‧電氣接地
600‧‧‧控制模組
602‧‧‧閥
604‧‧‧濾波加熱器
606‧‧‧泵浦
608‧‧‧其他裝置/製程輸入及控制
610‧‧‧壓力測壓器
612‧‧‧流量計
614‧‧‧溫度感測器
616‧‧‧其他感測器
618‧‧‧顯示器
620‧‧‧輸入裝置
在一實施例中，圖1顯示在系統內所界定的處理區域的近視剖面圖，該系統係配置以在晶圓上執行沉積處理。
在一實施例中，圖2A顯示用於系統內的間隔件之一部分的橫剖面圖。
在一實施例中，圖2B顯示識別各種元件之位置的間隔件的橫剖面概觀圖。
在一實施例中，圖2C顯示識別不同元件的間隔件之一部分的剖面圖。
在一實施例中，圖3A顯示系統的簡化方塊圖，其中台座係在用以處理基板之腔室內的非工作位置。
在一實施例中，圖3B顯示系統的簡化方塊圖，其中台座係在基板之處理期間之腔室內的工作位置。
在一實施例中，圖3C提供在間隔件內將熱耗散的加熱元件的圖示。
在一實施例中，圖4顯示用於控制系統之各種元件的控制模組的簡化方塊圖。

Claims (27)

  1. 一種基板處理系統，用以處理一基板，該基板處理系統包含： 一腔室，具有界定一下腔室部分的一腔室壁且具有一上腔室部分，該上腔室部分具有一電漿腔室； 一噴淋頭，配置於該上腔室部分之該電漿腔室與一處理區域之間； 一台座，配置於該下腔室部分中，該台座具有用於該基板(當存在時)的一支座，該台座之該支座係配置以定向於該噴淋頭下方，以使該處理區域係界定於該台座之該支座與該噴淋頭之間； 一間隔件，配置於該噴淋頭與該下腔室部分之該腔室壁之間，該間隔件係由以下者所界定： 一環狀本體，具有界定一側壁之一直立元件，該側壁環繞該處理區域； 該環狀本體包含配置於該處理區域之外的一側延伸部，該側延伸部從該直立元件徑向往外突出； 該環狀本體包含形成於該側延伸部中的一凹槽，該凹槽係配置以環繞該環狀本體之該直立元件；且包含一加熱元件，其係嵌於該側延伸部之該凹槽中。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該加熱元件在第一端連接至一功率源且在第二端連接至電氣接地。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該加熱元件係配置以在整個該環狀本體以實質對稱分佈之方式傳導熱，以使該直立元件將經控制之熱輪廓顯現於環繞該處理區域的該側壁。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該凹槽係形成於該側延伸部的上表面之上。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該間隔件之該環狀本體沿著該噴淋頭的外周而連接至該噴淋頭。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中面對該處理區域的該直立元件之該側壁係與該台座之該支座的外緣相隔開以在其間界定一間隙。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理系統，其中該間隙的尺寸係介於約0.20英吋至約0.50英吋之間。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，更包含沿著該環狀本體之外側壁、緊接於該側延伸部上方而界定的一切除部，該切除部靠近在該側延伸部上所界定的該凹槽。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，更包含從該側延伸部之外側壁徑向往外延伸的一唇部，該唇部係配置為坐落於一延伸唇部的上方，該延伸唇部係界定於該上腔室部分之一腔室壁之底面上，其中該延伸唇部從該腔室壁之底面徑向往內突出。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理系統，其中該上腔室部分之該腔室壁實質上環繞該間隔件之該側延伸部。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該間隔件之該側延伸部係配置為坐落在嵌於一凹槽中的一O型環之上，該凹槽係界定於該下腔室部分之該腔室壁的上表面之上。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該環狀本體包含： 一第二凹槽，形成於該環狀本體的靠近內半徑的上表面之上，以及 一第三凹槽，形成於該環狀本體的靠近外半徑的上表面之上， 其中一O型環嵌於該第二凹槽之中，且一射頻墊圈嵌於該第三凹槽之中。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中形成於該側延伸部中的該凹槽係配置以容許接近該加熱元件之相對端的一部分之重疊。
  14. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該加熱元件係包裝於一外殼之中，該外殼係由不銹鋼材料所構成。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該間隔件之該直立元件的厚度係介於約1英吋到約2英吋。
  16. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該間隔件之該直立元件的高度係介於約2.5英吋到約4.5英吋。
  17. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中該電漿腔室係緊接地配置於該噴淋頭上方、且係連接至一儲槽以接收氣體化學物，連接至一功率源的至少一加熱線圈係配置於該電漿腔室之外壁上以環繞該電漿腔室之一部分，該至少一加熱線圈係配置以將熱傳導至該電漿腔室內的該氣體化學物。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理系統，其中該電漿腔室包含配置於其內的一擴散器，該擴散器連接至該儲槽且包含注射口以將該氣體化學物供應至該電漿腔室。
  19. 一種基板處理腔室，用以處理一基板，該基板處理腔室包含： 一下腔室壁，界定一下腔室部分、以及一上腔室壁，界定一上腔室部分； 一噴淋頭，配置於該上腔室部分中； 一台座，配置於該下腔室部分中，該台座具有用於該基板(當存在時)的一支座，該台座之該支座係配置以定向於該噴淋頭下方，以使一處理區域係界定於該台座之該支座與該噴淋頭之間； 一間隔件，配置於該噴淋頭與該下腔室壁之間，該間隔件係由以下者所界定： 一環狀本體，具有界定一側壁之一直立元件，該側壁環繞該處理區域； 該環狀本體包含配置於該處理區域之外的一側延伸部，該側延伸部從該直立元件徑向往外突出； 該環狀本體包含形成於該側延伸部中的一凹槽，該凹槽係配置以環繞該環狀本體之該直立元件；且包含一加熱元件，其係嵌於該側延伸部之該凹槽中。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該加熱元件在第一端連接至一功率源且在第二端連接至電氣接地，以使該加熱元件係配置以在整個該環狀本體以實質對稱分佈之方式傳導熱。
  21. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該凹槽係形成於該側延伸部的上表面之上、且係配置以容許接近該加熱元件之相對端的一部分之重疊。
  22. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該間隔件之該環狀本體沿著該噴淋頭的外周而連接至該噴淋頭的底面。
  23. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中面對該處理區域的該直立元件之該側壁係與該台座之該支座的外緣相隔開以在其間界定一間隙，其中該間隙的尺寸係介於約0.20英吋至約0.50英吋之間。
  24. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該環狀本體包含一第二凹槽，其形成於該環狀本體的靠近一內半徑的上表面之上，以及 一第三凹槽，其形成於該環狀本體的靠近一外半徑的上表面之上， 其中一O型環嵌於該第二凹槽之中，且一射頻墊圈嵌於該第三凹槽之中。
  25. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該環狀本體之該側延伸部係配置以坐落於該下腔室壁之上以實質上將該處理區域密封。
  26. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，更包含沿著該環狀本體之外側壁、緊接於該側延伸部上方而界定的一切除部，該切除部於靠近在該側延伸部上所界定的該凹槽處形成。
  27. 如申請專利範圍第19項之基板處理腔室，其中該噴淋頭連接至一電漿腔室，其中該電漿腔室係獨立的且在該腔室之外部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821770B (zh) * 2020-11-11 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱元件、基片承載元件及其等離子體處理裝置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887205B2 (ja) * 2018-07-25 2021-06-16 株式会社大一商会 遊技機
JP6887206B2 (ja) * 2018-07-25 2021-06-16 株式会社大一商会 遊技機
US10889894B2 (en) * 2018-08-06 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Faceplate with embedded heater
JP6753983B2 (ja) * 2018-08-20 2020-09-09 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置
JP7240958B2 (ja) * 2018-09-06 2023-03-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN110894596A (zh) * 2018-09-13 2020-03-20 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备及其反应腔体
CN112823406B (zh) * 2018-09-26 2024-03-12 应用材料公司 用于等离子体处理腔室的导热间隔件
KR102351319B1 (ko) * 2021-05-25 2022-01-17 주식회사 기가레인 히팅 어셈블리

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US6308654B1 (en) * 1996-10-18 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome
US5914050A (en) * 1997-09-22 1999-06-22 Applied Materials, Inc. Purged lower liner
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6192827B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
US6192829B1 (en) * 1999-05-05 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Antenna coil assemblies for substrate processing chambers
US6227140B1 (en) * 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US20020170677A1 (en) * 2001-04-07 2002-11-21 Tucker Steven D. RF power process apparatus and methods
KR100597627B1 (ko) * 2003-12-19 2006-07-07 삼성전자주식회사 플라즈마 반응 챔버
US20050229849A1 (en) * 2004-02-13 2005-10-20 Applied Materials, Inc. High productivity plasma processing chamber
JP4029092B2 (ja) * 2004-10-26 2008-01-09 日本ピラー工業株式会社 流体用ヒータ及び流体加熱装置
US8444926B2 (en) * 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
WO2009078923A2 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Lam Research Corporation Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus
US20090178763A1 (en) * 2008-01-10 2009-07-16 Applied Materials, Inc. Showerhead insulator and etch chamber liner
US8110068B2 (en) * 2008-03-20 2012-02-07 Novellus Systems, Inc. Gas flow distribution receptacles, plasma generator systems, and methods for performing plasma stripping processes
US9520275B2 (en) * 2008-03-21 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821770B (zh) * 2020-11-11 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱元件、基片承載元件及其等離子體處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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