RU2008142998A - Матрица детекторов излучения - Google Patents

Матрица детекторов излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2008142998A
RU2008142998A RU2008142998/28A RU2008142998A RU2008142998A RU 2008142998 A RU2008142998 A RU 2008142998A RU 2008142998/28 A RU2008142998/28 A RU 2008142998/28A RU 2008142998 A RU2008142998 A RU 2008142998A RU 2008142998 A RU2008142998 A RU 2008142998A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation detector
contacts
radiation
signal processing
detector according
Prior art date
Application number
RU2008142998/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2408110C2 (ru
Inventor
Рэндалл П. ЛУХТА (US)
Рэндалл П. ЛУХТА
Марк А. ЧАППО (US)
Марк А. ЧАППО
Брайан Е. ХАРВУД (US)
Брайан Е. ХАРВУД
Родни А. МЭТТСОН (US)
Родни А. МЭТТСОН
Крис Джон ВРЕТТОС (US)
Крис Джон ВРЕТТОС
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl)
Publication of RU2008142998A publication Critical patent/RU2008142998A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2408110C2 publication Critical patent/RU2408110C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/50—Detectors
    • G01N2223/501—Detectors array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0605—Shape
    • H01L2224/06051—Bonding areas having different shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/143—Digital devices
    • H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
    • H01L2924/19104—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device on the semiconductor or solid-state device, i.e. passive-on-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

1. Детектор излучения, содержащий: ! сцинтиллятор (200); ! матрицу (202) фотодетекторов, содержащую: ! полупроводниковую подложку (208), включающую в себя множество фотодетекторных элементов в оптической связи с сцинтиллятором; ! металлизацию (210), сформированную на стороне полупроводниковой подложки, противоположной сцинтиллятору; ! электронику (205) сигнальной обработки, несомую на стороне матрицы фотодетекторов, противоположной сцинтиллятору; ! при этом металлизация включает в себя первое множество контактов (214), электрически присоединенных к фотодетекторным элементам, и второе множество контактов (216, 217, 219) в электрической связи с первым множеством контактов и электроникой сигнальной обработки. ! 2. Детектор излучения по п.1, в котором металлизация включает в себя первый и второй слои (2101, 2102) металлизации. ! 3. Детектор излучения по п.2, в котором первое множество контактов размещено в первом слое, а второе множество контактов размещено во втором слое. ! 4. Детектор излучения по п.1, в котором электроника сигнальной обработки включает в себя интегральную схему (206). ! 5. Детектор излучения по п.4, в котором интегральная схема присоединена пайкой ко второму множеству контактов. ! 6. Детектор излучения по п.1, в котором металлизация включает в себя токопроводящие схемные дорожки (221), которые формируют по меньшей мере часть токопроводящего тракта между первым множеством контактов и вторым множеством контактов. ! 7. Детектор излучения по п.1, дополнительно содержащий электрический разъем (209), приспособленный для обеспечения электрического соединения, внешнего по отношению к детектору излучения, при этом металлизация формируе�

Claims (36)

1. Детектор излучения, содержащий:
сцинтиллятор (200);
матрицу (202) фотодетекторов, содержащую:
полупроводниковую подложку (208), включающую в себя множество фотодетекторных элементов в оптической связи с сцинтиллятором;
металлизацию (210), сформированную на стороне полупроводниковой подложки, противоположной сцинтиллятору;
электронику (205) сигнальной обработки, несомую на стороне матрицы фотодетекторов, противоположной сцинтиллятору;
при этом металлизация включает в себя первое множество контактов (214), электрически присоединенных к фотодетекторным элементам, и второе множество контактов (216, 217, 219) в электрической связи с первым множеством контактов и электроникой сигнальной обработки.
2. Детектор излучения по п.1, в котором металлизация включает в себя первый и второй слои (2101, 2102) металлизации.
3. Детектор излучения по п.2, в котором первое множество контактов размещено в первом слое, а второе множество контактов размещено во втором слое.
4. Детектор излучения по п.1, в котором электроника сигнальной обработки включает в себя интегральную схему (206).
5. Детектор излучения по п.4, в котором интегральная схема присоединена пайкой ко второму множеству контактов.
6. Детектор излучения по п.1, в котором металлизация включает в себя токопроводящие схемные дорожки (221), которые формируют по меньшей мере часть токопроводящего тракта между первым множеством контактов и вторым множеством контактов.
7. Детектор излучения по п.1, дополнительно содержащий электрический разъем (209), приспособленный для обеспечения электрического соединения, внешнего по отношению к детектору излучения, при этом металлизация формирует по меньшей мере часть токопроводящего тракта между электроникой сигнальной обработки и разъемом.
8. Детектор излучения по п.1, в котором фотодетекторные элементы включают в себя подсвечиваемые сзади фотодиоды.
9. Детектор излучения по п.1, включающий в себя крышку, которая включает в себя первую часть (203a, 704), изготовленную из относительно теплоизоляционного материала, и вторую часть (203b, 702), изготовленную из относительно теплопроводного материала, при этом электроника сигнальной обработки включает в себя интегральную схему (206) и при этом вторая часть обеспечивает теплопроводный тракт между интегральной схемой и наружной стороной детектора излучения.
10. Детектор излучения по п.9, в котором первая часть включает в себя отлитый под давлением полимер.
11. Детектор излучения по п.1, в котором множество фотодетекторных элементов скомпонованы в матрице, которая определяет ограниченную плоскость, и при этом электроника сигнальной обработки размещена в пределах ограниченной плоскости.
12. Детектор излучения, содержащий:
полупроводниковую подложку (208), имеющую поверхность (207) приема излучения и включающую в себя двумерную матрицу чувствительных к излучению детекторных элементов, которые детектируют излучение, принимаемое поверхностью приема излучения;
металлизацию (210), сформированную на стороне полупроводниковой подложки, противоположной поверхности приема излучения, при этом металлизация включает в себя первые контакты (214) и вторые контакты (216, 217, 219), первые контакты электрически присоединены к матрице фотодетекторных элементов, а металлизация сконфигурирована для трассировки электрических сигналов между первыми и вторыми контактами.
13. Детектор излучения по п.12, в котором матрица чувствительных к излучению детекторных элементов имеет первое физическое размещение, при этом детектор излучения приспособлен для использования с электроникой сигнальной обработки, имеющей второе физическое размещение, которое отлично от первого физического размещения, и при этом вторые контакты соответствуют второму физическому размещению.
14. Детектор излучения по п.13, при этом детектор излучения приспособлен для использования с электроникой сигнальной обработки, которая присоединена проводами ко вторым контактам.
15. Детектор излучения по п.12, в котором металлизация включает в себя электрические проводники (221), которые обеспечивают по меньшей мере часть токопроводящих трактов между первыми и вторыми контактами.
16. Детектор излучения по п.15, в котором металлизация включает в себя первый (2101) и второй (2102) слои металлизации.
17. Детектор излучения по п.12, в котором металлизация включает в себя контакты, приспособленные для присоединения к электрическому разъему.
18. Детектор излучения по п.17, дополнительно включающий в себя электрический разъем (209) и печатную плату (802), при этом электрический разъем присоединен к контактам, приспособленным для присоединения к электрическому разъему и печатной плате, с тем чтобы обеспечивать электрическое соединение между ними.
19. Детектор излучения по п.12, в котором фотодетекторами являются фотодетекторы КМОП.
20. Детектор излучения по п.12, включающий в себя электронику (205) сигнальной обработки, присоединенную ко вторым контактам.
21. Детектор излучения по п.20, в котором электроника сигнальной обработки включает в себя интегральную схему (206), которая является одной из присоединенной пайкой или присоединенной проводами ко вторым контактам.
22. Детектор излучения по п.21, включающий в себя электрический разъем (209), оперативно присоединенный к электронике сигнальной обработки и электрически присоединенный к металлизации.
23. Детектор излучения по п.22, включающий в себя сцинтиллятор в оптической связи с поверхностью приема излучения.
24. Детектор излучения по п.20, включающий в себя крышку, размещенную на стороне детектора излучения, противоположной поверхности приема излучения, при этом крышка включает в себя первую часть (203a, 704), изготовленную из первого относительно теплоизоляционного материала, и вторую часть (203b, 702), изготовленную из относительно теплопроводного материала, и при этом вторая часть находится в тепловой связи с электроникой сигнальной обработки.
25. Устройство, содержащее область (14) исследования и постамент (16) объекта, который поддерживает объект в области исследования, множество модулей (22) детекторов излучения, размещенных в двумерной матрице, при этом модуль детекторов содержит:
матрицу (202) фотодетекторов, включающую в себя:
полупроводниковую подложку (208), имеющую поверхность (207) приема излучения, которая является обращенной на область исследования и включает в себя матрицу чувствительных к излучению детекторов;
по меньшей мере первый слой (2101, 2102, 2103) трассировки электрических сигналов, сформированный на стороне полупроводниковой подложки, противоположной поверхности приема излучения, с использованием технологии изготовления полупроводников;
электронику (205) сигнальной обработки, несомую матрицей фотодетекторов;
при этом по меньшей мере первый слой трассировки сигналов физически размещен между полупроводниковой подложкой и электроникой сигнальной обработки и при этом по меньшей мере первый слой трассировки электрических сигналов электрически присоединен к электронике сигнальной обработки.
26. Устройство по п.25, включающее в себя второй слой (2102) трассировки электрических сигналов.
27. Устройство по п.26, в котором первый и второй слои трассировки сформированы с использованием технологии металлизации.
28. Устройство по п.26, в котором электроника сигнальной обработки включает в себя ASIC.
29. Устройство по п.28, в котором ASIC присоединена пайкой к матрице фотодетекторов.
30. Устройство по п.25, в котором модули детекторов размещены в мозаичной матрице.
31. Устройство по п.25, в котором модули детекторов излучения размещены в аркообразной 2D-матрице.
32. Устройство по п.25, в котором модули детекторов включают в себя сцинтиллятор, размещенный между поверхностью приема излучения и областью исследования.
33. Устройство по п.25, в котором модули детекторов включают в себя электрический разъем, несомый матрицей фотодетекторных детекторов и в электрической связи с электроникой сигнальной обработки, и при этом по меньшей мере первый слой трассировки формирует по меньшей мере часть токопроводящего тракта между электроникой сигнальной обработки и электрическим разъемом.
34. Устройство по п.33, включающее в себя печатную плату и теплопроводный элемент конструкции, при этом разъемы соответственных модулей детекторов электрически присоединены к печатной плате и при этом теплопроводный элемент конструкции термически присоединен к стороне модуля детектора, которая противоположна поверхности приема излучения.
35. Устройство по п.34, в котором печатная плата включает в себя свободную от материала область, а часть теплопроводного элемента конструкции выступает через свободную от материала область.
36. Устройство по п.34, в котором модули фотодетекторов включают в себя крышку, размещенную на стороне модуля, противоположной поверхности приема излучения, и при этом теплопроводный элемент конструкции прикреплен к крышке механическим крепежом.
RU2008142998/28A 2006-03-30 2007-03-08 Матрица детекторов излучения RU2408110C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74397606P 2006-03-30 2006-03-30
US60/743,976 2006-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008142998A true RU2008142998A (ru) 2010-05-10
RU2408110C2 RU2408110C2 (ru) 2010-12-27

Family

ID=38268760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008142998/28A RU2408110C2 (ru) 2006-03-30 2007-03-08 Матрица детекторов излучения

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8710448B2 (ru)
EP (2) EP3361507A1 (ru)
JP (1) JP5455620B2 (ru)
KR (1) KR20080106453A (ru)
CN (1) CN101410983B (ru)
CA (1) CA2647407A1 (ru)
RU (1) RU2408110C2 (ru)
TW (1) TW200808270A (ru)
WO (1) WO2007117799A2 (ru)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009189801A (ja) * 2008-01-18 2009-08-27 Toshiba Corp 放射線検出器、ｘ線ｃｔ装置、および放射線検出器の製造方法
EP2333585B1 (en) * 2008-10-03 2019-11-20 Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. Radiation detection device and radiation photographing apparatus
CN102414579B (zh) 2009-03-26 2014-05-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 数据采集
CN103323871B (zh) 2009-03-26 2016-01-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 数据采集
JP5281484B2 (ja) * 2009-05-28 2013-09-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出ユニット
BR112012014166A2 (pt) 2009-12-15 2016-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv recorte de imagem do detector de um sistema de geração de imagens e método
US8610079B2 (en) * 2009-12-28 2013-12-17 General Electric Company Robust radiation detector and method of forming the same
US8575558B2 (en) * 2010-11-30 2013-11-05 General Electric Company Detector array with a through-via interposer
CN103443652B (zh) * 2011-03-24 2017-02-15 皇家飞利浦有限公司 谱成像探测器
JP5844580B2 (ja) * 2011-09-05 2016-01-20 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造
US9168008B2 (en) * 2011-11-03 2015-10-27 General Electric Company Coarse segmented detector architecture and method of making same
RU2605520C2 (ru) * 2011-11-29 2016-12-20 Конинклейке Филипс Н.В. Сцинтилляторный блок, содержащий поглощающую рентгеновские лучи оболочку, и рентгеновская детекторная матрица, содержащая такой сцинтилляторный блок
US8569711B2 (en) * 2011-12-21 2013-10-29 General Electric Company HE-3 tube array alignment mount
BR112014015663A8 (pt) * 2011-12-27 2017-07-04 Koninklijke Philips Nv módulo do detector de radiação, digitalizador de pet, e método de montagem de uma matriz do detector de radiação
US9318524B2 (en) 2012-04-30 2016-04-19 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector with per pixel analog channel well isolation with decoupling
CN104285297B (zh) 2012-04-30 2017-08-29 皇家飞利浦有限公司 在读出电子器件和/或光传感器中具有抗混叠滤波器的成像探测器
US9012857B2 (en) * 2012-05-07 2015-04-21 Koninklijke Philips N.V. Multi-layer horizontal computed tomography (CT) detector array with at least one thin photosensor array layer disposed between at least two scintillator array layers
EP2852851A1 (en) * 2012-05-22 2015-04-01 Analogic Corporation Detection system and detector array interconnect assemblies
BR112015012550A2 (pt) 2012-12-03 2018-02-06 Koninklijke Philips Nv matriz detectora e método
US20140321601A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Texas Instruments Incorporated Active shield for x-ray computed tomography machine
CN105556673B (zh) * 2013-07-26 2018-11-30 模拟技术公司 用于辐射成像模式的探测器阵列的探测器单元
GB2516872A (en) 2013-08-02 2015-02-11 Ibm A method for a logging process in a data storage system
RU2549565C1 (ru) * 2013-12-02 2015-04-27 Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательская производственная компания "Электрон" (ЗАО НИПК "Электрон") Способ изготовления матрицы фоточувствительных элементов плоскопанельного детектора рентгеновского изображения
CN105326523B (zh) * 2014-07-28 2020-07-28 Ge医疗系统环球技术有限公司 医疗用x射线探测器
US9526468B2 (en) * 2014-09-09 2016-12-27 General Electric Company Multiple frame acquisition for exposure control in X-ray medical imagers
WO2016064374A1 (en) * 2014-10-20 2016-04-28 Analogic Corporation Detector unit for detector array of radiation imaging modality
CN104605876A (zh) * 2014-12-12 2015-05-13 沈阳东软医疗系统有限公司 一种ct机检测器模块和检测器系统
JP6285577B2 (ja) * 2015-01-15 2018-02-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 撮像検出器モジュールアセンブリ
US9835733B2 (en) * 2015-04-30 2017-12-05 Zhengrong Ying Apparatus for detecting X-rays
US10185043B2 (en) 2015-07-17 2019-01-22 Analogic Corporation Detector unit for detector array of radiation imaging modality
US10261195B2 (en) * 2015-08-07 2019-04-16 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector with improved spatial accuracy
US9599723B2 (en) 2015-08-18 2017-03-21 Carestream Health, Inc. Method and apparatus with tiled image sensors
US10192646B2 (en) 2016-04-25 2019-01-29 General Electric Company Radiation shielding system
CN109642957A (zh) 2016-08-03 2019-04-16 皇家飞利浦有限公司 三维固态成像光电探测器
JP6907054B2 (ja) * 2017-07-07 2021-07-21 キヤノン株式会社 放射線撮影装置
EP3462494B1 (en) * 2017-09-29 2021-03-24 Detection Technology OY Integrated radiation detector device
CN107874776A (zh) * 2017-12-05 2018-04-06 湖北锐世数字医学影像科技有限公司 一种pet晶体单元的挂接装置
CN108186040B (zh) * 2017-12-27 2021-05-14 上海联影医疗科技股份有限公司 Pet探测模块及具有该模块的pet探测设备
JP6555380B2 (ja) * 2018-04-09 2019-08-07 大日本印刷株式会社 ガス増幅を用いた放射線検出器
JP7166833B2 (ja) * 2018-08-03 2022-11-08 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 放射線検出器及び放射線検出器モジュール
WO2020118102A1 (en) 2018-12-06 2020-06-11 Analog Devices, Inc. Shielded integrated device packages
KR20210101238A (ko) 2018-12-06 2021-08-18 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 패시브 디바이스 조립체가 포함된 통합 디바이스 패키지
US11282763B2 (en) * 2019-06-24 2022-03-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor device having a lid with through-holes
CN110664422A (zh) * 2019-09-09 2020-01-10 东软医疗系统股份有限公司 探测器模块、探测器及医疗成像设备
CN112928106A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 同方威视技术股份有限公司 探测器装置和阵列面板
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier
CN113327952A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 北京京东方传感技术有限公司 一种平板探测装置和数字影像诊断设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224174A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Hitachi Medical Corp 放射線検出器
JPH01165983A (ja) * 1987-12-23 1989-06-29 Hitachi Medical Corp 放射線検出器
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
DE4017697C2 (de) * 1990-06-01 2003-12-11 Bosch Gmbh Robert Elektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
US6426991B1 (en) * 2000-11-16 2002-07-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors
JP2003084066A (ja) 2001-04-11 2003-03-19 Nippon Kessho Kogaku Kk 放射線検出器用部品、放射線検出器および放射線検出装置
FR2824953B1 (fr) * 2001-05-18 2004-07-16 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a lentille incorporee et blindage
US6800947B2 (en) * 2001-06-27 2004-10-05 Intel Corporation Flexible tape electronics packaging
US6510195B1 (en) * 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
DE10142531A1 (de) * 2001-08-30 2003-03-20 Philips Corp Intellectual Pty Sensoranordnung aus licht- und/oder röntgenstrahlungsempfindlichen Sensoren
KR100447867B1 (ko) * 2001-10-05 2004-09-08 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US7230247B2 (en) * 2002-03-08 2007-06-12 Hamamatsu Photonics K.K. Detector
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
TWI243339B (en) * 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
US7117588B2 (en) 2002-04-23 2006-10-10 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Method for assembling tiled detectors for ionizing radiation based image detection
WO2003103361A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-11 Mendolia, Greg, S. Combined emi shielding and internal antenna for mobile products
JP4364514B2 (ja) * 2003-01-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 配線基板、及びそれを用いた放射線検出器
US6984816B2 (en) * 2003-08-13 2006-01-10 Motorola, Inc. Vertically integrated photosensor for CMOS imagers
US7170049B2 (en) 2003-12-30 2007-01-30 Dxray, Inc. Pixelated cadmium zinc telluride based photon counting mode detector
US7075091B2 (en) 2004-01-29 2006-07-11 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Apparatus for detecting ionizing radiation
US7224047B2 (en) * 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
JP4963349B2 (ja) * 2005-01-14 2012-06-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3361507A1 (en) 2018-08-15
CN101410983B (zh) 2011-11-09
US8710448B2 (en) 2014-04-29
KR20080106453A (ko) 2008-12-05
JP5455620B2 (ja) 2014-03-26
EP2005475A2 (en) 2008-12-24
WO2007117799A3 (en) 2007-12-06
JP2009532676A (ja) 2009-09-10
CN101410983A (zh) 2009-04-15
WO2007117799A2 (en) 2007-10-18
CA2647407A1 (en) 2007-10-18
RU2408110C2 (ru) 2010-12-27
US20090121146A1 (en) 2009-05-14
TW200808270A (en) 2008-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008142998A (ru) Матрица детекторов излучения
WO2003077538A3 (en) Radiation imaging device and system
US10121918B2 (en) Optical module for preventing cross talk due to undesirable refection light, manufacturing process thereof and electronic device comprising the same
US8047856B2 (en) Array connector for optical transceiver module
EP2560026A4 (en) RADIATION DETECTOR MODULE
WO2011008443A3 (en) Wafer level camera module with active optical element
JP5736253B2 (ja) 光センサ装置
JP2015511027A5 (ru)
US7969743B2 (en) Heat sink assembly with temperature display
WO2004038810A3 (en) Circuit substrate and method
KR20090119658A (ko) 지지 소자를 구비한 이미지 센서 모듈 패키지 구조
TW201110676A (en) Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set
RU2011124539A (ru) Твердотельное устройство формирования изображений в электронное устройство
TW200707715A (en) Solid-state image pickup device
JP2009544011A5 (ru)
JP2014505909A5 (ru)
US10141471B2 (en) Proximity detector device with interconnect layers and related methods
US20140313403A1 (en) Camera module having ambient light sensor
CN209804634U (zh) 光学器件封装
TW200701774A (en) Stack-type image sensor module
JP2015076489A5 (ru)
CN110246852A (zh) 3d图像传感器
TW201145996A (en) Image sensor module and camera module
KR101570207B1 (ko) 전체 두께를 줄이기 위한 이미지 센싱 모듈 및 그 제조 방법
US9263492B2 (en) Image sensor package

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200309